JPH0312946A - ウエハのプリアライメント方法 - Google Patents
ウエハのプリアライメント方法Info
- Publication number
- JPH0312946A JPH0312946A JP1147907A JP14790789A JPH0312946A JP H0312946 A JPH0312946 A JP H0312946A JP 1147907 A JP1147907 A JP 1147907A JP 14790789 A JP14790789 A JP 14790789A JP H0312946 A JPH0312946 A JP H0312946A
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- JP
- Japan
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- wafer
- light
- orientation flat
- sensor
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002518 glial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハのプリアライメント方法に関するもの
である。
である。
（従来の技術）
通常、ウェハのプリアライメント（事前位置決め）の際
には、光センサを用いた方法が行われており、一般に、
例えば第５図及び第６図に示すごとく、透過型の光セン
サと反射型の光センサとが知られている（特公昭５５−
３９９０１号公報参照）。
には、光センサを用いた方法が行われており、一般に、
例えば第５図及び第６図に示すごとく、透過型の光セン
サと反射型の光センサとが知られている（特公昭５５−
３９９０１号公報参照）。
前者の透過型のセンサは、ウェハ１のエッヂ外側を通過
する発光素子２のセンサ光を、垂直下向きに形成した受
光素子３で検出するものであり、このセンサによりウェ
ハ１−を回転させながらオリエンテーシ旦ン・フラット
（以下単にオリフラという）の位置合せを行うようにし
ている。
する発光素子２のセンサ光を、垂直下向きに形成した受
光素子３で検出するものであり、このセンサによりウェ
ハ１−を回転させながらオリエンテーシ旦ン・フラット
（以下単にオリフラという）の位置合せを行うようにし
ている。
後者の反射型のセンサは、発光素子５のセンサ光をウェ
ハ４の表面に照射してその反射量を受光素子６が受けて
ウェハ４のオリフラを検出するようにしている。
ハ４の表面に照射してその反射量を受光素子６が受けて
ウェハ４のオリフラを検出するようにしている。
（発明が解決しようとしている課題）
しかしながら、最近の半導体ウェハは、各種の材質や様
々の表面状態のものが提案されており、例えば、ＳＯ８
半導体ウェハ或いはガラス基板のウェハなどのように光
透過性の半導体ウェハにおいては、ＩＣチップなどのウ
ェハ部分も光センサの照射光を透過してしまうため、上
記のような光センサによるセンシングを行うと、センサ
の出力データがばらついてプリアライメンｌ−の精度が
極めて低い欠点があり、また、反射型のセンサにあって
は、ウェハの表面状態が悪いとその表面状態に影響され
て反射光にばらつきが生じてオリフラの検出が不可能に
なる等の課題があった。
々の表面状態のものが提案されており、例えば、ＳＯ８
半導体ウェハ或いはガラス基板のウェハなどのように光
透過性の半導体ウェハにおいては、ＩＣチップなどのウ
ェハ部分も光センサの照射光を透過してしまうため、上
記のような光センサによるセンシングを行うと、センサ
の出力データがばらついてプリアライメンｌ−の精度が
極めて低い欠点があり、また、反射型のセンサにあって
は、ウェハの表面状態が悪いとその表面状態に影響され
て反射光にばらつきが生じてオリフラの検出が不可能に
なる等の課題があった。
本発明は、上記の例によると、ウェハの表面の状態によ
り反射量が相違したり、ガラス基板などのように光が透
過してしまいオリフラの検出が不可能になる点に鑑みて
開発したものであり、ウェハの表面状態及び材質に影響
されることなくオリフラの検出を高精度に行うことので
きるウェハのプリアライメント方法を提供することを目
的としたものである。
り反射量が相違したり、ガラス基板などのように光が透
過してしまいオリフラの検出が不可能になる点に鑑みて
開発したものであり、ウェハの表面状態及び材質に影響
されることなくオリフラの検出を高精度に行うことので
きるウェハのプリアライメント方法を提供することを目
的としたものである。
発明の構成
（課題を解決するための手段）
本発明は、上述のような問題点を解決するため次のよう
に構成した。
に構成した。
すなわち、ウェハの肉厚面の近傍に配置した光センサに
より当該ウェハの肉厚面に向けて光を照射させると共に
同ウェハを回転させてウェハを位置合わせするようにし
たウェハのグリアライメン１〜方法である。
より当該ウェハの肉厚面に向けて光を照射させると共に
同ウェハを回転させてウェハを位置合わせするようにし
たウェハのグリアライメン１〜方法である。
（作 用）
本発明は、上述のように構成したので、ウェハをＺ方向
に移動させてウェハ自体をサーチし、次いで、ウェハを
Ｙ（またはＸ方向）に動かすと共に、ウェハを回転させ
てウェハの直径を求めることによりウェハのセンター出
しを行い、更に、ウェハをＹ（またはＸ方向）に動かし
て半径より内側にセンサのセンサースポットを位置させ
、次に、ウェハを回転させながらデータを取り出してオ
リフラの位置を検出し、この検出データによってオリフ
ラの距離の半分の位置がオリフラの中心となるので、ウ
ェハのブリアラインメントを高精度に行うことができる
。
に移動させてウェハ自体をサーチし、次いで、ウェハを
Ｙ（またはＸ方向）に動かすと共に、ウェハを回転させ
てウェハの直径を求めることによりウェハのセンター出
しを行い、更に、ウェハをＹ（またはＸ方向）に動かし
て半径より内側にセンサのセンサースポットを位置させ
、次に、ウェハを回転させながらデータを取り出してオ
リフラの位置を検出し、この検出データによってオリフ
ラの距離の半分の位置がオリフラの中心となるので、ウ
ェハのブリアラインメントを高精度に行うことができる
。
（実施例）
以下に、本発明におけるウェハのブリアラインメン１〜
方法を半導体製造装置または半導体検査装置に適用した
一実施例を図面に従って説明する。
方法を半導体製造装置または半導体検査装置に適用した
一実施例を図面に従って説明する。
被製造物または被検査物であるウェハ」１は、適宜の搬
送機構によりサブチャック１５のセンタ上に吸着固定す
るように設けられている。発光素子１３と受光素子１４
である光センサは、ウェハ１１の肉厚面１１ａの近傍位
置に配置する。本例においては、受発光素子１３．１４
をウェハ１のエツジの約１ｍ内側の位置に固定し、セン
サ間Ｑは、１８■としている。また、受発光素子１３．
１４ともスリット（０，５ｎｗｎ Ｘ３ｍｍ） １−３
ａ、１４ａを形成してセンサの安定性を図っている。
送機構によりサブチャック１５のセンタ上に吸着固定す
るように設けられている。発光素子１３と受光素子１４
である光センサは、ウェハ１１の肉厚面１１ａの近傍位
置に配置する。本例においては、受発光素子１３．１４
をウェハ１のエツジの約１ｍ内側の位置に固定し、セン
サ間Ｑは、１８■としている。また、受発光素子１３．
１４ともスリット（０，５ｎｗｎ Ｘ３ｍｍ） １−３
ａ、１４ａを形成してセンサの安定性を図っている。
ここで、ウェハ１１のブリアラインメントの方法につい
て説明すると、まず、ウェハ１１をアーム機構によりサ
ブチャック１５の中心に吸着固定し、次いで、サブチャ
フ１５の２ステージを上下動させることによりウェハ１
１をＺ方向に移動させてウェハ１１自体をサーチし、次
いで、ウェハ１１をＹ（またはＸ方向）に動かすと共に
、ウェハ１１を略９０度回転させてウェハ１１の直径を
求めることによりウェハ１１のセンター出しを行う。こ
の場合、ウェハを回転することのみによりウェハのセン
タ出しをすることも可能である。
て説明すると、まず、ウェハ１１をアーム機構によりサ
ブチャック１５の中心に吸着固定し、次いで、サブチャ
フ１５の２ステージを上下動させることによりウェハ１
１をＺ方向に移動させてウェハ１１自体をサーチし、次
いで、ウェハ１１をＹ（またはＸ方向）に動かすと共に
、ウェハ１１を略９０度回転させてウェハ１１の直径を
求めることによりウェハ１１のセンター出しを行う。こ
の場合、ウェハを回転することのみによりウェハのセン
タ出しをすることも可能である。
更に、ウェハ１１を第３図に示すようにＹ（またはＸ方
向）に動かしてセンサをウェハ１１の半径位置より内側
にセンサースポットを位置させる。
向）に動かしてセンサをウェハ１１の半径位置より内側
にセンサースポットを位置させる。
この状態において、サブチャック１５の回転により、ウ
ェハ１１を３６０度−回転させながら発光素子１３から
発光させると、たとえウェハ」−１がガラス基板であっ
てもウェハ１１には、肉厚面１１ａに光が照射して光は
受光素子１４まで透過しないが、回転しているウェハ１
１は、オリフラ１２の始端１２ａに位置すると、オリフ
ラ１２の切欠きによって発光素子１３の光を受光素子１
４が受光し、オリフラ１２の終端］、 ２ ｂに至るま
で継続して受光して第４図に示すセンサ出力波形図のよ
うに出力するので、データ（ＯＮ、ＯＦＦ信号）を取り
出すことができ、オリフラ１２の距離の半分の位置がオ
リフラ１２の中心であることを検出することができ、こ
のデータに応じてウェハ］１のプリアライメントを行な
うことができる。
ェハ１１を３６０度−回転させながら発光素子１３から
発光させると、たとえウェハ」−１がガラス基板であっ
てもウェハ１１には、肉厚面１１ａに光が照射して光は
受光素子１４まで透過しないが、回転しているウェハ１
１は、オリフラ１２の始端１２ａに位置すると、オリフ
ラ１２の切欠きによって発光素子１３の光を受光素子１
４が受光し、オリフラ１２の終端］、 ２ ｂに至るま
で継続して受光して第４図に示すセンサ出力波形図のよ
うに出力するので、データ（ＯＮ、ＯＦＦ信号）を取り
出すことができ、オリフラ１２の距離の半分の位置がオ
リフラ１２の中心であることを検出することができ、こ
のデータに応じてウェハ］１のプリアライメントを行な
うことができる。
上記のウェハはガラス基板について説明したが、ウェハ
の材質や表面状態に全く影響されないので、あらゆる材
質のウェハに適用できることは勿論である。
の材質や表面状態に全く影響されないので、あらゆる材
質のウェハに適用できることは勿論である。
発明の効果
以上のことから明らかなように、本発明によると、ウェ
ハの肉厚面に向けて光を照射させるようにしたから、被
検査物又は被製造物であるウェハの表面状態或いは材質
に影響されることなくオリフラの検出を行うことのでき
るため、従来に比較して高精度なプリアライメントを行
うことができる等の効果がある。
ハの肉厚面に向けて光を照射させるようにしたから、被
検査物又は被製造物であるウェハの表面状態或いは材質
に影響されることなくオリフラの検出を行うことのでき
るため、従来に比較して高精度なプリアライメントを行
うことができる等の効果がある。
第１図は本発明のプリアライメント方法の一工程例を示
す平面図、第２図は同」二の正面図、第３図は同」―の
センサを示した平面図、第４図は同上のセンサ出力を示
す波形図であり、第５図は従来の透過式の方法を示す正
面説明図、第６図は従来の反射式の方法を示す正面説明
図である。 特 １・俸ウェハ ２・・オリフラ ３・・発光素子 ４・・受光素子 ５・・サブチャック 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社 第６図 −２７８−
す平面図、第２図は同」二の正面図、第３図は同」―の
センサを示した平面図、第４図は同上のセンサ出力を示
す波形図であり、第５図は従来の透過式の方法を示す正
面説明図、第６図は従来の反射式の方法を示す正面説明
図である。 特 １・俸ウェハ ２・・オリフラ ３・・発光素子 ４・・受光素子 ５・・サブチャック 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社 第６図 −２７８−
Claims (1)
- （１）ウェハの肉厚面の近傍に配置した光センサにより
当該ウェハの肉厚面に向けて光を照射させると共に同ウ
ェハを回転させてウェハを位置合わせするようにしたこ
とを特徴とするウェハのプリアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147907A JPH0312946A (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | ウエハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147907A JPH0312946A (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | ウエハのプリアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312946A true JPH0312946A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15440821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147907A Pending JPH0312946A (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | ウエハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788991B2 (en) | 2002-10-09 | 2004-09-07 | Asm International N.V. | Devices and methods for detecting orientation and shape of an object |
| US6950774B2 (en) | 2003-01-16 | 2005-09-27 | Asm America, Inc. | Out-of-pocket detection system using wafer rotation as an indicator |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54585A (en) * | 1977-06-02 | 1979-01-05 | Terumetsuku Kk | Automatic angle setting device |
| JPS55105347A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for scribing single-crystal wafer |
| JPS59171134A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体基板の位置決め装置 |
| JPS61210653A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Olympus Optical Co Ltd | ウエハの位置決め装置 |
-
1989
- 1989-06-10 JP JP1147907A patent/JPH0312946A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54585A (en) * | 1977-06-02 | 1979-01-05 | Terumetsuku Kk | Automatic angle setting device |
| JPS55105347A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for scribing single-crystal wafer |
| JPS59171134A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体基板の位置決め装置 |
| JPS61210653A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Olympus Optical Co Ltd | ウエハの位置決め装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788991B2 (en) | 2002-10-09 | 2004-09-07 | Asm International N.V. | Devices and methods for detecting orientation and shape of an object |
| US6950774B2 (en) | 2003-01-16 | 2005-09-27 | Asm America, Inc. | Out-of-pocket detection system using wafer rotation as an indicator |
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