JP2000031245A - ウェーハノッチ位置検出装置 - Google Patents
ウェーハノッチ位置検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ウェーハ表面に損傷を与えることなく，また
外乱光等の影響を受けず，常に正確にノッチ位置を検出
できるウェハノッチ位置検出装置を提供する。 【解決手段】 ウェーハＷをそのエッジ部で保持手段１
により保持することにより，ウェーハ表面に保持手段１
が接触しないため，ウェーハ表面への損傷を防止でき
る。またウェーハに対向して設置される撮像手段４によ
り，ウェーハ表面の一部または全体の画像を撮像し，該
画像に基づいてノッチ位置検出手段５によりノッチ位置
を検出する。さらに撮像画像上でウェーハとその背景の
明度差を生じる光学的手段が望ましく，例えばウェーハ
表面が鏡面の場合，表面反射光が撮像手段４に直射しな
い位置に照明を設置すると共に，ウェーハ背景部分に光
散乱部材２を設けることにより，ウェーハと背景との境
界であるウェーハエッジ形状が明瞭に再現され，正確な
ノッチ位置の検出が可能で，回転機構が不要なため装置
が小型化される。
外乱光等の影響を受けず，常に正確にノッチ位置を検出
できるウェハノッチ位置検出装置を提供する。 【解決手段】 ウェーハＷをそのエッジ部で保持手段１
により保持することにより，ウェーハ表面に保持手段１
が接触しないため，ウェーハ表面への損傷を防止でき
る。またウェーハに対向して設置される撮像手段４によ
り，ウェーハ表面の一部または全体の画像を撮像し，該
画像に基づいてノッチ位置検出手段５によりノッチ位置
を検出する。さらに撮像画像上でウェーハとその背景の
明度差を生じる光学的手段が望ましく，例えばウェーハ
表面が鏡面の場合，表面反射光が撮像手段４に直射しな
い位置に照明を設置すると共に，ウェーハ背景部分に光
散乱部材２を設けることにより，ウェーハと背景との境
界であるウェーハエッジ形状が明瞭に再現され，正確な
ノッチ位置の検出が可能で，回転機構が不要なため装置
が小型化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ウェーハのエッジ
上の一か所に設けられたノッチ位置を検出するウェーハ
ノッチ位置検出装置に関するものである。
上の一か所に設けられたノッチ位置を検出するウェーハ
ノッチ位置検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２に示すように，半導体ウェーハＷ
には，結晶方位を示すノッチＮが設けられており，各製
造工程においては，このノッチＮを基準としてウェーハ
Ｗの位置決めをした後に処理が行われる。このため，各
ウェーハの製造処理前には，予めノッチ位置を検出する
必要がある。このようなウェーハのノッチ位置を検出す
るウェーハノッチ位置検出装置としては，リニアセンサ
を用いたものが一般的である（例えば特開平７−２６０
４３２号公報，特開平８−８３２８号公報）。これらリ
ニアセンサを用いたノッチ位置検出装置Ａ０は，例えば
図１３に示すように，ウェーハＷをその中心位置付近で
回転テーブル５２に固定して回転させ，そのエッジ部を
リニアセンサ５１（例えば投光部５１ａと受光部５１ｂ
よりなる）によってセンシングし，その出力信号の変化
によってノッチ位置を検出するものである。
には，結晶方位を示すノッチＮが設けられており，各製
造工程においては，このノッチＮを基準としてウェーハ
Ｗの位置決めをした後に処理が行われる。このため，各
ウェーハの製造処理前には，予めノッチ位置を検出する
必要がある。このようなウェーハのノッチ位置を検出す
るウェーハノッチ位置検出装置としては，リニアセンサ
を用いたものが一般的である（例えば特開平７−２６０
４３２号公報，特開平８−８３２８号公報）。これらリ
ニアセンサを用いたノッチ位置検出装置Ａ０は，例えば
図１３に示すように，ウェーハＷをその中心位置付近で
回転テーブル５２に固定して回転させ，そのエッジ部を
リニアセンサ５１（例えば投光部５１ａと受光部５１ｂ
よりなる）によってセンシングし，その出力信号の変化
によってノッチ位置を検出するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記の
ようなリニアセンサを用いたノッチ位置検出装置では，
ウェーハを回転させる回転テーブル等の回転機構が必要
であるため，装置が複雑且つ大型になるという問題点が
あった。また，例えばウェーハＷを回転テーブルに吸着
させるなどしてウェーハを回転テーブルに固定する必要
があるため，ウェーハ表面にダメージを与えることが懸
念される。更に，回転テーブルにセットするためにウェ
ーハを一旦ラインから取り出さなければならず，処理効
率を低下させる要因となっていた。尚，上記のようなリ
ニアセンサではなく，ウェーハ全面を撮像するエリアセ
ンサを用いたノッチ位置検出装置が，例えば特開平９−
２７０４５１号公報に提案されているが，この装置にお
いても，ウェーハはベルトなどの搬送装置上に置かれた
状態で処理されるため，依然としてウェーハ表面へダメ
ージを与える可能性があった。また，このエリアセンサ
を用いた装置では，部屋の照明などの外乱光やウェーハ
の背景部分の光の反射状態などによっては，ウェーハの
エッジ部が不鮮明な画像が得られることがあり，ノッチ
位置を正確に検出できない場合があった。本発明は上記
事情に鑑みてなされたものであり，その目的とするとこ
ろは，ウェーハ表面にダメージを与えることなくノッチ
位置の検出が可能なウェーハノッチ位置検出装置を提供
することである。更には，外乱光などの影響を受けず，
常に正確なノッチ位置の検出が可能なウェーハノッチ位
置検出装置を提供することである。
ようなリニアセンサを用いたノッチ位置検出装置では，
ウェーハを回転させる回転テーブル等の回転機構が必要
であるため，装置が複雑且つ大型になるという問題点が
あった。また，例えばウェーハＷを回転テーブルに吸着
させるなどしてウェーハを回転テーブルに固定する必要
があるため，ウェーハ表面にダメージを与えることが懸
念される。更に，回転テーブルにセットするためにウェ
ーハを一旦ラインから取り出さなければならず，処理効
率を低下させる要因となっていた。尚，上記のようなリ
ニアセンサではなく，ウェーハ全面を撮像するエリアセ
ンサを用いたノッチ位置検出装置が，例えば特開平９−
２７０４５１号公報に提案されているが，この装置にお
いても，ウェーハはベルトなどの搬送装置上に置かれた
状態で処理されるため，依然としてウェーハ表面へダメ
ージを与える可能性があった。また，このエリアセンサ
を用いた装置では，部屋の照明などの外乱光やウェーハ
の背景部分の光の反射状態などによっては，ウェーハの
エッジ部が不鮮明な画像が得られることがあり，ノッチ
位置を正確に検出できない場合があった。本発明は上記
事情に鑑みてなされたものであり，その目的とするとこ
ろは，ウェーハ表面にダメージを与えることなくノッチ
位置の検出が可能なウェーハノッチ位置検出装置を提供
することである。更には，外乱光などの影響を受けず，
常に正確なノッチ位置の検出が可能なウェーハノッチ位
置検出装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は，ウェーハのエッジ上の一か所に設けられた
ノッチ位置を検出するウェーハノッチ位置検出装置にお
いて，上記ウェーハを，そのエッジ部において保持する
保持手段と，上記保持手段で保持された上記ウェーハに
対向して設置され，上記ウェーハの表面の一部若しくは
全体の画像を撮像する撮像手段と，上記撮像手段によっ
て撮像された上記ウェーハの撮像画像に基づいて，上記
ノッチ位置を検出するノッチ位置検出手段とを具備して
なることを特徴とするウェーハノッチ位置検出装置とし
て構成されている。更に，上記撮像画像上における上記
ウェーハとその背景との明度を異ならせる光学的手段を
具備することにより，撮像画像上でのウェーハとその背
景との境界，即ちウェーハのエッジ部をより明瞭にで
き，ノッチ位置検出の精度の向上が可能となる。このと
き，上記ウェーハ表面が鏡面である場合には，上記光学
的手段は，例えば，少なくとも上記ウェーハ表面のエッ
ジ近傍での反射光が上記撮像手段に直接入射しない位置
に設置される照明と，上記撮像画像上で上記ウェーハの
背景となる部分に設置され，光を乱反射させる散乱部材
とで構成できる。また，上記ウェーハ表面が粗面である
場合には，上記光学的手段は，例えば上記撮像画像上で
上記ウェーハの背景となる部分に設置される鏡面部材
と，上記鏡面部材での反射光が上記撮像手段に直接入射
しない位置に設置される照明とで構成できる。これらの
場合には，上記照明を上記ウェーハのエッジ位置よりも
内側に設置することにより，ウェーハのエッジ部が面取
りされているような場合でもエッジ部の明瞭な画像を得
ることができる。また，上記ウェーハ表面が粗面である
場合には，上記光学的手段を，上記撮像画像上で上記ウ
ェーハの背景となる部分に設置される光吸収部材により
構成することもできる。上記ノッチ位置検出手段として
は，例えば，上記撮像画像から上記ウェーハの中心位置
を求め，上記ウェーハのエッジ上において上記中心位置
からの距離が最も小さい位置を上記ノッチ位置として検
出するように構成できる。或いは，上記撮像画像から上
記ウェーハの中心位置を求め，その中心位置を中心とし
て上記ウェーハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を取
り出し，取り出された帯状画像上で上記ウェーハ部分を
示す信号レベルが最も小さい位置を上記ノッチ位置とし
て検出するようにしてもよい。更に，上記撮像画像から
上記ウェーハの中心位置を求め，その中心位置を中心と
して上記ウェーハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を
取り出し，その帯状画像を２分割して比較し，それら２
つの画像の不一致部分を上記ノッチ位置として検出する
ようにすれば，ウェーハが撮像手段に対して傾いて保持
されてウェーハが楕円状に撮像された場合でも，正確に
ノッチ位置を検出することができる。また，上記撮像手
段への外乱光の入射を防止するために遮光板を設けるこ
とが望ましい。
に本発明は，ウェーハのエッジ上の一か所に設けられた
ノッチ位置を検出するウェーハノッチ位置検出装置にお
いて，上記ウェーハを，そのエッジ部において保持する
保持手段と，上記保持手段で保持された上記ウェーハに
対向して設置され，上記ウェーハの表面の一部若しくは
全体の画像を撮像する撮像手段と，上記撮像手段によっ
て撮像された上記ウェーハの撮像画像に基づいて，上記
ノッチ位置を検出するノッチ位置検出手段とを具備して
なることを特徴とするウェーハノッチ位置検出装置とし
て構成されている。更に，上記撮像画像上における上記
ウェーハとその背景との明度を異ならせる光学的手段を
具備することにより，撮像画像上でのウェーハとその背
景との境界，即ちウェーハのエッジ部をより明瞭にで
き，ノッチ位置検出の精度の向上が可能となる。このと
き，上記ウェーハ表面が鏡面である場合には，上記光学
的手段は，例えば，少なくとも上記ウェーハ表面のエッ
ジ近傍での反射光が上記撮像手段に直接入射しない位置
に設置される照明と，上記撮像画像上で上記ウェーハの
背景となる部分に設置され，光を乱反射させる散乱部材
とで構成できる。また，上記ウェーハ表面が粗面である
場合には，上記光学的手段は，例えば上記撮像画像上で
上記ウェーハの背景となる部分に設置される鏡面部材
と，上記鏡面部材での反射光が上記撮像手段に直接入射
しない位置に設置される照明とで構成できる。これらの
場合には，上記照明を上記ウェーハのエッジ位置よりも
内側に設置することにより，ウェーハのエッジ部が面取
りされているような場合でもエッジ部の明瞭な画像を得
ることができる。また，上記ウェーハ表面が粗面である
場合には，上記光学的手段を，上記撮像画像上で上記ウ
ェーハの背景となる部分に設置される光吸収部材により
構成することもできる。上記ノッチ位置検出手段として
は，例えば，上記撮像画像から上記ウェーハの中心位置
を求め，上記ウェーハのエッジ上において上記中心位置
からの距離が最も小さい位置を上記ノッチ位置として検
出するように構成できる。或いは，上記撮像画像から上
記ウェーハの中心位置を求め，その中心位置を中心とし
て上記ウェーハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を取
り出し，取り出された帯状画像上で上記ウェーハ部分を
示す信号レベルが最も小さい位置を上記ノッチ位置とし
て検出するようにしてもよい。更に，上記撮像画像から
上記ウェーハの中心位置を求め，その中心位置を中心と
して上記ウェーハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を
取り出し，その帯状画像を２分割して比較し，それら２
つの画像の不一致部分を上記ノッチ位置として検出する
ようにすれば，ウェーハが撮像手段に対して傾いて保持
されてウェーハが楕円状に撮像された場合でも，正確に
ノッチ位置を検出することができる。また，上記撮像手
段への外乱光の入射を防止するために遮光板を設けるこ
とが望ましい。
【０００５】
【作用】本発明に係るウェーハノッチ位置検出装置によ
れば，まずウェーハが保持手段によりエッジ部のみで保
持される。これにより，ウェーハ表面に保持手段が接触
することがないため，ウェーハ表面へのダメージを防止
できる。また，回転機構が必要ないため，装置の小型化
が容易である。続いて，照明からウェーハの方向に光が
照射される。ウェーハ表面が鏡面である場合，ウェーハ
周辺には例えば光を乱反射する散乱部材が設置される。
照明から照射された光は，ウェーハの表面において正反
射されるが，上記照明は少なくとも上記ウェーハ表面の
エッジ周辺部での反射光が上記撮像手段に直接入射しな
い位置に設置されているため，ウェーハ表面のエッジ周
辺部での反射光は撮像手段には入射しない。一方，ウェ
ーハの周辺部においては光が乱反射され，その一部が上
記撮像手段に入射する。この状態で，上記撮像手段によ
ってウェーハの全体画像が撮像され，ウェーハの領域が
暗く，背景部分が明るい撮像画像が得られる。これによ
り，ウェーハとその背景との境界，即ちウェーハのエッ
ジ形状が極めて明瞭に再現される。続いて，ノッチ位置
検出手段において，上記撮像画像に基づいて，例えば上
記撮像画像から上記ウェーハの中心位置を求め，上記ウ
ェーハのエッジ上で上記中心位置からの距離が最も小さ
い位置を上記ノッチ位置として検出するなどの方法によ
り，ノッチ位置の検出が行われる。エッジ部が明瞭な画
像からノッチ位置が検出されるため，常に正確なノッチ
位置の検出が可能である。また，上記撮像手段による撮
像，及び上記ノッチ位置検出手段によるノッチ位置検出
処理はウェーハの移動中でも可能であるため，ウェーハ
をラインから取り出すことなく処理が可能である。
れば，まずウェーハが保持手段によりエッジ部のみで保
持される。これにより，ウェーハ表面に保持手段が接触
することがないため，ウェーハ表面へのダメージを防止
できる。また，回転機構が必要ないため，装置の小型化
が容易である。続いて，照明からウェーハの方向に光が
照射される。ウェーハ表面が鏡面である場合，ウェーハ
周辺には例えば光を乱反射する散乱部材が設置される。
照明から照射された光は，ウェーハの表面において正反
射されるが，上記照明は少なくとも上記ウェーハ表面の
エッジ周辺部での反射光が上記撮像手段に直接入射しな
い位置に設置されているため，ウェーハ表面のエッジ周
辺部での反射光は撮像手段には入射しない。一方，ウェ
ーハの周辺部においては光が乱反射され，その一部が上
記撮像手段に入射する。この状態で，上記撮像手段によ
ってウェーハの全体画像が撮像され，ウェーハの領域が
暗く，背景部分が明るい撮像画像が得られる。これによ
り，ウェーハとその背景との境界，即ちウェーハのエッ
ジ形状が極めて明瞭に再現される。続いて，ノッチ位置
検出手段において，上記撮像画像に基づいて，例えば上
記撮像画像から上記ウェーハの中心位置を求め，上記ウ
ェーハのエッジ上で上記中心位置からの距離が最も小さ
い位置を上記ノッチ位置として検出するなどの方法によ
り，ノッチ位置の検出が行われる。エッジ部が明瞭な画
像からノッチ位置が検出されるため，常に正確なノッチ
位置の検出が可能である。また，上記撮像手段による撮
像，及び上記ノッチ位置検出手段によるノッチ位置検出
処理はウェーハの移動中でも可能であるため，ウェーハ
をラインから取り出すことなく処理が可能である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照して本発明
の実施の形態及び実施例につき説明し，本発明の理解に
供する。尚，以下の実施の形態及び実施例は，本発明を
具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに，図１は本発明の実施の
形態に係るウェーハノッチ位置検出装置Ａ１の概略構成
を示す模式図，図２は撮像装置４による撮像画像の一例
（ウェーハ表面が鏡面のとき）を示す図，図３は撮像画
像からウェーハの中心座標を求める方法の一例を示す説
明図，図４はウェーハのエッジ部に沿った所定幅の画像
の一例を示す図，図５はウェーハの画像が楕円形である
場合のエッジ部に沿った所定幅の画像の一例（ａ），及
びそれを２分割した画像（ｂ）を示す図，図６は第１実
施例に係るウェーハノッチ位置検出装置の概略構成を示
す模式図，図７は上記第１実施例に係るウェーハノッチ
位置検出装置における照明３の設置位置を示す模式図，
図８は上記第１実施例に係るウェーハノッチ位置検出装
置に，更に遮光板１０を取り付けた例を示す模式図，図
９は上記遮光板１０を用いたときの撮像画像の一例を示
す図，図１０は上記遮光板１０の円開口の半径Ｒcov の
変動に伴う上記図９におけるＤE ，ＤC の変化を示す関
係図，図１１は第２実施例に係るウェーハノッチ位置検
出装置の概略構成を示す模式図である。本実施の形態に
係るノッチ位置検出装置Ａ１は，図１に示す如く構成さ
れている。尚，対象とするウェーハＷの表面は鏡面加工
が施されているものとする。保持装置１（保持手段の一
例）は，対象とするウェーハＷをそのエッジ部の位置の
みにおいて保持する。撮像装置４（撮像手段）は，上記
保持装置１に保持されたウェーハＷに対向して設置さ
れ，上記ウェーハＷの全体画像を撮像する。ノッチ位置
検出部５（ノッチ位置検出手段）は，上記撮像装置４に
接続されており，上記撮像装置４で得られた画像に基づ
いてノッチ部の位置を検出する（詳細は後述する）。ま
た，上記保持装置１に保持されたウェーハＷの周辺部，
即ち上記撮像装置４で撮像される画像上で上記ウェーハ
Ｗの背景となる部分には，光を乱反射する光散乱部材２
が取り付けられている。更に，ウェーハＷの表面に向け
て光を照射する照明３（ウェーハＷよりも半径の大きな
リング照明）が，ウェーハＷの表面で正反射した光が上
記撮像装置４に入射しない位置に設置されている。尚，
必ずしもウェーハＷの表面全体における正反射光が上記
撮像装置４に入射しないようにする必要はなく，少なく
ともウェーハＷのエッジ部近傍においてそのような設定
になっていればよい。
の実施の形態及び実施例につき説明し，本発明の理解に
供する。尚，以下の実施の形態及び実施例は，本発明を
具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに，図１は本発明の実施の
形態に係るウェーハノッチ位置検出装置Ａ１の概略構成
を示す模式図，図２は撮像装置４による撮像画像の一例
（ウェーハ表面が鏡面のとき）を示す図，図３は撮像画
像からウェーハの中心座標を求める方法の一例を示す説
明図，図４はウェーハのエッジ部に沿った所定幅の画像
の一例を示す図，図５はウェーハの画像が楕円形である
場合のエッジ部に沿った所定幅の画像の一例（ａ），及
びそれを２分割した画像（ｂ）を示す図，図６は第１実
施例に係るウェーハノッチ位置検出装置の概略構成を示
す模式図，図７は上記第１実施例に係るウェーハノッチ
位置検出装置における照明３の設置位置を示す模式図，
図８は上記第１実施例に係るウェーハノッチ位置検出装
置に，更に遮光板１０を取り付けた例を示す模式図，図
９は上記遮光板１０を用いたときの撮像画像の一例を示
す図，図１０は上記遮光板１０の円開口の半径Ｒcov の
変動に伴う上記図９におけるＤE ，ＤC の変化を示す関
係図，図１１は第２実施例に係るウェーハノッチ位置検
出装置の概略構成を示す模式図である。本実施の形態に
係るノッチ位置検出装置Ａ１は，図１に示す如く構成さ
れている。尚，対象とするウェーハＷの表面は鏡面加工
が施されているものとする。保持装置１（保持手段の一
例）は，対象とするウェーハＷをそのエッジ部の位置の
みにおいて保持する。撮像装置４（撮像手段）は，上記
保持装置１に保持されたウェーハＷに対向して設置さ
れ，上記ウェーハＷの全体画像を撮像する。ノッチ位置
検出部５（ノッチ位置検出手段）は，上記撮像装置４に
接続されており，上記撮像装置４で得られた画像に基づ
いてノッチ部の位置を検出する（詳細は後述する）。ま
た，上記保持装置１に保持されたウェーハＷの周辺部，
即ち上記撮像装置４で撮像される画像上で上記ウェーハ
Ｗの背景となる部分には，光を乱反射する光散乱部材２
が取り付けられている。更に，ウェーハＷの表面に向け
て光を照射する照明３（ウェーハＷよりも半径の大きな
リング照明）が，ウェーハＷの表面で正反射した光が上
記撮像装置４に入射しない位置に設置されている。尚，
必ずしもウェーハＷの表面全体における正反射光が上記
撮像装置４に入射しないようにする必要はなく，少なく
ともウェーハＷのエッジ部近傍においてそのような設定
になっていればよい。
【０００７】続いて，上記ノッチ位置検出装置Ａ１によ
るノッチ位置検出処理の手順を具体的に説明する。まず
最初に，ウェーハＷが上記保持装置１上に載置される。
続いて，照明３からウェーハＷの方向に光が照射され
る。照明３から照射された光は，上記ウェーハＷの表面
においては正反射され，図１に示すように撮像装置４に
は入射しない。一方，ウェーハＷの周辺部の光散乱部材
２においては光が乱反射され，その一部が上記撮像装置
４に入射する。この状態で，上記撮像装置４によってウ
ェーハＷの全体画像が撮像される。このようにして撮像
された画像の一例を図２に示す。上述したように，ウェ
ーハＷの表面において正反射された光は上記撮像装置４
には入射せず，ウェーハＷの周辺部の光散乱部材２にお
いて乱反射された光はその一部が上記撮像装置４に入射
するため，図２に示すように，ウェーハＷの領域が暗
く，背景部分が明るい撮像画像が得られる。従って，ウ
ェーハＷとその背景との境界，即ちウェーハＷのエッジ
形状が極めて明瞭に再現される。続いて，ノッチ位置検
出部５において，上記撮像装置４で得られた撮像画像に
基づいてノッチ位置の検出処理が行われる。
るノッチ位置検出処理の手順を具体的に説明する。まず
最初に，ウェーハＷが上記保持装置１上に載置される。
続いて，照明３からウェーハＷの方向に光が照射され
る。照明３から照射された光は，上記ウェーハＷの表面
においては正反射され，図１に示すように撮像装置４に
は入射しない。一方，ウェーハＷの周辺部の光散乱部材
２においては光が乱反射され，その一部が上記撮像装置
４に入射する。この状態で，上記撮像装置４によってウ
ェーハＷの全体画像が撮像される。このようにして撮像
された画像の一例を図２に示す。上述したように，ウェ
ーハＷの表面において正反射された光は上記撮像装置４
には入射せず，ウェーハＷの周辺部の光散乱部材２にお
いて乱反射された光はその一部が上記撮像装置４に入射
するため，図２に示すように，ウェーハＷの領域が暗
く，背景部分が明るい撮像画像が得られる。従って，ウ
ェーハＷとその背景との境界，即ちウェーハＷのエッジ
形状が極めて明瞭に再現される。続いて，ノッチ位置検
出部５において，上記撮像装置４で得られた撮像画像に
基づいてノッチ位置の検出処理が行われる。
【０００８】このノッチ位置の検出方法としては，例え
ば，ウェーハＷのエッジ部上の複数点の座標値からウェ
ーハＷの中心座標を求め，この中心座標との距離が最も
短いエッジ部上の点をノッチ位置として検出する方法が
考えられる。ここで，上記ウェーハＷの中心座標の求め
方としては，例えば，ウェーハＷの撮像画像を上下左右
の４方向からウェーハＷの内側に向かってノッチ幅以上
のスキャン幅にてスキャンし（図３参照），それぞれの
スキャンにおいてウェーハ部分を示す信号レベルが最初
に検出された４つのエッジ位置を抽出し，更に上下のエ
ッジ位置から縦方向の中心位置を，左右方向のエッジ位
置から横方向の中心位置をそれぞれ求め，これらより上
記ウェーハＷの中心座標を求める方法が考えられる。こ
のとき，上記スキャン幅をノッチ幅以下とすると，それ
ぞれのスキャン領域内にノッチ位置が存在した場合，ノ
ッチの窪み部分をエッジ位置として検出してしまう可能
性がある。尚，ノッチ位置では円の一部が取り除かれた
状態となっているため，スキャン幅をノッチ幅以上とし
ても，ノッチ上をスキャンした場合には求められる中心
位置は実際の位置とは多少ずれるが，このずれはノッチ
深さに対して小さいため，ノッチ位置の検出に支障を来
すことはない。尚，ウェーハＷのエッジ部は，例えば撮
像画像（図２）の微分画像より容易に抽出できる。
ば，ウェーハＷのエッジ部上の複数点の座標値からウェ
ーハＷの中心座標を求め，この中心座標との距離が最も
短いエッジ部上の点をノッチ位置として検出する方法が
考えられる。ここで，上記ウェーハＷの中心座標の求め
方としては，例えば，ウェーハＷの撮像画像を上下左右
の４方向からウェーハＷの内側に向かってノッチ幅以上
のスキャン幅にてスキャンし（図３参照），それぞれの
スキャンにおいてウェーハ部分を示す信号レベルが最初
に検出された４つのエッジ位置を抽出し，更に上下のエ
ッジ位置から縦方向の中心位置を，左右方向のエッジ位
置から横方向の中心位置をそれぞれ求め，これらより上
記ウェーハＷの中心座標を求める方法が考えられる。こ
のとき，上記スキャン幅をノッチ幅以下とすると，それ
ぞれのスキャン領域内にノッチ位置が存在した場合，ノ
ッチの窪み部分をエッジ位置として検出してしまう可能
性がある。尚，ノッチ位置では円の一部が取り除かれた
状態となっているため，スキャン幅をノッチ幅以上とし
ても，ノッチ上をスキャンした場合には求められる中心
位置は実際の位置とは多少ずれるが，このずれはノッチ
深さに対して小さいため，ノッチ位置の検出に支障を来
すことはない。尚，ウェーハＷのエッジ部は，例えば撮
像画像（図２）の微分画像より容易に抽出できる。
【０００９】この他にも，上記撮像画像からウェーハＷ
の中心座標及び半径を求め，これらの値に基づいてウェ
ーハＷのエッジに沿った所定幅の画像（図４）を抽出
し，この画像からウェーハ部分を示す画像信号（暗い部
分）が最も少ない角度をノッチ位置として検出できる。
但し，この方法では，保持装置１によって保持されたウ
ェーハＷが撮像装置４に対して傾いている場合には正確
にノッチ位置を検出できない恐れがある。これは，ウェ
ーハＷが撮像装置４に対して傾いている場合には，撮像
画像上でウェーハＷが楕円形となってエッジ部に沿って
取り出した画像が図５（ａ）に示すような波状になり，
ウェーハ部分を示す画像信号（暗い部分）の最小位置が
ノッチ部以外の位置となる場合が発生するからである。
そこで，このような場合には，楕円の中心からの距離が
１８０度周期で等しくなる性質を利用して次のような方
法でノッチ位置を検出できる。即ち，エッジ部に沿って
取り出した画像を図５（ｂ）に示すように２分割し，こ
の２つの画像を比較する。上記分割された２つの画像は
ノッチ部以外では等しくなるため，２つの画像の不一致
部分をノッチ部として検出できる。
の中心座標及び半径を求め，これらの値に基づいてウェ
ーハＷのエッジに沿った所定幅の画像（図４）を抽出
し，この画像からウェーハ部分を示す画像信号（暗い部
分）が最も少ない角度をノッチ位置として検出できる。
但し，この方法では，保持装置１によって保持されたウ
ェーハＷが撮像装置４に対して傾いている場合には正確
にノッチ位置を検出できない恐れがある。これは，ウェ
ーハＷが撮像装置４に対して傾いている場合には，撮像
画像上でウェーハＷが楕円形となってエッジ部に沿って
取り出した画像が図５（ａ）に示すような波状になり，
ウェーハ部分を示す画像信号（暗い部分）の最小位置が
ノッチ部以外の位置となる場合が発生するからである。
そこで，このような場合には，楕円の中心からの距離が
１８０度周期で等しくなる性質を利用して次のような方
法でノッチ位置を検出できる。即ち，エッジ部に沿って
取り出した画像を図５（ｂ）に示すように２分割し，こ
の２つの画像を比較する。上記分割された２つの画像は
ノッチ部以外では等しくなるため，２つの画像の不一致
部分をノッチ部として検出できる。
【００１０】以上説明したように，本実施の形態に係る
ノッチ位置検出装置Ａ１では，ウェーハＷの全体画像を
撮像する撮像装置４を用いているため，ウェーハを回転
させる回転テーブル等の回転機構が不要であり，装置の
小型化が容易である。また，保持装置１によりエッジ部
のみでウェーハＷを保持するため，ウェーハ表面へのダ
メージを完全に防止することができる。また，撮像装置
４による撮像はウェーハの移動中などでも容易に行える
ため，ウェーハをラインに乗せたままでのノッチ位置の
検出も可能である。
ノッチ位置検出装置Ａ１では，ウェーハＷの全体画像を
撮像する撮像装置４を用いているため，ウェーハを回転
させる回転テーブル等の回転機構が不要であり，装置の
小型化が容易である。また，保持装置１によりエッジ部
のみでウェーハＷを保持するため，ウェーハ表面へのダ
メージを完全に防止することができる。また，撮像装置
４による撮像はウェーハの移動中などでも容易に行える
ため，ウェーハをラインに乗せたままでのノッチ位置の
検出も可能である。
【００１１】
【実施例】ウェーハＷのエッジ部が面取りされているよ
うな場合には，エッジ部近傍での正反射光が一部撮像装
置４に入射する場合があり，撮像画像上でウェーハＷと
その背景との境界が不明瞭になる可能性がある。このよ
うな場合には，図６に示すように，照明３をウェーハＷ
よりも小径のリング照明とし，ウェーハＷのエッジ部よ
りも内側から外側に向けて光を照射するように設置する
ことにより，ウェーハＷのエッジ部からの反射光の撮像
装置４への入射を防止でき，常にウェーハＷのエッジ部
の形状を正確に検出できる。これにより，エッジ部が面
取りされているようなウェーハについてもノッチ位置を
高精度で安定的に検出することが可能となる。尚，上記
照明３を，散乱光源，例えばリング状の蛍光灯にすれ
ば，撮像装置４の保持金具等によって部分的に光が遮ら
れることによる影響がほとんどなくなるため，撮像装置
４の保持方法などの自由度を大きくできる。また，光源
のムラによる影響も極めて少なくできる。
うな場合には，エッジ部近傍での正反射光が一部撮像装
置４に入射する場合があり，撮像画像上でウェーハＷと
その背景との境界が不明瞭になる可能性がある。このよ
うな場合には，図６に示すように，照明３をウェーハＷ
よりも小径のリング照明とし，ウェーハＷのエッジ部よ
りも内側から外側に向けて光を照射するように設置する
ことにより，ウェーハＷのエッジ部からの反射光の撮像
装置４への入射を防止でき，常にウェーハＷのエッジ部
の形状を正確に検出できる。これにより，エッジ部が面
取りされているようなウェーハについてもノッチ位置を
高精度で安定的に検出することが可能となる。尚，上記
照明３を，散乱光源，例えばリング状の蛍光灯にすれ
ば，撮像装置４の保持金具等によって部分的に光が遮ら
れることによる影響がほとんどなくなるため，撮像装置
４の保持方法などの自由度を大きくできる。また，光源
のムラによる影響も極めて少なくできる。
【００１２】また，図７に示すように，上記照明３とウ
ェーハエッジとのなす角φが上記撮像装置４とウェーハ
エッジとのなす角θよりも大きくなるように上記照明３
を配置すれば，ウェーハＷのエッジ部の影が撮像装置４
によって捕らえられないため，ウェーハＷのエッジ部の
形状を正確に検出する上でより好ましい。これは，エッ
ジの面取りの有無には無関係に言えることである。ま
た，背景光やウェーハ表面で反射された光の多重反射光
が撮像装置４に入射することによる影響を防止するた
め，図８に示すような遮光板１０を用いることが望まし
い。上記遮光板１０は，中央部に半径Ｒcov の円開口を
有するドーナツ状に形成され，ウェーハＷの表面から距
離Ｈcov の位置に取り付けられる。このとき，上記遮光
板１０の開口半径Ｒcov は次のような範囲に設定され
る。 Ｒw −Ｈcov ｔａｎ（９０°−φ） ＜ Ｒcov ＜ Ｒw ＋Ｈcov ｔａｎ（９０°−θ） …（１） （但し，Ｒw ：ウェーハＷの半径） 上記のような遮光板１０を取り付けた状態で上記撮像装
置４で撮像される画像は例えば図９のようになる。Ｒ
cov が上記（１）式で示される範囲よりも小さくなる
と，上記照明３から照射される光が光散乱部材２に到達
できなくなり，図９に示すＤC （明部）の範囲が消滅
し，ウェーハＷの形状が不明確となる。また，Ｒcov が
上記（１）式で示される範囲よりも大きくなると，ウェ
ーハＷの表面で反射した背景光が上記撮像装置４に入射
するようになり，図９に示すＤE （暗部）の範囲が明る
くなってウェーハＷの形状が不明確となる（図１０参
照）。尚，上記（１）式及び図１０によれば，Ｒcov が
小さくなってＲcov ＝Ｒw −Ｈcovｔａｎ（９０°−
φ）となった時点でＤC ＝０となるが，実際にはそれ以
前に，照明３からウェーハＷのエッジ近傍に到達する光
が弱くなることによって外乱光などによるエッジ部の影
が画像上で確認できるようになる場合がある。このよう
な場合には，そのような影が生じ始める直前の値を上記
Ｒcov の下限値とする。以上のような遮光板１０を用い
ることによって，背景光などによる悪影響を完全に防止
することが可能となる。
ェーハエッジとのなす角φが上記撮像装置４とウェーハ
エッジとのなす角θよりも大きくなるように上記照明３
を配置すれば，ウェーハＷのエッジ部の影が撮像装置４
によって捕らえられないため，ウェーハＷのエッジ部の
形状を正確に検出する上でより好ましい。これは，エッ
ジの面取りの有無には無関係に言えることである。ま
た，背景光やウェーハ表面で反射された光の多重反射光
が撮像装置４に入射することによる影響を防止するた
め，図８に示すような遮光板１０を用いることが望まし
い。上記遮光板１０は，中央部に半径Ｒcov の円開口を
有するドーナツ状に形成され，ウェーハＷの表面から距
離Ｈcov の位置に取り付けられる。このとき，上記遮光
板１０の開口半径Ｒcov は次のような範囲に設定され
る。 Ｒw −Ｈcov ｔａｎ（９０°−φ） ＜ Ｒcov ＜ Ｒw ＋Ｈcov ｔａｎ（９０°−θ） …（１） （但し，Ｒw ：ウェーハＷの半径） 上記のような遮光板１０を取り付けた状態で上記撮像装
置４で撮像される画像は例えば図９のようになる。Ｒ
cov が上記（１）式で示される範囲よりも小さくなる
と，上記照明３から照射される光が光散乱部材２に到達
できなくなり，図９に示すＤC （明部）の範囲が消滅
し，ウェーハＷの形状が不明確となる。また，Ｒcov が
上記（１）式で示される範囲よりも大きくなると，ウェ
ーハＷの表面で反射した背景光が上記撮像装置４に入射
するようになり，図９に示すＤE （暗部）の範囲が明る
くなってウェーハＷの形状が不明確となる（図１０参
照）。尚，上記（１）式及び図１０によれば，Ｒcov が
小さくなってＲcov ＝Ｒw −Ｈcovｔａｎ（９０°−
φ）となった時点でＤC ＝０となるが，実際にはそれ以
前に，照明３からウェーハＷのエッジ近傍に到達する光
が弱くなることによって外乱光などによるエッジ部の影
が画像上で確認できるようになる場合がある。このよう
な場合には，そのような影が生じ始める直前の値を上記
Ｒcov の下限値とする。以上のような遮光板１０を用い
ることによって，背景光などによる悪影響を完全に防止
することが可能となる。
【００１３】以上，ウェーハＷの表面が鏡面である場合
について説明したが，ウェーハＷの表面が粗面である場
合には，逆にウェーハＷの背景となる部分には光を正反
射する鏡面部材や，或いは光を吸収する光吸収体を用い
ることにより，ウェーハＷとその背景との境界が明瞭な
撮像画像を得ることができる。但しこの場合には，上記
２つの例とは逆に，ウェーハＷの領域が明るく，背景部
分が暗い撮像画像が得られる。図１１に，ウェーハＷの
周辺に光吸収体２′を設置した例を示す。尚，以上説明
した上記保持装置１や光散乱部材２，光吸収部材２′の
構成，ノッチ位置検出部５によるノッチ位置検出方法な
どについてはあくまでも一例であり，これらに限定され
るものではない。
について説明したが，ウェーハＷの表面が粗面である場
合には，逆にウェーハＷの背景となる部分には光を正反
射する鏡面部材や，或いは光を吸収する光吸収体を用い
ることにより，ウェーハＷとその背景との境界が明瞭な
撮像画像を得ることができる。但しこの場合には，上記
２つの例とは逆に，ウェーハＷの領域が明るく，背景部
分が暗い撮像画像が得られる。図１１に，ウェーハＷの
周辺に光吸収体２′を設置した例を示す。尚，以上説明
した上記保持装置１や光散乱部材２，光吸収部材２′の
構成，ノッチ位置検出部５によるノッチ位置検出方法な
どについてはあくまでも一例であり，これらに限定され
るものではない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように，本発明は，ウェー
ハのエッジ上の一か所に設けられたノッチ位置を検出す
るウェーハノッチ位置検出装置において，上記ウェーハ
を，そのエッジ部において保持する保持手段と，上記保
持手段で保持された上記ウェーハに対向して設置され，
上記ウェーハの表面の一部若しくは全体の画像を撮像す
る撮像手段と，上記撮像手段によって撮像された上記ウ
ェーハの撮像画像に基づいて，上記ノッチ位置を検出す
るノッチ位置検出手段とを具備してなることを特徴とす
るウェーハノッチ位置検出装置として構成されているた
め，ウェーハを回転させる回転テーブル等の回転機構が
不要であり，装置の小型化が容易である。また，保持手
段によりエッジ部のみでウェーハを保持するため，ウェ
ーハ表面へのダメージを完全に防止することができる。
また，撮像手段による撮像はウェーハの移動中などでも
容易に行えるため，ウェーハをラインに乗せたままでの
ノッチ位置の検出も可能である。更に，上記撮像画像上
における上記ウェーハとその背景との明度を異ならせる
光学的手段を具備することにより，撮像画像上でのウェ
ーハとその背景との境界，即ちウェーハのエッジ部をよ
り明瞭にでき，ノッチ位置検出の精度の向上が可能とな
る。このとき，上記ウェーハ表面が鏡面である場合に
は，上記光学的手段は，例えば上記ウェーハ表面での反
射光が上記撮像手段に直接入射しない位置に設置される
照明と，上記撮像画像上で上記ウェーハの背景となる部
分に設置され，光を乱反射させる散乱部材とで構成でき
る。また，上記ウェーハ表面が粗面である場合には，上
記光学的手段は，例えば上記撮像画像上で上記ウェーハ
の背景となる部分に設置される鏡面部材と，上記鏡面部
材での反射光が上記撮像手段に直接入射しない位置に設
置される照明とで構成できる。これらの場合には，上記
照明を上記ウェーハのエッジ位置よりも内側に設置する
ことにより，ウェーハのエッジ部が面取りされているよ
うな場合でもエッジ部の明瞭な画像を得ることができ
る。また，上記ウェーハ表面が粗面である場合には，上
記光学的手段を，上記撮像画像上で上記ウェーハの背景
となる部分に設置される光吸収部材により構成すること
もできる。上記ノッチ位置検出手段としては，例えば，
上記撮像画像から上記ウェーハの中心位置を求め，上記
ウェーハのエッジ上において上記中心位置からの距離が
最も小さい位置を上記ノッチ位置として検出するように
構成できる。或いは，上記撮像画像から上記ウェーハの
中心位置を求め，その中心位置を中心として上記ウェー
ハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を取り出し，取り
出された帯状画像上で上記ウェーハ部分を示す信号レベ
ルが最も小さい位置を上記ノッチ位置として検出するよ
うにしてもよい。更に，上記撮像画像から上記ウェーハ
の中心位置を求め，その中心位置を中心として上記ウェ
ーハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を取り出し，そ
の帯状画像を２分割して比較し，それら２つの画像の不
一致部分を上記ノッチ位置として検出するようにすれ
ば，ウェーハが撮像手段に対して傾いて保持されてウェ
ーハが楕円状に撮像された場合でも，正確にノッチ位置
を検出することができる。
ハのエッジ上の一か所に設けられたノッチ位置を検出す
るウェーハノッチ位置検出装置において，上記ウェーハ
を，そのエッジ部において保持する保持手段と，上記保
持手段で保持された上記ウェーハに対向して設置され，
上記ウェーハの表面の一部若しくは全体の画像を撮像す
る撮像手段と，上記撮像手段によって撮像された上記ウ
ェーハの撮像画像に基づいて，上記ノッチ位置を検出す
るノッチ位置検出手段とを具備してなることを特徴とす
るウェーハノッチ位置検出装置として構成されているた
め，ウェーハを回転させる回転テーブル等の回転機構が
不要であり，装置の小型化が容易である。また，保持手
段によりエッジ部のみでウェーハを保持するため，ウェ
ーハ表面へのダメージを完全に防止することができる。
また，撮像手段による撮像はウェーハの移動中などでも
容易に行えるため，ウェーハをラインに乗せたままでの
ノッチ位置の検出も可能である。更に，上記撮像画像上
における上記ウェーハとその背景との明度を異ならせる
光学的手段を具備することにより，撮像画像上でのウェ
ーハとその背景との境界，即ちウェーハのエッジ部をよ
り明瞭にでき，ノッチ位置検出の精度の向上が可能とな
る。このとき，上記ウェーハ表面が鏡面である場合に
は，上記光学的手段は，例えば上記ウェーハ表面での反
射光が上記撮像手段に直接入射しない位置に設置される
照明と，上記撮像画像上で上記ウェーハの背景となる部
分に設置され，光を乱反射させる散乱部材とで構成でき
る。また，上記ウェーハ表面が粗面である場合には，上
記光学的手段は，例えば上記撮像画像上で上記ウェーハ
の背景となる部分に設置される鏡面部材と，上記鏡面部
材での反射光が上記撮像手段に直接入射しない位置に設
置される照明とで構成できる。これらの場合には，上記
照明を上記ウェーハのエッジ位置よりも内側に設置する
ことにより，ウェーハのエッジ部が面取りされているよ
うな場合でもエッジ部の明瞭な画像を得ることができ
る。また，上記ウェーハ表面が粗面である場合には，上
記光学的手段を，上記撮像画像上で上記ウェーハの背景
となる部分に設置される光吸収部材により構成すること
もできる。上記ノッチ位置検出手段としては，例えば，
上記撮像画像から上記ウェーハの中心位置を求め，上記
ウェーハのエッジ上において上記中心位置からの距離が
最も小さい位置を上記ノッチ位置として検出するように
構成できる。或いは，上記撮像画像から上記ウェーハの
中心位置を求め，その中心位置を中心として上記ウェー
ハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を取り出し，取り
出された帯状画像上で上記ウェーハ部分を示す信号レベ
ルが最も小さい位置を上記ノッチ位置として検出するよ
うにしてもよい。更に，上記撮像画像から上記ウェーハ
の中心位置を求め，その中心位置を中心として上記ウェ
ーハのエッジに沿って所定幅の帯状画像を取り出し，そ
の帯状画像を２分割して比較し，それら２つの画像の不
一致部分を上記ノッチ位置として検出するようにすれ
ば，ウェーハが撮像手段に対して傾いて保持されてウェ
ーハが楕円状に撮像された場合でも，正確にノッチ位置
を検出することができる。
【図１】 本発明の実施の形態に係るウェーハノッチ位
置検出装置Ａ１の概略構成を示す模式図。
置検出装置Ａ１の概略構成を示す模式図。
【図２】 撮像装置４による撮像画像の一例（ウェーハ
表面が鏡面のとき）を示す図。
表面が鏡面のとき）を示す図。
【図３】 撮像画像からウェーハの中心座標を求める方
法の一例を示す説明図。
法の一例を示す説明図。
【図４】 ウェーハのエッジ部に沿った所定幅の画像の
一例を示す図。
一例を示す図。
【図５】 ウェーハの画像が楕円形である場合のエッジ
部に沿った所定幅の画像の一例（ａ），及びそれを２分
割した画像（ｂ）を示す図。
部に沿った所定幅の画像の一例（ａ），及びそれを２分
割した画像（ｂ）を示す図。
【図６】 第１実施例に係るウェーハノッチ位置検出装
置の概略構成を示す模式図。
置の概略構成を示す模式図。
【図７】 上記第１実施例に係るウェーハノッチ位置検
出装置における照明３の設置位置を示す模式図。
出装置における照明３の設置位置を示す模式図。
【図８】 上記第１実施例に係るウェーハノッチ位置検
出装置に，更に遮光板１０を取り付けた例を示す模式
図。
出装置に，更に遮光板１０を取り付けた例を示す模式
図。
【図９】 上記遮光板１０を用いたときの撮像画像の一
例を示す図。
例を示す図。
【図１０】 上記遮光板１０の円開口の半径Ｒcov の変
動に伴う上記図９におけるＤE ，ＤC の変化を示す関係
図。
動に伴う上記図９におけるＤE ，ＤC の変化を示す関係
図。
【図１１】 第２実施例に係るウェーハノッチ位置検出
装置の概略構成を示す模式図。
装置の概略構成を示す模式図。
【図１２】 ウェーハＷ及びそのエッジ部に形成された
ノッチＮの一例を示す図。
ノッチＮの一例を示す図。
【図１３】 従来技術に係るウェーハノッチ位置検出装
置Ａ０の概略構成を示す模式図。
置Ａ０の概略構成を示す模式図。
１…保持装置 ２…光散乱部材 ２′…光吸収部材 ３…照明 ４…撮像装置 ５…ノッチ位置検出部 Ｗ…ウェーハ Ｎ…ノッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝見 栄雄 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 森本 勉 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 高松 弘行 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 山本 雄治 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 神戸製鋼５号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内 (72)発明者 綱木 英俊 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 神戸製鋼５号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA17 AA26 BB01 BB16 BB24 BB25 CC19 DD02 DD03 DD12 FF02 FF04 FF42 GG12 HH12 JJ01 JJ03 JJ15 JJ26 QQ24 QQ25 5F031 GG02 GG04 GG15
Claims (10)
- 【請求項１】 ウェーハのエッジ上の一か所に設けられ
たノッチ位置を検出するウェーハノッチ位置検出装置に
おいて，上記ウェーハを，そのエッジ部において保持す
る保持手段と，上記保持手段で保持された上記ウェーハ
に対向して設置され，上記ウェーハの表面の一部若しく
は全体の画像を撮像する撮像手段と，上記撮像手段によ
って撮像された上記ウェーハの撮像画像に基づいて，上
記ノッチ位置を検出するノッチ位置検出手段とを具備し
てなることを特徴とするウェーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項２】 上記撮像画像上における上記ウェーハと
その背景との明度を異ならせる光学的手段を具備してな
る請求項１記載のウェーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項３】 上記ウェーハ表面が鏡面である場合に，
上記光学的手段が，少なくとも上記ウェーハ表面のエッ
ジ近傍での反射光が上記撮像手段に直接入射しない位置
に設置される照明と，上記撮像画像上で上記ウェーハの
背景となる部分に設置され，光を乱反射させる散乱部材
とで構成されてなる請求項２記載のウェーハノッチ位置
検出装置。 - 【請求項４】 上記ウェーハ表面が粗面である場合に，
上記光学的手段が，上記撮像画像上で上記ウェーハの背
景となる部分に設置される鏡面部材と，上記鏡面部材で
の反射光が上記撮像手段に直接入射しない位置に設置さ
れる照明とで構成されてなる請求項２記載のウェーハノ
ッチ位置検出装置。 - 【請求項５】 上記照明が，上記ウェーハのエッジ位置
よりも内側に設置されてなる請求項３又は４記載のウェ
ーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項６】 上記撮像手段への外乱光の入射を防止す
る遮光板が設けられてなる請求項１〜５のいずれかに記
載のウェーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項７】 上記ウェーハ表面が粗面である場合に，
上記光学的手段が，上記撮像画像上で上記ウェーハの背
景となる部分に設置される光吸収部材により構成されて
なる請求項２記載のウェーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項８】 上記ノッチ位置検出手段が，上記撮像画
像から上記ウェーハの中心位置を求め，上記ウェーハの
エッジ上において上記中心位置からの距離が最も小さい
位置を上記ノッチ位置として検出する請求項１〜７のい
ずれかに記載のウェーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項９】 上記ノッチ位置検出手段が，上記撮像画
像から上記ウェーハの中心位置を求め，その中心位置を
中心として上記ウェーハのエッジに沿って所定幅の帯状
画像を取り出し，取り出された帯状画像上で上記ウェー
ハ部分を示す信号レベルが最も小さい位置を上記ノッチ
位置として検出する請求項１〜７のいずれかに記載のウ
ェーハノッチ位置検出装置。 - 【請求項１０】 上記ノッチ位置検出手段が，上記撮像
画像から上記ウェーハの中心位置を求め，その中心位置
を中心として上記ウェーハのエッジに沿って所定幅の帯
状画像を取り出し，その帯状画像を２分割して比較し，
それら２つの画像の不一致部分を上記ノッチ位置として
検出する請求項１〜７のいずれかに記載のウェーハノッ
チ位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192698A JP2000031245A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | ウェーハノッチ位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192698A JP2000031245A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | ウェーハノッチ位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031245A true JP2000031245A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16295571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192698A Pending JP2000031245A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | ウェーハノッチ位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031245A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339254A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Ccs Inc | ウェハ輪郭検出装置 |
| KR100932316B1 (ko) | 2006-09-19 | 2009-12-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 웨이퍼의 중심 검출 방법 및 그 방법을 기록한 기록 매체 |
| JP2010010267A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工装置 |
| DE102008041135A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Nanophotonics Ag | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
| JP2011185694A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Disco Corp | 形状認識装置 |
| CN103928363A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-16 | 常州天合光能有限公司 | 一种硅片晶向检测方法及检测装置 |
| WO2015123222A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Wafer notch detection |
| WO2018200871A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Kla-Tencor Corporation | System and method for photomask alignment and orientation characterization based on notch detection |
| CN110581083A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-17 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 遮蔽环位置监测方法及其监测系统 |
| CN110752169A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-02-04 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆处理装置和上下料方法 |
| JP2020190457A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
| CN113571439A (zh) * | 2020-08-20 | 2021-10-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光学系统、位置检测方法及晶片凹口定位检测 |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP10192698A patent/JP2000031245A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339254A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Ccs Inc | ウェハ輪郭検出装置 |
| KR100932316B1 (ko) | 2006-09-19 | 2009-12-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 웨이퍼의 중심 검출 방법 및 그 방법을 기록한 기록 매체 |
| JP2010010267A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工装置 |
| DE102008041135A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Nanophotonics Ag | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
| DE102008041135B4 (de) * | 2008-08-08 | 2011-08-25 | NanoPhotonics AG, 55129 | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
| JP2011185694A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Disco Corp | 形状認識装置 |
| WO2015123222A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Wafer notch detection |
| US10366483B2 (en) | 2014-02-12 | 2019-07-30 | Kla-Tencor Corporation | Wafer notch detection |
| CN103928363A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-16 | 常州天合光能有限公司 | 一种硅片晶向检测方法及检测装置 |
| US9965846B2 (en) | 2014-04-11 | 2018-05-08 | Trina Solar Co., Ltd | Method and apparatus for detecting crystal orientation of silicon wafer |
| US10354373B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-07-16 | Kla-Tencor Corporation | System and method for photomask alignment and orientation characterization based on notch detection |
| WO2018200871A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Kla-Tencor Corporation | System and method for photomask alignment and orientation characterization based on notch detection |
| JP2020190457A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
| JP7360687B2 (ja) | 2019-05-21 | 2023-10-13 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
| CN110581083A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-17 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 遮蔽环位置监测方法及其监测系统 |
| CN110752169A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-02-04 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆处理装置和上下料方法 |
| CN110752169B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-03-22 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种晶圆处理装置和上下料方法 |
| CN113571439A (zh) * | 2020-08-20 | 2021-10-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光学系统、位置检测方法及晶片凹口定位检测 |
| US11521882B2 (en) * | 2020-08-20 | 2022-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer notch positioning detection |
| US11942348B2 (en) | 2020-08-20 | 2024-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer notch positioning detection |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
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