JP5118235B2 - リソグラフィ装置および液体除去方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ装置および液体除去方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、リソグラフィ装置の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬することが提案されている。そのポイントは、露光放射線は液体中の方が波長が短いので、描像する形体の小型化を可能にすることである。（液の効果は、システムで使用する有効ＮＡを大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば水晶）が懸濁している水などの、他の浸漬液も提案されている。

[0004] しかし、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることを意味する。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所的区域および投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するための１つの知られている方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれる国際特許公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２および図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が投影システムＰＬの最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口および出口の様々な方向および数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。提案されている別の解決法は、液体供給システムに、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するシール部材を設けることである。このような解決法が図４に図示されている。シール部材は、投影システムＰＬに対してＸＹ平面ではほぼ静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対的運動があってよい。シールは、シール部材と基板の表面との間に形成される。シールは、ガスシールなどの非接触シールであることが好ましい。ガスシールがあるこのようなシステムは、参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号で開示されている。

[0006] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。液体が基板表面と投影システムの最終要素との間の空間に閉じ込められるように、投影システムの像フィールドの周囲に、基板に対する非接触シール１６を形成することができる。この空間は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲む液体閉じ込め構造１２によって少なくとも一部は形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムの下方で液体閉じ込め構造１２内の空間に運び込まれ、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。液体閉じ込め構造１２は、その上端が実施形態では投影システムまたはその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。

[0007] 液体は、使用中に液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容される。ガスシールは、空気または合成空気のような気体で形成されるが、実施形態ではＮ₂または別の不活性ガスであることが好ましく、圧力下で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板の間のギャップに提供され、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４への真空のレベル、およびギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。これらの入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよく、気体１６の流れは、液体を空間１１に収容させるのに効果的である。

[0008] 参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許ＥＰ−Ａ−１，４２０，３００号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有してもよい。

[0009] 液浸リソグラフィを実行する別の方法が、例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる国際特許公開ＷＯ２００５／０６４４０５号で開示されている。この方法では、基板Ｗの上面の全体を液浸液で覆うことができる。投影レンズの下方で、液浸液のレベルは液体閉じ込めユニットによって他の部分より高く維持されるが、液体を投影レンズの下方で基板の局所的区域のみに閉じ込めるために、特別の努力をしていない。これに対する別の考え方では、図５のシール部材は、それと基板の間に液体を漏らすようになっている。したがって、さらに処理するために基板テーブルから基板を外す前に、基板Ｗ（および基板テーブルの上面、または液浸液で覆われているセンサがあれば全て）を乾燥することが望ましくなる。

[0010] 上述のシステムでは、液体が、基板テーブルと基板テーブル上に支持された基板との間のギャップに達することがある。特に、基板が基板テーブルの窪み内に位置するように、基板テーブルの上面および基板は実質的に同一平面上にある。この窪みの外周は、基板のサイズの変動を見越して、基板の外周よりわずかに大きい。これがギャップの原因である。

[0011] 基板テーブルから、特に基板テーブルと基板の間のギャップから液体を除去するシステムを提供することが望ましい。

[0012] 本発明の実施形態によれば、自身内に基板を配置するための窪みを含む基板テーブルと、低圧源に接続可能で、所定の幾何形状の細長い抽出部を形成する少なくとも１つの出口を持つ液体除去デバイスと、抽出部が全ての窪みを通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、最初に抽出部が通り越した窪みの縁部の任意の局所的部分が、平面にて、その局所的正接を、その任意の時点で縁の局所的部分の上方に位置した抽出部の局所的部分の局所的正接に対して約２０°と約９０°の間の角度に持つように、基板テーブルおよび液体除去デバイスを相対的に動かすコントローラと、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0013] 本発明の実施形態によれば、窪み内の基板を支持し、基板と自身の間にギャップが存在する基板テーブルと、低圧源に接続可能で、細長い抽出部を形成する少なくとも１つの出口、および抽出部のいずれかの側に延在し、基板テーブルの上面および基板と実質的に平行である流れ制限表面を含む液体除去デバイスと、使用時には、基板の上面および／または基板テーブルおよびギャップから液体を抽出する間に、ギャップに沿って出口に向かう気体の流れを生成するように、抽出部がギャップ上に位置する場合に、流れ制限表面と基板および／または基板テーブルとの間の抽出部の周囲雰囲気からの気体流抵抗が、ギャップ沿いより大きくなるように、基板テーブルと液体除去デバイスとを相対的に動かすコントローラとを含む液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0014] 本発明の実施形態によれば、基板テーブル上に支持された基板から、および基板と基板テーブルの間のギャップから、液体を除去する方法であって、低圧源に接続され、所定の幾何形状の細長い抽出部を形成する少なくとも１つの出口を持つ液体除去デバイスを提供し、抽出部が基板およびギャップの全てを通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、ギャップの非乾燥部分の縁部で、抽出部の局所的部分が、平面にて、その局所的正接をギャップの局所的正接に対して約２０°と９０°の間の角度に持つように、基板テーブルと液体除去デバイスを相対的に動かすことを含む方法が提供される。

[0015] 本発明の実施形態によれば、基板と基板テーブルの間のギャップから液体を除去する方法であって、低圧源に取り付けられた少なくとも１つの出口を持つ液体除去デバイスを提供し、ギャップに沿って出口へ、および出口に隣接するギャップ内の液体へのガス流を生成するように、ギャップに対して液体除去デバイスを配向し、動かすことを含む方法が提供される。

[0016] 本発明の実施形態では、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームにパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するパターンサポートと、基板を保持する基板テーブルであって、基板と自身がその間にギャップを規定する、基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板に投影する投影システムと、投影システムの最終要素と基板の間の空間に流体を提供する流体供給システムと、低圧源に接続可能な出口を含む液体除去デバイスであって、出口が細長い抽出部を形成し、液体除去デバイスと基板テーブルが、抽出部が基板テーブルと基板の間に規定されたギャップのいずれかの部分上に位置する場合に、ギャップの部分の正接が細長い抽出部の正接に対して約２０°と９０°の間の角度を規定するように、相互に対して動作可能である、液体除去デバイスとを含むリソグラフィ装置。

[0017] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。

[0018] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0019] リソグラフィ投影装置で使用される従来通りの液体供給システムを示した図である。 [0019] リソグラフィ投影装置に使用される従来通りの液体供給システムを示した図である。 [0020] リソグラフィ投影装置に使用される従来通りの液体供給システムを示した図である。 [0021] 液体供給システムを示した断面図である。 [0022] 図６ａおよび図６ｂは、本発明の実施形態による使用中の液体除去デバイスを示した上面図である。 [0023] 本発明の実施形態による液体除去デバイスを示す図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩを通る断面図である。 [0024] 本発明の実施形態による液体除去デバイスを示す上面図である。 [0024] 本発明の実施形態による液体除去デバイスを示す上面図である。 [0025] 本発明の実施形態による液体除去デバイスを示す上面図である。

[0026] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0027] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0028] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、つまりその重量を支えている。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）は、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0029] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

[0030] パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(Alternating)位相シフトマスク、減衰型(Attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0031] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。

[0032] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。

[0033] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0034] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0035] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0036] 放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。以下でさらに説明する液浸フードＩＨが、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間に液浸液を供給する。

[0037] 第二ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0038] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0039] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0040] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。

[0041] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0042] 上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。

[0043] 本発明の実施形態は、基板Ｗの上面全体を液浸液中で覆うことができる液体液浸システム（例えば国際特許公開ＷＯ２００５／０６４４０５号参照）に特に有用である。しかし、本発明の実施形態は、乾燥が必要な他のタイプの液浸システム、特に液体が、例えば基板と基板テーブルＷＴの間のギャップに捕捉される任意のタイプにも適用可能である。

[0044] 図６ａは、本発明の実施形態による液体除去デバイス２００の上面図を示す。基板サイズの変動を考慮して、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間にギャップ１００が存在する。基板Ｗの上面と基板テーブルＷＴが実質的に同一平面上になるように、基板Ｗが基板テーブルＷＴの窪み内に配置される。液体除去デバイス２００は、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップ１００からなど、基板テーブルＷＴの上面（および／または基板Ｗ）から液体を除去するように構成される。

[0045] 液体除去デバイス２００は、低圧源（図６には図示せず）に接続された出口または抽出部２１０を含む。出口または抽出部２１０は、液体除去デバイス２００の底面に形成される。液体除去デバイス２００の底面は、出口２１０のいずれかの側に、液体除去デバイス２００と基板Ｗおよび基板テーブルＷＴとの相互運動２０５の方向で基板テーブルＷの上面および基板テーブルＷＴと実質的に平行である表面を含む。これらの平行な表面は、同一平面上にあることが好ましく、液体除去デバイス２００の下側にある２つの突起２５０と見なすことができる。これらの平行な表面の目的については、以下でさらに詳細に説明する。低圧源は真空ポンプとできる。

[0046] 図６ａには、細長い形状の１つの出口であるように、出口または抽出部２１０が図示されている。しかし、出口は列を形成するように相互に並んで形成された複数の出口（例えば複数の穴）の形態でもよい。図８および図９に関して説明するように、出口または抽出部２１０は、必ずしも直線である必要はなく、したがって穴の列は必ずしも直線である必要はなく、湾曲するか、角張っていてもよい。出口または抽出部２１０は、２００６年１２月７日に出願され、乾燥ユニットに関連して参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第１１／６３５，０８２号で開示されているように、一連の出口の形態とすることができる。少なくとも１つの出口が、低圧源に接続された抽出部を形成する。

[0047] 本発明の発明者は、ギャップ１００に沿ってギャップに残っている液体に向かい方向１０５でガスの流れを生成できれば、これはギャップから液体を除去する際に液体除去デバイスの効率を大幅に改善することを発見した。したがって、抽出部２１０または抽出部２１０の出口は、ギャップに沿って出口へ、および出口に隣接するギャップ１００内のギャップ１００への流れを生成するように、ギャップに対して移動する。

[0048] 本発明の発明者は、このガスの流れ１０５を生成する１つの方法が、抽出部２１０を、ギャップ１００上の局所的位置にてギャップ１００に対して直角に配置することであるのを発見した。直角の方向が最も望ましいが、これが常に実際的とは限らない。しかし、本発明の発明者は、抽出部２１０の局所的部分に対する正接２１１の方向が、ギャップ１００の局所的正接１０１に対して約２０°と９０°の間の角度δである場合に、十分なガス流１０５を達成できることを発見した。この相対的方向が図６ｂに図示されている。本発明の実施形態では、角度δは約３５または５０°と９０°の間であることが好ましく、本発明の実施形態では、約７０°と９０°の間であることが、さらに好ましい。角度δは、２つの正接１０１、２１１間の鋭角である。

[0049] これを達成する１つの構成が、図６ａおよび図７に図示されている。つまり、液体除去デバイス２００の幾何形状は、抽出部２１０の局所的細長い方向（つまり横方向）（図７の矢印２５５で図示）に直角の方向に高い流れ抵抗があるように構成される。したがって、抽出部２１０が、図６に図示するように（つまり２０°と９０°の間の角度δで）ギャップ１００の局所的方向に対して配向されると、矢印１０５で示すようなギャップ１００に沿って、図７に図示された路２５５よりも流れ抵抗が低い路が存在する。ギャップ１００に沿った流れ抵抗の方が低いので、抽出部２１０の外側で、それを囲む雰囲気からのガスは、図示のように抽出部２１０に向かってこの方向１０５に沿って優先的に移動する。

[0050] 図６に示す実施形態では、抽出部２１０は実質的に直線である。したがって、流れ１０５を獲得し、それによってギャップ１００から液体を効率的に抽出するために、抽出プロセスの任意の時間に、最初に抽出部２１０が通り越している基板Ｗが位置する（およびギャップ１００の一方の縁部を形成する）窪みの縁部の任意の局所的部分が、その任意の時間に縁部の局所的部分上に位置する抽出部の局所的部分の局所的正接に対して、約２０°と９０°の間の角度δに配向された局所的正接を、平面にて有することを保証するために、コントローラを提供することが望ましい。

[0051] 抽出部の幾何形状、およびその位置（特に方向および基板からの高さ）は、突起２５０と基板の上面または基板テーブルＷＴとの間を流れるガスの流れ抵抗が、ギャップ１００に沿った方向よりも少なくとも２５％、好ましくは５０％、さらに好ましくは７５％、さらに好ましくは１００％大きくなるように選択することが好ましい。

[0052] 基板Ｗの上面は、ギャップから液体を除去するのと同じ時間に乾燥できることが望ましい。実施形態では、基板テーブルＷＴに対して１つの相対方向のみで基板テーブルＷＴ上で相対運動することによって、これを達成することができる液体除去デバイス２００が提供される。これは、動きの複雑さを最小限に抑え、基板の上面および／または基板テーブルを乾燥する最速の方法でもある。図８ａから図８ｂおよび図９は、抽出部２１０の形状が、その目的を達成するように設計された１つのこのような実施形態を示す。

[0053] 図８ａから図８ｂでは、抽出部２１０は２つの抽出部２１０ａ、２１０ｂを含み、その一方は抽出部２００が通り越す基板Ｗの第一半分から液体を除去するために使用され、その他方２１０ｂは、液体除去デバイス２００が通り越す基板Ｗの第二半分から液体を除去するために使用される。

[0054] 溝２１０ａ、２１０ｂは、通り越されるギャップ１００の部分上で抽出部２１０ａ、２１０ｂの局所的部分の正接が、常にギャップの局所的正接に対して約９０°に近いような形状である。図８ａに見られるように、これは、平面で抽出部２１０ａ、２１０ｂの形状が、基板の中心で無限に近い周波数で、基板の縁部ではゼロの周波数まで減少する波形である幾何形状の抽出部２１０ａ、２１０ｂを提供することによって達成される。

[0055] 幅方向で基板の最大寸法では、図示のように、抽出部２１０ａがほぼ直線であり、実際に先端では、最も外側の部分２１２が実質的に平行であり、実際に同一直線上にさえなることが分かる。これらの最も外側の部分２１２間で、抽出部２１０ａ、２１０ｂは湾曲しており、それが同一直線上の外側部分２１２から最大で偏向するのは、曲線形態の周波数も最大となる中心部分２１６である。

[0056] この実施形態では、抽出部の中心部分２１６は、基板Ｗの中心と並んでいる。

[0057] 中心部分２１６と２つの外側部分２１２との間には、曲線の形状が、中心部分２１６に存在する曲線のタイプから端部分２１２に存在する曲線のタイプまで漸進的に変化する中央部分２１４がある。

[0058] この方法で、ギャップ１００と接触する抽出部２１０ａの第一部分は、鋭角での中心部分２１６である。したがって、鋭角のいずれかの側で、抽出部２１０ａは、基板Ｗの底部にある水平ギャップ１００に対してほぼ直角である。液体除去デバイス２００が上昇すると、基板Ｗおよびギャップ１００内の液体のメニスカスが、中心部分から外側へ移動し、ギャップ１００内で中心部分２１６の下からギャップ内のメニスカスに向かって、中心部分から外側へと空気の流れが生成される。したがって、抽出部２１０ａ、２１０ｂが最初に通り越すギャップ１００の局所的部分は全て、平面にて、その局所的正接を、その任意の時間にギャップの局所的部分上に位置する抽出部の局所的部分の局所的正接に対して２０°と９０°の間の角度に配向する。

[0059] 図８ｂを参照すると、抽出部２１０ａ、２１０ｂの両方が、ギャップ１００と交差する場所で９０°であることが分かる。図８の実施形態では、液体除去デバイス２００が基板Ｗ上を約半分通過すると、第一抽出部２１０ａが停止され、第二抽出部２１０ｂが起動される。この方法で、ギャップの局所的正接に対する抽出部の局所的正接の方向を維持することができる。他の実施形態は、２つの抽出部２１０ａ、２１０ｂより多くを含んでもよい。

[0060] 図８ａから図８ｂの抽出部２１０ａ、２１０ｂの形状によって、ギャップ内の液体を効率的に除去することができる。図９は、本発明の実施形態に従ってさらに容易に製造することができる、さらに単純な幾何形状の抽出部を示す。図９の抽出部は、図８ａから図８ｂのそれと同じであるが、形状がさらに単純である。図９の抽出部では、２つの端部分２１２が同一平面上にあり、抽出部２１０の中心部分２１５に対して中心に配置される。

[0061] ２つの端部分２１２の間にある抽出部２１０の中心部分２１５は、三角波の形態を有する。端部分２１２から等距離の位置で、抽出部２１０は、端部分２１２と同一直線上にある線から最大距離にある（三角形の頂部）。抽出部のこの形状は、単純な構成で、１つの抽出部２１０しか使用せずに、所望の角度δを達成する。

[0062] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0063] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、またはその近辺の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0064] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折および反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合せを指す。

[0065] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。

[0066] 本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。

[0067] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (6)

1. 基板を支持する基板テーブルであって、基板と自身がその間にギャップ（１００）を規定する、基板テーブルと、
   液体除去デバイスであって、低圧源に接続可能で細長い抽出部（２１０）を形成する出口、および、前記抽出部（２１０）の両側に延在し前記基板テーブルの上面および前記基板と実質的に平行である流れ制限表面（２５０）を含む液体除去デバイス（２００）と、
   使用時には、前記基板の前記上面および／または前記基板テーブルおよびギャップ（１００）から液体を抽出する間に、前記ギャップ（１００）に沿って前記出口に向かうガスの流れを生成するように、前記抽出部（２１０）が前記ギャップ（１００）上に位置する場合に、前記流れ制限表面（２５０）と前記基板および／または前記基板テーブルとの間の前記抽出部（２１０）の周囲雰囲気からの気体流抵抗が前記ギャップ（１００）沿いより大きくなるように、前記基板テーブルと前記液体除去デバイス（２００）とを相対的に動かすコントローラと、を含み、
   前記流れ制限表面（２５０）は、同一平面上にあり、前記液体除去デバイス（２００）の下側にある２つの突起によって形成されている、
   液浸リソグラフィ装置。
2. 前記流れ制限表面（２５０）と前記基板および／または基板テーブルの間の前記気体流抵抗が、前記ギャップ（１００）沿いより少なくとも２５％大きい、
   請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記流れ制限表面（２５０）と前記基板および／または基板テーブルの間の前記気体流抵抗が、前記ギャップ（１００）沿いより少なくとも５０％大きい、
   請求項２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記流れ制限表面（２５０）と前記基板および／または基板テーブルの間の前記気体流抵抗が、前記ギャップ（１００）沿いより少なくとも７５％大きい、
   請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記コントローラは、前記抽出部（２１０）が全ての前記基板を通り越すように、且つ、前記抽出部（２１０）が最初に通り越している前記ギャップ（１００）の任意の局所的部分の接線（１０１）が、平面にて、前記局所的部分の上方に位置した前記抽出部（２１０）の局所的部分の接線（２１１）に対して約３５°と約９０°の間の角度をなすように、前記基板テーブルおよび前記液体除去デバイスとを相対的に動かす、
   請求項１から４の何れか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 基板と基板テーブルの間のギャップ（１００）から液体を除去する方法であって、
   低圧源に接続可能で細長い抽出部（２１０）を形成する出口、および、前記抽出部（２１０）の両側に延在し前記基板テーブルの上面および前記基板と実質的に平行である流れ制限表面（２５０）を持つ液体除去デバイス（２００）を提供し、
   前記ギャップ（１００）に沿って前記出口へ、および前記出口に隣接する前記ギャップ（１００）内の液体へのガス流を生成するように、前記抽出部（２１０）が前記ギャップ（１００）上に位置する場合に、前記流れ制限表面（２５０）と前記基板および／または前記基板テーブルとの間の前記抽出部（２１０）の周囲雰囲気からの気体流抵抗が前記ギャップ（１００）沿いより大きくなるように、前記ギャップ（１００）に対して前記液体除去デバイス（２００）を配向し動かすこと、を含み、
   前記流れ制限表面（２５０）は、同一平面上にあり、前記液体除去デバイス（２００）の下側にある２つの突起によって形成されている、
   方法。