JPH05299322A - ウェハのアライメント方法 - Google Patents
ウェハのアライメント方法Info
- Publication number
- JPH05299322A JPH05299322A JP4098041A JP9804192A JPH05299322A JP H05299322 A JPH05299322 A JP H05299322A JP 4098041 A JP4098041 A JP 4098041A JP 9804192 A JP9804192 A JP 9804192A JP H05299322 A JPH05299322 A JP H05299322A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- data
- alignment
- time
- sensor
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置の製造におけるウェハ
のアライメント方法に関するもので、アライメントの際
のパーティクルによる汚染とウェハ径の誤差による中心
位置のずれを起さないようにするとともに、アライメン
ト時間の短縮を図ることを目的とするものである。 【構成】 前記目的のため本発明は、ウェハ４を搬送す
る際の搬送機構の移動情報（パルスモータのパルス数ま
たはエンコーダ３からの情報）と、ウェハ４が通過する
際ウェハ４によってしゃ断あるいは反射されることによ
って得られるセンサ１によるウェハ４のエッジ情報とか
ら、ウェハ４がセットされるべき位置に対する現在のウ
ェハ４のオフセットおよび回転量（オリエンテーション
フラットの位置）の情報を一度に得、その情報からウェ
ハ４のアライメントを行うようにしたものである。
のアライメント方法に関するもので、アライメントの際
のパーティクルによる汚染とウェハ径の誤差による中心
位置のずれを起さないようにするとともに、アライメン
ト時間の短縮を図ることを目的とするものである。 【構成】 前記目的のため本発明は、ウェハ４を搬送す
る際の搬送機構の移動情報（パルスモータのパルス数ま
たはエンコーダ３からの情報）と、ウェハ４が通過する
際ウェハ４によってしゃ断あるいは反射されることによ
って得られるセンサ１によるウェハ４のエッジ情報とか
ら、ウェハ４がセットされるべき位置に対する現在のウ
ェハ４のオフセットおよび回転量（オリエンテーション
フラットの位置）の情報を一度に得、その情報からウェ
ハ４のアライメントを行うようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造にお
けるウェハのアライメント方法、いわゆるプリアライメ
ントあるいはウェハセンタリングと称される方法に関す
るものである。
けるウェハのアライメント方法、いわゆるプリアライメ
ントあるいはウェハセンタリングと称される方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のアライメント方法として
は、図２に示すようなローラによる接触方式、図３に示
すような非接触方式があった。
は、図２に示すようなローラによる接触方式、図３に示
すような非接触方式があった。
【０００３】図２では、ウェハ回転ローラ１、１でウェ
ハ１、４をまわし、オリエンテーションフラットが前記
ローラ１、１部に来たところで押し付けピン１、３がウ
ェハを押し、ローラ１、１と固定ピン１、３の押し付け
により位置決めをする。
ハ１、４をまわし、オリエンテーションフラットが前記
ローラ１、１部に来たところで押し付けピン１、３がウ
ェハを押し、ローラ１、１と固定ピン１、３の押し付け
により位置決めをする。
【０００４】図３では、センサ２、１でウェハ２、３の
エッジを検知しながら、ウェハチャック２、２で回転さ
せ、ウェハ２、３のエッジの位置に応じてチャック２、
２がＸ，Ｙ方向に微動して位置決めを行う。
エッジを検知しながら、ウェハチャック２、２で回転さ
せ、ウェハ２、３のエッジの位置に応じてチャック２、
２がＸ，Ｙ方向に微動して位置決めを行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ローラ
による接触方式（図２）ではウェハエッジ部にローラが
接触するためパーティクルがウェハ表面に飛散しウェハ
を汚染する欠点があった。さらに片側に押し付けるた
め、ウェハの径の誤差（±０．５ｍｍ程度）によりセン
ター位置がずれてしまう欠点があった。非接触タイプ
（図３）は、ローラ式のような欠点は無いがウェハが定
位置にセットされた後回転させてウェハのエッジ位置を
検出するため時間がかかると言う欠点があった。両方式
何れの場合も、いわゆるプリアライメントステーション
又はアライメントステージと呼ばれる場所にウェハを移
載し、そこで上記の動作を行うので移載のための時間が
余分にかかった。
による接触方式（図２）ではウェハエッジ部にローラが
接触するためパーティクルがウェハ表面に飛散しウェハ
を汚染する欠点があった。さらに片側に押し付けるた
め、ウェハの径の誤差（±０．５ｍｍ程度）によりセン
ター位置がずれてしまう欠点があった。非接触タイプ
（図３）は、ローラ式のような欠点は無いがウェハが定
位置にセットされた後回転させてウェハのエッジ位置を
検出するため時間がかかると言う欠点があった。両方式
何れの場合も、いわゆるプリアライメントステーション
又はアライメントステージと呼ばれる場所にウェハを移
載し、そこで上記の動作を行うので移載のための時間が
余分にかかった。
【０００６】本発明は、以上述べたウェハのパーティク
ルによる汚染とウェハ径の誤差による中心位置のずれお
よびアライメント時間が長いという欠点を除去するた
め、ラインセンサとウェハ搬送時の搬送機構の移動情報
をもとにウェハをアライメントする装置を提供すること
を目的とする。
ルによる汚染とウェハ径の誤差による中心位置のずれお
よびアライメント時間が長いという欠点を除去するた
め、ラインセンサとウェハ搬送時の搬送機構の移動情報
をもとにウェハをアライメントする装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は前記目的のた
め、半導体製造装置においてウェハを搬送する際の搬送
機構の移動情報（パルスモータのパルス数またはエンコ
ーダからの情報）と、ウェハが通過する際ウェハによっ
てしゃ断あるいは反射されることによって得られるウェ
ハのエッジ情報とから、ウェハがセットされるべき位置
に対する現在のウェハのオフセットおよび回転量（オリ
エンテーションフラットの位置）の情報を一度に得、そ
の情報からウェハのアライメントを行うようにしたもの
である。
め、半導体製造装置においてウェハを搬送する際の搬送
機構の移動情報（パルスモータのパルス数またはエンコ
ーダからの情報）と、ウェハが通過する際ウェハによっ
てしゃ断あるいは反射されることによって得られるウェ
ハのエッジ情報とから、ウェハがセットされるべき位置
に対する現在のウェハのオフセットおよび回転量（オリ
エンテーションフラットの位置）の情報を一度に得、そ
の情報からウェハのアライメントを行うようにしたもの
である。
【０００８】
【作用】前述したように本発明は、ウェハの移動情報と
ウェハのエッジ情報とから位置決定をするようにしたの
で、ウェハに非接触でアライメントができ、パーティク
ル発生もなく、ウェハ径の誤差による中心位置のずれも
起らず、かつアライメント時間も短縮できる。
ウェハのエッジ情報とから位置決定をするようにしたの
で、ウェハに非接触でアライメントができ、パーティク
ル発生もなく、ウェハ径の誤差による中心位置のずれも
起らず、かつアライメント時間も短縮できる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の実施例を示す。本例の場合は
移動方向の情報源としてロータリーエンコーダを用いて
おり、ウェハエッジ情報源として反射型のセンサを用い
ている。図１（ａ）は実施例を上から見た図、図１
（ｂ）は横から見た図である。実施例では、ウェハ４は
ウェハチャック８に吸着されてスクリュー２をモータで
回転させることにより矢印方向に搬送される。図に示す
ように、ウェハチャック８は平行な２個のウェハ搬送器
６に支持されており、その搬送器６にはそれを移動させ
るためのスクリュー２と７（横方向と縦方向）が貫入・
歯合させてあるので、その回転により移動できる。この
時、移動情報（位置情報）をロータリーエンコーダ３よ
り得る。ウェハがセンサ（センサは従来も使われている
光センサ）１の下を横切ることによりセンサ１からの反
射光（波）がウェハよりセンサ１の受光部に戻りウェハ
の存在を感知する。この移動情報とウェハエッジ情報
（検出信号）を同期即ち、クロックパルスをもとにして
前記移動情報に対してウェハエッジ情報を照合させて図
１（ｃ）のようなイメージを得る。このデータよりウェ
ハの外形を認識し、図１（ｄ）に示すような、あらかじ
め設定されている中心点Ａと、認識した中心点Ｂのオフ
セットｄｘ，ｄｙおよび回転ずれ（オリエンテーション
フラットのずれ）ｄθを得る。このデータを元にウェハ
搬送器６の停止位置、調整用スクリューおよびチャック
の回転によりｄｘ，ｄｙ，ｄθを補整する。以上の制御
はコンピュータ制御であり、容易にできることは説明を
要さないであろう。
移動方向の情報源としてロータリーエンコーダを用いて
おり、ウェハエッジ情報源として反射型のセンサを用い
ている。図１（ａ）は実施例を上から見た図、図１
（ｂ）は横から見た図である。実施例では、ウェハ４は
ウェハチャック８に吸着されてスクリュー２をモータで
回転させることにより矢印方向に搬送される。図に示す
ように、ウェハチャック８は平行な２個のウェハ搬送器
６に支持されており、その搬送器６にはそれを移動させ
るためのスクリュー２と７（横方向と縦方向）が貫入・
歯合させてあるので、その回転により移動できる。この
時、移動情報（位置情報）をロータリーエンコーダ３よ
り得る。ウェハがセンサ（センサは従来も使われている
光センサ）１の下を横切ることによりセンサ１からの反
射光（波）がウェハよりセンサ１の受光部に戻りウェハ
の存在を感知する。この移動情報とウェハエッジ情報
（検出信号）を同期即ち、クロックパルスをもとにして
前記移動情報に対してウェハエッジ情報を照合させて図
１（ｃ）のようなイメージを得る。このデータよりウェ
ハの外形を認識し、図１（ｄ）に示すような、あらかじ
め設定されている中心点Ａと、認識した中心点Ｂのオフ
セットｄｘ，ｄｙおよび回転ずれ（オリエンテーション
フラットのずれ）ｄθを得る。このデータを元にウェハ
搬送器６の停止位置、調整用スクリューおよびチャック
の回転によりｄｘ，ｄｙ，ｄθを補整する。以上の制御
はコンピュータ制御であり、容易にできることは説明を
要さないであろう。
【００１０】実際の製造装置では本アライメント終了
後、実際の処理を行う部分に移送され処理を行う。
後、実際の処理を行う部分に移送され処理を行う。
【００１１】本実施例では移動情報源（位置情報源）と
してロータリーエンコーダを用いたが、さらに精度が必
要な場合は、オプティカルエンコーダや、場合によって
はレーザー干渉計の使用も考えられる。センサ部も反射
型だけでなく、透過型も考えられる。
してロータリーエンコーダを用いたが、さらに精度が必
要な場合は、オプティカルエンコーダや、場合によって
はレーザー干渉計の使用も考えられる。センサ部も反射
型だけでなく、透過型も考えられる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハの
移動情報とウェハのエッジ情報とから位置決定をするよ
うにしたので、ウェハに非接触でアライメントができ、
パーティクル発生もなく、ウェハ径の誤差による中心位
置のずれも起らず、かつセンサ部を一度通過するだけで
アライメントができるので、アライメント時間も短縮で
きる。
移動情報とウェハのエッジ情報とから位置決定をするよ
うにしたので、ウェハに非接触でアライメントができ、
パーティクル発生もなく、ウェハ径の誤差による中心位
置のずれも起らず、かつセンサ部を一度通過するだけで
アライメントができるので、アライメント時間も短縮で
きる。
【図１】本発明の実施例。
【図２】従来例その１。
【図３】従来例その２。
１ センサ ２ スクリュー ３ ロータリーエンコーダ ４ ウェハ ６ ウェハ搬送器 ７ 調整用スクリュー ８ ウェハチャック
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の製造におけるウェハのアラ
イメント方法として、 該ウェハを搬送移動させる際の移動情報と、前記ウェハ
のエッジ情報とを照合させることにより該ウェハの位置
を認識し、そのデータにより該ウェハの位置を補整する
ようにしたことを特徴とするウェハのアライメント方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098041A JPH05299322A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | ウェハのアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098041A JPH05299322A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | ウェハのアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299322A true JPH05299322A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14209018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4098041A Pending JPH05299322A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | ウェハのアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299322A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077291B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-12-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
-
1992
- 1992-04-17 JP JP4098041A patent/JPH05299322A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077291B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-12-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| US9182222B2 (en) | 2004-12-10 | 2015-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| US9740106B2 (en) | 2004-12-10 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| US10345711B2 (en) | 2004-12-10 | 2019-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
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