JP2008277854A - リソグラフィ装置とデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】特に、リソグラフィ装置の液体供給システムを使用して、リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に洗浄流体を導入することができる。追加的に又は代替案として、洗浄デバイスを基板テーブルの上に備えてもよく、超音波液体を作り出すために超音波エミッタを備えることもできる。
【選択図】図5
Description
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の上にパターン化された放射光ビームを投影するように構成され、基板に隣接して最終素子を含む投影システムと、
投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
最終光学素子、基板テーブル、又は前記液体に曝される構成部分又は構造の表面の少なくとも1つを洗浄するように構成された洗浄デバイスと
を含むリソグラフィ装置が提供される。
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の上にパターン化された放射光ビームを投影するように構成され、基板に隣接して最終素子を含む投影システムと、
投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
最終光学素子、基板テーブル、又は前記液体に曝される構成部分又は構造の表面の少なくとも1つを被覆するように構成されたコータと
を含むリソグラフィ装置が提供される。
放射光ビームB(例えばUV線又はDUV線)を調節するように構成された照射システム(照射器)ILと、
パターン化デバイス(例えばマスク)MAを支持するように作られて、ある一定のパラメータにしたがってパターン化デバイスを正確に位置付けるように構成された第1位置決め装置PMに連結された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するために作られて、ある一定のパラメータにしたがって基板を正確に位置付けるように構成された第2位置決め装置PWに連結された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)と、
パターン化デバイスMAによって放射光ビームBに分与されたパターンを、基板Wの(例えば1つ又は複数の金型を含む)目標部分Cの上に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ・システム)PSと
を含む。
1.ステップ・モードにおいて、支持構造MTと基板テーブルWTを本質的に定置させて、放射光ビームに分与されたパターン全体を一度に目標部分の上に投影する(すなわち単一静的露光)。次に基板テーブルWTをX及び/又はY方向にずらして、異なる目標部分Cを露光できるようにする。ステップ・モードでは、露光域の最大サイズが、単一静的露光において結像される目標部分Cのサイズを制限する。
BD ビーム分配システム
C 目標部分
IF 位置センサ
IL 照射システム(照射器)
IN 入口
M1、M2 パターン化デバイス位置合せマーク
MA パターン化デバイス
MT 支持構造
OUT 出口
P1、P2 基板位置合せマーク
PM 第1位置決め装置
PS 投影システム
PW 第2位置決め装置
SO 放射光源
W 基板
WT 基板テーブル
10 リザーバ
11 液体、浸液
12 液体閉じ込め構造
13 出口
14 出口
15 入口
16 ガス・シール
20 洗浄ステーション
30 超音波エミッタ
110 洗浄流体、洗浄液
Claims (30)
- 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の上にパターン化された放射光ビームを投影するように構成され、前記基板に隣接する最終光学素子を含む投影システムと、
前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記最終光学素子、前記基板テーブル、又は前記液体に曝される構成部分又は構造の表面の少なくとも1つを洗浄するように構成された洗浄デバイスと
を含むリソグラフィ装置。 - 前記洗浄デバイスが、前記液体供給システムの液体閉じ込め構造を含み、リソグラフィ装置に直列に並ぶ前記最終光学素子を洗浄するように構成されている請求項1に記載の装置。
- 前記洗浄デバイスが、前記空間内の液体をそれぞれ超音波洗浄液体、又はメガ音波洗浄液体に変えるように構成された、超音波トランスミッタ及びメガ音波トランスミッタの群から選択された音波トランスミッタを含む請求項1に記載の装置。
- 前記洗浄デバイスが、低波長紫外線を供給するように構成された光学素子を含む請求項1に記載の装置。
- 前記液体供給システムが、低波長紫外線を透過する表面を含む請求項4に記載の装置。
- 低波長紫外線が193nmの波長を有する請求項4に記載の装置。
- 前記洗浄デバイスが前記空間に洗浄流体を供給するように構成されている請求項1に記載の装置。
- 前記洗浄流体が溶剤を含む請求項7に記載の装置。
- 前記洗浄流体が洗浄剤を含む請求項7に記載の装置。
- 前記洗浄流体が溶存ガスを含む請求項7に記載の装置。
- 前記ガスが酸素、オゾン、又は窒素から選択される請求項10に記載の装置。
- 前記洗浄デバイスが基板テーブルの中にある請求項1に記載の装置。
- 前記洗浄デバイスが噴霧ユニットを含む請求項12に記載の装置。
- 前記噴霧ユニットが光学素子、基板テーブル、又はその両方の上に洗浄流体を噴霧するように構成されている請求項13に記載の装置。
- 前記洗浄流体がオゾンを含む請求項14に記載の装置。
- 前記洗浄流体がプラズマを含む請求項14に記載の装置。
- 前記洗浄流体が液体二酸化炭素を含む請求項14に記載の装置。
- 前記洗浄流体が無極性有機溶剤を含む請求項14に記載の装置。
- 前記洗浄流体が有極性有機溶剤を含む請求項14に記載の装置。
- 前記洗浄デバイスが、最終光学素子のみを洗浄するため、又は基板テーブルのみを洗浄するように構成されている請求項14に記載の装置。
- 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の上にパターン化された放射光ビームを投影するように構成され、前記基板に隣接する最終光学素子を含む投影システムと、
前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記最終光学素子、前記基板テーブル、又は前記液体に曝される構成部分又は構造の表面の少なくとも1つを被覆するように構成されたコータと
を含むリソグラフィ装置。 - 前記コータが基板テーブルの中に噴霧ユニットを含む請求項21に記載の装置。
- 前記コータが前記液体供給システムの液体閉じ込め構造を含み、前記被覆デバイスがリソグラフィ装置に直列に並ぶ前記最終光学素子を被覆するように構成されている請求項21に記載の装置。
- 前記被覆デバイスが、最終光学素子のみを被覆するため、又は基板テーブルのみを洗浄するように構成されている請求項21に記載の装置。
- (i)洗浄流体、(ii)被覆流体、(iii)被覆剥離剤、又は(iv)(i)〜(iii)のいずれかの組合せを、リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に直列適用するための、リソグラフィ装置における流体供給システムの使用。
- リソグラフィ装置の投影システムの最終光学素子の上に洗浄流体を噴霧するように構成された噴霧ユニット。
- リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に閉じ込められた液体を、超音波洗浄液体の中に入れ込むように構成された超音波エミッタ。
- リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に閉じ込められた液体を、メガ音波洗浄液体の中に入れ込むように構成されたメガ音波エミッタ。
- 光学素子と基板テーブルとの空間に液体を有するように構成されたリソグラフィ装置において、投影システムの光学素子、基板テーブル、若しくはその両方を洗浄するための、前記空間を通じて洗浄流体を循環させることを含む方法。
- 光学素子と基板テーブルとの空間に液体を有するように構成されたリソグラフィ装置において、投影システムの光学素子、基板テーブル、若しくはその両方を被覆するための、前記空間を通じて被覆流体を循環させることを含む方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/015,767 US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364310A Division JP4825510B2 (ja) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | リソグラフィ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011260597A Division JP2012044227A (ja) | 2004-12-20 | 2011-11-29 | リソグラフィ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277854A true JP2008277854A (ja) | 2008-11-13 |
Family
ID=36595231
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364310A Expired - Fee Related JP4825510B2 (ja) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | リソグラフィ装置 |
JP2008161741A Pending JP2008227547A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2008161719A Pending JP2008263221A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2008161756A Pending JP2008227548A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2008161707A Pending JP2008277854A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2011260597A Pending JP2012044227A (ja) | 2004-12-20 | 2011-11-29 | リソグラフィ装置 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364310A Expired - Fee Related JP4825510B2 (ja) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | リソグラフィ装置 |
JP2008161741A Pending JP2008227547A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2008161719A Pending JP2008263221A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2008161756A Pending JP2008227548A (ja) | 2004-12-20 | 2008-06-20 | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011260597A Pending JP2012044227A (ja) | 2004-12-20 | 2011-11-29 | リソグラフィ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US7880860B2 (ja) |
JP (6) | JP4825510B2 (ja) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2004-12-20 US US11/015,767 patent/US7880860B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2005-12-19 JP JP2005364310A patent/JP4825510B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2007-01-23 US US11/656,560 patent/US8115899B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2008-06-20 JP JP2008161741A patent/JP2008227547A/ja active Pending
- 2008-06-20 JP JP2008161719A patent/JP2008263221A/ja active Pending
- 2008-06-20 JP JP2008161756A patent/JP2008227548A/ja active Pending
- 2008-06-20 JP JP2008161707A patent/JP2008277854A/ja active Pending
-
2011
- 2011-01-07 US US12/986,576 patent/US8638419B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-23 US US13/242,401 patent/US8941811B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-29 JP JP2011260597A patent/JP2012044227A/ja active Pending
-
2014
- 2014-12-29 US US14/584,826 patent/US9703210B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2017-06-15 US US15/624,419 patent/US10509326B2/en active Active
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US7880860B2 (en) | 2011-02-01 |
US20060132731A1 (en) | 2006-06-22 |
US20110109887A1 (en) | 2011-05-12 |
JP2008227547A (ja) | 2008-09-25 |
US20080002162A1 (en) | 2008-01-03 |
JP2012044227A (ja) | 2012-03-01 |
US20170285488A1 (en) | 2017-10-05 |
US8638419B2 (en) | 2014-01-28 |
JP4825510B2 (ja) | 2011-11-30 |
US9703210B2 (en) | 2017-07-11 |
US20150116675A1 (en) | 2015-04-30 |
JP2008263221A (ja) | 2008-10-30 |
JP2006179909A (ja) | 2006-07-06 |
US8941811B2 (en) | 2015-01-27 |
US8115899B2 (en) | 2012-02-14 |
US10509326B2 (en) | 2019-12-17 |
JP2008227548A (ja) | 2008-09-25 |
US20120008119A1 (en) | 2012-01-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120425 |