JP2006237432A - エッチング装置のクリーニング方法 - Google Patents
エッチング装置のクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006237432A JP2006237432A JP2005052434A JP2005052434A JP2006237432A JP 2006237432 A JP2006237432 A JP 2006237432A JP 2005052434 A JP2005052434 A JP 2005052434A JP 2005052434 A JP2005052434 A JP 2005052434A JP 2006237432 A JP2006237432 A JP 2006237432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- cleaning
- etched
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 44
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 41
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N dibromomethane Chemical compound BrCBr FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 6
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- -1 ethylene, propylene Chemical group 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound F[CH] YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPSFJOYQZGJDFZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylidene-3-oxobutanamide Chemical compound CC(=O)C(=C)C(N)=O LPSFJOYQZGJDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFIQGQGIOLZAMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylidene-3-oxobutanoic acid Chemical compound CC(=O)C(=C)C(O)=O JFIQGQGIOLZAMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMOLAGKJZFODRK-UHFFFAOYSA-N 2-phenylprop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C(=C)C1=CC=CC=C1 IMOLAGKJZFODRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONPJWQSDZCGSQM-UHFFFAOYSA-N 2-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C1=CC=CC=C1 ONPJWQSDZCGSQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000120 polyethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
Abstract
【課題】 金属膜をエッチングするエッチング装置のクリーニング方法において、エッチング処理室内部に堆積するエッチングによって生じた堆積物を効率良く除去して」、エッチング性能の再現性が有り、エッチング処理室内部から異物の発塵が少ない状態を維持する。
【解決の手段】 金属膜を有する試料を１枚エッチングする（Ｓ１）毎に、ダミー基板と試料を入れ替え（Ｓ２）、第１工程となる酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）のプラズマ処理により炭素系物質の堆積物を除去し（Ｓ３）、第２工程となる三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）のプラズマ処理により第１工程で除去できなかった残留物及び金属膜の除去を行なって（Ｓ４）、真空容器内のクリーニングを行なう。
【選択図】 図５
【解決の手段】 金属膜を有する試料を１枚エッチングする（Ｓ１）毎に、ダミー基板と試料を入れ替え（Ｓ２）、第１工程となる酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）のプラズマ処理により炭素系物質の堆積物を除去し（Ｓ３）、第２工程となる三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）のプラズマ処理により第１工程で除去できなかった残留物及び金属膜の除去を行なって（Ｓ４）、真空容器内のクリーニングを行なう。
【選択図】 図５
Description
本発明は、ドライエッチング装置のクリーニング方法に係り、特に半導体デバイスをエッチング処理するエッチング装置において、被エッチング膜のエッチングレート、被エッチング膜のエッチングレートウエハ面内均一性、被エッチング膜とマスク材または下地物質とのエッチングレート比（選択比）に再現性があって変動が少なく、装置内部からの異物発塵を最小限に抑えて安定した装置状態を供給できるようにしたクリーニング方法に関するものである。
半導体デバイスの製造工程において、微細なパターンを形成するためにエッチング技術が用いられる。エッチング技術には、ドライエッチングとウェットエッチングがあり、近年ではその加工性の良さからドライエッチングが主流である。このドライエッチング技術としては、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッチング等が知られており、いずれも真空容器内にエッチングガスを導入し、サイクロトロン共鳴や高周波電界を利用してプラズマ状態に励起し、被エッチング膜をエッチング加工するものである。
一方、半導体デバイスの素子配線材料として、アルミニウム（Ａｌ）が用いられている。近年では、デバイスの高集積化に伴い素子の微細化が進んでおり、より化学的に安定で低抵抗の材料が注目されている。例えば金（Ａｕ）がその代替材料と考えられ、その他にも白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜などがある。また、デバイス構造も薄膜化が進んでおり、マスク材であるフォトレジスト（ＰＲ）、酸化膜（ＳｉＯ２）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、下地物質である酸化膜（ＳｉＯ２）、有機膜に対し高い選択性が求められている。
これらを解決する手段として、エッチングガスに塩素（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、臭化水素（ＨＢｒ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスに、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、ジブロムメタン（ＣＨ２Ｂｒ２）、クロロメタン（ＣＨ３Ｃｌ）、ブロムメタン（ＣＨ３Ｂｒ）、フルオルメタン（ＣＨ３Ｆ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスを添加した混合ガスによって、エッチングすることにより高い選択性が得られる。
但し、添加ガスにＣＨ系主体のガスを用いるため、被エッチング膜をエッチングする際、装置内部にはＣＨ系の生成物が堆積する。また、被エッチング膜そのもの、或いは被エッチング膜とエッチングガスによって生じた反応生成物が排気されず装置内部に堆積する。いずれの堆積物もエッチング性能の低下や異物発生の原因となるため、随時除去することが必要である。
真空容器内部に付着した堆積物を除去する方法として、プラズマ処理によって実施するドライクリーニングと、容器内を大気開放して堆積物を除去するウェットクリーニングがある。通常、半導体デバイスの生産性を確保するため、短時間で行なえるドライクリーニングが選択される。ドライクリーニングに関する従来の技術として下記の方法が知られている。
（１）カーボン系堆積物の除去方法（例えば、特許文献１または特許文献２参照）
（２）アルミニウム（Ａｌ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、アルミニウム合金の堆積物の除去方法（例えば、特許文献３参照）
（１）カーボン系堆積物の除去方法（例えば、特許文献１または特許文献２参照）
（２）アルミニウム（Ａｌ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、アルミニウム合金の堆積物の除去方法（例えば、特許文献３参照）
いずれも、クリーニングガスを選択しプラズマ処理することによって、真空容器内部に堆積した堆積物の除去するものである。しかしながら、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜を、エッチングガスに塩素（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、臭化水素（ＨＢｒ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスに、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、ジブロムメタン（ＣＨ２Ｂｒ２）、クロロメタン（ＣＨ３Ｃｌ）、ブロムメタン（ＣＨ３Ｂｒ）、フルオルメタン（ＣＨ３Ｆ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスを添加した混合ガスによってエッチングした時に生じる堆積物を、除去する方法については、これまで開示されたものはない。
特開平６−５３１９３号公報、
特開平９−３６０８５号公報
特開２０００−１２５１５号公報
本発明は、被エッチング膜として金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜を、エッチングガスに塩素（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、臭化水素（ＨＢｒ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスに、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、ジブロムメタン（ＣＨ２Ｂｒ２）、クロロメタン（ＣＨ３Ｃｌ）、ブロムメタン（ＣＨ３Ｂｒ）、フルオルメタン（ＣＨ３Ｆ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスを添加した混合ガスによってエッチングした時、真空容器内部に付着した堆積物を随時除去し、大量にエッチング処理を行なっても、被エッチング膜のエッチングレート、被エッチング膜のエッチングレートウエハ面内均一性、被エッチング膜とマスク材または下地物質とのエッチングレート比（選択比）に再現性があって変動が少なく、異物の発塵を最小限に抑えて安定した装置状態を供給できるようにしたクリーニング方法を提供することにある。
エッチングガスにＣｌ系或いはＢｒ系とＣＨ系を多く含む添加ガスとの混合ガスを用いてプラズマを生成し、上記金属膜のエッチングを行なった場合、真空容器内部には、金属膜、マスク材に含まれる物質、エッチングガスに含まれるＣｌ系或いはＢｒ系とＣＨ系物質、金属膜とエッチングガスとが反応して生成される反応生成物などが堆積することになる。
上記課題を解決するために、本発明は、被エッチング膜が、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜であり、エッチングガスに塩素（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、臭化水素（ＨＢｒ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスに、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、ジブロムメタン（ＣＨ２Ｂｒ２）、クロロメタン（ＣＨ３Ｃｌ）、ブロムメタン（ＣＨ３Ｂｒ）、フルオルメタン（ＣＨ３Ｆ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスを添加した混合ガスによって前記被エッチング膜のエッチングを行なうエッチング装置のクリーニング方法であって、上記被エッチング膜のエッチング毎に、ダミー基板と入れ替えてプラズマを発生させて処理室内部をクリーニングする。
さらに、本発明は、上記エッチング装置のクリーニング方法において、１番目に酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）のプラズマまたは酸素（Ｏ２）と三フッ化メタン（ＣＨＦ３）のプラズマを用いてクリーニングする第１工程と、２番目に三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）のプラズマを用いてクリーニングする第２工程を連続して処理室内部をクリーニングする。
すなわち、本発明は、エッチング装置の真空容器内部に堆積した堆積物を除去するクリーニング方法において、金属膜を１枚エッチングする毎に真空容器内部へダミー基板との入れ替えを行ない、最初に酸素（Ｏ２）８７．０〜９５．２％と四フッ化炭素（ＣＦ４）４．８〜１３．０％との混合ガスのプラズマで、処理圧力を５〜１２Ｐａ、処理時間２０〜９０ｓに設定して行なうプラズマ処理の第１工程と、次に三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）１０．０〜３０．０％と塩素（Ｃｌ２）７０．０〜９０．０％との混合ガスのプラズマで、処理時間２０〜９０ｓに設定して行なうプラズマ処理の第２工程を連続して行なう。
以上の説明から明らかなように、本発明のクリーニング方法において、金属膜を１枚エッチングする毎に、ダミー基板と試料を入れ替え、最初に第１工程となる酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）プラズマ処理と、次に第２工程となる三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）＋塩素（Ｃｌ２）プラズマ処理を連続して行なうことによって、大量に半導体デバイスのエッチングを行なっても、エッチング性能の劣化なく再現性が得られ、異物の発塵が少ないエッチング処理室の状態を維持することができる。
以下、本発明にかかるドライエッチング装置のクリーニング方法の一実施例を、図１〜図９、表１〜表４を用いて説明する。本発明のドライエッチング装置のクリーニング方法が適用されるエッチング処理装置としては、半導体基板上に形成された試料をエッチングする試料の処理装置であって、プラズマ形成ガスの供給を受け、ガスプラズマを発生し、基板上に形成された金属膜をエッチングする処理装置を使用した。尚、プラズマエッチング処理装置としては、マイクロ波プラズマエッチング装置、誘導結合型プラズマエッチング装置、ヘリコン型プラズマエッチング装置、２周波励起平行平板型プラズマエッチング装置等が採用される。
図１は、本発明で用いるプラズマ処理装置の断面図を示す。処理室内部はプラズマ生成部を形成する石英もしくはセラミックの非導電性材料で成る放電部２、被処理物である試料１２、電極６が配置された処理部３とから成る。処理部３はアースに設置されており、電極６は絶縁材を介して処理部３に取り付けられる。放電部２はプラズマを生成するため、誘導結合アンテナ１ａ／１ｂ、整合器４、第１の高周波電源１０等が取り付けられている。本実施例は典型的な例として、放電部２の外周にコイル状の誘電結合アンテナ１ａ／１ｂを配置したエッチング装置を使用した。処理室内部には、ガス供給装置５から処理ガスが供給される一方で、排気装置８によって所定の圧力に減圧排気される。ガス供給装置５より処理室内部に処理ガスを供給し、該処理ガスを誘導結合アンテナ１ａ／１ｂにより発生する電界の作用によってプラズマ化する。また、プラズマ７中に存在するイオンを試料１２上に引き込むために電極６に第２の高周波電源１１によりバイアス電圧を印加する。発光モニタリング装置１３で発光するエッチングガスの強度または反応生成物の発光強度の変化をとらえてエッチングの終点を定める。また、本装置は不揮発性材エッチングに対応した構造を有している。ファラーデーシールド９へ電圧印加することによって、放電部２への反応生成物付着抑制および除去が可能となる。処理部３の内側に設置されているインナーカバー１５の表面および電極６の表面には粗面加工を施し、一旦付着した反応生成物が剥がれ落ちないようにしている。試料１２を電極６上に設置するためのサセプタ１４の裏面には金属溶射が施され、プラズマ７による電圧印加によってサセプタ１４表面の反応生成物付着抑制を行なっている。尚、これらの部品はスワップパーツとなっており、ウェットクリーニング等のメンテナンス時には、容易に交換することが可能となっている。
図２に、処理装置の構成を示す。大気ローダ１６はロードロック室１７およびアンロードロック室１８と連結しており、ロードロック室１７およびアンロードロック室１８は真空搬送室１９と連結した構成となっている。また、真空搬送室１９はエッチング処理室２１と接続されている。試料１２は大気ローダ１６および真空搬送ロボット２０により搬送されエッチング処理室２１でエッチング処理される。大気ローダ上には、試料１２を設置するカセット１およびカセット２（２２／２３）とダミー基板ウエハを設置するカセット３（２４）とがあり、被エッチング膜ウエハのカセットに、ダミー基板ウエハを入れ替える必要が無く、設置された試料１２は随時エッチング処理室２１に搬送され、処理後は元のカセット位置に戻るシステムになっている。
図３に、本発明で使用した試料の構造を示す。半導体シリコン基板２５上に、有機膜２６が成膜されている。有機膜とは、Ｃ、Ｈを主体とし、場合によっては、Ｏ、Ｎ、Ｆをも含む有機高分子物質である。例としては、エチレン、プロピレン、ブチレンのようなオレフィンや、スチレン、α−メチルスチレンのような芳香族ビニル化合物や、アクリル酸、メタクリル酸、２−フェニルアクリル酸、２−アセチルアクリル酸、マレイン酸、フマル酸のような不飽和カルボン酸や、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピルのような不飽和カルボン酸エステルや、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、２−フェニルアクリルアミド、２−アセチルアクリルアミドのような不飽和カルボン酸アミドや、無水マレイン酸のような不飽和カルボン酸無水物などの不飽和カルボン酸の官能的誘導体や、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどの不飽和化合物の中から選ばれた少なくとも１種の単量体から成る重合体または共重合体が挙げることができる。これらの中で、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチルなどの（メタ）アクリル酸エステル重合体およびポリスチレンなどのスチレン系樹脂が好適である。
今回の実施例は、この中のポリフッ化ビニリデンを使用した。有機膜２６上には被エッチング膜である金（Ａｕ）２７が成膜されている。最後にマスクとなるフォトレジスト（ＰＲ）２８が成膜され電子回路のパターンを形成する。尚、マスク材は微細加工のため、酸化膜（ＳｉＯ２）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）などが採用されることがある。
上記の試料について、被エッチング膜である金（Ａｕ）２７と下地膜である有機膜２６を選択性にエッチングするために、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ２）とアルゴン（Ａｒ）にジクロルメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）を混合したガスを用いた。この時エッチング処理室の内部には、エッチングでスパッタされる金（Ａｕ）、マスク材のフォトレジスト（ＰＲ）に含まれる炭素系物質、エッチングガスに含まれる塩素（Ｃｌ２）とＣＨ系物質、金（Ａｕ）と塩素（Ｃｌ２）とが反応して生成される塩化金（ＡｕＣｌ）などの反応生成物が堆積することになる。これらは、エッチング処理室内部に多く堆積するとエッチング性能の再現性を悪化させる。また、堆積物が処理室内部に浮遊していると、試料上に落下しやすくなり、これがマスクとなって正しい電子回路のパターン形成が出来なくなる。
本発明では、エッチング処理室内部を常にクリーンな状態を維持するために、上記試料を１枚エッチングする毎にエッチング処理室内部へダミー基板との入れ替えを行ない、プラズマクリーニングを実施することとした。１枚のエッチングで発生する堆積物を除去するので、プラズマクリーニングは短時間で終了することができる。プラズマクリーニングが終了すると、再度上記試料との入れ替えを行ない、エッチングを実施する。これを繰り返すことにより、エッチング処理室内部は常時クリーンな状態を維持することができる。
次に、プラズマクリーニングに使用するガスの検討を行なった。処理室内部の状態は、図４−ａのように堆積物で覆われている。これらの表面組成を分析したところ、Ｃ、Ｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｌ、Ａｕ等が検出され、特にＣが大半を占めていた。Ｃ系物質を除去するのに有効なガスとして、酸素（Ｏ２）プラズマが考えられる。そこで同じＣ系を主体とするフォトレジスト（ＰＲ）のエッチングレートを調べた。エッチングレートが速いプラズマ条件ほど、Ｃ系物質の除去が容易に行なえると考えられる。
表１に、フォトレジストのエッチングレート評価結果を示す。酸素（Ｏ２）プラズマでは２２０．２ｎｍ／ｍｉｎであったが、ここに四フッ化炭素（ＣＦ４）を添加と、６８９．６ｎｍ／ｍｉｎへと急激にエッチングレートが向上した。次に酸素（Ｏ２）５００ｍｌ／ｍｉｎに対し、四フッ化炭素（ＣＦ４）を２５，５０，７５ｍｌ／ｍｉｎと添加していくと、エッチングレートが徐々に増加しており、１００ｍｌ／ｍｉｎまで添加すると逆にエッチングレートは低下する傾向にあった。より多く四フッ化炭素（ＣＦ４）添加は、フォトレジスト（ＰＲ）のエッチングレートが低下するとともに、揮発性の悪いＡｕＦを生成する可能性が有り、異物発生の原因にも成りかねない。また、エッチング処理室内部の装置材料に損傷を与える可能性があるため、過剰な添加は禁物である。処理圧力については、５，１０，１２Ｐａと変更すると、エッチングレートが徐々に増加する傾向にあり、より高い処理圧力ほど有効である。但し、今回は装置能力上１２Ｐａが限界のためここで留めている。これらを纏めると、Ｃ系物質を除去するには、酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）を最適な流量比（Ｏ２：８７．０〜５．２％、Ｃｌ２：４．８〜１３．０％）および圧力（５〜１２Ｐａ）ならびに処理時間：２０〜９０秒）に設定することにより、成し遂げられる。
上記方法で、大方のＣ系物質が除去できるが、図４−ｂのように装置内部の表面状態は凹凸状態のため、微量ながらＣ系物質また金（Ａｕ）が堆積している。特に金（Ａｕ）は、化学的に反応が乏しいため除去することが難しい。そこで、装置内部の母材を少し削りながら、堆積物を一緒に除去する方法を考えた。装置内部の母材は大半がアルミニウム（Ａｌ）で、腐食しないようにアルマイト処理を施している。そのため、表面状態はＡｌ２Ｏ３の組成となっている。Ａｌ２Ｏ３を削りためには、エッチングガスとして一般的に、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）が用いられている。そこで、Ａｌ２Ｏ３およびフォトレジスト（ＰＲ）のエッチングレートを調べた。
表２に、それぞれのエッチングレート評価結果を示す。三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）／塩素（Ｃｌ２）のガス流量を変更させたとき、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）比率が多いほどＡｌ２Ｏ３レートが速くなり、逆に塩素（Ｃｌ２）比率が多いほどフォトレジストレートが速くなる。よって、Ａｌ２Ｏ３を多く削るためには三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）比率が多い方が良く、Ｃ系物質を多く除去するには塩素（Ｃｌ２）比率が多い方は良い。但し、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）比率が多すぎると、アルマイト処理した部分をすべて削る可能性がある。装置内部の部品は、なるべく長期に使用できることが望ましく、Ａｌ２Ｏ３の削れ量は最小限にする必要がある。そのため、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）／塩素（Ｃｌ２）のガス流量比は、堆積物が除去可能で且つＡｌ２Ｏ３削れ量が最小限である最適値に合わせる必要がある。例えば、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）を最適な流量比（ＢＣｌ３：１０．０〜３０．０％、Ｃｌ２：７０．０〜９０．０％）および処理時間：２０〜９０秒）に設定することにより、成し遂げられる。
以上に示した、エッチングおよびクリーニング処理の流れを図５のフローチャートを用いて説明する。被エッチング膜をエッチングした（Ｓ１）後、ダミー基板と入れ替えを行ない（Ｓ２）、クリーニングの第１工程となる酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）を用いたプラズマ処理（Ｓ３）の後、クリーニングの第２工程となる三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）を用いたプラズマ処理を連続して行なう（Ｓ４）。その後、試料を入れ替えた（Ｓ５）後、再度被エッチング膜のエッチングを行なう（Ｓ１）。この工程を繰り返すことによって、上記試料を大量にエッチングすることが可能となる。
図６に、上記プラズマクリーニングを行なったときのプラズマ波長の変化を示す。第１工程はＣＯ系となる４５１ｎｍの波長、第２工程はＡｌＣｌ系となる３９６ｎｍの波長を観察した。第１工程では、徐々に波形を下がっており２０秒後に安定している。これは、２０秒後にＣ系物質が除去されたものと考えられる。また第２工程では、徐々に波形が上がっており１０秒後に安定している、これは、装置内部の材料であるＡｌ２Ｏ３が表面化したためであり、堆積物が除去されたものと考えられる。よって各ステップ２０秒以上のプラズマクリーニングを行なえば、装置内部にある堆積物はほぼ除去できると考えられる。但し、長時間のプラズマクリーニングは、生産性の低下を招くため、各ステップ９０秒が上限と考える。
次に本発明で得られたクリーニング方法を用いて、図３に示した試料を１０００枚処理した時の結果を説明する。表３に、図３の試料をエッチング処理した時のエッチング条件を示す。表４に、１枚毎に実施したプラズマクリーニングのクリーニング条件を示す。
図７に、各処理枚数後のエッチング性能結果を示す。エッチング性能は、金（Ａｕ）のエッチングレート、金（Ａｕ）のエッチングレートウエハ面内均一性、金（Ａｕ）とポリフッ化ビニリデン膜のエッチングレート比（選択比）を調べた。図８に各処理枚数後の異物測定結果を示す。異物測定は、Ｓｉウエハを処理室へ導入して、表３のステップ１条件でガス出し６０秒間（ソース高周波電力０Ｗ、バイアス高周波電力０Ｗ）を実施し、Ｓｉウエハ上にある異物数をカウントした。
図５に示す運用方法で１０００枚処理した結果、図７に示すように金（Ａｕ）のエッチングレート、金（Ａｕ）のエッチングレートウエハ面内均一性、金（Ａｕ）とポリフッ化ビニリデン膜のエッチングレート比（選択比）は、変動がなく安定した値が得られエッチング性能は常に同じ状態が維持されている。
また、図８に示すように、粒径０．１６μｍ以上の異物が平均１２個と低発塵を維持しており、処理室内は常にクリーンな状態である。以上のことから、本発明のクリーニング方法を用いれば、歩留まりの良い半導体デバイスの生産が可能である。
上記実施例では、金（Ａｕ）を、塩素（Ｃｌ２）とアルゴン（Ａｒ）とジクロルメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）の混合したガスでエッチングした時に適用したプラズマクリーニングの説明を行なったが、金（Ａｕ）以外のエッチングでも、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜で、エッチングガスは塩素（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、臭化水素（ＨＢｒ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスにメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、ジブロムメタン（ＣＨ２Ｂｒ２）、クロロメタン（ＣＨ３Ｃｌ）、ブロムメタン（ＣＨ３Ｂｒ）、フルオルメタン（ＣＨ３Ｆ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスを添加した混合ガスでエッチングを行なった場合でも、本発明のクリーニング方法では同様な効果が得られる。
また、プラズマクリーニングの第１工程で酸素（Ｏ２）とともに使用するに使用するガスは、四フッ化炭素（ＣＦ４）以外に、三フッ化メタン（ＣＨＦ３）でも同様な効果が得られる。
図５の処理の流れでは、エッチング処理毎にクリーニングを行なうものとしているが、被エッチング膜の種類や膜厚、エッチングガスの種類や流量によって、装置内部に付着する堆積物の量が増減する。そのため、場合によってはエッチング処理枚数２枚毎、３枚毎、或いはｎ枚毎にクリーニングを実施しても同様な効果が得られる。
また、実施例は反応生成物付着抑制機能を有した装置を用いている。これは、図１のファラーデーシールド９へ電圧印加することで、放電部２への反応生成物付着抑制および除去が可能となる。ファラーデーシールド９への電圧は変更可能なため、放電部２の内壁状態を変化させることができる。図９に、ファラーデーシールド電圧可変時のＡｌ２Ｏ３、Ａｕエッチングレートを示す。Ａｌ２Ｏ３、Ａｕ試料を放電部内壁上部に装着し、表４のステップ２条件でファラーデーシールド電圧１００Ｖおよび２０００Ｖ時のエッチングレートを調べた。その結果、ファラーデーシールド電圧が高いとエッチングレートが速いことが判る。よって、ファラーデーシールド電圧が高いほど反応生成物付着抑制および除去効果が大きいと言える。ファラーデーシールド電圧が高い状態でエッチングを行なえば、放電部内壁への反応生成物付着が抑制される。そのため、装置内部に付着する堆積物量が低減されるため、クリーニング時間および回数を減らすことができる。生産性を考慮すると、クリーニングは少ない方が望ましい。
１ａ／１ｂ…誘導結合アンテナ、２…放電部、３…処理部、４…整合器、５…ガス供給装置、６…電極、７…プラズマ、８…排気装置、９…ファラーデーシールド、１０…第一の高周波電源、１１…第二の高周波電源、１２…試料、１３…発光モニタリング装置、１４…サセプタ、１５…インナーカバー、１６…大気ローダ、１７…ロードロック室、１８…アンロードロック室、１９…真空搬送ロボット、２０…真空搬送室、２１…エッチング処理室、２２…カセット１、２３…カセット２、２４…カセット３、２５…シリコン基板、２６…有機膜、２７…Ａｕ膜、２８…フォトレジスト膜
Claims (3)
- 被エッチング膜が、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜であり、エッチングガスに塩素（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、臭化水素（ＨＢｒ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスに、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、ジブロムメタン（ＣＨ２Ｂｒ２）、クロロメタン（ＣＨ３Ｃｌ）、ブロムメタン（ＣＨ３Ｂｒ）、フルオルメタン（ＣＨ３Ｆ）のうちから選ばれる少なくとも１種のガスを添加した混合ガスによって前記被エッチング膜のエッチングを行なうエッチング装置のクリーニング方法であって、
上記被エッチング膜のエッチング毎に、ダミー基板と入れ替えてプラズマを発生させて処理室内部をクリーニングすることを特徴とするエッチング装置のクリーニング方法。 - 請求項１に記載のエッチング装置のクリーニング方法において、１番目に酸素（Ｏ２）と四フッ化炭素（ＣＦ４）のプラズマまたは酸素（Ｏ２）と三フッ化メタン（ＣＨＦ３）のプラズマを用いてクリーニングする第１工程と、２番目に三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）と塩素（Ｃｌ２）のプラズマを用いてクリーニングする第２工程を連続して処理室内部をクリーニングすることを特徴とするエッチング装置のクリーニング方法。
- 請求項２に記載のエッチング装置のクリーニング方法において、第１の工程が酸素（Ｏ２）８７．０〜９５．２％と四フッ化炭素（ＣＦ４）４．８〜１３．０％との混合ガスのプラズマで、処理圧力を５〜１２Ｐａ、処理時間２０〜９０ｓに設定して行なうプラズマ処理を行う工程であり、第２の工程が三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）１０．０〜３０．０％と塩素（Ｃｌ２）７０．０〜９０．０％との混合ガスのプラズマで、処理時間２０〜９０ｓに設定して行なうプラズマ処理を行う工程であることを特徴とするエッチング装置のクリーニング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005052434A JP4764028B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | プラズマ処理方法 |
| US11/203,092 US7662235B2 (en) | 2005-02-28 | 2005-08-15 | Method of cleaning etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005052434A JP4764028B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006237432A true JP2006237432A (ja) | 2006-09-07 |
| JP4764028B2 JP4764028B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=36930939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005052434A Active JP4764028B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | プラズマ処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7662235B2 (ja) |
| JP (1) | JP4764028B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016611A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理方法 |
| JP2009200182A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 付着物除去方法及び基板処理方法 |
| JP2012084600A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマの処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2012204786A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
| JP2012243958A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| JP2013254903A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Panasonic Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
| JP2014204001A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2015135897A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
| JP2015167155A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
| KR20170081554A (ko) * | 2016-01-04 | 2017-07-12 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 방법 |
| JP2021012951A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20230119605A (ko) | 2022-02-07 | 2023-08-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (345)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4593413B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2010-12-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法及び処理装置 |
| US7550090B2 (en) * | 2007-01-23 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Oxygen plasma clean to remove carbon species deposited on a glass dome surface |
| JP2009188257A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 |
| US20090325387A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ chamber dry clean during photomask plasma etching |
| US20100024840A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Chang-Lin Hsieh | Chamber plasma-cleaning process scheme |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| JP2011100865A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| US20120094499A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Siu Tang Ng | Method of performing an in situ chamber clean |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US20130084707A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Limited | Dry cleaning method for recovering etch process condition |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| JP5783890B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2015-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| US8784676B2 (en) * | 2012-02-03 | 2014-07-22 | Lam Research Corporation | Waferless auto conditioning |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| JP5982223B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9142393B2 (en) * | 2013-05-23 | 2015-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US10265742B2 (en) * | 2013-11-25 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ chamber clean using carbon monoxide (CO) gas utlized in an etch processing chamber |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| JP6284786B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2018-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| CN107359113B (zh) * | 2017-07-28 | 2021-04-13 | 武汉光谷量子技术有限公司 | 一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| KR102414617B1 (ko) | 2017-08-17 | 2022-07-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법 |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| CN112219266A (zh) * | 2018-04-13 | 2021-01-12 | 玛特森技术公司 | 以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件 |
| KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| WO2019240029A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、ダミー基板装置 |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| CN108987349A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-11 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 传片基板保护方法 |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| US11289312B2 (en) | 2019-06-12 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| JP7390134B2 (ja) * | 2019-08-28 | 2023-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US20230010978A1 (en) * | 2021-07-12 | 2023-01-12 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of transition metal nitride materials |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240728A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6417430A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPH05129246A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| JPH07335626A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH0936085A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Nippon Steel Corp | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
| JPH1092793A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JP2001053059A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
| JP2003243362A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及び処理装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417826A (en) | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
| JPH08319586A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nec Yamagata Ltd | 真空処理装置のクリーニング方法 |
| US5843239A (en) * | 1997-03-03 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Two-step process for cleaning a substrate processing chamber |
| JP2000012515A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエッチング装置のプラズマクリーニング方法 |
| US6852242B2 (en) * | 2001-02-23 | 2005-02-08 | Zhi-Wen Sun | Cleaning of multicompositional etchant residues |
| JP4131813B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2008-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマエッチング方法及び半導体装置の作製方法 |
| US7122125B2 (en) * | 2002-11-04 | 2006-10-17 | Applied Materials, Inc. | Controlled polymerization on plasma reactor wall |
| TW200410337A (en) * | 2002-12-02 | 2004-06-16 | Au Optronics Corp | Dry cleaning method for plasma reaction chamber |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005052434A patent/JP4764028B2/ja active Active
- 2005-08-15 US US11/203,092 patent/US7662235B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240728A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6417430A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPH05129246A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| JPH07335626A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH0936085A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Nippon Steel Corp | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
| JPH1092793A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JP2001053059A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
| JP2003243362A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及び処理装置 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016611A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理方法 |
| JP2009200182A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 付着物除去方法及び基板処理方法 |
| JP2012084600A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマの処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US8500912B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-08-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| JP2012204786A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
| JP2012243958A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| JP2013254903A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Panasonic Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
| JP2014204001A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2015135897A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
| JP2015167155A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
| KR20170081554A (ko) * | 2016-01-04 | 2017-07-12 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 방법 |
| JP2017123356A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| US9972776B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-05-15 | Hitachi High-Technologies Corporations | Plasma processing method |
| KR101903432B1 (ko) * | 2016-01-04 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 방법 |
| JP2021012951A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
| JP7241627B2 (ja) | 2019-07-05 | 2023-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20230119605A (ko) | 2022-02-07 | 2023-08-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7662235B2 (en) | 2010-02-16 |
| US20060191555A1 (en) | 2006-08-31 |
| JP4764028B2 (ja) | 2011-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4764028B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US9960031B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP4975113B2 (ja) | 誘電体カバーを伴うエッジ電極 | |
| US5779926A (en) | Plasma process for etching multicomponent alloys | |
| JP5061231B2 (ja) | 水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄 | |
| JP5414179B2 (ja) | フォトレジスト及びエッチング残余物の低圧除去 | |
| JP5632280B2 (ja) | 異なるアスペクト比の構成を誘電層内にエッチングするための方法、及びその方法によって作成される半導体デバイス、並びにそのための装置 | |
| JPH09186143A (ja) | プラズマチャンバ表面から副生成物をクリーニングするための方法及び装置 | |
| JP2004247755A (ja) | キセノンを用いたプラズマエッチング | |
| EP2916344B1 (en) | Method of cleaning a plasma processing apparatus | |
| JP2014528642A (ja) | エッチング処理条件を回復させる乾式クリーニング方法 | |
| KR20180083264A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101540816B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 플라즈마 에칭 장치 | |
| TWI420588B (zh) | Plasma etching method | |
| JP2004111779A (ja) | 有機系絶縁膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2007324154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2006120983A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| US7488689B2 (en) | Plasma etching method | |
| JP2009212289A (ja) | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 | |
| TW201829835A (zh) | 被處理體之處理方法 | |
| JPH0697127A (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2011066450A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2003273077A (ja) | ドライクリーニング方法及びドライクリーニング用基板 | |
| JP4357397B2 (ja) | プラズマ処理による試料処理方法 | |
| US7902073B2 (en) | Glue layer for hydrofluorocarbon etch |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070920 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100910 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101214 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110414 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110425 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110610 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4764028 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |