JP5259691B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明のプラズマ処理方法を理解するために、従来技術である比較例を説明する。フッ素を含まないハロゲンガス、四塩化ケイ素(以下、SiCl4とも記す)、三塩化ホウ素(以下、BCl3とも記す)、塩素(以下、Cl2とも記す)、塩化水素(以下、HClとも記す)、臭化水素(以下、HBrとも記す)、を使用して、図2に示す半導体ウエハのエッチングを行った。それぞれのガス流量を15ml/min(全量の23%)と固定し、処理圧力を0.3Pa、バイアス高周波電力を50W、圧力調整のために不活性ガスとしてアルゴン(以下、Arとも記す)を50ml/min(全量の77%)添加した。図3(a)に、SiCl4またはBCl3を使用した結果を示す。いずれも、カルコゲン化合物膜23に大きくサイドエッチが発生し、集積回路のパターンが消失している。図3(b)に、Cl2、HCl、HBrを使用した結果を示す。この場合は、いずれも、カルコゲン化合物膜23にサイドエッチが発生している。そのため、サイドエッチの無い形状を得るためには、ガス種の選択はもとより、ガス流量の調整や側壁保護を行なうデポガスの添加などが必要となってくる。
Claims (2)
- 被エッチング物質が設置された処理室内に、エッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して、前記被エッチング物質をエッチングするプラズマ処理方法において、
前記被エッチング物質は、カルコゲン元素であるテルル(Te)とカルコゲン元素以外であるゲルマニウム(Ge)及びアンチモン(Sb)とからなるカルコゲン化合物半導体膜であり、
前記エッチングガスは塩素(Cl2)から成る第1反応ガスと、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)から成る第2反応ガス群の中から一種類を選んで成る第2反応ガスとの混合ガスであり、
前記カルコゲン化合物半導体膜を前記混合ガスで途中までエッチングした後、引き続き前記第2反応ガスのみで前記カルコゲン化合物半導体膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記被エッチング物質を有するウエハ処理間で、前記処理室内部に付着したカルコゲン化合物を含む反応生成物の除去を目的としたプラズマクリーニングを、三塩化ホウ素(BCl 3 )をクリーニングガスの全量に対して10%〜90%、塩素(Cl 2 )をクリーニングガスの全量に対して10%〜90%の割合で含まれているクリーニングガスを用いてロット内及びロット内の任意のウエハ毎で行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
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