JP2021012951A - クリーニング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、一実施形態に係るプラズマ処理装置について、図1を用いて説明する。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置10の一例を示す断面模式図である。プラズマ処理装置10は、一実施形態に係るクリーニング方法を実行するプラズマ処理装置の一例である。
次に、基板上の膜構造の一例と、当該膜構造を有する基板に対して実行される製品処理工程(エッチング工程を含む)について、図2および図3を参照して説明する。図2は、一実施形態に係る膜構造及を示す図である。図3は、一実施形態に係る製品処理工程を示すフローチャートである。
[クリーニング方法]
まず、上記製品処理工程を実行した後のプラズマ処理装置10のチャンバに対して実行される第1実施形態に係るクリーニング方法について、図4を参照して説明する。図4は、第1実施形態に係るクリーニング方法を示すフローチャートである。
次に、O含有ガスをチャンバ11内に供給し、高周波電力を印加してO含有ガスのプラズマを生成し、チャンバ11内壁のポリマーを除去する(ステップS11)。O含有ガスは、O2、O3、CO2、COの単一ガス又はこれらの混合ガスでも良い。
次に、ハロゲン含有ガスをチャンバ11内に供給し、高周波電力を印加してハロゲン含有ガスのプラズマを生成し、チャンバ11内壁の典型半導体材料元素群(以下、「群A」という。)を除去する(ステップS12)。群Aは、図5に示すように、Si(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)、B(ボロン)、P(リン)、As(ヒ素)、N(窒素)、C(炭素)、S(硫黄)、Se(セレン)、Te(テルル)の金属元素からなる。
次に、図4では、H含有ガスをチャンバ11内に供給し、高周波電力を印加してH含有ガスのプラズマを生成し、チャンバ11内壁の残渣を水素還元し、残渣中の第14族及び第15族金属元素群(以下、「群C」という。)を除去する(ステップS13)。群Cは、図5に示すように、Ge(ゲルマニウム)、Sn(スズ)、Pb(鉛)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)の金属元素からなる。
次に、図4では、不活性ガスをチャンバ11内に供給し、高周波電力を印加して不活性ガスのプラズマを生成し、チャンバ11内壁に物理吸着したH及びF(又はCl、Br、I)の吸着ガスを除去する(ステップS14)。ステップS14のクリーニング(以下、「第4のクリーニング工程」という。)では、本工程以前の工程でチャンバ11内壁に吸着したH及びF等の吸着ガスを除去する。H及びF等の吸着ガスは電気的な偏りが強く、チャンバ11内壁に物理吸着しやすい。このため、第4のクリーニング工程においてH及びF等の吸着ガスを除去する。不活性ガスとしては、Ar、Heが挙げられる。
次に、炭化水素ガスをチャンバ11内に供給し、高周波電力を印加して炭化水素ガスのプラズマを生成し、チャンバ11内壁の群C及び第12族及び第13族金属元素群(以下、「群B」という。)を除去する(ステップS15)。群Bは、図5に示すように、Zn(亜鉛)、Cd(カドミウム)、Hg(水銀)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)、Tl(タリウム)の金属元素からなる。炭化水素ガスは、メチル基(−CH3)を有する一般式CnH2n+2で表されるアルカンのうち、CH4、C2H6、C3H8、C2H4、C2H2、C2H6、及びC2H4の少なくともいずれかであってもよい。炭化水素ガスの他の例としては、以下が挙げられる。
・炭化水素の水素原子をヒドロキシ基(−OH)で置き換えたアルコール、例えばCH3OH(メタノール)、C2H5OH(エタノール)、C3H8O(イソプロピルアルコール)
・一般式R−COOH(Rはアルキル基)で表されるカルボン酸、例えばRがメチル基の場合のCH3COOH(酢酸)
・一般式RCOR′(RまたはR′はアルキル基)で表されるケトン、例えばR・R′がメチル基の場合のC3H6O(アセトン)等
なお、アセトンなど大気圧下で液相であっても、気化してチャンバ11内に供給することで利用可能である。また、水素や希ガスとの混合であってもよい。
そこで、図4では、次に、O含有ガスをチャンバ11内に供給し、高周波電力を印加してO含有ガスのプラズマを生成し、チャンバ11内壁のポリマーを除去する(ステップS16)。第6のクリーニング工程は、第1のクリーニング工程と同一の処理である。第6のクリーニング工程は、第5のクリーニング工程の後に第5のクリーニング工程とセット行われる。
以上に説明した各クリーニング工程におけるプロセス条件を以下に示す。
・各クリーニング工程に共通するプロセス条件は以下である。
(共通するプロセス条件)
圧力 10〜200mT(1.33〜26.7Pa)
HF 500〜2000W
LF オフ
チャンバ内壁の温度 室温(15〜25℃)〜150℃
・その他の各クリーニング工程のプロセス条件は以下である。
(第1のクリーニング工程)
ガス O2、Ar
(第2のクリーニング工程)
ガス NF3、Ar
(第3のクリーニング工程)
ガス H2、Ar
(第4のクリーニング工程)
ガス Ar
(第5のクリーニング工程)
ガス CH4、H2、Ar
(第6のクリーニング工程)
ガス O2、Ar
図8は、ITO膜52を有する基板に対して本実施形態に係るクリーニング方法を実行した実験結果を示す図である。図8(a)は、ITO膜52上のシリコン酸化膜53の一部が、エッチングされて開口し、ITO膜52のマスクとして形成された状態を示す。図8(b)は、炭化水素ガスによる第5のクリーニング工程を含む本実施形態に係るクリーニング方法を実行し、ITO膜52の下地層が露出するまでエッチングした実行した結果を示す。クリーニング方法を実行している間、プラズマによって生成されるイオンを基板に引き込むためのバイアスパワーは印加されていない。これによれば、イオンの引き込み無しの第5のクリーニング工程であってもITO膜52がエッチング除去されることが可能である。すなわち、本実施形態に係るクリーニング方法によって、基板上だけでなく、チャンバ11内壁やチャンバ11内の各パーツ材に付着したインジウムの残渣を除去できることがわかった。
[クリーニング工程]
次に、第1実施形態の変形例に係るクリーニング工程について、図10を参照して説明する。図10は、第1実施形態の変形例に係るクリーニング工程を示すフローチャートである。図10の第1実施形態の変形例に係るクリーニング工程は、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法と同一処理に同一ステップ番号を付している。つまり、図10の第1実施形態の変形例に係るクリーニング工程では、第5のクリーニング工程(ステップS15)及び第6のクリーニング工程(ステップS16)を、第2〜第4のクリーニング工程(ステップS12〜S14)の前に行う。そして、この順でステップS15、S16、S12〜S14の処理を所定回数X行う。また、第5のクリーニング工程(ステップS15)及び第6のクリーニング工程(ステップS16)を、小ループ処理としてこの順に所定回数Y行う(ステップS18)。
ただし、第2、第3及び第4のクリーニング工程はどの順番で行ってもよい。
また、第2、第3及び第4のクリーニング工程はいずれも実行してもよいし、実行しなくてもよい。
[クリーニング工程]
次に、第2実施形態に係るクリーニング工程について、図11を参照して説明する。図11は、第2実施形態に係るクリーニング工程を示すフローチャートである。第2実施形態に係るクリーニング工程は、最小限必要なクリーニング工程から成るクリーニング手法である。。図11の第2実施形態に係るクリーニング工程は、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法と同一処理に同一ステップ番号を付している。つまり、図11の第2実施形態に係るクリーニング工程では、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法の第1、第3、第4のクリーニング工程(ステップS11、S13、S14)を実行しない。つまり、第2のクリーニング工程(ステップS12)、第5のクリーニング工程(ステップS15)及び第6のクリーニング工程(ステップS16)の順に各工程を所定回数X行う(ステップS17)。また、第5のクリーニング工程(ステップS15)及び第6のクリーニング工程(ステップS16)を、小ループ処理としてこの順に所定回数Y行う(ステップS18)。
[クリーニング工程]
更に第2実施形態の変形例に係るクリーニング工程について、図12を参照して説明する。図12は、第2実施形態の変形例に係るクリーニング工程を示すフローチャートである。
[クリーニング工程]
次に、第3実施形態に係るクリーニング工程について、図13を参照して説明する。図13は、第3実施形態に係るクリーニング工程を示すフローチャートである。第3実施形態に係るクリーニング工程は、群B及び群Cの残渣除去工程の比重を高めたクリーニング手法である。図13の第3実施形態に係るクリーニング工程は、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法と同一処理に同一ステップ番号を付している。
[クリーニング工程]
なお、第3実施形態の変形例に係るクリーニング工程について、図14を参照して説明する。図14は、第3実施形態の変形例に係るクリーニング工程を示すフローチャートである。第3実施形態の変形例に係るクリーニング工程は、クリーニング対象の残渣に群Aの元素を含まない場合に効率的なクリーニング手法である。図14の第3実施形態の変形例に係るクリーニング工程は、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法と同一処理に同一ステップ番号を付している。つまり、図14の第3実施形態の変形例に係るクリーニング工程では、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法のうち第2〜第4のクリーニング工程(ステップS12〜S14)を実行しない。つまり、第1のクリーニング工程(ステップS11)を実行し、その後、第5のクリーニング工程(ステップS15)及び第6のクリーニング工程(ステップS16)を、この順に所定回数Y行う(ステップS18)。なお、本変形例では、第2〜第4のクリーニング工程(ステップS12〜S14)を実行しないため、ステップS17および大ループ処理は省略される。
[クリーニング工程]
次に、第4実施形態に係るクリーニング工程について、図15を参照して説明する。図15は、第4実施形態に係るクリーニング工程を示すフローチャートである。第4実施形態に係るクリーニング工程は、クリーニング対象の残渣に群Bの元素を含まない場合に効率的なクリーニング手法である。図15の第4実施形態に係るクリーニング工程は、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法と同一処理に同一ステップ番号を付している。つまり、図15の第4実施形態に係るクリーニング工程では、図4の第1実施形態に係るクリーニング方法のうち、第1のクリーニング工程(ステップS11)、第4〜第6のクリーニング工程(ステップS14〜S16)を実行しない。つまり、第2のクリーニング工程(ステップS12)及び第3のクリーニング工程(ステップS13)を、この順に所定回数X行う(ステップS17)。
11 チャンバ
12 載置台
13 静電チャック
16 基台
30 制御部
51、53 シリコン酸化膜
52 ITO膜
54 有機膜
W 基板
H ホール
Claims (10)
- チャンバ内の典型半導体材料元素群の残渣をハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程と、
前記チャンバ内の第12族及び第13族金属元素群及び第14族及び第15族金属元素群の残渣を炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程と、
前記チャンバ内のC含有物をO含有ガスのプラズマで除去する工程と、を有し、
前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程の前又は後に、前記炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程及び前記O含有ガスのプラズマで除去する工程をこの順に所定回数X(X≧1)行う、クリーニング方法。 - 前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程の後に、前記第14族及び第15族金属元素群の残渣をH含有ガスのプラズマで除去する工程を有する、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程又は前記H含有ガスのプラズマで除去する工程の後に、前記チャンバ内のHと、F、Cl、Br及びIの少なくともいずれかとを不活性ガスのプラズマで除去する工程を有する、
請求項2に記載のクリーニング方法。 - 前記炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程及び前記O含有ガスのプラズマで除去する工程を、この順に所定回数Y(Y≧1)実行する前又は実行した後に前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程を実行する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記H含有ガスのプラズマで除去する工程、前記炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程及び前記O含有ガスのプラズマで除去する工程を、この順に所定回数Y(Y≧1)実行する前又は実行した後、前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程を実行する、
請求項2又は3のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - チャンバ内の第12族及び第13族金属元素群及び第14族及び第15族金属元素群の残渣を炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程と、
前記チャンバ内のC含有物をO含有ガスのプラズマで除去する工程と、有し、
前記炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程及び前記O含有ガスのプラズマで除去する工程を、この順に所定回数X(X≧1)実行する、クリーニング方法。 - チャンバ内の典型半導体材料元素群の残渣をハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程と、
前記チャンバ内の第14族及び第15族金属元素群の残渣をH含有ガスのプラズマで除去する工程と、を有し、
前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程及び前記H含有ガスのプラズマで除去する工程を、この順に所定回数X(X≧1)行う、クリーニング方法。 - 前記炭化水素含有ガスは、CH4、C2H6、C3H8、C2H4、C2H2、C2H6、及びC2H4の少なくともいずれかである、
請求項1〜6のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記ハロゲン含有ガスは、NF3、SF6、CF4、Cl2、BCl3、HBr、及びHIの少なくともいずれかである、
請求項1〜5、7のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - プラズマによるクリーニングを行うチャンバと、制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
前記チャンバ内の典型半導体材料元素群の残渣をハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程と、
前記チャンバ内の第12族及び第13族金属元素群及び第14族及び第15族金属元素群の残渣を炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程と、
前記チャンバ内のC含有物をO含有ガスのプラズマで除去する工程と、を制御し、
前記ハロゲン含有ガスのプラズマで除去する工程の前又は後に、前記炭化水素含有ガスのプラズマで除去する工程及び前記O含有ガスのプラズマで除去する工程をこの順に所定回数X(X≧1)行う、プラズマ処理装置。
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