JP2007103629A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007103629A5 JP2007103629A5 JP2005290889A JP2005290889A JP2007103629A5 JP 2007103629 A5 JP2007103629 A5 JP 2007103629A5 JP 2005290889 A JP2005290889 A JP 2005290889A JP 2005290889 A JP2005290889 A JP 2005290889A JP 2007103629 A5 JP2007103629 A5 JP 2007103629A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- transistor
- well
- memory cell
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 19
- 230000003068 static Effects 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
Claims (20)
- データを記憶するラッチ部と、前記データを転送する転送部とを具備してなるスタティック型のメモリセルを有し、
前記ラッチ部および前記転送部は、チャネル部分が絶縁膜から成るBOX層によって基板部分と絶縁されたSOI層を有するトランジスタを含み、
前記メモリセルからのデータ読み出し動作時において前記BOX層下に設けられたウェル層に供給される電圧は、前記メモリセルへの書き込み時において前記ウェル層に供給される電圧と異なることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記ラッチ部は、接地電位線にそのソース電極が接続された第1の導電型チャネルを有する駆動トランジスタ対と、前記接地線の電位よりも高い電位となる第1の電源線にそのソース電極が接続された第2の導電型チャネルを有する負荷トランジスタ対とを含んで構成され、
前記転送部は、前記メモリセルにアクセスするためのビット線と情報を保持する記憶ノードとの間に接続された第1の導電型チャネルを有する転送トランジスタ対を含んで構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記メモリを構成するトランジスタの少なくとも一つは、SOI層が完全に空乏化したFD-SOI構造を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記ラッチ部を構成するトランジスタのしきい値電圧を変化させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記転送部を構成するトランジスタ対のしきい値電圧を変化させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記メモリセルのデータの書き込み動作時とデータの読み出し動作時に前記BOX層下に設けられた導電層からなるウエル層に適宜電圧を印加するための第2の電源線を有し、
前記第2の電源線が前記ビット線に並行する方向に設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記メモリセルのデータの書き込み動作時とデータの読み出し動作時に前記BOX層下に設けられた導電層からなるウエル層に適宜電圧を印加するための第2の電源線を有し、
前記第2の電源線が前記ビット線に交わる方向に設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記メモリセルは、書き込み時における前記負荷トランジスタのしきい値電圧が読み出し時のしきい値電圧よりも高い値に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記メモリセルは、書き込み時における前記転送トランジスタのしきい値電圧が読み出し時のしきい値電圧よりも高い値に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記メモリセルは、書き込み時における前記駆動トランジスタのしきい値電圧が読み出し時のしきい値電圧よりも低い値に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項6において、
前記メモリセルは、書き込み時の負荷トランジスタのウエル電位が、読み出し時の前記負荷トランジスタのウエル電位よりも高い電圧に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項6において、
前記メモリセルは、書き込み時の転送トランジスタのウエル電位が、読み出し時の前記転送トランジスタのウエル電位よりも低い電圧に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項6において、
前記メモリセルは、書き込み時の駆動トランジスタのウエル電位が、読み出し時の前記駆動トランジスタのウエル電位よりも低い電圧に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項6において、
データ保持状態にあるメモリセルへのアクセスがないスタンバイ状態で、
前記負荷トランジスタのウエル電位は、前記第1の電源線の電位よりも高い電位に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項6において、
データ保持状態にあるメモリセルへのアクセスがないスタンバイ状態で、
前記駆動及び転送トランジスタのウエル電位は、接地線の電位よりも低い負の電位に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板に形成された導電層からなるウエル層と、前記ウエル層上に形成された絶縁膜からなるBOX層と、前記BOX層上に形成されたソース層、ドレイン層および前記ソース層とドレイン層に挟まれて形成されたチャネル層と、前記チャネル層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有するSOI型トランジスタを複数備えてなり、スタティック型メモリセルとして機能する半導体記憶装置であって、
接地電位線にそのソース電極が接続され、前記SOI型トランジスタからなる第1の導電型チャネルを有する駆動トランジスタ対と、前記接地線の電位よりも高い電位となる第1の電源線にそのソース電極が接続され、ドレイン電極を介して前記駆動トランジスタと接続された前記SOI型トランジスタからなる第2の導電型チャネルを有する負荷トランジスタ対と、
前記メモリセルにアクセスするためのビット線と情報を保持する記憶ノードとの間に接続され、前記SOI型トランジスタからなる第1の導電型チャネルを有する転送トランジスタ対とを有し、
前記駆動トランジスタ対の一方が形成されているウエル層と、前記転送トランジスタ対の一方が形成さているウエル層とが、共通の第1ウエル層上に設けられ、
前記負荷トランジスタ対の一方と、前記負荷トランジスタ対の他方とが共通の第2ウエル層上に設けられ、
前記第1ウエル層と前記第2ウエル層とが互いに電気的に分離されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項16において、
前記負荷トランジスタ対の一方と、前記負荷トランジスタ対の他方とが、異なるウエル層内に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数のトランジスタを含んでなるスタティク型メモリセルが列方向および行方向に配列されてなり、メモリセルアレイとして機能する半導体記憶装置であって、
前記メモリセルにアクセスするためのビット線を複数有し、
前記複数のビット線の一つに接続された複数のメモリセルを構成する同一の列内に形成された各々のトランジスタが共通して設けられている第1ウエル層と、
前記複数のビット線の他の線に接続された複数のメモリセルを構成する同一の列内に形成された各々のトランジスタが共通して設けられた第2ウエル層とを有し、前記第1ウエル層の電位が前記第2ウエル層の電位と異なる電位に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項18において、
データを書き込むためにアクセスされたメモリセルが存在する列に接続されたメモリセル内に形成された第2の導電型チャネルを有するトランジスタのウエル電位は、アクセスされるメモリセルが存在しない列に接続されたメモリセル内に形成された第2の導電型チャネルを有するトランジスタのウエル電位よりも低い電位に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項18において、
データを書き込むためにアクセスされたメモリセルが存在する列に接続されたメモリセル内に形成された第1の導電型チャネルを有するトランジスタのウエル電位は、アクセスされるメモリセルが存在しない列に接続されたメモリセル内に形成された第1の導電型チャネルを有するトランジスタのウエル電位よりも低い電位に制御されることを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005290889A JP4822791B2 (ja) | 2005-10-04 | 2005-10-04 | 半導体記憶装置 |
TW095133482A TW200729461A (en) | 2005-10-04 | 2006-09-11 | Semiconductor memory device |
CN2010102119252A CN101908372A (zh) | 2005-10-04 | 2006-09-30 | 半导体存储器件 |
CN2006101418195A CN1945739B (zh) | 2005-10-04 | 2006-09-30 | 半导体存储器件 |
KR1020060097245A KR20070038015A (ko) | 2005-10-04 | 2006-10-02 | 반도체기억장치 |
US11/541,542 US7639525B2 (en) | 2005-10-04 | 2006-10-03 | Semiconductor memory device |
US12/624,272 US7995377B2 (en) | 2005-10-04 | 2009-11-23 | Semiconductor memory device |
US13/021,556 US8203868B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-02-04 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005290889A JP4822791B2 (ja) | 2005-10-04 | 2005-10-04 | 半導体記憶装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011011761A Division JP2011090782A (ja) | 2011-01-24 | 2011-01-24 | 半導体記憶装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007103629A JP2007103629A (ja) | 2007-04-19 |
JP2007103629A5 true JP2007103629A5 (ja) | 2008-10-23 |
JP4822791B2 JP4822791B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=37901726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005290889A Active JP4822791B2 (ja) | 2005-10-04 | 2005-10-04 | 半導体記憶装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7639525B2 (ja) |
JP (1) | JP4822791B2 (ja) |
KR (1) | KR20070038015A (ja) |
CN (2) | CN1945739B (ja) |
TW (1) | TW200729461A (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4822791B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2011-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
WO2008069277A1 (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Sram装置 |
CA2675147C (en) * | 2007-01-10 | 2012-09-11 | Hemoshear, Llc | Use of an in vitro hemodynamic endothelial/smooth muscle cell co-culture model to identify new therapeutic targets for vascular disease |
US7466581B2 (en) * | 2007-03-02 | 2008-12-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | SRAM design with separated VSS |
WO2008114716A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Sram装置 |
CN101689399A (zh) * | 2007-06-29 | 2010-03-31 | Nxp股份有限公司 | 静态存储器件 |
US7564725B2 (en) * | 2007-08-31 | 2009-07-21 | Texas Instruments Incorporated | SRAM bias for read and write |
US7613031B2 (en) * | 2007-09-17 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | System, apparatus, and method to increase read and write stability of scaled SRAM memory cells |
US8217427B2 (en) * | 2007-10-02 | 2012-07-10 | International Business Machines Corporation | High density stable static random access memory |
JP2009093702A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Sony Corp | 半導体記憶装置及びその駆動方法 |
US7742325B2 (en) * | 2007-12-17 | 2010-06-22 | Suvolta, Inc. | Swapped-body RAM architecture |
JP4844619B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2011-12-28 | 株式会社デンソー | 半導体メモリ装置 |
US8081502B1 (en) * | 2008-12-29 | 2011-12-20 | Altera Corporation | Memory elements with body bias control |
WO2010104918A1 (en) | 2009-03-10 | 2010-09-16 | Contour Semiconductor, Inc. | Three-dimensional memory array comprising vertical switches having three terminals |
EP2320454A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-11 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Substrate holder and clipping device |
CN101714405B (zh) * | 2009-11-06 | 2012-06-27 | 东南大学 | 限漏流的高鲁棒亚阈值存储单元电路 |
US8508289B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-08-13 | Soitec | Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer |
FR2953643B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-07-27 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante |
FR2953636B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de commande d'une cellule memoire dram sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante |
FR2953641B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-02-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
FR2957193B1 (fr) | 2010-03-03 | 2012-04-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
FR2955200B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree |
FR2955195B1 (fr) * | 2010-01-14 | 2012-03-09 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi |
FR2955204B1 (fr) * | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical |
FR2955203B1 (fr) * | 2010-01-14 | 2012-03-23 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree |
FR2957186B1 (fr) * | 2010-03-08 | 2012-09-28 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire de type sram |
FR2957449B1 (fr) | 2010-03-11 | 2022-07-15 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Micro-amplificateur de lecture pour memoire |
JP5278971B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-09-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Sram装置 |
FR2958441B1 (fr) | 2010-04-02 | 2012-07-13 | Soitec Silicon On Insulator | Circuit pseudo-inverseur sur seoi |
EP2375442A1 (en) | 2010-04-06 | 2011-10-12 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
EP2381470B1 (en) | 2010-04-22 | 2012-08-22 | Soitec | Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure |
IT1400749B1 (it) * | 2010-06-30 | 2013-07-02 | St Microelectronics Srl | Cella sram configurabile dinamicamente per funzionamento a bassa tensione |
IT1400750B1 (it) | 2010-06-30 | 2013-07-02 | St Microelectronics Srl | Memoria sram 5t per applicazioni a bassa tensione |
US9865330B2 (en) | 2010-11-04 | 2018-01-09 | Qualcomm Incorporated | Stable SRAM bitcell design utilizing independent gate FinFET |
US10629250B2 (en) * | 2010-11-16 | 2020-04-21 | Texas Instruments Incorporated | SRAM cell having an n-well bias |
US9029956B2 (en) * | 2011-10-26 | 2015-05-12 | Global Foundries, Inc. | SRAM cell with individual electrical device threshold control |
CN102522115A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 东南大学 | 一种提高亚阈值sram存储单元工艺鲁棒性的电路 |
CN103474093B (zh) * | 2012-06-07 | 2016-08-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 控制灵敏放大器开启的追踪电路和采用追踪电路的sram |
US9159402B2 (en) * | 2012-07-02 | 2015-10-13 | Stmicroelectronics International N.V. | SRAM bitcell implemented in double gate technology |
FR2998092B1 (fr) * | 2012-11-13 | 2014-11-07 | Commissariat Energie Atomique | Interposeur en graphene et procede de fabrication d'un tel interposeur |
CN103903645A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种辐射加固设计的静态随机存储单元 |
US9111635B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-08-18 | Qualcomm Incorporated | Static random access memories (SRAM) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods |
KR102215412B1 (ko) * | 2014-07-10 | 2021-02-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
FR3025653B1 (fr) | 2014-09-10 | 2017-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a cellules memoires sram comportant des moyens de polarisation des caissons des transistors de lecture des cellules memoires |
JP6501695B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2019-04-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9824748B1 (en) | 2016-12-30 | 2017-11-21 | Globalfoundries Inc. | SRAM bitcell structures facilitating biasing of pull-up transistors |
US9734897B1 (en) * | 2017-01-03 | 2017-08-15 | Globalfoundries Inc. | SRAM bitcell structures facilitating biasing of pass gate transistors |
US9799661B1 (en) | 2017-01-03 | 2017-10-24 | Globalfoundries Inc. | SRAM bitcell structures facilitating biasing of pull-down transistors |
US10211206B1 (en) * | 2017-11-01 | 2019-02-19 | Globalfoundries Inc. | Two-port vertical SRAM circuit structure and method for producing the same |
JP2020091930A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN109785884A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 静态随机存取存储器存储单元 |
JP6901515B2 (ja) * | 2019-04-04 | 2021-07-14 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69328743T2 (de) * | 1992-03-30 | 2000-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiteranordnung |
JP2939086B2 (ja) * | 1992-03-30 | 1999-08-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH07230693A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP3085455B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | スタティックram |
JPH1139879A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体装置 |
JPH1153891A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 半導体記憶装置 |
JP2001053168A (ja) * | 1999-08-16 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2001338993A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
EP2988331B1 (en) * | 2000-08-14 | 2019-01-09 | SanDisk Technologies LLC | Semiconductor memory device |
JP3749101B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2006-02-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6898111B2 (en) | 2001-06-28 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | SRAM device |
JP2003086713A (ja) | 2001-06-28 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sram装置 |
JP3983032B2 (ja) | 2001-11-09 | 2007-09-26 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP3808763B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP3520283B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2004-04-19 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP4162076B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-10-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
JP4376495B2 (ja) * | 2002-08-13 | 2009-12-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体メモリ |
JP2004241755A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
KR100706737B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2007-04-12 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 |
JP2005085349A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
US7112815B2 (en) * | 2004-02-25 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Multi-layer memory arrays |
JP2005251776A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP4822791B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2011-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7512030B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Memory with low power mode for WRITE |
-
2005
- 2005-10-04 JP JP2005290889A patent/JP4822791B2/ja active Active
-
2006
- 2006-09-11 TW TW095133482A patent/TW200729461A/zh unknown
- 2006-09-30 CN CN2006101418195A patent/CN1945739B/zh active Active
- 2006-09-30 CN CN2010102119252A patent/CN101908372A/zh active Pending
- 2006-10-02 KR KR1020060097245A patent/KR20070038015A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-10-03 US US11/541,542 patent/US7639525B2/en active Active
-
2009
- 2009-11-23 US US12/624,272 patent/US7995377B2/en active Active
-
2011
- 2011-02-04 US US13/021,556 patent/US8203868B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007103629A5 (ja) | ||
JP6324595B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
US9806082B2 (en) | Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier | |
TWI628662B (zh) | Feram-dram混合式記憶體 | |
US7212430B2 (en) | Semiconductor memory | |
JP3770171B2 (ja) | メモリ装置およびそれを用いたメモリシステム | |
US20120307545A1 (en) | Interleaved Bit Line Architecture for 2T2C Ferroelectric Memories | |
Morishita et al. | A configurable enhanced TTRAM macro for system-level power management unified memory | |
JP2005079314A5 (ja) | ||
US11133057B2 (en) | Memory array with bit-lines connected to different sub-arrays through jumper structures | |
US8450778B2 (en) | Method and apparatus for memory cell layout | |
KR20070038015A (ko) | 반도체기억장치 | |
JPH0834257B2 (ja) | 半導体メモリセル | |
US10032777B1 (en) | Array of dynamic random access memory cells | |
JP2006190432A (ja) | 不揮発性強誘電体メモリ装置 | |
JP2006093696A (ja) | 集積回路メモリ装置 | |
US8223579B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JP3971536B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置 | |
TWI297216B (en) | Float gate memory device | |
JPH07183401A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
US20130265814A1 (en) | Magnetic ramdom access memory | |
US7002872B2 (en) | Semiconductor memory device with a decoupling capacitor | |
US20230317132A1 (en) | High-Density Memory Cells and Layouts Thereof | |
CN109244236B (zh) | 一种存储器结构 | |
US8467241B2 (en) | Semiconductor memory device |