JP2006173607A - 液浸リソグラフィにおける基板の配置 - Google Patents

Abstract

【課題】液浸リソグラフィにおける基板の配置方法を提供すること。
【解決手段】基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法には、寸法が凹所の寸法より小さい試験基板を凹所に提供するステップと、試験基板が凹所内に存在している間に、試験基板のアライメント・マークの位置を測定するステップと、アライメント・マークの位置から試験基板の中心と凹所の中心との間のオフセットを決定するステップが含まれている。
【選択図】図９

Description

本発明はリソグラフィ装置に関し、詳細には液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ装置内における基板の配置方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスク或いはレチクルとも呼ばれているパターン化デバイスを使用してＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成され、生成されたパターンが基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば部分的に１つ又は複数のダイからなっている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射線感応材料（レジスト）の層への画像化を介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン化される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。パターンを基板上へ転写することによってパターン化デバイスから基板へパターンを転送することも可能である。

投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するために、比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に、リソグラフィ投影装置内の基板を浸す方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを画像化することができることである。（また、液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）が大きくなり、且つ、焦点深度が長くなることにあると見なすことができる。）固体粒子（たとえば水晶）が懸濁した水を始めとする他の液浸液も提案されている。

しかしながら、基板若しくは基板と基板テーブルを液体槽に浸す（たとえば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許ＵＳ４５０９８５２号を参照されたい）ことは、走査露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味しており、そのためにはモータを追加するか、或いはより強力なモータが必要であり、また、液体の攪乱により、望ましくない予測不可能な影響がもたらされることになる。

提案されている解決法の１つは、液体供給システムの場合、基板の局部領域上のみ、及び投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を提供することである（基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広い）。参照によりその全体が本明細書に組み込まれているＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に、そのために提案されている方法の１つが開示されている。図２及び３に示すように、液体は、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも１つの入口ＩＮによって基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板を最終エレメントの下を−Ｘ方向に走査する際に、最終エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で除去される。図２は、入口ＩＮを介して液体が供給され、最終エレメントのもう一方の側で、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって除去される構造を略図で示したものである。図２に示す図解では、液体は、必ずしもそうである必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。様々な配向及び様々な数の入口及び出口を最終エレメントの周りに配置することが可能である。図３はその実施例の１つを示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が、最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。

本発明の一態様によれば、基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法が提供される。この方法には、寸法が凹所の寸法より小さい試験基板を凹所に提供するステップと、試験基板が凹所内に存在している間に、試験基板のアライメント・マークの位置を測定するステップと、アライメント・マークの位置から基板の中心と凹所の中心との間のオフセットを決定するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、試験基板を凹所に提供するステップには、基板ハンドラーを使用して試験基板を凹所内の装荷するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、試験基板のアライメント・マークの位置を測定するステップには、チャックの基準マークに対するアライメント・マークの位置、或いはアライメント・マークに対するチャックの基準マークの位置を測定するステップが含まれている。

上記方法は、さらに、チャックの基準マークの位置に対する凹所の中心位置、或いは凹所の中心位置に対するチャックの基準マークの位置を決定するステップと、試験基板のアライメント・マークの位置に対する試験基板の中心位置、或いは試験基板の中心位置に対する試験基板のアライメント・マークの位置を決定するステップを含むことができる。

本発明の一実施例では、試験基板の中心位置を測定するステップは、プリアライナを使用して実行することができる。

本発明の一実施例では、試験基板は、凹所内にあるときに試験基板の縁と凹所の縁の間のギャップが最大オフセットより大きくなるように寸法化されている。

本発明の一実施例では、試験基板のアライメント・マークの位置を測定するステップは、光学システムを使用して実行することができる。光学システムは、たとえば干渉計及び光アライメント・システムを備えることができる。

上記方法は、さらに、オフセットを考慮するために、基板ハンドラーを較正するステップを含むことができる。

本発明の一実施例では、基板ハンドラーを較正するステップには、基板ハンドラーによって凹所に提供される後続する基板が実質的に凹所内の中心に位置するよう、基板ハンドラーによる基板の位置決めをシフトさせてオフセットを修正するステップが含まれている。

本発明の他の態様によれば、基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法が提供される。この方法には、凹所内に配置された基板の縁と凹所の縁の間のギャップを複数の位置で測定するステップと、ギャップの測値を使用して基板の中心を決定するステップと、凹所の中心とチャック部分で測定した基板の中心との間における基板のチャック心出しオフセットを決定するステップが含まれている。この方法には、さらに、プリアライナに基板を提供するステップと、プリアライナにおける基板の中心を決定するステップと、基板の公称中心とプリアライナ部分で測定した基板の中心との間におけるプリアライナ心出しオフセットを決定するステップと、広域心出しオフセットを得るために、チャック心出しオフセットとプリアライナ心出しオフセットを結合するステップが含まれている。

上記方法は、さらに、凹所の縁の位置を決定するステップと、凹所の中心を計算するステップを含むことができる。

本発明の一実施例では、チャック心出しオフセットを決定するステップには、凹所の中心位置に対する基板の中心位置を決定するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、ギャップを測定するステップには、ギャップの両端間を光ビームで走査するステップと、反射した光ビームの強度変化を測定するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、ギャップの測値を使用して基板の中心を決定するステップには、基板の縁の位置を決定するステップと、縁の位置から基板の中心位置を計算するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、基板ハンドラーを使用して凹所内に基板を配置することができ、且つ、凹所から基板を除去することができる。

上記方法は、さらに、広域心出しオフセットを考慮するために、基板ハンドラーを較正するステップを含むことができる。

本発明の一実施例では、基板ハンドラーを較正するステップには、続いて配置される基板が実質的に凹所内の中心に位置するよう、基板ハンドラーによる基板の位置決めをオフセット分だけシフトさせて広域心出しオフセットを修正するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、基板ハンドラーを較正するステップには、続いて配置される基板のギャップが凹所内で一様に広がるよう、基板の位置決めを修正するステップが含まれている。

本発明のさらに他の態様によれば、基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法が提供される。この方法には、チャックのピンの上に基板を装荷するステップと、基板がチャックの凹所の開口に到達するまでピンを第１の方向に並進させることによって基板を移動させるステップと、チャックの表面若しくはチャックの凹所の縁に衝突することなく基板が凹所に入るよう、第１の方向に対して実質的に直角の平面内を並進させるべき基板の移動量を決定するステップと、上記平面内における並進の決定に基づいて、凹所に対する基板のオフセットを決定するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、並進させるべき基板の移動量を決定するステップには、基板のフットプリントが凹所内に嵌合するまで、ピン上の上記平面内をチャックに対して基板を並進させるステップ、上記平面内を基板若しくはピンに対してチャックを並進させるステップ、若しくはその両方が含まれている。

本発明の一実施例では、チャックのピンの上に基板を装荷するステップは、基板ハンドラーを使用して実行される。

上記方法は、さらに、オフセットを考慮するために、基板ハンドラーを較正するステップを含むことができる。

本発明の一実施例では、基板ハンドラーを較正するステップには、続いて配置される基板が実質的に凹所内の中心に位置するよう、基板ハンドラーによる基板の位置決めを一定の量だけシフトさせてオフセットを修正するステップが含まれている。

本発明の一実施例では、基板ハンドラーを較正するステップには、続いて配置される基板のギャップが凹所内で一様に広がるよう、基板の位置決めを修正するステップが含まれている。

本発明の他の態様によれば、リソグラフィ投影装置が提供される。このリソグラフィ装置は、パターン化デバイスを保持するようになされた支持構造を備えている。パターン化デバイスは、放射ビームを所望のパターンに従ってパターン化するようになされている。リソグラフィ装置は、さらに、基板を保持するようになされた基板テーブルを備えている。基板テーブルは、基板を受け入れるための凹所を有している。リソグラフィ装置は、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムを有している。リソグラフィ装置は、さらに、投影システムと基板の間の空間に、投射されるパターン化ビームが通過する液体を提供するようになされた液体供給システムと、基板の位置を測定するようになされたセンサ、凹所内に配置された基板の縁と凹所の縁の間のギャップを測定するようになされたセンサ、或いは位置とギャップの両方を測定するようになされたセンサを備えている。リソグラフィ装置は、さらに、凹所内における基板の縁と凹所の縁の間のギャップが実質的に一様になるように基板を凹所内に配置するようになされたセンサと連絡している基板処理システムを備えている。

以下、本発明の実施例について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＰＢ（たとえばＵＶ放射或いはＤＵＶ放射）を条件付けるようになされた照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターン化デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構築された、特定のパラメータに従ってパターン化デバイスを正確に位置決めするようになされた第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（たとえばマスク・テーブル）ＭＴと、
基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するように構築された、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするようになされた第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン化デバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイが含まれている）に投影するようになされた投影システム（たとえば屈折投影レンズ系）ＰＬと
を備えている。

照明システムは、放射を導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネント或いは他のタイプの光学コンポーネント、若しくはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。

支持構造は、パターン化デバイスを支持している。つまり、支持構造は、パターン化デバイスの重量を支えている。支持構造は、パターン化デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、たとえばパターン化デバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化デバイスを保持している。支持構造には、パターン化デバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法或いは他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、たとえば必要に応じて固定若しくは移動させることができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。支持構造は、たとえば投影システムに対してパターン化デバイスを所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」という用語の同義語と見なすことができる。

本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンが移相フィーチャ若しくはいわゆる補助フィーチャを備えている場合、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成される、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。

パターン化デバイスは、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化デバイスの実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができる。この傾斜したミラーによって、ミラー・マトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。

本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系、若しくはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。

図に示すように、この装置は透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型（たとえば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した、或いは反射型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。

リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源は、リソグラフィ装置の一構成部品にすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様な強度分布をその断面に持たせることができる。

支持構造（たとえばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパターン化デバイス（たとえばマスクＭＡ）に放射ビームＰＢが入射し、パターン化デバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＰＢは、放射ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる投影システムＰＬを通過する。以下でさらに詳細に説明する液浸フードＩＨは、投影システムＰＬの最終エレメントと基板Ｗの間の空間に液浸液を供給している。

基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（たとえば干渉デバイス、直線エンコーダ若しくは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なる目標部分Ｃを放射ビームＰＢの光路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及びもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡを放射ビームＰＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されている。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現されている。ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２及び基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を使用して位置合せすることができる。図には、専用目標部分を占有している基板アライメント・マークが示されているが、基板アライメント・マークは、目標部分と目標部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメント・マークは、スクライブ・レーン・アライメント・マークとして知られている）。

同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスク・アライメント・マークを配置することができる。

図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回で投影される（即ち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モード：走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期走査される（即ち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の幅）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の高さ）が決まる。
３．その他のモード：その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。

上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態或いは全く異なる使用モードを使用することも可能である。

図４は、局部液体供給システムを使用した他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＬの両側の２つの溝入口ＩＮによって供給され、且つ、入口ＩＮの外側に向かって放射状に配置された複数の離散出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは、投射される投影ビームが通過する孔が中心に穿たれたプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方の側に設けられた１つの溝入口ＩＮによって供給され、且つ、投影システムＰＬのもう一方の側に設けられた複数の離散出口ＯＵＴによって除去され、それにより投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄い膜の流れをもたらしている。使用する入口ＩＮと出口ＯＵＴの組合せの選択は、基板Ｗが移動する方向によって決まる（これ以外の入口ＩＮ及び出口ＯＵＴの組合せは有効ではない）。

提案されている局部液体供給システム解決法を使用したもう１つの液浸リソグラフィ解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。図５は、このような解決法を示したものである。シール部材は、Ｚ方向（光軸の方向）における若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムに対して実質的にＸＹ平面内に静止している。シール部材と基板の表面の間にシールが形成されている。

図５を参照すると、リザーバ１０は、投影システムの画像視野の周りの基板に非接触シールを形成し、それにより液体を拘束して基板の表面と投影システムの最終エレメントの間の空間を充填している。リザーバは、投影システムＰＬの最終エレメントの下方に配置され、且つ、投影システムＰＬの最終エレメントを取り囲んでいるシール部材１２によって形成されている。液体は、シール部材１２内の、投影システムの下方の空間に導入されている。シール部材１２は、投影システムの最終エレメントの少し上まで展開しており、最終エレメントの上まで液体レベルが上昇しているため、液体のバッファが提供されている。シール部材１２は、一実施例では、上端部の形状が投影システムの形状若しくは投影システムの最終エレメントの形状と緊密に一致した内部周囲を有しており、たとえば円形の内部周囲を有している。内部周囲の底部は、画像視野の形状と緊密に一致しており、たとえば、必ずしもそうである必要はないが長方形の形をしている。

液体は、シール部材１２の底部と基板Ｗの表面の間のガス・シール１６によってリザーバ内に拘束されている。このガス・シールは、入口１５を介して加圧下でシール部材１２と基板の間のギャップに提供され、且つ、第１の出口１４を介して排出されるガス、たとえば空気若しくは合成空気によって形成されるが、一実施例ではＮ_２若しくは他の不活性ガスによって形成されている。ガス入口１５の超過圧力、第１の出口１４の真空レベル及びギャップの幾何学は、液体を拘束する高速のガスの流れが内部に存在するようになされている。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願第ＵＳ１０／７０５７８３号に、このようなシステムが開示されている。

液体が充填されている投影システムの最終エレメントと基板の間のリザーバ１０は、基板が走査動作している間、基板Ｗの縁に接近させることができる。基板の縁を露光する際の液体のリークを制限し、或いは防止するために、基板は、図６に示すように、基板Ｗの上部表面と基板テーブル（即ちチャック）ＷＴが実質的に同じ高さになるように配置され、たとえば、チャックＷＴの凹所即ち空洞ＤＰに、基板の上部表面とチャックが実質的に同じ高さになるように配置される。本明細書においては円形の凹所ＤＰが示されているが、凹所ＤＰは、他の任意の形状にすることができる。

図７により詳細に示すように、基板Ｗの縁２０と凹所ＤＰの縁２２の間から少しずつ液体がリークするため、チャックＷＴの凹所ＤＰの半径方向の寸法Ｒ_Ｄ（ＸＹ平面内の寸法）は、可能な限り基板の半径方向の寸法Ｒ_Ｗに近くなるように選択される。また、シール部材１２の底部と基板Ｗの表面の間のガス・シール１６（図６に示す）は、たとえば基板の縁を放射に露光する際に、基板Ｗの縁２０と凹所ＤＰの縁２２の間に漂うため、ガス・シールが不安定になることがある。したがって、この補足理由のため、チャックＷＴの凹所ＤＰの半径方向の寸法Ｒ_Ｄ（ＸＹ平面内の寸法）は、可能な限り基板の半径方向の寸法Ｒ_Ｗに近くなるように選択されるが、凹所ＤＰの半径方向の寸法Ｒ_Ｄは、実際には基板の半径方向の寸法Ｒ_Ｗより若干長くなるように構築され、凹所内への基板の挿入を可能にし、且つ、基板の除去を容易にしている。しかしながら、同時に、凹所の寸法は、基板Ｗの縁２０とチャックＷＴの凹所ＤＰの縁２２の間からの液体のリークを制限し、或いは防止するように選択される。

一実施態様では、基板Ｗの縁２０と凹所ＤＰの縁２２の間のたとえば０．５ｍｍのギャップＧは、良好に心出しされた基板Ｗのすべての面を利用することができるようになっているが、たとえば基板ハンドラーがチャックの凹所内で基板を処理し、且つ、位置決めする精度が悪いため、図８に示すように基板は必ずしも完全には心出しされず、たとえば基板Ｗの縁２０Ｒと凹所ＤＰの縁２２Ｒの間のギャップの方が、基板Ｗの縁２０Ｌと凹所ＤＰの縁２２Ｌの間のギャップより狭くなる。つまり、基板の縁２０Ｌと凹所の縁２２Ｌの間のギャップＧ１の方が基板の縁２０Ｒと凹所の縁２２Ｒの間のギャップＧ２より広くなる。この場合、凹所ＤＰの中心Ｃ_Ｄに対する基板Ｗの中心Ｃ_ＳのオフセットΔ（或いは基板Ｗの中心Ｃ_Ｓに対する凹所ＤＰの中心Ｃ_Ｄのオフセット）が存在する。一実施例では、このオフセットはベクトルであり、本明細書において参照されているオフセットの値は、オフセット・ベクトルの長さである。実際には、０．１ｍｍで無作為に変化する最大０．６ｍｍのオフセットΔが存在する。

従来のリソグラフィ投影装置即ち非液浸リソグラフィ投影装置の場合、基板をチャックの上に配置している間、基板の中心とチャックの中心との間のオフセットを修正する必要はない。チャックの上に基板Ｗを装荷し、且つ、位置決めした後に、中心と中心の間のオフセットを基板自体の期待位置に修正することができる（基板をチャックの上に配置している間に部分的に修正されていない場合）。

しかし、液浸リソグラフィ投影装置の場合、基板ＷがチャックＷＴの凹所ＤＰ内に配置されると、上で考察したように、たとえば０．６ｍｍ程度のオフセットΔが存在する可能性があり、そのために、たとえば基板の一方の縁２０、たとえば縁２０Ｌと、凹所ＤＰの一方の縁、たとえば２２Ｌの間の距離が１．０ｍｍ程度になることがある。一方の側の１．０ｍｍのこのギャップＧ１は、０．５ｍｍのオフセットΔと相俟った一方の側の０．５ｍｍの初期ギャップＧに対応している（基板が凹所内に良好に心出しされている場合）。基板の一方の側における１．０ｍｍのこのギャップＧ１は非常に広く、そのためにこのギャップを介して液体がリークし、且つ／又はギャップＧ１の頂部に漂っているガス・シールが不安定になることがある。これは、基板を除去し、且つ、基板及び基板テーブルを浄化する必要があり、そのために生産プロセスの減速が余儀なくされ、或いはガス・シールが不安定になり、延いては所定の位置に液体を保持する問題の原因になるため、リソグラフィにおいてはとりわけ望ましくない現象である。

また、オフセットΔがたとえば０．６ｍｍの場合、この０．６ｍｍのオフセットΔは、基板Ｗが良好に心出しされている場合に想定される利用可能な０．５ｍｍのギャップＧより広いため（Δ＞Ｇ）、基板の縁２０Ｒが凹所ＤＰの縁２２Ｒに当たることになる。この状態では、凹所ＤＰ内に基板Ｗを装荷することはできない。また、製造中における基板Ｗの配置誤差はすべてマシンのダウンタイムの原因になり、生産性が低下することになるため、この状況は望ましい状況ではない。

したがって、オフセットを考慮するために基板処理システムを較正し、それにより前述の１つ又は複数の望ましくない状況を回避することができるよう、凹所ＤＰ内における基板ＷのオフセットΔが決定されることが望ましい。凹所内における基板のオフセットが決定され、且つ、そのオフセットを考慮するべく基板処理システムが較正されると、凹所の１つ又は複数の寸法を適合させることができるため、基板を凹所内により正確に嵌合させることができ、延いてはギャップをさらに最小化することができる。

一実施例では、基板の中心と凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法には、凹所ＤＰより若干小さい試験基板Ｗが使用され、次に、基板ハンドラーによってオフセットのサイズに無関係に試験基板Ｗを装荷することができることを保証するために正規の生産基板が使用されている。たとえば、試験基板Ｗの寸法は、ギャップＧ（たとえば１．０ｍｍ）が最大オフセットΔ（たとえば０．６ｍｍ）より広くなるように、つまりＧ＞Δｍａｘになるように選択することができる。この場合、オフセットが最大で、たとえば０．６ｍｍに等しい場合であっても、この０．６ｍｍのオフセットは、１．０ｍｍのギャップＧより小さいため、依然として凹所ＤＰ内に試験基板Ｗを配置することが可能である。基板ハンドラーは、凹所ＤＰ内で心出しされることをもくろんで（実際に未知のオフセットが存在する可能性がある場合であっても）試験基板Ｗを装荷する。試験基板が凹所ＤＰ内に配置されると、オフセットの決定及び較正を実行することができる。

図９を参照すると、試験基板Ｗの上にアライメント・マークＡＭが提供されており、試験基板Ｗ上のアライメント・マークＡＭに対する基板の中心位置Ｃ_Ｓを決定することができるか、或いはアライメント・マークＡＭに対する基板の中心位置Ｃ_Ｓが分かっている。たとえば、試験基板Ｗのアライメント・マークＡＭの位置に対する試験基板Ｗの中心位置Ｃ_Ｓは、プリアライナを使用して測定することができる。プリアライナは、基板ハンドラー内の装置で、縁センス情報若しくは基板Ｗ上のアライメント・マークの光検出に基づいて基板ハンドラーの座標内の特定の位置に基板を心出しする装置である。また、チャックＷＴは、基準マーク（即ちフィデューシャル・マーク）ＦＭを備えており、同様に、フィデューシャル・マークＦＭの位置に対する凹所ＤＰの中心位置Ｃ_Ｄを決定することができるか、或いはフィデューシャル・マークＦＭの位置に対する凹所ＤＰの中心位置Ｃ_Ｄが分かっている。したがって、たとえば基準マークＦＭの位置に対する試験基板Ｗのアライメント・マークＡＭの位置を測定することにより（或いは試験基板Ｗのアライメント・マークＡＭの位置に対する基準マークＦＭの位置を測定することにより）、試験基板Ｗの中心位置Ｃ_Ｓと凹所ＤＰの中心位置Ｃ_Ｄとの間のオフセットΔを決定することができる。アライメント・マークＡＭ及び基準マークＦＭの位置は、たとえば干渉計及び光アライメント・システムなどの利用可能な光学システムを使用して測定することができる。

追加若しくは別法として、リソグラフィ装置は、試験基板Ｗを適切に心出しするために配置すべきアライメント・マークＡＭ及びフィデューシャル・マークＦＭの公称位置を有することができる。試験基板Ｗが凹所ＤＰ内に配置されると、アライメント・マークＡＭ及びフィデューシャル・マークＦＭの実際の位置を決定することができ、且つ、公称位置と実際の位置の差からオフセットΔを決定することができる。

試験基板Ｗを位置決めする際のオフセットΔを知ることによって基板ハンドラーを較正し、オフセットΔを考慮することができる。詳細には、基板ハンドラーのメカニズムの位置を較正することができるため、基板ハンドラーによって基板の任意の位置におけるオフセットを修正することができる。この方法によれば、続いて基板テーブル上に装荷される生産基板を凹所ＤＰ内に適切に心出しすることができる。

基板の中心と凹所の中心との間のオフセットΔを決定するための方法の他の実施例では、基板Ｗが凹所ＤＰ内に存在していることを保証するために、典型的な生産基板Ｗがたとえば「手動」で凹所ＤＰ内に配置される。「手動」で配置することは、基板Ｗが凹所ＤＰ内に存在していることを意味している。この「手動」による配置は、たとえば、技術者が基板Ｗを凹所ＤＰ内に配置することによって実施することができ、或いは基板Ｗを凹所ＤＰ内に適切に挿入することができる場合は、基板ハンドラーを正規に操作することによって実施することができ、また、基板ハンドラーの正規の操作と、基板Ｗが凹所ＤＰ内に適切に配置されるよう、たとえば基板ハンドラーによって次に実施される基板Ｗの位置に対する調整との組合せによって実施することができ、或いは他の任意の手段によって実施することができる。

基板が凹所ＤＰ内に配置されると、基板の縁と凹所ＤＰの縁の間のギャップＧの幅が基板Ｗの周囲の複数の位置（少なくとも３ヶ所）で測定される。この測定は、たとえばレベル・センサなどの光学システムを使用して実行される。たとえば、基板Ｗが凹所ＤＰ内に配置されている間、ギャップの両端間が放射ビームで走査され（たとえば放射ビームを所定の位置に維持し、基板テーブルＷＴを変位させることによって）、反射した放射ビームの強度変化が測定される。放射ビームがギャップの両端間を移動する際の放射の強度を測定することにより、たとえば位置／変位測定システム（若しくは基板テーブルＷＴ）を使用してギャップの幅を測定することができる。複数の位置におけるギャップの測値を使用して、チャックの座標系における基板Ｗの中心Ｃ_Ｓを決定することができる。たとえば、ギャップ幅の測値と凹所ＤＰの縁の位置及びギャップＧの位置を使用して基板の縁の位置を決定することができ、延いては基板の中心を決定することができる。

代替実施例或いは追加実施例では、たとえばレベル・センサの走査放射ビームの強度変化と、走査放射ビームが基板／基板テーブルに衝突する、基板テーブルの位置の干渉計測値から決定される位置を使用して、基板Ｗの縁の位置を複数の位置で直接測定することができる。

チャックの座標系における凹所ＤＰの中心Ｃ_Ｄの位置は、他の測値から知ることも、或いは凹所ＤＰの縁の測値によって決定することも可能である。基板の中心位置Ｃ_Ｓ及び凹所の中心位置Ｃ_Ｄが分かると、凹所ＤＰ内、つまりチャックの座標系における基板Ｗのチャック心出しオフセットを決定することができる。チャック心出しオフセットΔは、たとえば凹所ＤＰの中心位置Ｃ_Ｄに対する基板Ｗの中心位置Ｃ_Ｓを計算することによって決定することができる。

次に、基板ハンドラーを使用してプリアライナに基板Ｗが提供され、プリアライナを使用して基板Ｗの中心位置Ｃ_Ｓが測定される。プリアライナは、プリアライナ座標系内に基板Ｗの公称中心を有している。プリアライナ心出しオフセットは、基板Ｗの公称中心とプリアライナの座標系で測定した中心の間で決定することができる。次に、チャックの座標系におけるチャック心出しオフセットとプリアライナの座標系におけるプリアライナのオフセットの中心が結合され、広域オフセットが計算される。基板ハンドラーが較正され、この広域オフセットが考慮される。基板ハンドラーを較正することにより、基板ハンドラーによる基板の位置決め即ち座標系が修正され、広域オフセットが考慮されるため、次に凹所に配置される基板のギャップが一様に広がり、したがって基板が凹所内で実質的に心出しされる。

チャックは、通常、少なくとも１つのピンを備えた基板変位機構を備えている。この基板変位機構を使用して基板がチャック上に変位し、或いはチャックから基板が変位する。基板は、基板ハンドラーによって基板置換機構の上に配置され、且つ／又は基板置換機構若しくはチャック自体から運び去られる。基板ハンドラーは、通常、基板を運ぶためのフォークを有するモータ駆動ロボット・アームである。液浸リソグラフィ装置の場合、基板を凹所内に変位させ、また、基板を凹所内から変位させることができるよう、チャックの凹所内には１つ又は複数のピンが提供されている。

基板Ｗの中心と凹所ＤＰの中心との間のオフセットを決定するための方法の本発明の他の実施例では、図１１に示すように、基板ハンドラーを使用してチャックＷＴの１つ又は複数のピンの上に基板Ｗが装荷され、次に、たとえば基板ＷがチャックＷＴの凹所ＤＰの開口に到達するまで１つ又は複数のピンをＺ方向に降下させることによって基板Ｗが変位する。基板は、チャックＷＴの凹所ＤＰの開口の限界に到達するまで変位し（図１１に示すように）、それにより基板とチャックの表面ＳＴ或いは凹所ＤＰの縁が衝突しないことが保証される。図１１には３つのピンが示されているが、１つ又は複数のピンを使用して基板を保持することができることは理解されよう。基板Ｗが開口の限界に到達すると、チャックＷＴの表面若しくは凹所ＤＰの縁に衝突することなく基板Ｗを凹所ＤＰ内に挿入することができる、Ｘ及び／又はＹ座標中を並進させるべき基板Ｗの移動量が決定される。このような決定は、たとえば基板上のマーク及びチャックＷＴ上のマークを測定するアライメント・システムを使用して実施することができる。トランスレータを必要とする場合、チャックＷＴに対して１つ又は複数のピンの上をＸ及び／又はＹ方向に基板Ｗを並進させることができ、或いは１つ又は複数のピン若しくは基板に対してＸ及び／又はＹ方向にチャック・ウェイトを並進させることができ、或いは基板Ｗのフットプリントが凹所ＤＰ内に嵌合するまで両方を組み合わせて並進させることができる。したがって、基板Ｗのフットプリントを凹所ＤＰ内に嵌合させるために使用されるＸ及び／又はＹ方向の並進が、凹所ＤＰに対する基板Ｗの中心のオフセットΔである。

このオフセットΔを使用して基板ハンドラーを較正し、オフセットΔを考慮することができる。基板ハンドラーを較正することにより、基板ハンドラーによる基板Ｗの位置決めがオフセットΔだけシフトされ、したがってオフセットΔが修正されるため、基板ハンドラーによって次にチャックＷＴに装荷される基板が凹所内で心出しされる。その結果、次に装荷される基板が１つ又は複数のピンの上に正しく配置され、したがってチャックの表面に衝突することなく凹所内の中心に基板が位置決めされる。

欧州特許出願第０３２５７０７２．３号に、二重ステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備えている。１つのテーブルを使用して、液浸液が存在しない第１の位置で水準測定が実行され、もう１つのテーブルを使用して、液浸液が存在する第２の位置で露光が実行される。別法としては、装置は、１つのテーブルのみを有している。

本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール及び／又は検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。

本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ或いは１２６ｎｍの放射若しくはその近辺の波長の放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント及び反射光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つ或いは組合せを意味している。

以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。たとえば、適用可能である場合、本発明は、上で開示した方法を記述した１つ又は複数の機械可読命令シーケンスを含んだコンピュータ・プログラムの形態を取ることができ、或いはこのようなコンピュータ・プログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスク若しくは光ディスク）の形態を取ることができる。

本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置、詳細には、それらに限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。液浸リソグラフィ装置に使用される液浸液には、使用する露光放射の所望の特性及び波長に応じて異なる組成を持たせることができる。露光波長が１９３ｎｍの場合、超純水若しくは水をベースとする組成を使用することができるため、液浸液は、水及び水に関連する用語で参照されることがしばしばであり、たとえば親水性、疎水性、湿度などの用語を使用することができる。

以上の説明は、本発明の例証を意図したものであり、本発明を何ら制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給システムを示す他の図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための他の液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するためのさらに他の液体供給システムを示す図である。 本発明の一実施例による、基板及び基板テーブルと関連して示す、図５に示す液体供給システムを示す図である。 本発明の一実施例による、基板が配置される凹所を有する基板テーブルを示す図である。 本発明の一実施例による、基板テ―ブルの凹所内に基板が配置され、且つ、凹所に対して基板が中心を外れている状況を示す図である。 本発明の一実施例による、基準マークを有する基板テーブルの凹所内に配置された、アライメント・マークを備えた基板を示す図である。 本発明の一実施例による、凹所内に配置された基板及び基板の縁と凹所の縁の間の様々な位置におけるギャップを示す図である。 本発明の一実施例による、基板が１つ又は複数のピンによって凹所の開口の上方に保持されている状況を示す図である。

符号の説明

ＡＤ アジャスタ
ＡＭ アライメント・マーク
ＢＤ ビーム引渡しシステム
Ｃ 基板の目標部分
ＣＯ コンデンサ
Ｃ_Ｄ 凹所の中心
Ｃ_Ｓ 基板の中心
ＤＰ チャックの空洞（凹所）
ＦＭ 基準マーク（フィデューシャル・マーク）
Ｇ、Ｇ１、Ｇ２ 基板の縁と凹所の縁の間のギャップ
ＩＦ 位置センサ
ＩＨ 液浸フード
ＩＬ 照明システム（イルミネータ）
ＩＮ インテグレータ
ＭＡ パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ 支持構造（マスク・テーブル）
Ｍ１、Ｍ２ マスク・アライメント・マーク
ＰＢ 放射ビーム
ＰＭ 第１のポジショナ
ＰＬ 投影システム
ＰＷ 第２のポジショナ
Ｐ１、Ｐ２ 基板アライメント・マーク
Ｒ_Ｄ 凹所の半径方向の寸法
Ｒ_Ｗ 基板の半径方向の寸法
ＳＯ 放射源
ＳＴ チャックの表面
Ｗ 基板（試験基板、生産基板）
ＷＴ 基板テーブル（チャック）
Δ 凹所の中心に対する基板の中心のオフセット
１０ リザーバ
１２ シール部材
１４ 第１の出口
１５ 入口
１６ ガス・シール
２０、２０Ｒ、２０Ｌ 基板の縁
２２、２２Ｒ、２２Ｌ 凹所の縁

Claims (34)

1. 基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法であって、
   寸法が前記凹所の寸法より小さい試験基板を前記凹所に提供するステップと、
   前記試験基板が前記凹所内に存在している間に、前記試験基板のアライメント・マークの位置を測定するステップと、
   前記アライメント・マークの位置から前記試験基板の中心と前記凹所の中心との間のオフセットを決定するステップとを含む方法。
2. 前記試験基板を前記凹所に提供するステップが、基板ハンドラーを使用して前記試験基板を前記凹所内に装荷するステップを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記試験基板の前記アライメント・マークの位置を測定するステップが、前記チャックの基準マークに対する前記アライメント・マークの位置を測定するステップ、或いは前記アライメント・マークに対する前記チャックの基準マークの位置を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記チャックの基準マークの位置に対する前記凹所の中心位置を決定するステップ、或いは前記凹所の中心位置に対する前記チャックの基準マークの位置を決定するステップと、
   前記試験基板の前記アライメント・マークの位置に対する前記試験基板の中心位置を決定するステップ、或いは前記試験基板の中心位置に対する前記試験基板の前記アライメント・マークの位置を決定するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記試験基板の中心位置を測定するステップがプリアライナを使用して実行される、請求項４に記載の方法。
6. 前記試験基板の寸法が、前記試験基板が前記凹所内にあるときに前記試験基板の縁と前記凹所の縁の間のギャップが最大オフセットより大きくなるように寸法化された、請求項１に記載の方法。
7. 前記試験基板の前記アライメント・マークの位置を測定するステップが光学システムを使用して実行される、請求項１に記載の方法。
8. 前記光学システムが干渉計及び光アライメント・システムを備えた、請求項７に記載の方法。
9. 前記オフセットを考慮するために基板ハンドラーを較正するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記基板ハンドラーを較正するステップが、前記基板ハンドラーによって前記凹所に提供される後続する基板が実質的に前記凹所内の中心に位置するよう、前記基板ハンドラーによる基板の位置決めをシフトさせて前記オフセットを修正するステップを含む、請求項９に記載の方法。
11. 基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法であって、
    前記凹所内に配置された前記基板の縁と前記凹所の縁の間のギャップを複数の位置で測定するステップと、
    前記ギャップの測値を使用して前記基板の中心を決定するステップと、
    前記凹所の中心と前記チャック部分で測定した前記基板の中心との間における前記基板のチャック心出しオフセットを決定するステップと、
    前記基板をプリアライナに提供するステップ及び前記プリアライナにおける前記基板の中心を決定するステップと、
    前記基板の公称中心と前記プリアライナ部分で測定した前記基板の中心との間におけるプリアライナ心出しオフセットを決定するステップと、
    広域心出しオフセットを得るために、前記チャック心出しオフセットと前記プリアライナ心出しオフセットを結合するステップを含む方法。
12. 前記凹所の縁の位置を決定するステップと、前記凹所の中心を計算するステップとをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記チャック心出しオフセットを決定するステップが、前記凹所の中心位置に対する前記基板の中心位置を決定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
14. 前記ギャップを測定するステップが、前記ギャップの両端間を光ビームで走査するステップ及び反射した前記光ビームの強度変化を測定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
15. 前記ギャップの測値を使用して前記基板の中心を決定するステップが、前記基板の縁の位置を決定するステップ及び前記縁の位置から前記基板の中心位置を計算するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
16. 前記基板が基板ハンドラーを使用して前記凹所内に配置され、且つ、前記凹所から除去される、請求項１１に記載の方法。
17. 前記広域心出しオフセットを考慮するために前記基板ハンドラーを較正するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
18. 前記基板ハンドラーを較正するステップが、続いて配置される基板が実質的に前記凹所内の中心に配置されるよう、前記基板ハンドラーによる基板の位置決めをオフセット分だけシフトさせて前記広域心出しオフセットを修正するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記基板ハンドラーを較正するステップが、続いて配置される基板のギャップが前記凹所内で一様に広がるように基板の位置決めを修正するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
20. 基板の中心とチャックの凹所の中心との間のオフセットを決定するための方法であって、
    前記チャックのピンの上に前記基板を装荷するステップ、及び前記基板が前記チャックの前記凹所の開口に到達するまで前記ピンを第１の方向に並進させることによって前記基板を移動させるステップと、
    前記チャックの表面若しくは前記チャックの前記凹所の縁に衝突することなく前記基板が前記凹所に入るように、前記第１の方向に対して実質的に直角の平面内を並進させるべき前記基板の移動量を決定するステップと、
    前記平面内における前記並進の決定に基づいて、前記凹所に対する前記基板のオフセットを決定するステップとを含む方法。
21. 並進させるべき前記基板の移動量を決定するステップが、前記基板のフットプリントが前記凹所内に嵌合するまで、前記ピン上の前記平面内を前記チャックに対して前記基板を並進させるステップ、前記平面内を前記基板若しくは前記ピンに対して前記チャックを並進させるステップ、若しくはその両方のステップを含む、請求項２０に記載の方法。
22. 前記チャックのピンの上に前記基板を装荷するステップが基板ハンドラーを使用して実行される、請求項２０に記載の方法。
23. 前記オフセットを考慮するために前記基板ハンドラーを較正するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
24. 前記基板ハンドラーを較正するステップが、続いて配置される基板が実質的に前記凹所内の中心に配置されるよう、前記基板ハンドラーによる基板の位置決めを一定の量だけシフトさせて前記オフセットを修正するステップを含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記基板ハンドラーを較正するステップが、続いて配置される基板のギャップが前記凹所内で一様に広がるように基板の位置決めを修正するステップを含む、請求項２３に記載の方法。
26. 放射ビームを所望のパターンに従ってパターン化するようになされたパターン化デバイスを保持するようになされた支持構造と、
    基板を保持するようになされた、前記基板を受け入れるようになされた凹所を有する基板テーブルと、
    パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
    前記投影システムと前記基板の間の空間に、投射される前記パターン化されたビームが通過する液体を提供するようになされた液体供給システムと、
    前記基板の位置を測定するようになされたセンサ、前記凹所内に配置された前記基板の縁と前記凹所の縁の間のギャップを測定するようになされたセンサ、或いは前記位置と前記ギャップの両方を測定するようになされたセンサと、
    前記凹所内における前記基板の縁と前記凹所の縁の間のギャップが実質的に一様になるように前記基板を前記凹所内に配置するようになされたセンサと連絡している基板処理システムとを備えたリソグラフィ投影装置。
27. 前記基板処理システムが較正され、それにより前記基板と前記凹所の間のオフセットを修正するようになされた、請求項２６に記載の装置。
28. 前記基板処理システムが、前記基板の中心と前記凹所の中心との間のオフセットを決定するようになされた、請求項２６に記載の装置。
29. 前記基板の位置を測定するようになされた前記センサが、前記凹所内に配置された試験基板のアライメント・マークの位置を測定するようになされ、前記基板処理システムが、前記センサを使用して測定した前記アライメント・マークの位置から前記試験基板の中心と前記凹所の中心との間のオフセットを決定するようになされた、請求項２６に記載の装置。
30. 前記基板処理システムが、前記基板テーブルの表面若しくは前記凹所の縁に衝突することなく前記基板が前記凹所に入るように、前記基板テーブルに対して実質的に平行の平面内を並進させるべき前記基板の移動量を決定するようになされた、請求項２６に記載の装置。
31. 前記基板処理システムが、前記平面内の前記並進の決定に基づいて前記基板と前記凹所の間のオフセットを決定するようになされた、請求項３０に記載の装置。
32. 前記基板処理システムが、前記ギャップの測値を使用して前記基板の中心を決定し、且つ、前記凹所の中心と前記基板の測定中心との間の前記基板のオフセットを決定するようになされた、請求項２６に記載の装置。
33. プリアライナであって、プリアライナにおける前記基板の中心を測定するようになされたプリアライナをさらに備え、前記基板処理システムが、前記基板の公称中心と前記プリアライナ部分で測定した前記基板の中心との間における前記プリアライナ部分の心出しオフセットを決定するようになされた、請求項３２に記載の装置。
34. 前記基板処理システムが、広域心出しオフセットを得るために、前記基板のオフセットと前記心出しオフセットを結合するようになされた、請求項３３に記載の装置。

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