JP2022101420A - 半導体光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)前記基板は、シリコン層を有し、前記テラス、前記導波路および前記回折格子は、前記シリコン層に設けられ、前記回折格子は、前記導波路の延伸方向に沿って前記シリコン層に周期的に配置された凹部と凸部とを含み、前記テラスの上面と、前記回折格子の凸部の上面とは、平面を形成してもよい。半導体素子はテラスおよび凸部に接触するため、接合強度が向上し、かつ熱抵抗が低下する。
(3)前記半導体素子は、前記基板側から順に積層された第1クラッド層、活性層および第2クラッド層を有し、かつ前記回折格子の上に前記基板側から前記基板と反対側に突出する第1メサを有し、前記第1メサは第2クラッド層を含んでもよい。半導体素子が第1メサを有するため、半導体素子への光閉じ込めが強くなり、基板への光の漏洩が抑制され、光のモード制御が可能となる。
(4)前記導波路の延伸方向と交差する方向における前記回折格子の幅は、前記第1メサの幅よりも大きくてもよい。テラスと第1メサとが離れるため、半導体素子への光閉じ込めが強くなり、基板への光の漏洩が抑制される。
(5)前記半導体素子は、前記基板の前記テラスの上に、前記基板側から前記基板とは反対側に突出する第2メサを有し、前記第2メサは、第2クラッド層を含み、かつ前記第1メサから離間し、前記半導体素子は、前記第1クラッド層に電気的に接続された第1電極と、前記第1メサの前記第2クラッド層に電気的に接続された第2電極と、を具備してもよい。第1メサの下部に位置する活性層への光閉じ込めが強くなり、基板への光の漏洩が抑制され、光のモード制御が可能となる。
(6)前記テラスは、前記回折格子に向けて突出する突出部を有し、前記回折格子は前記突出部に接続してもよい。半導体素子と基板との接触面積が増加するため、接合強度が向上し、熱抵抗が低下する。
(7)前記導波路は、前記回折格子側から前記回折格子とは反対側に向けて先細りの第1テーパ部を有してもよい。光の損失を抑制することができる。
(8)前記半導体素子は、前記回折格子側から前記導波路側に向けて先細りの第2テーパ部を有してもよい。半導体素子と基板との光結合が強くなり、光の損失を抑制することができる。
(9)シリコンを含み、平面視でそれぞれ異なる領域に、テラス、導波路および回折格子が形成された基板を用意する工程と、前記基板のうち前記回折格子および前記テラスの上に、III-V族化合物半導体で形成され、光学利得を有する半導体素子を接合する工程を有し、前記接合する工程において前記半導体素子と前記基板の上面とは接触し、前記導波路は、前記導波路の延伸方向において前記回折格子と光結合し、前記テラスは、前記導波路の延伸方向と交差する方向において、前記導波路および前記回折格子の両側に位置し、前記基板は前記テラスと前記導波路との間に溝を有し、前記回折格子は、前記導波路の延伸方向と交差する方向において前記テラスに連続する半導体光素子の製造方法である。半導体素子と基板との接触面積が増大することで、接合強度が向上し、かつ熱抵抗が低下する。
本開示の実施形態に係る半導体光素子およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図1Bから図1Eに示すように、基板10は順に積層されたシリコン(Si)の基板12、酸化シリコン(SiO2)層14およびSi層16を有するSOI基板である。基板10の端面には光の反射を防止するコーティングが施されている。基板10はX軸方向に延伸する辺およびY軸方向に延伸する辺を有する。基板12、SiO2層14およびSi層16の積層方向をZ軸方向とする。X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向は互いに直交する。
図1Aに示す半導体素子30は、III-V族化合物半導体で形成された、リッジメサ構造を有する発光素子である。図1Bから図1Eに示すように、半導体素子30は、基板10側から順にZ軸方向に積層されたクラッド層32(第1クラッド層)、活性層34、クラッド層35(第2クラッド層)およびコンタクト層36を有する。
半導体光素子100の製造には、例えば2つのウェハを用いる。2つのウェハとは、SOI基板のウェハ(基板10)、および半導体素子30を製造するためのIII-V族化合物半導体のウェハである。
図10Aは比較例に係る半導体光素子100Rを例示する平面図である。図10Bから図10Eはそれぞれ図10Aの線A-A、線B-B、線C-C、線D-Dに沿った断面図である。図11は基板10Rを例示する平面図である。半導体光素子100Rは、基板10に代えて基板10Rを有する。
14 SiO2層
16 Si層
20 導波路
21、39、43 テーパ部
22 溝
24 テラス
24a 突出部
26 回折格子
26a 凹部
26b 凸部
30 半導体素子
32、35 クラッド層
34 活性層
36 コンタクト層
37、38 電極
40、42、44 メサ
46 絶縁膜
100、100R 半導体光素子
Claims (9)
- シリコンを含み、平面視でそれぞれ異なる領域に、テラス、導波路および回折格子を有する基板と、
前記回折格子および前記テラスの上に接合され、前記基板の上面に接触し、III-V族化合物半導体で形成され、光学利得を有する半導体素子と、を具備し、
前記導波路は、前記導波路の延伸方向において前記回折格子と光結合し、
前記テラスは、前記導波路の延伸方向と交差する方向において、前記導波路および前記回折格子の両側に位置し、
前記基板は前記テラスと前記導波路との間に溝を有し、
前記回折格子は、前記導波路の延伸方向と交差する方向において前記テラスに連続する半導体光素子。 - 前記基板は、シリコン層を有し、
前記テラス、前記導波路および前記回折格子は、前記シリコン層に設けられ、
前記回折格子は、前記導波路の延伸方向に沿って前記シリコン層に周期的に配置された凹部と凸部とを含み、
前記テラスの上面と、前記回折格子の凸部の上面とは、平面を形成する、請求項1に記載の半導体光素子。 - 前記半導体素子は、前記基板側から順に積層された第1クラッド層、活性層および第2クラッド層を有し、かつ前記回折格子の上に前記基板側から前記基板と反対側に突出する第1メサを有し、
前記第1メサは第2クラッド層を含む、請求項1または請求項2に記載の半導体光素子。 - 前記導波路の延伸方向と交差する方向における前記回折格子の幅は、前記第1メサの幅よりも大きい、請求項3に記載の半導体光素子。
- 前記半導体素子は、前記基板の前記テラスの上に、前記基板側から前記基板とは反対側に突出する第2メサを有し、
前記第2メサは、第2クラッド層を含み、かつ前記第1メサから離間し、
前記半導体素子は、前記第1クラッド層に電気的に接続された第1電極と、前記第1メサの前記第2クラッド層に電気的に接続された第2電極と、を具備する、請求項3または請求項4に記載の半導体光素子。 - 前記テラスは、前記回折格子に向けて突出する突出部を有し、
前記回折格子は前記突出部に接続する、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体光素子。 - 前記導波路は、前記回折格子側から前記回折格子とは反対側に向けて先細りの第1テーパ部を有する、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体光素子。
- 前記半導体素子は、前記回折格子側から前記導波路側に向けて先細りの第2テーパ部を有する、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体光素子。
- シリコンを含み、平面視でそれぞれ異なる領域に、テラス、導波路および回折格子が形成された基板を用意する工程と、
前記基板のうち前記回折格子および前記テラスの上に、III-V族化合物半導体で形成され、光学利得を有する半導体素子を接合する工程を有し、
前記接合する工程において前記半導体素子と前記基板の上面とは接触し、
前記導波路は、前記導波路の延伸方向において前記回折格子と光結合し、
前記テラスは、前記導波路の延伸方向と交差する方向において、前記導波路および前記回折格子の両側に位置し、
前記基板は前記テラスと前記導波路との間に溝を有し、
前記回折格子は、前記導波路の延伸方向と交差する方向において前記テラスに連続する半導体光素子の製造方法。
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