JPS59165433A - ウエハ検出装置 - Google Patents
ウエハ検出装置Info
- Publication number
- JPS59165433A JPS59165433A JP3902583A JP3902583A JPS59165433A JP S59165433 A JPS59165433 A JP S59165433A JP 3902583 A JP3902583 A JP 3902583A JP 3902583 A JP3902583 A JP 3902583A JP S59165433 A JPS59165433 A JP S59165433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ultrasonic
- detect
- detecting element
- base
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置のウェハ検出装置に係り、特
に、SOSデバイス等の透明層のウェハに対して、ウェ
ハの位置を検出するのに好適なウェハ検出装置に関する
。
に、SOSデバイス等の透明層のウェハに対して、ウェ
ハの位置を検出するのに好適なウェハ検出装置に関する
。
一般に、半導体製造装置においては、ウェハがあること
を確認してからイオン打込み等を行い半導体の製造を行
っている。したがって、ウェハが所定の位置にあるか否
かを検出する必要がある。
を確認してからイオン打込み等を行い半導体の製造を行
っている。したがって、ウェハが所定の位置にあるか否
かを検出する必要がある。
従来のウェハ検出装置は、第1図に示す如き構成を有し
ている。すなわち、ウェハベース4に載置されているウ
ェハ3に対し、発光ダイオード1とホトセンサ2によつ
で、発光ダイオード1とホトセンサ2との間にウェハを
挿入して透過光9断続によって検出するものである。あ
るいは、第2図に示す如き構成を有するものである。す
なわち、発光ダイオード1とホトセンサ2をウェハ3に
対して同じ側にセットし、発光ダイオード1より発シタ
光がウェハ3に反射してホトセンサ2によってウェハ3
があるかないかを検出するものである。
ている。すなわち、ウェハベース4に載置されているウ
ェハ3に対し、発光ダイオード1とホトセンサ2によつ
で、発光ダイオード1とホトセンサ2との間にウェハを
挿入して透過光9断続によって検出するものである。あ
るいは、第2図に示す如き構成を有するものである。す
なわち、発光ダイオード1とホトセンサ2をウェハ3に
対して同じ側にセットし、発光ダイオード1より発シタ
光がウェハ3に反射してホトセンサ2によってウェハ3
があるかないかを検出するものである。
この・ような従来の装置は、いずれも、今までの半導体
ウェハを検出するには適していた。しかしながら、第3
図Aに示す如き分光透過率特性を有するデバイス(SO
S)の場合は、発光ダイオードの発光波長に対し、光が
透過してしまうため、ウェハの有無を検出することがで
きない。したがって、従来の発光ダイオードとホトセン
サとを用いたウェハ検出装置としての役割を充分に果す
ことができないという欠点を有している。なお、第3図
Bはホトセンサーの分光感度特性である。
ウェハを検出するには適していた。しかしながら、第3
図Aに示す如き分光透過率特性を有するデバイス(SO
S)の場合は、発光ダイオードの発光波長に対し、光が
透過してしまうため、ウェハの有無を検出することがで
きない。したがって、従来の発光ダイオードとホトセン
サとを用いたウェハ検出装置としての役割を充分に果す
ことができないという欠点を有している。なお、第3図
Bはホトセンサーの分光感度特性である。
本発明の目的は、分光透較率の高いsosデバイス等の
ウェハの有無を検出することのできるウェハ検出装置を
提供することにある。
ウェハの有無を検出することのできるウェハ検出装置を
提供することにある。
本発明は、超音波発振子と超音波検出素子とを用い、紫
外可視及び赤外領域にわたって透明な物質によって構成
される半導体ウェハの有無を検出することのできるウェ
ハ検出装置全提供することにある。
外可視及び赤外領域にわたって透明な物質によって構成
される半導体ウェハの有無を検出することのできるウェ
ハ検出装置全提供することにある。
以下、本発明の実施例について説明する。
第4図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、ウェハベース4の上にはウェハ3が載置さ
れる。このウェハ3は、通常自動的に載置される。ウェ
ハベース4の適宜箇所には、孔が設けられており、この
礼金はさみ、超音波発振子5と超音波検出素子6とが対
向して設けられている。すなわち、ウェハベース4の上
のウェハ3に対し、上下方向に対向させて、超音波発振
子5と超音波検出素子6が設置されている。ウェハ3が
ない場合には、超音波発振子5からの信号は超音波検出
素子6で直接検出されるが、ウェハ3が挿入された場合
には、超音波がウェハ3によってさえぎられて、超音波
検出素子6には、伝達されないため、ウェハ3の有無の
検出を行うことがで酋る。また、エツジの位置を検出す
ることによって位置の検出をも行うことができる。
れる。このウェハ3は、通常自動的に載置される。ウェ
ハベース4の適宜箇所には、孔が設けられており、この
礼金はさみ、超音波発振子5と超音波検出素子6とが対
向して設けられている。すなわち、ウェハベース4の上
のウェハ3に対し、上下方向に対向させて、超音波発振
子5と超音波検出素子6が設置されている。ウェハ3が
ない場合には、超音波発振子5からの信号は超音波検出
素子6で直接検出されるが、ウェハ3が挿入された場合
には、超音波がウェハ3によってさえぎられて、超音波
検出素子6には、伝達されないため、ウェハ3の有無の
検出を行うことがで酋る。また、エツジの位置を検出す
ることによって位置の検出をも行うことができる。
したがって、本実施例によれは、非筆触でウェハの位置
検出を行っているウェハ搬送部のカセット部及び、ウェ
ハのオリエンテーションフラット位置検出部において、
S OS (S i/、1con 0nSapphir
e )デバイスのような紫外可視、赤外領域で分光透過
率特性の高い物質に対しても、非接触でウェハの有無及
び位置検出を行うことができる。
検出を行っているウェハ搬送部のカセット部及び、ウェ
ハのオリエンテーションフラット位置検出部において、
S OS (S i/、1con 0nSapphir
e )デバイスのような紫外可視、赤外領域で分光透過
率特性の高い物質に対しても、非接触でウェハの有無及
び位置検出を行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、分光透過率の高
いSOSデバイス等のウエノ・の有無を検出することが
できる。
いSOSデバイス等のウエノ・の有無を検出することが
できる。
第1図は従来の透過形の光検出法によるウェハ検出装置
の構成図、第2図は従来の反射形の光検出法によるウェ
ハ検出装置の構成図、第3図はSOSデバイスの分光透
過率特性とホトセンサの分光感度特性を示す図、第4図
は本発明の実施例を示す構成図である。 3・・・ウェハ、4・・・ウェハベース、5・・・超音
波発振子1m 第ZfZJ 静4m
の構成図、第2図は従来の反射形の光検出法によるウェ
ハ検出装置の構成図、第3図はSOSデバイスの分光透
過率特性とホトセンサの分光感度特性を示す図、第4図
は本発明の実施例を示す構成図である。 3・・・ウェハ、4・・・ウェハベース、5・・・超音
波発振子1m 第ZfZJ 静4m
Claims (1)
- 1、 ウェハ搬送手段によって自動的にウェハベース上
にウェハを搬送するものにおいて、上記ウェハベースに
設けられた孔を介してウェハ全はさむ′ように超音波発
振子と超音波検出素子を対向させて設け、前記超音波発
振子と超音波検出素子との間に挿入されるウェハの有無
を検出することを特徴とするウェハ検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3902583A JPS59165433A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | ウエハ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3902583A JPS59165433A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | ウエハ検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59165433A true JPS59165433A (ja) | 1984-09-18 |
Family
ID=12541564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3902583A Pending JPS59165433A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | ウエハ検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59165433A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313344A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Teru Saamuko Kk | ウェハカウンタ及びウェハカウント方法 |
JPH0312947A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハのプリアライメント方法 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP3902583A patent/JPS59165433A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313344A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Teru Saamuko Kk | ウェハカウンタ及びウェハカウント方法 |
JPH0312947A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハのプリアライメント方法 |
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