JPS62268139A - 基板検出装置 - Google Patents
基板検出装置Info
- Publication number
- JPS62268139A JPS62268139A JP11186386A JP11186386A JPS62268139A JP S62268139 A JPS62268139 A JP S62268139A JP 11186386 A JP11186386 A JP 11186386A JP 11186386 A JP11186386 A JP 11186386A JP S62268139 A JPS62268139 A JP S62268139A
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- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばイオン注入装置等に用いられて、基
板を保持するホルダ上の基板の有無を検出する基板検出
装置に関する。
板を保持するホルダ上の基板の有無を検出する基板検出
装置に関する。
第３図はイオン注入装置のホルダ回りの一例を部分的に
示す平面図であり、第４図は第３図の線ｒＶ−ＴＶに沿
う概略断面図である。例えばイオン注入装置のエンドス
テーションに設けられた真空容器（図示省略）内に、回
転軸４に取り付けられたホルダ（この場合はプラテンと
も呼ぶ）６が設けられており、回転軸４の矢印Ａのよう
な回転によって当該ホルダ６は、例えば第４図の実線で
示すような基板着脱位置（例えば水平位置）と、２点鎖
線で示すような基板処理位置（例えば起立位置）とに回
転させられる。またホルダ６の上面には、保持する基板
（例えばウェハ）２にほぼ対応する大きさの開口８ａを
有していて上下動可能な押え板（クランパーとも呼ぶ）
８が設けられており、これによって基板２はホルダ６上
に押圧保持される。１０は基板２着脱用の搬送ベルトで
ある。
示す平面図であり、第４図は第３図の線ｒＶ−ＴＶに沿
う概略断面図である。例えばイオン注入装置のエンドス
テーションに設けられた真空容器（図示省略）内に、回
転軸４に取り付けられたホルダ（この場合はプラテンと
も呼ぶ）６が設けられており、回転軸４の矢印Ａのよう
な回転によって当該ホルダ６は、例えば第４図の実線で
示すような基板着脱位置（例えば水平位置）と、２点鎖
線で示すような基板処理位置（例えば起立位置）とに回
転させられる。またホルダ６の上面には、保持する基板
（例えばウェハ）２にほぼ対応する大きさの開口８ａを
有していて上下動可能な押え板（クランパーとも呼ぶ）
８が設けられており、これによって基板２はホルダ６上
に押圧保持される。１０は基板２着脱用の搬送ベルトで
ある。
そして、基板着脱位置においてホルダ６に対する基板２
の着脱、例えば第３図矢印Ｂのような基板２の搬出入が
行われ、基板処理位置においてホルダ６上の基板２に対
してイオンビーム１２が照射されてイオン注入が行われ
る。
の着脱、例えば第３図矢印Ｂのような基板２の搬出入が
行われ、基板処理位置においてホルダ６上の基板２に対
してイオンビーム１２が照射されてイオン注入が行われ
る。
その場合、上記のような制御等を行うに当っては、ホル
ダ６上の基板２の有無を検出するのが好ましく、そのた
めの基板検出装置としては図示のようなものが考えられ
る。即ちこの装置は、ホルダ６の面に対して垂直に貫通
穴１６をあけてその下側に光センサ１８の例えば発光器
１８ａを、その上側に例えば受光器１８ｂを互いに対向
させて配置したものであり、ホルダ６上に不透明の基板
２が搬入されると、基板２によって発光器１８ａからの
光２０が受光器１８ｂに入射するのが遮られ、それによ
って基板２の有無が検出される。
ダ６上の基板２の有無を検出するのが好ましく、そのた
めの基板検出装置としては図示のようなものが考えられ
る。即ちこの装置は、ホルダ６の面に対して垂直に貫通
穴１６をあけてその下側に光センサ１８の例えば発光器
１８ａを、その上側に例えば受光器１８ｂを互いに対向
させて配置したものであり、ホルダ６上に不透明の基板
２が搬入されると、基板２によって発光器１８ａからの
光２０が受光器１８ｂに入射するのが遮られ、それによ
って基板２の有無が検出される。
所が上記のような基板検出装置においては、基板２によ
る光２０の断続を検出しているため、例えば石英ガラス
のような透明の基板２の有無を検出することはできない
。また、ホルダ６に垂直に貫通穴１６があけられている
ため、基板処理位置においてホルダ６に対して何等かの
原因で基板２無しでイオンビーム１２が照射されたよう
な場合は、イオンビーム１２が貫通穴１６を通ってホル
ダ６の裏面側へ１ＪＴＩ過してしまう （第４図のイオ
ンビーム１２′参照）。
る光２０の断続を検出しているため、例えば石英ガラス
のような透明の基板２の有無を検出することはできない
。また、ホルダ６に垂直に貫通穴１６があけられている
ため、基板処理位置においてホルダ６に対して何等かの
原因で基板２無しでイオンビーム１２が照射されたよう
な場合は、イオンビーム１２が貫通穴１６を通ってホル
ダ６の裏面側へ１ＪＴＩ過してしまう （第４図のイオ
ンビーム１２′参照）。
そこでこの発明は、透明基板の検出が可能であり、しか
もイオンビームが誤ってホルダの裏面側へ通過しないよ
うに改良した基板検出装置を提供することを目的とする
。
もイオンビームが誤ってホルダの裏面側へ通過しないよ
うに改良した基板検出装置を提供することを目的とする
。
この発明の基板検出装置は、基板を保持するホルダ内に
傾斜して設けられた二つの傾斜穴と、発光器と受光器の
組み合わせから成る光センサとを備え、発光器からの光
が一方の傾斜穴を通してホルダ上の基板に入射し、基板
からの反射光が他方の傾斜穴を通して受光器に入射する
よう構成したことを特徴とする。
傾斜して設けられた二つの傾斜穴と、発光器と受光器の
組み合わせから成る光センサとを備え、発光器からの光
が一方の傾斜穴を通してホルダ上の基板に入射し、基板
からの反射光が他方の傾斜穴を通して受光器に入射する
よう構成したことを特徴とする。
ホルダ上に基板が搬入されると、発光器からの光は基板
の表面で反射して受光器に入射する。この反射光は、基
板が透明、不透明に拘わらず得られる。従っていずれの
場合でも基板の検出が可能である。またホルダには傾斜
穴を設けているため、イオンビームは傾斜穴の内壁で阻
止されてホルダの裏面側へ通過することが防止される。
の表面で反射して受光器に入射する。この反射光は、基
板が透明、不透明に拘わらず得られる。従っていずれの
場合でも基板の検出が可能である。またホルダには傾斜
穴を設けているため、イオンビームは傾斜穴の内壁で阻
止されてホルダの裏面側へ通過することが防止される。
第１図は、この発明の一実施例に係る基板検出装置を示
す概略断面図である。この図は第３図の線１−１方向に
見たものに相当し、ホルダ６は例えば基板着脱位置にあ
り、また押え板８の図示を省略している（第２図も同様
）。また第３図および第４図と同一または同等部分には
同一符号を付してその説明を省略する。
す概略断面図である。この図は第３図の線１−１方向に
見たものに相当し、ホルダ６は例えば基板着脱位置にあ
り、また押え板８の図示を省略している（第２図も同様
）。また第３図および第４図と同一または同等部分には
同一符号を付してその説明を省略する。
この実施例の基板検出装置は、前述したようなホルダ６
内に傾斜して設けられた二つの傾斜穴２２ａおよび２２
ｂと、ホルダ６の裏面側であって各傾斜穴２２ａ、２２
ｂの後方にそれぞれ埋め込まれた発光器１８ａおよび受
光器１８ｂの組み合わせから成る光センサ１８とを備え
、発光器１８ａからの光２０が傾斜穴２２ａを通してホ
ルダ６上の基板２に入射し、基板２からの反射光２０′
が傾斜穴２２ｂを通して受光器１８ｂに入射するように
構成している。
内に傾斜して設けられた二つの傾斜穴２２ａおよび２２
ｂと、ホルダ６の裏面側であって各傾斜穴２２ａ、２２
ｂの後方にそれぞれ埋め込まれた発光器１８ａおよび受
光器１８ｂの組み合わせから成る光センサ１８とを備え
、発光器１８ａからの光２０が傾斜穴２２ａを通してホ
ルダ６上の基板２に入射し、基板２からの反射光２０′
が傾斜穴２２ｂを通して受光器１８ｂに入射するように
構成している。
従って、ホルダ６上に基板２が搬入されると、発光器１
８ａからの光２０は基板２の表面で反射して反射光２０
′として受光器１８ｂに入射する。
８ａからの光２０は基板２の表面で反射して反射光２０
′として受光器１８ｂに入射する。
この反射光２０′は、基板２が透明、不透明に拘わらず
得られ、基板２と受光器１８ｂ間の距離があまり長くな
い場合は、受光１１８ｂにおいて当該反射光２０′を十
分に検出することができる。
得られ、基板２と受光器１８ｂ間の距離があまり長くな
い場合は、受光１１８ｂにおいて当該反射光２０′を十
分に検出することができる。
従って上記のような装置においては、基板２が透明、不
透明いずれの場合でもその検出が可能である。そして受
光器１８ｂは、例えば、反射光２０′が有りの時は基板
有りの信号を、反射光２０′が無しの時は基板無しの信
号を出力する。
透明いずれの場合でもその検出が可能である。そして受
光器１８ｂは、例えば、反射光２０′が有りの時は基板
有りの信号を、反射光２０′が無しの時は基板無しの信
号を出力する。
一方、ホルダ６が基板処理位置にある場合は、図中に破
線で示すような関係でイオンビーム１２が照射されるこ
とになる（この関係は第３図および第４図を参照すれば
より明らかとなる）。その場合、何等かの原因で基板２
無しでイオンビーム１２が照射されたとしても、従来と
は違ってホルダ６には所定の角度で傾斜した１頃斜穴２
２ａ、２２ｂを設けてイオンビーム１２を（ｔ＝Ｑ斜穴
２２ ａ、２２ｂの内壁で阻止するようにしているので
、イオンビーム１２がホルダ６の裏面側へＪｌ過するこ
とはない。尚、発光器１８ａおよび受光器１８ｂは、上
記のような場合を考慮すると、図示例のようにイオンビ
ーム１２が誤って照射されないような位置にまで後退さ
せておくのが好ましい。
線で示すような関係でイオンビーム１２が照射されるこ
とになる（この関係は第３図および第４図を参照すれば
より明らかとなる）。その場合、何等かの原因で基板２
無しでイオンビーム１２が照射されたとしても、従来と
は違ってホルダ６には所定の角度で傾斜した１頃斜穴２
２ａ、２２ｂを設けてイオンビーム１２を（ｔ＝Ｑ斜穴
２２ ａ、２２ｂの内壁で阻止するようにしているので
、イオンビーム１２がホルダ６の裏面側へＪｌ過するこ
とはない。尚、発光器１８ａおよび受光器１８ｂは、上
記のような場合を考慮すると、図示例のようにイオンビ
ーム１２が誤って照射されないような位置にまで後退さ
せておくのが好ましい。
第２図は、この発明の他の実施例に係る基板検出装置を
示す概略断面図である。第１図の実施例との相違点を主
に説明すれば、この実施例においては、光センサ１８の
発光器１８ａおよび受光器１８ｂを、ホルダ６外に設置
している。傾斜穴２２ａ、２２ｂについては、それがそ
のままホルダ６の裏面側まで貫通している点を除けば第
１図の場合とほぼ同様である。この実施例においては、
イオンビーム１２が誤って発光器１８ａや受光器１８ｂ
に照射される恐れは全くなくなる。その他の作用効果は
第１図の場合とほぼ同様である。
示す概略断面図である。第１図の実施例との相違点を主
に説明すれば、この実施例においては、光センサ１８の
発光器１８ａおよび受光器１８ｂを、ホルダ６外に設置
している。傾斜穴２２ａ、２２ｂについては、それがそ
のままホルダ６の裏面側まで貫通している点を除けば第
１図の場合とほぼ同様である。この実施例においては、
イオンビーム１２が誤って発光器１８ａや受光器１８ｂ
に照射される恐れは全くなくなる。その他の作用効果は
第１図の場合とほぼ同様である。
以上のようにこの発明によれば、基板が透明、不透明に
拘わらずその検出が可能であり、しかもイオンビームが
誤ってホルダの裏面側へ通過することも防止される。
拘わらずその検出が可能であり、しかもイオンビームが
誤ってホルダの裏面側へ通過することも防止される。
第１図は、この発明の一実施例に係る基板検出装置を示
す概略断面図である。第２図は、この発明の他の実施例
に係る基板検出装置を示す概略断面図である。第３図は
、イオン注入装置のホルダ回りの一例を部分的に示す平
面図である。第４図は、第３図の線ＩＶ−ｒＶに沿う概
略断面図である。 ２・・・基牟反、６・、・ホルダ、１２．・、イオンビ
ーム、１８・・・光センサ、１８ａ・・・発光器、１８
ｂ・・・受光器、２０・・・光、２０’・・・反射光、
２２ａ、２２ｂ・、傾斜穴。
す概略断面図である。第２図は、この発明の他の実施例
に係る基板検出装置を示す概略断面図である。第３図は
、イオン注入装置のホルダ回りの一例を部分的に示す平
面図である。第４図は、第３図の線ＩＶ−ｒＶに沿う概
略断面図である。 ２・・・基牟反、６・、・ホルダ、１２．・、イオンビ
ーム、１８・・・光センサ、１８ａ・・・発光器、１８
ｂ・・・受光器、２０・・・光、２０’・・・反射光、
２２ａ、２２ｂ・、傾斜穴。
Claims (1)
- （１）基板を保持するホルダ内に傾斜して設けられた二
つの傾斜穴と、発光器と受光器の組み合わせから成る光
センサとを備え、発光器からの光が一方の傾斜穴を通し
てホルダ上の基板に入射し、基板からの反射光が他方の
傾斜穴を通して受光器に入射するよう構成したことを特
徴とする基板検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186386A JPS62268139A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 基板検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186386A JPS62268139A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 基板検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268139A true JPS62268139A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH0551180B2 JPH0551180B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=14572051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11186386A Granted JPS62268139A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 基板検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62268139A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281434A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの保持機構 |
| JP2009231652A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| US20230268201A1 (en) * | 2022-02-21 | 2023-08-24 | Deviceeng Co., Ltd. | Device for etching the periphery edge of a substrate comprising substrate sensing unit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10108745A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Touzai Kagaku Sangyo Kk | 流し台 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP11186386A patent/JPS62268139A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281434A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの保持機構 |
| JP4705450B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの保持機構 |
| JP2009231652A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| US20230268201A1 (en) * | 2022-02-21 | 2023-08-24 | Deviceeng Co., Ltd. | Device for etching the periphery edge of a substrate comprising substrate sensing unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551180B2 (ja) | 1993-07-30 |
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