JPH0312947A - ウエハのプリアライメント方法 - Google Patents
ウエハのプリアライメント方法Info
- Publication number
- JPH0312947A JPH0312947A JP1147908A JP14790889A JPH0312947A JP H0312947 A JPH0312947 A JP H0312947A JP 1147908 A JP1147908 A JP 1147908A JP 14790889 A JP14790889 A JP 14790889A JP H0312947 A JPH0312947 A JP H0312947A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- orientation flat
- ultrasonic sensor
- moved
- sensor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハのプリアライメント方法に関するもの
である。
である。
（従来の技術）
通常、ウェハのプリアライメント（事前位置決め）の際
には、光センサを用いた方法が行われており、一般には
、透過型の光センサと反射型の光センサとが知られてい
る（特公昭５５−３９９０１号公報参照）。
には、光センサを用いた方法が行われており、一般には
、透過型の光センサと反射型の光センサとが知られてい
る（特公昭５５−３９９０１号公報参照）。
前者の透過型のセンサは、ウェハ１のエッヂ外側を通過
する発光素子２のセンサ光を、受光素子３で検出するも
のであり、このセンサによりウェハ１を回転させながら
オリエンテーション・フラット（以下単にオリフラとい
う）の位置合せを行うようにしている。
する発光素子２のセンサ光を、受光素子３で検出するも
のであり、このセンサによりウェハ１を回転させながら
オリエンテーション・フラット（以下単にオリフラとい
う）の位置合せを行うようにしている。
後者の反射型のセンサは、発光素子５のセンサ光をウェ
ハ４の表面に照射してその反射量を受光素子６が受けて
ウェハ４のオリフラを検出するようにしている。
ハ４の表面に照射してその反射量を受光素子６が受けて
ウェハ４のオリフラを検出するようにしている。
（発明が解決しようとしている課題）
しかしながら、最近の半導体ウェハは、各種の材質や様
々の表面状態のものが提案されており、例えば、ＳＯ８
半導体ウェハ或いはガラス基板のウェハなどのように光
透過性の半導体ウェハにおいては、ＩＣチップなどのウ
ェハ部分も光センサの照射光を透過してしまうため、上
記のような光センサによるセンシングを行うと、センサ
の出力データがばらついてプリアライメントの精度が極
めて低い欠点があり、また、反射型のセンサにあっては
、ウェハの表面状態が悪いとその表面状態に影響されて
反射光にばらつきが生じてオリフラの検出が不可能にな
る等の課題があった。
々の表面状態のものが提案されており、例えば、ＳＯ８
半導体ウェハ或いはガラス基板のウェハなどのように光
透過性の半導体ウェハにおいては、ＩＣチップなどのウ
ェハ部分も光センサの照射光を透過してしまうため、上
記のような光センサによるセンシングを行うと、センサ
の出力データがばらついてプリアライメントの精度が極
めて低い欠点があり、また、反射型のセンサにあっては
、ウェハの表面状態が悪いとその表面状態に影響されて
反射光にばらつきが生じてオリフラの検出が不可能にな
る等の課題があった。
本発明は、上記の例によると、ウェハの表面の状態によ
り反射量が相違したり、ガラス基板などのように光が透
過してしまいオリフラの検出が不可能になる点に鑑みて
開発したものであり、超音波センサを用いることにより
ウェハの表面状態及び材質に影響されることなくオリフ
ラの検出を高精度に行うことのできるウェハのプリアラ
イメント方法を提供することを目的としたものである。
り反射量が相違したり、ガラス基板などのように光が透
過してしまいオリフラの検出が不可能になる点に鑑みて
開発したものであり、超音波センサを用いることにより
ウェハの表面状態及び材質に影響されることなくオリフ
ラの検出を高精度に行うことのできるウェハのプリアラ
イメント方法を提供することを目的としたものである。
発明の構成
（課題を解決するための手段）
本発明は、上述のような問題点を解決するため次のよう
に構成した。
に構成した。
すなわち、ウェハの表面近傍に超音波センサを設け、こ
の超音波センサの反射量の変化によってウェハの位置合
わせをするように構成したウェハのプリアライメント方
法である。
の超音波センサの反射量の変化によってウェハの位置合
わせをするように構成したウェハのプリアライメント方
法である。
（作 用）
本発明は上述のように構成したので、ウェハをＸ方向に
移動させてウェハ自体をサーチし、次いで、ウェハをＹ
（またはＸ方向）に動かすと共に、ウェハを回転させて
ウェハの直径を求めることによりウェハのセンター出し
を行い、更に、ウェハをＹ（またはＸ方向）に動かして
センサースポットをウェハのエツジ近傍付近に位置させ
、次に、ウェハを回転させながら超音波センサより超音
波パルスを発射させてその反射波を受信して反射量のデ
ータを取ることによりウェハのオリフラの位置を検出し
、この検出データによってオリフラの距離の半分の位置
がオリフラの中心となるので、ウェハのプリアラインメ
ン１−を高精度に行うことができる。
移動させてウェハ自体をサーチし、次いで、ウェハをＹ
（またはＸ方向）に動かすと共に、ウェハを回転させて
ウェハの直径を求めることによりウェハのセンター出し
を行い、更に、ウェハをＹ（またはＸ方向）に動かして
センサースポットをウェハのエツジ近傍付近に位置させ
、次に、ウェハを回転させながら超音波センサより超音
波パルスを発射させてその反射波を受信して反射量のデ
ータを取ることによりウェハのオリフラの位置を検出し
、この検出データによってオリフラの距離の半分の位置
がオリフラの中心となるので、ウェハのプリアラインメ
ン１−を高精度に行うことができる。
（実施例）
以下に、本発明におけるウェハのプリアラインメント方
法を半導体製造装置または半導体検査装置に適用した一
実施例を図面に従って説明する。
法を半導体製造装置または半導体検査装置に適用した一
実施例を図面に従って説明する。
被製造物または被検査物であるウェハ１は、オリフラ２
が形成されており、またこのウェハ１は、− 適宜の搬送機構によりサブチャック４のセンタ上に吸着
固定するように設けられている。超音波センサ３は、ウ
ェハ１の表面近傍に設け、この超音波センサ３の反射量
によってウェハ１の位置合わせをするように配置する。
が形成されており、またこのウェハ１は、− 適宜の搬送機構によりサブチャック４のセンタ上に吸着
固定するように設けられている。超音波センサ３は、ウ
ェハ１の表面近傍に設け、この超音波センサ３の反射量
によってウェハ１の位置合わせをするように配置する。
本例においては、超音波センサ３をウェハ１の表面のエ
ツジの近傍に固定し、ウェハ１と超音波センサ３との間
隔Ｑは、４０ｎｙｎとしている。
ツジの近傍に固定し、ウェハ１と超音波センサ３との間
隔Ｑは、４０ｎｙｎとしている。
ここで、ウェハ１のプリアラインメンＩ〜の方法につい
て説明すると、まず、ウェハ１をサブチャック４の中心
に吸着固定し、サブチャフ４の２ステージを上下動させ
ることによりウェハ１をＸ方向に移動させてウェハ１自
体をサーチし、次いで、ウェハ１をＹ（またはＸ方向）
に動かすと共に、ウェハ１を略９０度回転させてウェハ
１の直径を求めることによりウェハ１のセンター出しを
行い。
て説明すると、まず、ウェハ１をサブチャック４の中心
に吸着固定し、サブチャフ４の２ステージを上下動させ
ることによりウェハ１をＸ方向に移動させてウェハ１自
体をサーチし、次いで、ウェハ１をＹ（またはＸ方向）
に動かすと共に、ウェハ１を略９０度回転させてウェハ
１の直径を求めることによりウェハ１のセンター出しを
行い。
更に、ウェハ１をＹ（またはＸ方向）に動がしてセンサ
ースポラ１−をウェハのエツジ近傍付近、即ちセンサス
ポットが半分かかる程度に位置させ、次に、ウェハ１を
３６０度−回転させながら超音波センサ３より超音波パ
ルスを発射させてその反射波を受信して反射量のデータ
を取ることによりウェハ１のオリフラ２の位置を検出し
く第３図の出力波形図参照）、この検出データによって
オリフラ２の距離の半分の位置がオリフラ２の中心とな
るので、ウェハ１のプリアラインメントを高精度に行う
ことができる。
ースポラ１−をウェハのエツジ近傍付近、即ちセンサス
ポットが半分かかる程度に位置させ、次に、ウェハ１を
３６０度−回転させながら超音波センサ３より超音波パ
ルスを発射させてその反射波を受信して反射量のデータ
を取ることによりウェハ１のオリフラ２の位置を検出し
く第３図の出力波形図参照）、この検出データによって
オリフラ２の距離の半分の位置がオリフラ２の中心とな
るので、ウェハ１のプリアラインメントを高精度に行う
ことができる。
上記のウェハはガラス基板等に限られることなくウェハ
の材質や表面状態に全く影響されないので、あらゆる材
質のウェハに適用できることは勿論である。
の材質や表面状態に全く影響されないので、あらゆる材
質のウェハに適用できることは勿論である。
発明の効果
以上のことから明らかなように、本発明によると、超音
波センサの反射量によってウェハの位置合わせをするよ
うにしたから、被検査物又は被製造物であるウェハの表
面状態或いは材質に影響されることなくオリフラの検出
を行うことのできるため、従来に比較して高精度なプリ
アライメントを行うことができる等の効果がある。
波センサの反射量によってウェハの位置合わせをするよ
うにしたから、被検査物又は被製造物であるウェハの表
面状態或いは材質に影響されることなくオリフラの検出
を行うことのできるため、従来に比較して高精度なプリ
アライメントを行うことができる等の効果がある。
第］−図は本発明のプリアライメント方法の一工程例を
示す平面図、 第２図は同上の正面図、 第３ 図は同上のセンサ出力を示す波形図である。 １１ウエハ ２・・オリフラ ３・・超音波センサ ４・・サブチャック 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社 − ２８１− ２ ０ ｎの
示す平面図、 第２図は同上の正面図、 第３ 図は同上のセンサ出力を示す波形図である。 １１ウエハ ２・・オリフラ ３・・超音波センサ ４・・サブチャック 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社 − ２８１− ２ ０ ｎの
Claims (1)
- （１）ウェハの表面近傍に超音波センサを設け、この超
音波センサの反射量の変化によってウェハの位置合わせ
をするようにしたことを特徴とするウェハのプリアライ
メント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147908A JPH0312947A (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | ウエハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147908A JPH0312947A (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | ウエハのプリアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312947A true JPH0312947A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15440842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147908A Pending JPH0312947A (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | ウエハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9685362B2 (en) | 2014-02-19 | 2017-06-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for centering substrates on a chuck |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784146A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Detection of existence of wafer |
| JPS59165433A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | ウエハ検出装置 |
-
1989
- 1989-06-10 JP JP1147908A patent/JPH0312947A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784146A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Detection of existence of wafer |
| JPS59165433A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | ウエハ検出装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9685362B2 (en) | 2014-02-19 | 2017-06-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for centering substrates on a chuck |
| US9997385B2 (en) | 2014-02-19 | 2018-06-12 | International Business Machines Corporation | Centering substrates on a chuck |
| US10224225B2 (en) | 2014-02-19 | 2019-03-05 | International Business Machines Corporation | Centering substrates on a chuck |
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