JPH0964155A - 基板保持状態確認方法および装置 - Google Patents
基板保持状態確認方法および装置Info
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- JPH0964155A JPH0964155A JP23607095A JP23607095A JPH0964155A JP H0964155 A JPH0964155 A JP H0964155A JP 23607095 A JP23607095 A JP 23607095A JP 23607095 A JP23607095 A JP 23607095A JP H0964155 A JPH0964155 A JP H0964155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を回転させることなく基板の保持状態を
確認する。 【解決手段】 回転台10に保持された半導体ウェハW
の上表面と下表面に向けて、投光器21,31から光ビ
ームL1,L2をそれぞれ照射して半導体ウェハWの上
表面と下表面でそれぞれ反射させる。そして、反射され
た光ビームL1,L2が受光器22,32で受光される
か否かに応じて、半導体ウェハWが正常な姿勢で保持さ
れているか否か、および、半導体ウェハWの上表面と下
表面のいずれが鏡面であるかを判断する。
確認する。 【解決手段】 回転台10に保持された半導体ウェハW
の上表面と下表面に向けて、投光器21,31から光ビ
ームL1,L2をそれぞれ照射して半導体ウェハWの上
表面と下表面でそれぞれ反射させる。そして、反射され
た光ビームL1,L2が受光器22,32で受光される
か否かに応じて、半導体ウェハWが正常な姿勢で保持さ
れているか否か、および、半導体ウェハWの上表面と下
表面のいずれが鏡面であるかを判断する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハや
液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基
板、光ディスク用基板等の基板に対して表面処理を行な
うための基板の回転式処理装置において、基板が正常に
保持されているか否かを確認するために使用される基板
保持状態確認方法およびそのための装置に関する。
液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基
板、光ディスク用基板等の基板に対して表面処理を行な
うための基板の回転式処理装置において、基板が正常に
保持されているか否かを確認するために使用される基板
保持状態確認方法およびそのための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】回転式処理装置において基板の保持状態
を確認する装置としては、本出願人により開示された実
開平6−29131号公報に記載されたものがある。
を確認する装置としては、本出願人により開示された実
開平6−29131号公報に記載されたものがある。
【0003】この装置では、投光器と受光器とで構成さ
れる透過型光センサを基板の周辺部に設け、基板をゆっ
くりと回転させて光センサの遮光/透光状態を検知する
ことによって基板の保持状態を確認している。
れる透過型光センサを基板の周辺部に設け、基板をゆっ
くりと回転させて光センサの遮光/透光状態を検知する
ことによって基板の保持状態を確認している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の技術では、基板の保持状態を確認するために基板を回
転させる必要があるので、確認にかなりの時間を要する
という問題があった。
の技術では、基板の保持状態を確認するために基板を回
転させる必要があるので、確認にかなりの時間を要する
という問題があった。
【0005】この発明は、従来技術における上述の課題
を解決するためになされたものであり、基板を回転させ
ることなく、その保持状態を確認することを目的とす
る。
を解決するためになされたものであり、基板を回転させ
ることなく、その保持状態を確認することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、第1の発明
は、基板を支持するための基板支持体を有する回転式基
板処理装置に使用され、前記基板支持体における基板の
保持状態を確認する方法であって、前記基板支持体に保
持された基板に向けて光ビームを照射して前記基板の表
面で反射させ、反射された光ビームが受光器で受光され
るか否かによって、前記基板の保持状態が正常か否かを
判断することを特徴とする。
述の課題の少なくとも一部を解決するため、第1の発明
は、基板を支持するための基板支持体を有する回転式基
板処理装置に使用され、前記基板支持体における基板の
保持状態を確認する方法であって、前記基板支持体に保
持された基板に向けて光ビームを照射して前記基板の表
面で反射させ、反射された光ビームが受光器で受光され
るか否かによって、前記基板の保持状態が正常か否かを
判断することを特徴とする。
【0007】基板が正常に保持されている場合には基板
表面で反射された光ビームが受光器で検出され、一方、
基板が正常に保持されていない場合には反射された光ビ
ームが受光器で検出されないので、受光器の受光状態に
応じて基板の保持状態が正常か否かを判断できる。従っ
て、基板を回転させることなく、基板の保持状態が正常
か否かを判断できる。
表面で反射された光ビームが受光器で検出され、一方、
基板が正常に保持されていない場合には反射された光ビ
ームが受光器で検出されないので、受光器の受光状態に
応じて基板の保持状態が正常か否かを判断できる。従っ
て、基板を回転させることなく、基板の保持状態が正常
か否かを判断できる。
【0008】第2の発明は、基板を支持するための基板
支持体を有する回転式基板処理装置に使用され、前記基
板支持体における基板の保持状態を確認する装置であっ
て、前記基板支持体に保持された基板に向けて光ビーム
を照射して前記基板の表面で反射させる投光器と、反射
された光ビームを受光するための受光器とを備え、前記
反射された光ビームが前記受光器で受光されるか否かに
よって、前記基板の保持状態が正常か否かを判断するこ
とを特徴とする。
支持体を有する回転式基板処理装置に使用され、前記基
板支持体における基板の保持状態を確認する装置であっ
て、前記基板支持体に保持された基板に向けて光ビーム
を照射して前記基板の表面で反射させる投光器と、反射
された光ビームを受光するための受光器とを備え、前記
反射された光ビームが前記受光器で受光されるか否かに
よって、前記基板の保持状態が正常か否かを判断するこ
とを特徴とする。
【0009】第2の発明によっても、第1の発明と同様
に、基板を回転させることなく、その保持状態を確認す
ることができる。
に、基板を回転させることなく、その保持状態を確認す
ることができる。
【0010】
【発明の他の態様】この発明は、以下のような他の態様
も含んでいる。第1の態様は、基板を支持するための基
板支持体を有する回転式基板処理装置に使用され、前記
基板支持体における基板の保持状態を確認する方法であ
って、前記基板支持体に保持された基板の上面と下面に
向けて第1と第2の光ビームをそれぞれ照射して前記基
板の上面と下面でそれぞれ反射させ、反射された前記第
1と第2の光ビームがそれぞれの第1と第2の受光器で
受光されるか否かによって、前記基板の保持状態が正常
か否かを判断することを特徴とする。
も含んでいる。第1の態様は、基板を支持するための基
板支持体を有する回転式基板処理装置に使用され、前記
基板支持体における基板の保持状態を確認する方法であ
って、前記基板支持体に保持された基板の上面と下面に
向けて第1と第2の光ビームをそれぞれ照射して前記基
板の上面と下面でそれぞれ反射させ、反射された前記第
1と第2の光ビームがそれぞれの第1と第2の受光器で
受光されるか否かによって、前記基板の保持状態が正常
か否かを判断することを特徴とする。
【0011】第1の態様では、基板の上面と下面とでそ
れぞれ反射された光ビームがそれぞれの受光器で受光さ
れるか否かを検出しているので、基板が正常な姿勢で保
持されているかを判断できるとともに、基板のいずれの
面が鏡面であるかを識別することができる。
れぞれ反射された光ビームがそれぞれの受光器で受光さ
れるか否かを検出しているので、基板が正常な姿勢で保
持されているかを判断できるとともに、基板のいずれの
面が鏡面であるかを識別することができる。
【0012】第2の態様は、基板を支持するための基板
支持体を有する回転式基板処理装置に使用され、前記基
板支持体における基板の保持状態を確認する装置であっ
て、前記基板支持体に保持された基板の上面と下面とに
向けて第1と第2の光ビームをそれぞれ照射して前記基
板の表面で反射させる第1と第2の投光器と、反射され
た前記第1と第2の光ビームをそれぞれ受光するための
第1と第2の受光器とを備え、前記第1と第2の受光器
における受光状態によって、前記基板の保持状態が正常
か否かを判断することを特徴とする。
支持体を有する回転式基板処理装置に使用され、前記基
板支持体における基板の保持状態を確認する装置であっ
て、前記基板支持体に保持された基板の上面と下面とに
向けて第1と第2の光ビームをそれぞれ照射して前記基
板の表面で反射させる第1と第2の投光器と、反射され
た前記第1と第2の光ビームをそれぞれ受光するための
第1と第2の受光器とを備え、前記第1と第2の受光器
における受光状態によって、前記基板の保持状態が正常
か否かを判断することを特徴とする。
【0013】第2の態様によっても、第1の態様と同様
に、基板が正常な姿勢で保持されているかを判断できる
とともに、基板のいずれの面が鏡面であるかを識別する
ことができる。
に、基板が正常な姿勢で保持されているかを判断できる
とともに、基板のいずれの面が鏡面であるかを識別する
ことができる。
【0014】第3の態様は、サイズが異なるN種類(N
は2以上の整数)の基板を互いに支持可能な基板支持体
を有する回転式基板処理装置に使用され、前記基板支持
体における基板の保持状態を確認する方法であって、前
記基板支持体に保持された基板に向けてN本の光ビーム
を照射して前記基板の表面で反射させ、反射されたN本
の光ビームがそれぞれの受光器で受光されるか否かによ
って、前記基板の保持状態を判断することを特徴とす
る。
は2以上の整数)の基板を互いに支持可能な基板支持体
を有する回転式基板処理装置に使用され、前記基板支持
体における基板の保持状態を確認する方法であって、前
記基板支持体に保持された基板に向けてN本の光ビーム
を照射して前記基板の表面で反射させ、反射されたN本
の光ビームがそれぞれの受光器で受光されるか否かによ
って、前記基板の保持状態を判断することを特徴とす
る。
【0015】第3の態様によれば、N本の光ビームの受
光状態に応じて、基板が正常に保持されているか否かを
判断できるとともに、どの基板が保持されているかを識
別することもできる。
光状態に応じて、基板が正常に保持されているか否かを
判断できるとともに、どの基板が保持されているかを識
別することもできる。
【0016】第4の態様は、基板の回転式処理装置であ
って、基板を支持するための基板支持体と、前記基板支
持体を回転駆動するための駆動手段と、前記基板支持体
に支持された前記基板の上方側と下方側にそれぞれ設け
られた2組の反射型光センサと、前記2組の反射型光セ
ンサにおける検出結果に応じて、前記基板支持体におけ
る前記基板の支持状態を判定する判定手段と、を備え
る。
って、基板を支持するための基板支持体と、前記基板支
持体を回転駆動するための駆動手段と、前記基板支持体
に支持された前記基板の上方側と下方側にそれぞれ設け
られた2組の反射型光センサと、前記2組の反射型光セ
ンサにおける検出結果に応じて、前記基板支持体におけ
る前記基板の支持状態を判定する判定手段と、を備え
る。
【0017】第4の態様によれば、反射型光センサは、
基板が正常に保持されている場合に反射光を検出するの
で、2組の反射型光センサにおける検出結果に応じて、
基板が正常な姿勢で保持されているかを判断できるとと
もに、基板のいずれの面が鏡面であるかを識別すること
ができる。
基板が正常に保持されている場合に反射光を検出するの
で、2組の反射型光センサにおける検出結果に応じて、
基板が正常な姿勢で保持されているかを判断できるとと
もに、基板のいずれの面が鏡面であるかを識別すること
ができる。
【0018】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に基づき説明する。図1は、この発明の第1実施例で
ある基板確認装置を備えた回転式基板処理装置を示す概
略正面図であり、図2はその概略平面図である。この回
転式基板処理装置は、半導体ウェハWを載置するための
回転台10と、回転台10を回転させる駆動手段として
のモータ12とを備えている。回転台10の上には、半
導体ウェハWを支持するための複数の支持ピン14が設
けられており、各支持ピン14の上端には、半導体ウェ
ハWを水平方向に位置決めするための位置決めピン16
が形成されている。正常な保持状態では、図1に示すよ
うに半導体ウェハWは支持ピン14の上端面において水
平な姿勢で載置されており、また、図2に示すように、
位置決めピン16によって水平方向に位置決めされる。
例に基づき説明する。図1は、この発明の第1実施例で
ある基板確認装置を備えた回転式基板処理装置を示す概
略正面図であり、図2はその概略平面図である。この回
転式基板処理装置は、半導体ウェハWを載置するための
回転台10と、回転台10を回転させる駆動手段として
のモータ12とを備えている。回転台10の上には、半
導体ウェハWを支持するための複数の支持ピン14が設
けられており、各支持ピン14の上端には、半導体ウェ
ハWを水平方向に位置決めするための位置決めピン16
が形成されている。正常な保持状態では、図1に示すよ
うに半導体ウェハWは支持ピン14の上端面において水
平な姿勢で載置されており、また、図2に示すように、
位置決めピン16によって水平方向に位置決めされる。
【0019】なお、回転台10と支持ピン14と位置決
めピン16は、本発明における基板支持体に相当する。
めピン16は、本発明における基板支持体に相当する。
【0020】回転台10の周辺には、半導体ウェハWを
含む水平面よりも上方側に、投光器21と受光器22で
構成される第1の反射型光センサが設けられている。ま
た、半導体ウェハWを含む水平面よりも下方側には、投
光器31と受光器32で構成される第2の反射型光セン
サが設けられている。投光器21,31としては、拡散
しない光ビームを出射するものが好ましく、特に、レー
ザ発振器を用いることが好ましい。
含む水平面よりも上方側に、投光器21と受光器22で
構成される第1の反射型光センサが設けられている。ま
た、半導体ウェハWを含む水平面よりも下方側には、投
光器31と受光器32で構成される第2の反射型光セン
サが設けられている。投光器21,31としては、拡散
しない光ビームを出射するものが好ましく、特に、レー
ザ発振器を用いることが好ましい。
【0021】この回転式基板処理装置は、さらに、各種
の制御を行なうコントローラ40を有している。このコ
ントローラ40は、モータ12や、投光器21,31の
光ビームの出射の有無等を制御する制御手段としての機
能を有しているとともに、受光器22,32からの出力
(検出結果)から半導体ウェハWの保持状態を判定する
判定手段としての機能を有している。コントローラ40
は、例えばデジタルコンピュータシステムによって実現
される。
の制御を行なうコントローラ40を有している。このコ
ントローラ40は、モータ12や、投光器21,31の
光ビームの出射の有無等を制御する制御手段としての機
能を有しているとともに、受光器22,32からの出力
(検出結果)から半導体ウェハWの保持状態を判定する
判定手段としての機能を有している。コントローラ40
は、例えばデジタルコンピュータシステムによって実現
される。
【0022】ところで、半導体ウェハWは、上下の2つ
の表面の中の一方のみが鏡面であるのが普通である。半
導体ウェハWの上面が鏡面の状態で回転台10上に正常
な姿勢で保持されている場合には、第1の反射型光セン
サの投光器21から出射された第1の光ビームL1は、
半導体ウェハWの上表面の点Pで反射し、受光器22に
よって受光される。一方、半導体ウェハWの下面が鏡面
の状態で回転台10上に正常な姿勢で保持されている場
合には、第2の反射型光センサの投光器31から出射さ
れた第2の光ビームL2は、半導体ウェハWの下表面で
反射して、受光器32によって受光される。
の表面の中の一方のみが鏡面であるのが普通である。半
導体ウェハWの上面が鏡面の状態で回転台10上に正常
な姿勢で保持されている場合には、第1の反射型光セン
サの投光器21から出射された第1の光ビームL1は、
半導体ウェハWの上表面の点Pで反射し、受光器22に
よって受光される。一方、半導体ウェハWの下面が鏡面
の状態で回転台10上に正常な姿勢で保持されている場
合には、第2の反射型光センサの投光器31から出射さ
れた第2の光ビームL2は、半導体ウェハWの下表面で
反射して、受光器32によって受光される。
【0023】受光器22,32は、図1,図2に示すよ
うに半導体ウェハWが正常に保持された状態における反
射光を受光する位置に設定されている。従って、半導体
ウェハWが正常な位置や正常な姿勢に保持されていない
状態、例えば、半導体ウェハWが傾いた状態では、半導
体ウェハWで反射された光ビームは受光器22または3
2で受光されない。
うに半導体ウェハWが正常に保持された状態における反
射光を受光する位置に設定されている。従って、半導体
ウェハWが正常な位置や正常な姿勢に保持されていない
状態、例えば、半導体ウェハWが傾いた状態では、半導
体ウェハWで反射された光ビームは受光器22または3
2で受光されない。
【0024】なお、半導体ウェハWが回転台10上に正
常に保持されている場合には、回転台10が回転しても
半導体ウェハWの表面で反射した光ビームは常に受光器
22または32で受光される。従って、半導体ウェハW
の保持状態を確認するために回転台10を回転させる必
要はない。
常に保持されている場合には、回転台10が回転しても
半導体ウェハWの表面で反射した光ビームは常に受光器
22または32で受光される。従って、半導体ウェハW
の保持状態を確認するために回転台10を回転させる必
要はない。
【0025】図1の下部に示す表は、2つの受光器2
2,32の受光状態から、半導体ウェハWの保持状態を
判定する判定基準を示している。この表において、「O
N」は受光していることを示し、「OFF」は受光して
いないことを示している。
2,32の受光状態から、半導体ウェハWの保持状態を
判定する判定基準を示している。この表において、「O
N」は受光していることを示し、「OFF」は受光して
いないことを示している。
【0026】ケース1では、受光器22がONで受光器
32がOFFであり、この検出結果から、半導体ウェハ
Wの上面が鏡面であると判断される。ケース2では、受
光器22がOFFで受光器32がONであり、この検出
結果から、半導体ウェハWの下面が鏡面であると判断さ
れる。なお、ケース1とケース2では、いずれも半導体
ウェハWが正常な姿勢で保持されているものと判断され
る。ケース3では、2つの受光器22,32が共にOF
Fであり、半導体ウェハWが正常な姿勢で保持されてい
ないと判断される。
32がOFFであり、この検出結果から、半導体ウェハ
Wの上面が鏡面であると判断される。ケース2では、受
光器22がOFFで受光器32がONであり、この検出
結果から、半導体ウェハWの下面が鏡面であると判断さ
れる。なお、ケース1とケース2では、いずれも半導体
ウェハWが正常な姿勢で保持されているものと判断され
る。ケース3では、2つの受光器22,32が共にOF
Fであり、半導体ウェハWが正常な姿勢で保持されてい
ないと判断される。
【0027】このように、2つの反射型光センサによっ
て、半導体ウェハWが基板支持体(10,12,14)
に正常な姿勢で保持されているか否かを判断することが
でき、また、半導体ウェハWの上下いずれの表面が鏡面
であるかを判定することもできる。
て、半導体ウェハWが基板支持体(10,12,14)
に正常な姿勢で保持されているか否かを判断することが
でき、また、半導体ウェハWの上下いずれの表面が鏡面
であるかを判定することもできる。
【0028】なお、半導体ウェハWの上面と下面の一方
(例えば上面)が鏡面である状態のみを正常な保持状態
と判断する場合には、反射型光センサは1組設けるだけ
でよい。また、半導体ウェハWの上面と下面のどちらが
鏡面でも正常な保持状態と判断する場合には、2つの受
光器22,32の検出結果の論理和(OR)をとること
によって、半導体ウェハWが正常に保持されているか否
かを判定するようにすればよい。
(例えば上面)が鏡面である状態のみを正常な保持状態
と判断する場合には、反射型光センサは1組設けるだけ
でよい。また、半導体ウェハWの上面と下面のどちらが
鏡面でも正常な保持状態と判断する場合には、2つの受
光器22,32の検出結果の論理和(OR)をとること
によって、半導体ウェハWが正常に保持されているか否
かを判定するようにすればよい。
【0029】図3は、この発明の第2の実施例を適用し
た回転式基板処理装置の概略正面図である。この基板処
理装置は、図1の装置における基板支持体(10,1
2,14)の代わりに、吸着によって半導体ウェハWを
保持する吸着型基板支持板11を備えている。半導体ウ
ェハWの上方には第1の反射型光センサ20が設けられ
ており、半導体ウェハWの下方には第2の反射型光セン
サ30が設けられている。これらの反射型光センサ2
0,30は、発光器と受光器とが一体になったものであ
り、各反射型光センサ20,30から出射された光L
1,L2は、半導体ウェハWに略垂直に入射して略垂直
に反射される。半導体ウェハWが傾いた姿勢で保持され
ていれば、反射された光ビームは検出されない。このよ
うに、光ビームは、半導体ウェハWに対して垂直に入射
するようにしても、半導体ウェハWが正常な姿勢で保持
されているか否かを判定することが可能である。
た回転式基板処理装置の概略正面図である。この基板処
理装置は、図1の装置における基板支持体(10,1
2,14)の代わりに、吸着によって半導体ウェハWを
保持する吸着型基板支持板11を備えている。半導体ウ
ェハWの上方には第1の反射型光センサ20が設けられ
ており、半導体ウェハWの下方には第2の反射型光セン
サ30が設けられている。これらの反射型光センサ2
0,30は、発光器と受光器とが一体になったものであ
り、各反射型光センサ20,30から出射された光L
1,L2は、半導体ウェハWに略垂直に入射して略垂直
に反射される。半導体ウェハWが傾いた姿勢で保持され
ていれば、反射された光ビームは検出されない。このよ
うに、光ビームは、半導体ウェハWに対して垂直に入射
するようにしても、半導体ウェハWが正常な姿勢で保持
されているか否かを判定することが可能である。
【0030】図4は、この発明の第3の実施例を適用し
た回転式基板処理装置の概略正面図である。この基板処
理装置では、回転台10の上に、サイズの異なる3種類
の半導体ウェハを載置するために、3種類の支持ピン1
4a,14b,14cが設けられている。各支持ピン1
4a,14b,14cの上端には、半導体ウェハの位置
決めを行なうための位置決めピン16a,16b,16
cがそれぞれ形成されている。
た回転式基板処理装置の概略正面図である。この基板処
理装置では、回転台10の上に、サイズの異なる3種類
の半導体ウェハを載置するために、3種類の支持ピン1
4a,14b,14cが設けられている。各支持ピン1
4a,14b,14cの上端には、半導体ウェハの位置
決めを行なうための位置決めピン16a,16b,16
cがそれぞれ形成されている。
【0031】3種類の支持ピン14a,14b,14c
の中で、内側から2番目の支持ピン14bのウェハ支持
面(支持ピン14bの上面)は、最も内側の支持ピン1
4aの位置決めピン16aよりも高い。また、最も外側
の支持ピン14cのウェハ支持面は、2番目の支持ピン
14bの位置決めピン16bよりも高い。従って、図4
(A)〜(C)に示すように、サイズの異なる3種類の
半導体ウェハW1〜W3(5インチ、6インチ、8イン
チウェハ)のいずれかを、同じ回転台10上の互いに異
なる高さに保持することができる。
の中で、内側から2番目の支持ピン14bのウェハ支持
面(支持ピン14bの上面)は、最も内側の支持ピン1
4aの位置決めピン16aよりも高い。また、最も外側
の支持ピン14cのウェハ支持面は、2番目の支持ピン
14bの位置決めピン16bよりも高い。従って、図4
(A)〜(C)に示すように、サイズの異なる3種類の
半導体ウェハW1〜W3(5インチ、6インチ、8イン
チウェハ)のいずれかを、同じ回転台10上の互いに異
なる高さに保持することができる。
【0032】回転台10の周辺には、半導体ウェハWの
上方側に、投光器51と受光器52で構成される第1の
反射型光センサと、投光器61と受光器62で構成され
る第2の反射型光センサと、投光器71と受光器72で
構成される第3の反射型光センサとが設けられている。
なお、半導体ウェハWの下方側にも同様に3つの反射型
光センサが設けられているが、便宜上図示を省略してい
る。なお、図4では、半導体ウェハの上面が鏡面である
状態をそれぞれ示している。
上方側に、投光器51と受光器52で構成される第1の
反射型光センサと、投光器61と受光器62で構成され
る第2の反射型光センサと、投光器71と受光器72で
構成される第3の反射型光センサとが設けられている。
なお、半導体ウェハWの下方側にも同様に3つの反射型
光センサが設けられているが、便宜上図示を省略してい
る。なお、図4では、半導体ウェハの上面が鏡面である
状態をそれぞれ示している。
【0033】図4(A)〜(C)に示すように、5イン
チの半導体ウェハW1と、6インチの半導体ウェハW2
と、8インチの半導体ウェハW3とをそれぞれ保持した
場合には、反射された光ビームを検出する受光器が異な
る。すなわち、図4(A)に示すように、5インチの半
導体ウェハW1を保持している場合には、第1の投光器
51で出射された光ビームL1のみが受光器52で受光
される。また、図4(B)に示すように、6インチの半
導体ウェハW2を保持している場合には、第2の投光器
61で出射された光ビームL2のみが受光器62で受光
される。図4(C)に示すように、8インチの半導体ウ
ェハW3を保持している場合には、第3の投光器71で
出射された光ビームL3のみが受光器72で受光され
る。また、いずれの半導体ウェハの場合にも、正常な姿
勢で保持されていなければ、3つの受光器52,62,
72のいずれも受光状態とはならない。従って、3つの
受光器52,62,72の受光状態から、どのサイズの
半導体ウェハが正常な姿勢で保持されているのかを判断
することができる。
チの半導体ウェハW1と、6インチの半導体ウェハW2
と、8インチの半導体ウェハW3とをそれぞれ保持した
場合には、反射された光ビームを検出する受光器が異な
る。すなわち、図4(A)に示すように、5インチの半
導体ウェハW1を保持している場合には、第1の投光器
51で出射された光ビームL1のみが受光器52で受光
される。また、図4(B)に示すように、6インチの半
導体ウェハW2を保持している場合には、第2の投光器
61で出射された光ビームL2のみが受光器62で受光
される。図4(C)に示すように、8インチの半導体ウ
ェハW3を保持している場合には、第3の投光器71で
出射された光ビームL3のみが受光器72で受光され
る。また、いずれの半導体ウェハの場合にも、正常な姿
勢で保持されていなければ、3つの受光器52,62,
72のいずれも受光状態とはならない。従って、3つの
受光器52,62,72の受光状態から、どのサイズの
半導体ウェハが正常な姿勢で保持されているのかを判断
することができる。
【0034】上述した各実施例では、半導体ウェハWを
回転させる必要がなく、受光器における受光状態から直
ちに半導体ウェハWの保持状態が正常か否かを判断する
ことができるので、半導体ウェハWの保持状態を短時間
で判定することが可能である。また、半導体ウェハWの
上方と下方にそれぞれ反射型光センサを設けるようにし
ているので、半導体ウェハWの上面と下面のいずれが鏡
面であるかを判断することも可能である。
回転させる必要がなく、受光器における受光状態から直
ちに半導体ウェハWの保持状態が正常か否かを判断する
ことができるので、半導体ウェハWの保持状態を短時間
で判定することが可能である。また、半導体ウェハWの
上方と下方にそれぞれ反射型光センサを設けるようにし
ているので、半導体ウェハWの上面と下面のいずれが鏡
面であるかを判断することも可能である。
【0035】なお、この発明は上記の実施例や実施形態
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能であり、
例えば次のような変形も可能である。
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能であり、
例えば次のような変形も可能である。
【0036】(1)複数の投光器として複数の光源を設
ける代わりに、1本の光ビームを出射する光源(レーザ
など)を設け、ビームスプリッタによってその光ビーム
を複数本に分割するようにすることも可能である。この
場合には、光源とビームスプリッタが複数の投光器に相
当する。
ける代わりに、1本の光ビームを出射する光源(レーザ
など)を設け、ビームスプリッタによってその光ビーム
を複数本に分割するようにすることも可能である。この
場合には、光源とビームスプリッタが複数の投光器に相
当する。
【図1】この発明の第1実施例である基板確認装置を備
えた回転式基板処理装置を示す概略正面図。
えた回転式基板処理装置を示す概略正面図。
【図2】第1実施例の回転式基板処理装置の概略平面
図。
図。
【図3】第2の実施例の回転式基板処理装置の概略正面
図。
図。
【図4】第3の実施例の回転式基板処理装置の概略正面
図。
図。
10…回転台 11…吸着型基板支持板 12…モータ 14…支持ピン 14a,14b,14c…支持ピン 16…位置決めピン 16a,16b,16c…位置決めピン 20,30…反射型光センサ 21,31…投光器 22,32…受光器 40…コントローラ 51,61,71…投光器 52,62,72…受光器
Claims (2)
- 【請求項1】 基板を支持するための基板支持体を有す
る回転式基板処理装置に使用され、前記基板支持体にお
ける基板の保持状態を確認する方法であって、 前記基板支持体に保持された基板に向けて光ビームを照
射して前記基板の表面で反射させ、反射された光ビーム
が受光器で受光されるか否かによって、前記基板の保持
状態が正常か否かを判断することを特徴とする基板保持
状態確認方法。 - 【請求項2】 基板を支持するための基板支持体を有す
る回転式基板処理装置に使用され、前記基板支持体にお
ける基板の保持状態を確認する装置であって、 前記基板支持体に保持された基板に向けて光ビームを照
射して前記基板の表面で反射させる投光器と、 反射された光ビームを受光するための受光器とを備え、 前記反射された光ビームが前記受光器で受光されるか否
かによって、前記基板の保持状態が正常か否かを判断す
ることを特徴とする基板保持状態確認装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23607095A JPH0964155A (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 基板保持状態確認方法および装置 |
US08/644,376 US5853483A (en) | 1995-05-02 | 1996-05-10 | Substrate spin treating method and apparatus |
KR1019960015818A KR100274125B1 (ko) | 1995-05-15 | 1996-05-13 | 기판회전처리방법 및 회전식 기판처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23607095A JPH0964155A (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 基板保持状態確認方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964155A true JPH0964155A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16995278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23607095A Pending JPH0964155A (ja) | 1995-05-02 | 1995-08-21 | 基板保持状態確認方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0964155A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050070702A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 가이드핀 구조 |
JP2010002311A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012033594A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板保持具及び基板搬送システム |
JP2012222240A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2017208513A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
-
1995
- 1995-08-21 JP JP23607095A patent/JPH0964155A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050070702A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 가이드핀 구조 |
JP2010002311A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012033594A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板保持具及び基板搬送システム |
JP2012222240A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2017208513A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
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