JP2011066450A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決の手段】エッチングガスにCl2とArを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜23を途中までエッチングし、その後、Arのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜23をエッチング処理する。
【選択図】図5
Description
まず、本発明のプラズマ処理方法を理解するために、従来技術である比較例を説明する。フッ素を含まないハロゲンガス、四塩化ケイ素(以下、SiCl4とも記す)、三塩化ホウ素(以下、BCl3とも記す)、塩素(以下、Cl2とも記す)、塩化水素(以下、HClとも記す)、臭化水素(以下、HBrとも記す)、を使用して、図2に示す半導体ウエハのエッチングを行った。それぞれのガス流量を15ml/min(全量の23%)と固定し、処理圧力を0.3Pa、バイアス高周波電力を50W、圧力調整のために不活性ガスとしてアルゴン(以下、Arとも記す)を50ml/min(全量の77%)添加した。図3(a)に、SiCl4またはBCl3を使用した結果を示す。いずれも、カルコゲン化合物膜23に大きくサイドエッチが発生し、集積回路のパターンが消失している。図3(b)に、Cl2、HCl、HBrを使用した結果を示す。この場合は、いずれも、カルコゲン化合物膜23にサイドエッチが発生している。そのため、サイドエッチの無い形状を得るためには、ガス種の選択はもとより、ガス流量の調整や側壁保護を行なうデポガスの添加などが必要となってくる。
Claims (16)
- 被エッチング物質が設置された処理室内に、エッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して、前記被エッチング物質をエッチングするプラズマ処理方法において、
前記被エッチング物質は、カルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜であり、
前記エッチングガスは、塩素(Cl2)、塩化水素(HCl)、臭化水素(HBr)から成る第1反応ガス群の中から一種以上を選んで成る第1反応ガスと、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)から成る第2反応ガス群の中から一種以上を選んで成る第2反応ガスとが含まれていることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記第1反応ガスは、エッチングガスの全量に対して5%〜20%、前記第2反応ガスは、エッチングガスの全量に対して80%〜95%の割合で含まれていることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記第1反応ガスと前記第2反応ガスとの混合ガスで前記カルコゲン化合物半導体膜を途中までエッチングした後、引き続き前記第2反応ガスのみで前記カルコゲン化合物半導体膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記カルコゲン化合物半導体膜は、その組成が、カルコゲン元素である、硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te)、の中から選ばれる一種以上を含み、カルコゲン元素以外である、炭素(C)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、銀(Ag)、インジウム(In)、の中から選ばれる一種以上の元素を含む化合物であることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、ロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行なうことを特徴としたプラズマ処理方法。
- 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、前記処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、三塩化ホウ素(BCl3)と塩素(Cl2)とが含まれているクリーニングガスを用いてロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、三塩化ホウ素(BCl3)をクリーニングガスの全量に対して10%〜90%、塩素(Cl2)をクリーニングガスの全量に対して10%〜90%の割合で含まれているクリーニングガスを用いてロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記処理室内を構成する材料の一部は、アルミニウム(Al)若しくはアルミニウム含有金属であり、かつ、エッチングガスおよびクリーニングガスは、フッ素を含まないガスを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 被エッチング物質が設置された処理室内に、エッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して、前記被エッチング物質をエッチングするプラズマ処理方法において、
前記被エッチング物質は、カルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜であり、
前記エッチングガスは、塩素(Cl2)または塩化水素(HCl)もしくは臭化水素(HBr)から成る第1反応ガス群の中から一種以上を選んで成る第1反応ガスと、ヘリウム(He)またはネオン(Ne)またはアルゴン(Ar)またはクリプトン(Kr)もしくはキセノン(Xe)から成る第2反応ガス群の中から一種以上を選んで成る第2反応ガスと、メタン(CH4)またはエチレン(C2H4)もしくはアセチレン(C2H2)から成る第3反応ガス群の中から一種以上を選んで成る第3反応ガスとが含まれていることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記第1反応ガスは、エッチングガスの全量に対して5%〜20%、前記第2反応ガスは、エッチングガスの全量に対して70%〜94%、前記第3反応ガスは、エッチングガスの全量に対して1%〜10%の割合で含まれていることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記第1反応ガスと前記第2反応ガスと前記第3反応ガスの混合ガスで前記カルコゲン化合物半導体膜を途中までエッチングした後、引き続き前記第2反応ガスのみで前記カルコゲン化合物半導体膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記カルコゲン化合物半導体膜は、その組成が、カルコゲン元素である、硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te)、の中から選ばれる一種以上を含み、カルコゲン元素以外である、炭素(C)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、銀(Ag)、インジウム(In)、の中から選ばれる一種以上の元素を含む化合物であることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、ロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行なうことを特徴としたプラズマ処理方法。
- 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、前記処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、三塩化ホウ素(BCl3)と塩素(Cl2)とが含まれているクリーニングガスを用いてロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、三塩化ホウ素(BCl3)をクリーニングガスの全量に対して10%〜90%、塩素(Cl2)をクリーニングガスの全量に対して10%〜90%の割合で含まれているクリーニングガスを用いてロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
- 請求項9記載のプラズマ処理方法において、前記処理室内を構成する材料の一部は、アルミニウム(Al)若しくはアルミニウム含有金属であり、かつ、エッチングガスおよびクリーニングガスは、フッ素を含まないガスを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
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