JP2003501828A - ウエハ方向センサー - Google Patents
ウエハ方向センサーInfo
- Publication number
- JP2003501828A JP2003501828A JP2001502149A JP2001502149A JP2003501828A JP 2003501828 A JP2003501828 A JP 2003501828A JP 2001502149 A JP2001502149 A JP 2001502149A JP 2001502149 A JP2001502149 A JP 2001502149A JP 2003501828 A JP2003501828 A JP 2003501828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beam
- workpiece
- wafer
- edge
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】半導体ウエハのような，ほぼディスク状のワークピースのエッジを決定する装置は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，ワークピースのエッジの近傍で，そのワークピースの表面に，光ビームを向けるように配置された光源を含む。光ビームと表面に対する法線との間の角度が，ワークピース内で光ビームが全内反射する臨界角度に等しいか，それよりも大きい。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，および光ビームの第一の部分を検出するように配置され，ワークピースが回転したときに，ワークピースのエッジを表すエッジ信号を生成する光センサーを含む。装置は，光ビームに対して透明なものを含む，種々の材料の半導体ウエハの向き，および位置を検出するために使用できる。
Description
【０００１】
発明の分野
本発明は半導体ウエハのようなディスク形状のワークピースのための方向セン
サーに関し，特に石英ウエハを含む，種々のタイプのウエハーの方向を検知する
ことができるウエハ方向センサーに関する。
サーに関し，特に石英ウエハを含む，種々のタイプのウエハーの方向を検知する
ことができるウエハ方向センサーに関する。
【０００２】
発明の背景
イオン注入は伝導性変更不純物を半導体ウエハに導入する標準技術となってい
る。所望の不純物材料が，イオン源でイオン化され，そのイオンは所定のエネル
ギーをもつイオンビームを形成するために加速され，イオンビームはウエハの表
面に向けられる。ビームのエネルギーをもったイオンは，半導体材料のバルク内
に侵入し，所望の伝導性領域を形成するために，半導体材料の結晶格子内に埋め
込まれる。
る。所望の不純物材料が，イオン源でイオン化され，そのイオンは所定のエネル
ギーをもつイオンビームを形成するために加速され，イオンビームはウエハの表
面に向けられる。ビームのエネルギーをもったイオンは，半導体材料のバルク内
に侵入し，所望の伝導性領域を形成するために，半導体材料の結晶格子内に埋め
込まれる。
【０００３】
イオン注入システムは，通常は，ガスまたは固定材料を，よく定義されたビー
ム内に変換するためのイオン源を含む。イオンビームは分析され，不所望のイオ
ン種を除去し，所望のエネルギーをもつまで加速され，ターゲット面に向けられ
る。ビームは，ビーム走査により，ターゲット移動により，またはビーム走査と
ターゲット移動の組み合わせにより，ターゲット領域にわたって分布される。従
前の一つのアプローチにおいて，半導体ウエハはディスクの周囲近くに配置され
る。ディスクはその中心軸の回りで回転し，半導体ウエハにわたってイオンビー
ムを分布するために，イオンビームに関して移動される。イオン注入機は典型的
に，ウエアをイオン注入機に導入し，注入後ウエハを取り除くための自動ウエハ
ハンドリング装置をもつエンドステーションを含む。
ム内に変換するためのイオン源を含む。イオンビームは分析され，不所望のイオ
ン種を除去し，所望のエネルギーをもつまで加速され，ターゲット面に向けられ
る。ビームは，ビーム走査により，ターゲット移動により，またはビーム走査と
ターゲット移動の組み合わせにより，ターゲット領域にわたって分布される。従
前の一つのアプローチにおいて，半導体ウエハはディスクの周囲近くに配置され
る。ディスクはその中心軸の回りで回転し，半導体ウエハにわたってイオンビー
ムを分布するために，イオンビームに関して移動される。イオン注入機は典型的
に，ウエアをイオン注入機に導入し，注入後ウエハを取り除くための自動ウエハ
ハンドリング装置をもつエンドステーションを含む。
【０００４】
ウエハ・ハンドリング・システムは典型的に，ディスク上のウエハ取り付けサ
イトのような処理ステーションに，カセットホルダーからウエアを移動する。一
つの条件は，ウエハまたはフラットもしくはノッチを所望に向け，ウエハを処理
ステーションに正確に配置することである。カセットホルダーのスロットはウエ
ハより多少大きく，そのため正確なウエハの配置が行えない。さらに，ウエハの
フラットまたはノッチの方向は，カセットホルダー内で制御することができない
。しかし，処理ステーションでの正確な配置は，信頼のあるウエアの保持を確か
にし，ウエハの損傷を避けるために必要なことである。また，イオン注入システ
ムは典型的に，特別なウエハのフラットまたはノッチの方向を要求するが，その
方向は，注入されたイオンによるチャネリングを制御するために，ウエハの結晶
向きを示すものである。
イトのような処理ステーションに，カセットホルダーからウエアを移動する。一
つの条件は，ウエハまたはフラットもしくはノッチを所望に向け，ウエハを処理
ステーションに正確に配置することである。カセットホルダーのスロットはウエ
ハより多少大きく，そのため正確なウエハの配置が行えない。さらに，ウエハの
フラットまたはノッチの方向は，カセットホルダー内で制御することができない
。しかし，処理ステーションでの正確な配置は，信頼のあるウエアの保持を確か
にし，ウエハの損傷を避けるために必要なことである。また，イオン注入システ
ムは典型的に，特別なウエハのフラットまたはノッチの方向を要求するが，その
方向は，注入されたイオンによるチャネリングを制御するために，ウエハの結晶
向きを示すものである。
【０００５】
ウエハ方向器（orienter）を組み込むウエハ移送システムが，Hertelらによる
，1989年6月6日に発行した米国特許第4,836,733号に開示されている。ウエハが
方向器のチャック上に配置され，回転される。方向センサーがウエハの縁の下方
に位置する光源と光源に整合した，ウエハの縁の上方に位置する太陽電池とを含
む。光源からの光ビームはウエハ面に対し垂直に向けられている。ウエハは光源
の一部が，太陽電池に到達するのを妨げる。太陽電池からの信号出力は，ウエハ
の偏心，およびフラットまたはノッチのような指標を表す。方向センサーからの
信号に基づき，偏心および回転向きが補正され得る。ウエハ整合器（aligner）
もまたNiewmierzyckiによる，1995年9月26日に発行された米国特許第5,45,521号
，Volovichによる1993年8月24日に発行された米国特許第5,238,354号，およびPh
illipsによる1982年8月24日に発行された米国特許第4,345,836号に開示されてい
る。
，1989年6月6日に発行した米国特許第4,836,733号に開示されている。ウエハが
方向器のチャック上に配置され，回転される。方向センサーがウエハの縁の下方
に位置する光源と光源に整合した，ウエハの縁の上方に位置する太陽電池とを含
む。光源からの光ビームはウエハ面に対し垂直に向けられている。ウエハは光源
の一部が，太陽電池に到達するのを妨げる。太陽電池からの信号出力は，ウエハ
の偏心，およびフラットまたはノッチのような指標を表す。方向センサーからの
信号に基づき，偏心および回転向きが補正され得る。ウエハ整合器（aligner）
もまたNiewmierzyckiによる，1995年9月26日に発行された米国特許第5,45,521号
，Volovichによる1993年8月24日に発行された米国特許第5,238,354号，およびPh
illipsによる1982年8月24日に発行された米国特許第4,345,836号に開示されてい
る。
【０００６】
従来技術のウエハ方向センサーは一般的に，在来のシリコンウエハに対しては
満足に行く結果をもたらす。しかし，ある場合には，イオン注入器は，指標とし
てノッチまたはフラットをもつ，石英，サファイアおよびガラス（これに限定す
るものではないが）を含む種々の材料のウエハについても機能するように要求さ
れている。たとえば，石英ウエハは，イオン注入器での不一様性および不純物量
をテストするために利用される。在来の光学的方向センサーは石英ウエハの縁を
検出することができない。その理由は，光源からの光ビームは透明な石英ウエハ
のためにその通過を遮断されず，そのウエハは，センサーにとっていわば見るこ
とがほとんどできないものであるからである。
満足に行く結果をもたらす。しかし，ある場合には，イオン注入器は，指標とし
てノッチまたはフラットをもつ，石英，サファイアおよびガラス（これに限定す
るものではないが）を含む種々の材料のウエハについても機能するように要求さ
れている。たとえば，石英ウエハは，イオン注入器での不一様性および不純物量
をテストするために利用される。在来の光学的方向センサーは石英ウエハの縁を
検出することができない。その理由は，光源からの光ビームは透明な石英ウエハ
のためにその通過を遮断されず，そのウエハは，センサーにとっていわば見るこ
とがほとんどできないものであるからである。
【０００７】
そこで，透明な材料を含む，種々の材料のウエハの縁を検出することができる
，改良されたウエハ方向センサーの需要がある。
，改良されたウエハ方向センサーの需要がある。
【０００８】
発明の要旨
本発明の第一の態様にしたがって，ほぼディスク形状のワークピースの縁の検
出装置を提供する。装置は，光ビームの第一部がワークピースを通り越し，光ビ
ームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，光ビームを，ワーク
ピースの表面の縁付近に向けるように配置される光源を含む。光ビームと表面に
対する法線との間の角度が，ワークピース内で全内反射をする臨界角に等しいか
，それ以上射となる。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，光ビーム
の第一の部分を検出し，ワークピースが回転しているときに，ワークピースの縁
を標示する縁信号を発生するために配置された光センサーを含む。装置は，光ビ
ームに透明なものを含む，種々の材料の半導体ウエハの方向および位置を検出す
るために使用することができる。
出装置を提供する。装置は，光ビームの第一部がワークピースを通り越し，光ビ
ームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，光ビームを，ワーク
ピースの表面の縁付近に向けるように配置される光源を含む。光ビームと表面に
対する法線との間の角度が，ワークピース内で全内反射をする臨界角に等しいか
，それ以上射となる。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，光ビーム
の第一の部分を検出し，ワークピースが回転しているときに，ワークピースの縁
を標示する縁信号を発生するために配置された光センサーを含む。装置は，光ビ
ームに透明なものを含む，種々の材料の半導体ウエハの方向および位置を検出す
るために使用することができる。
【０００９】
ワークピースは，石英，シリコン，サファイアおよびガラス（これらに限定す
るものではないが）を含むグループから選択された材料の半導体ウエハであって
もよい。光源および光センサーは，ウエハ上の，ノッチやフラットのような指標
を検出するように配置される。光ビームと，表面に対する法線との間の角度は，
種々の材料のウエアおよび製造較差に順応するように，65度に等しいか，または
それよりも大きくすることができる。
るものではないが）を含むグループから選択された材料の半導体ウエハであって
もよい。光源および光センサーは，ウエハ上の，ノッチやフラットのような指標
を検出するように配置される。光ビームと，表面に対する法線との間の角度は，
種々の材料のウエアおよび製造較差に順応するように，65度に等しいか，または
それよりも大きくすることができる。
【００１０】
光センサーは，線形センサーからなるものもでもよい。線形センサーの長さ方
向は好適に，回転中心に関して，放射状に向く。光源はまた平行化された光ビー
ムをワークピースの表面に向けるための光学系を含んでもよい。光学系はワーク
ピースの表面に向けられた矩形のビームを発生することができ，その矩形のビー
ムの長さ方向は回転中心に関し放射方向に向く。
向は好適に，回転中心に関して，放射状に向く。光源はまた平行化された光ビー
ムをワークピースの表面に向けるための光学系を含んでもよい。光学系はワーク
ピースの表面に向けられた矩形のビームを発生することができ，その矩形のビー
ムの長さ方向は回転中心に関し放射方向に向く。
【００１１】
本発明の他の実施例にしたがって，ほぼディスク形状のワークピースの縁を検
出する方法が提供される。その方法は，光ビームの第一の部分がワークピースを
通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮蔽されるように，ワー
クピースの表面近くに，光ビームを向ける工程を含む。光ビームと，その表面に
対する法線との間の角度がワークピース内で，光ビームの全内反射を形成する臨
界角度に等しいか，または大きい。その方法はさらにワークピースを回転させる
工程，光ビームの第一の部分を検知する工程，およびワークピースが回転すると
きに，ワークピースの縁を表示する縁信号を発生する工程を含む。
出する方法が提供される。その方法は，光ビームの第一の部分がワークピースを
通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮蔽されるように，ワー
クピースの表面近くに，光ビームを向ける工程を含む。光ビームと，その表面に
対する法線との間の角度がワークピース内で，光ビームの全内反射を形成する臨
界角度に等しいか，または大きい。その方法はさらにワークピースを回転させる
工程，光ビームの第一の部分を検知する工程，およびワークピースが回転すると
きに，ワークピースの縁を表示する縁信号を発生する工程を含む。
【００１２】
詳細な説明
本発明を組み込むのに適したウエハ移送装置の例が図１に示されている。ウエ
ハ移送装置は，イオン注入器のためのエンドステーションであってもよく，どの
タイプの処理または処置システムに対しても，ウエハを処理ステーションに移送
するために使用できる。つまり，装置はつぎの通りに作動する。カセットホルダ
ー10（それぞれは複数のウエハ12を保持する）が，カセットロック14，16，18に
置かれる。カセットロック14，16，18は排気され，カセットホルダー10は排気さ
れたエレベータ室へと下降する。ウエハは，連接ウエハ移送アーム22により，一
度に一つ，カセットホルダー10から取り出され，移送真空室24内のウエハ方向ス
テーション26に移動される。ウエハの位置および方向は，ウエハ方向センサー34
により，ステーション26で検知される。ウエハの角度方向は，ステーション26に
おいて必要なとき，変えることができる。アーム22はX軸線にそって伸長し，ウ
エハは処理システムの処理ステーション28に移送される。ウエハをステーション
28に配置するとき，ステーション26において検知された位置エラーが変位を補償
することにより除去され得る。ステーション28において，リフトピン30がウエハ
を移送アーム22から移すために設けられている。
ハ移送装置は，イオン注入器のためのエンドステーションであってもよく，どの
タイプの処理または処置システムに対しても，ウエハを処理ステーションに移送
するために使用できる。つまり，装置はつぎの通りに作動する。カセットホルダ
ー10（それぞれは複数のウエハ12を保持する）が，カセットロック14，16，18に
置かれる。カセットロック14，16，18は排気され，カセットホルダー10は排気さ
れたエレベータ室へと下降する。ウエハは，連接ウエハ移送アーム22により，一
度に一つ，カセットホルダー10から取り出され，移送真空室24内のウエハ方向ス
テーション26に移動される。ウエハの位置および方向は，ウエハ方向センサー34
により，ステーション26で検知される。ウエハの角度方向は，ステーション26に
おいて必要なとき，変えることができる。アーム22はX軸線にそって伸長し，ウ
エハは処理システムの処理ステーション28に移送される。ウエハをステーション
28に配置するとき，ステーション26において検知された位置エラーが変位を補償
することにより除去され得る。ステーション28において，リフトピン30がウエハ
を移送アーム22から移すために設けられている。
【００１３】
処理後，移送アーム22は，方向ステーション26を使用することなく，ウエハを
カセットホルダー10に戻す。ウエハが外側カセットロック14，18のいずれかから
移送されると，移送アーム22は，駆動組立体40により，Y軸線にそって各カセッ
トロックへと移動する。ウエハはカセットから取り出され，移送アームは，中央
の位置に戻り，アームはステーション28へと伸長する。図１の実施例のおいて，
処理ステーション28はバッチタイプのイオン注入器に複数のウエハを配置するた
めにディスク上47に位置する。ウエハはディスクの周囲付近に，ウエハ移送装置
により一度に一つ，配置される。ウエハのロードおよびアンロードの間，ディス
クは，次第に回転し始め，ディスク上の各ウエハ配置サイトがウエハ移送装置に
対して与えられる。
カセットホルダー10に戻す。ウエハが外側カセットロック14，18のいずれかから
移送されると，移送アーム22は，駆動組立体40により，Y軸線にそって各カセッ
トロックへと移動する。ウエハはカセットから取り出され，移送アームは，中央
の位置に戻り，アームはステーション28へと伸長する。図１の実施例のおいて，
処理ステーション28はバッチタイプのイオン注入器に複数のウエハを配置するた
めにディスク上47に位置する。ウエハはディスクの周囲付近に，ウエハ移送装置
により一度に一つ，配置される。ウエハのロードおよびアンロードの間，ディス
クは，次第に回転し始め，ディスク上の各ウエハ配置サイトがウエハ移送装置に
対して与えられる。
【００１４】
図２および図３において，方向ステーション26および方向センサー34の略示側
面図および平面図がそれぞれ示されている。方向ステーション26において，ウエ
ハ12は，シャフト52によりモータ54に連結された支持台座50上に配置される。モ
ータ54が稼動すると，台座50およびウエハ12は軸線56の回りで回転する。図３に
示されているように，回転の軸線56は，ウエハ12が好適に，支持台座50の中心に
位置しない場合，ウエハ12の中心58からずれている。台座50は方向付けのために
，搬送アーム22の開口部60（図１）を通って上方に伸長し，方向付けが完了した
とき，開口部60を通って引っ込む。
面図および平面図がそれぞれ示されている。方向ステーション26において，ウエ
ハ12は，シャフト52によりモータ54に連結された支持台座50上に配置される。モ
ータ54が稼動すると，台座50およびウエハ12は軸線56の回りで回転する。図３に
示されているように，回転の軸線56は，ウエハ12が好適に，支持台座50の中心に
位置しない場合，ウエハ12の中心58からずれている。台座50は方向付けのために
，搬送アーム22の開口部60（図１）を通って上方に伸長し，方向付けが完了した
とき，開口部60を通って引っ込む。
【００１５】
ウエハ方向センサー34は光源100および光センサー102を含む。光源100は5°以
内に平行化される光ビーム110を生成する。光ビーム110は，ウエハ12の表面に対
する法線114に対する角度θで，ウエハ12の縁に向けられる。以下で説明するが
，角度θは，ウエハ12で，光ビームの全内反射が起こる臨界角に等しいか，また
はそれより大きい。しかし，ウエハ12により遮断される光ビーム110の一部が，
光ビーム110の波長範囲においてウエハが透明とはなってはいるが，阻止される
。
内に平行化される光ビーム110を生成する。光ビーム110は，ウエハ12の表面に対
する法線114に対する角度θで，ウエハ12の縁に向けられる。以下で説明するが
，角度θは，ウエハ12で，光ビームの全内反射が起こる臨界角に等しいか，また
はそれより大きい。しかし，ウエハ12により遮断される光ビーム110の一部が，
光ビーム110の波長範囲においてウエハが透明とはなってはいるが，阻止される
。
【００１６】
図２および３の例において，光源100はウエハ12に下方で，放射方向外側に配
置され，光ビーム110は角度θでウエハ12の下面に向けられる。さらに，光源100
は，光ビームの第一の部分がウエハ12の縁を通り越し，光ビームの第二の部分が
ウエハ12に遮断されるように配置される。縁112の位置が，ウエハ上の指標のた
め，および回転軸線56に対するウエハの中心58のずれのために，変化することか
ら，光ビーム110は，縁112の想定位置の範囲を越えて，縁112により一部が阻止
されるように十分な幅をもつべきである。光ビーム110が一つの極端な例として
，ウエハ12により全体的に阻止され，または他の極端な例として，ウエハ12上に
入射しないとき，方向センサーはウエハの縁の位置を決定することができない。
置され，光ビーム110は角度θでウエハ12の下面に向けられる。さらに，光源100
は，光ビームの第一の部分がウエハ12の縁を通り越し，光ビームの第二の部分が
ウエハ12に遮断されるように配置される。縁112の位置が，ウエハ上の指標のた
め，および回転軸線56に対するウエハの中心58のずれのために，変化することか
ら，光ビーム110は，縁112の想定位置の範囲を越えて，縁112により一部が阻止
されるように十分な幅をもつべきである。光ビーム110が一つの極端な例として
，ウエハ12により全体的に阻止され，または他の極端な例として，ウエハ12上に
入射しないとき，方向センサーはウエハの縁の位置を決定することができない。
【００１７】
光センサー102はウエハ12の上方で，光ビーム110と整合するように配置される
。ウエハ12を通り越した光ビーム110は，センサー102に入射するが，ウエハ12に
より遮断された光ビーム110の第二の部分はセンサー102に入射しない。図３に示
されているように，センサー102は矩形の検知領域をもち，その矩形の検知領域
の長手方向の寸法は回転軸船56に関して放射方向に向いている。光センサー102
は，光ビーム110を受信する検知領域部分が増加するときに，増加する縁信号を
生成する。図３に示されているように，光ビーム110の第一の部分110aはセンサ
ー102に入射し，光ビーム110の第二の部分110bはウエハ12により阻止される。光
ビーム110およびセンサー102に対する縁112の位置は，回転軸線56のまわりでの
ウエハ12の回転の間，ノッチ120のような指標およびウエハの偏心の結果，変化
する。これにより，ウエハ12により阻止された光ビーム112の部分が変化する。
すなわち，第一の部分110aおよび第二の部分110bの相対的な割合が変化し，縁信
号の変化（ウエハの位置および方向を示す）が生じる。図２において，光源100
およびセンサー102は本発明の範囲内で種々に配置される。たとえば，光源100は
ウエハ12の上方でかつ放射方向外側に配置され，センサー102はウエハ12に下方
に配置されてもよい。このような場合，光ビーム110は，臨界角に等しいか，そ
れより大きい，法線114に対する角度θで，ウエハ12の面に向けられる。さらに
，光ビーム110は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，センサー
により遮断され，光ビームの第二の部分がウエハにより遮断されるように，位置
付けられる。
。ウエハ12を通り越した光ビーム110は，センサー102に入射するが，ウエハ12に
より遮断された光ビーム110の第二の部分はセンサー102に入射しない。図３に示
されているように，センサー102は矩形の検知領域をもち，その矩形の検知領域
の長手方向の寸法は回転軸船56に関して放射方向に向いている。光センサー102
は，光ビーム110を受信する検知領域部分が増加するときに，増加する縁信号を
生成する。図３に示されているように，光ビーム110の第一の部分110aはセンサ
ー102に入射し，光ビーム110の第二の部分110bはウエハ12により阻止される。光
ビーム110およびセンサー102に対する縁112の位置は，回転軸線56のまわりでの
ウエハ12の回転の間，ノッチ120のような指標およびウエハの偏心の結果，変化
する。これにより，ウエハ12により阻止された光ビーム112の部分が変化する。
すなわち，第一の部分110aおよび第二の部分110bの相対的な割合が変化し，縁信
号の変化（ウエハの位置および方向を示す）が生じる。図２において，光源100
およびセンサー102は本発明の範囲内で種々に配置される。たとえば，光源100は
ウエハ12の上方でかつ放射方向外側に配置され，センサー102はウエハ12に下方
に配置されてもよい。このような場合，光ビーム110は，臨界角に等しいか，そ
れより大きい，法線114に対する角度θで，ウエハ12の面に向けられる。さらに
，光ビーム110は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，センサー
により遮断され，光ビームの第二の部分がウエハにより遮断されるように，位置
付けられる。
【００１８】
上記したように，光ビーム110は，ウエハ内で光ビームの全内反射を起こす臨
界角に等しいかまたはそれより大きな，ウエハ12の面の法線114に対する角度θ
でウエハ12に向けられている。この技術において知られているように臨界角は次
のように定義される。 Ic＝arc sin(N1/N2) （1） Icは表面の法線に対する臨界角で，N1はより低い屈折率をもつ材料の屈折率で，
N2はより高い屈折率をもつ材料の屈折率である。空気―ガラス面に対する臨界角
は，ガラスの屈折率が1.5のとき，約42度の値をもつ。好適的実施例において，
角θは，石英，シリコン，サファイアおよびガラスウエハで，全反射が生じるよ
うに約65度に等しいか，またはそれより大きい。種々の角度がウエハの材料によ
って使用できることは理解されよう。角θは，上記式（1）により定義された臨
界角に等しいか，またはそれより大きくなるように選択される。このことにより
，ウエア12は，光ビーム110の波長範囲で透明，または部分的に透明であるが，
ウエハ12に入射した光ビーム110の一部が確実に阻止される。
界角に等しいかまたはそれより大きな，ウエハ12の面の法線114に対する角度θ
でウエハ12に向けられている。この技術において知られているように臨界角は次
のように定義される。 Ic＝arc sin(N1/N2) （1） Icは表面の法線に対する臨界角で，N1はより低い屈折率をもつ材料の屈折率で，
N2はより高い屈折率をもつ材料の屈折率である。空気―ガラス面に対する臨界角
は，ガラスの屈折率が1.5のとき，約42度の値をもつ。好適的実施例において，
角θは，石英，シリコン，サファイアおよびガラスウエハで，全反射が生じるよ
うに約65度に等しいか，またはそれより大きい。種々の角度がウエハの材料によ
って使用できることは理解されよう。角θは，上記式（1）により定義された臨
界角に等しいか，またはそれより大きくなるように選択される。このことにより
，ウエア12は，光ビーム110の波長範囲で透明，または部分的に透明であるが，
ウエハ12に入射した光ビーム110の一部が確実に阻止される。
【００１９】
臨界角は，透過光がより高い屈折率の媒体と，より低い屈折率の媒体との間の
境界（光がより高い屈折率側から境界に入射する）に接するところの角度である
。臨界角ないしそれより大きい角度では，より高い屈折率の媒体から通過する透
過光はない。このことは，ウエハがセンサーに対して，ウエハの反対側の面に光
が存在しないことから，不透明となる。
境界（光がより高い屈折率側から境界に入射する）に接するところの角度である
。臨界角ないしそれより大きい角度では，より高い屈折率の媒体から通過する透
過光はない。このことは，ウエハがセンサーに対して，ウエハの反対側の面に光
が存在しないことから，不透明となる。
【００２０】
半導体ウエハおよび基板はすべて，そのウエハが面する空気または真空より高
い濃度（より高い屈折率）をもつ。石英およびサファイアを含む，基板およびウ
エハの屈折率は典型的に，1.5よりも高い。全内反射を確実にするために，法線1
14に対して約65度で，ウエハに光が透過する。この光は，法線114に関して約48
度でウエハを通過する。光は，ウエハの反対側に達すると，ウエハの面に平行に
なり，またはウエハ内に戻り，その結果光はウエハを透過しない。
い濃度（より高い屈折率）をもつ。石英およびサファイアを含む，基板およびウ
エハの屈折率は典型的に，1.5よりも高い。全内反射を確実にするために，法線1
14に対して約65度で，ウエハに光が透過する。この光は，法線114に関して約48
度でウエハを通過する。光は，ウエハの反対側に達すると，ウエハの面に平行に
なり，またはウエハ内に戻り，その結果光はウエハを透過しない。
【００２１】
ウエハ方向センサー34の導入例が図４および図５に示されている。光源100は
，ライト・エミッション・ダイオード（LED）140，偏光器142，レンズ144および
ミラー146を含む。レンズ144は平凸円筒状レンズであってもよく，ミラー146は
，金または銀の反射面148をもつ60度オフセットした放物面鏡であってもよい。L
ED140は880ナノメートルの波長，および30度の光パターンをもつ，一つの高強度
ライト・エミッション・ダイオードであってもよく，制御された電流源（図５）
より駆動され得る。光学系はアナモフィックなもので，光を断面が矩形のビーム
に作り直し，平行にするものである。平行になった光ビームは，65度の，法線11
4に関する角度θで，ウエハ12に向けられる。LED140の出力は偏光器142と，つぎ
に円筒状レンズ144を通過する。これにより，偏光した光はファン形状のビーム
となる。ファン形状のビームはつぎに，放物面鏡146により反射し，断面が矩形
のビームに平行化される。光学系は，高い光学的効率で光を平行化する。
，ライト・エミッション・ダイオード（LED）140，偏光器142，レンズ144および
ミラー146を含む。レンズ144は平凸円筒状レンズであってもよく，ミラー146は
，金または銀の反射面148をもつ60度オフセットした放物面鏡であってもよい。L
ED140は880ナノメートルの波長，および30度の光パターンをもつ，一つの高強度
ライト・エミッション・ダイオードであってもよく，制御された電流源（図５）
より駆動され得る。光学系はアナモフィックなもので，光を断面が矩形のビーム
に作り直し，平行にするものである。平行になった光ビームは，65度の，法線11
4に関する角度θで，ウエハ12に向けられる。LED140の出力は偏光器142と，つぎ
に円筒状レンズ144を通過する。これにより，偏光した光はファン形状のビーム
となる。ファン形状のビームはつぎに，放物面鏡146により反射し，断面が矩形
のビームに平行化される。光学系は，高い光学的効率で光を平行化する。
【００２２】
たとえば，LED140は，金属ベースのTO−18パッケージであってもよい。LEDの
取り付け台は，LEDを所定の位置に整合して保持し，熱シンクとして機能する，
機械削りされたアルミニウム製ブロックであってもよい。取り付け台（図示せず
）はプリント回路ボード150に取り付けられている。レンズは，8mmの焦点距離を
もつ5mm×10mmのものであってもよい。レンズ144の焦点はLED140に合っている。
偏光器142のストリップがレンズ144の平坦部分上に位置する。偏光の線はウエハ
の平面に関して垂直である。これにより，ウエハ面からの浅い反射角の効果が減
少する。ミラー146は，レンズ144およびLED140の下方に取り付けられる。ミラー
146の焦点はLED140に合っている。
取り付け台は，LEDを所定の位置に整合して保持し，熱シンクとして機能する，
機械削りされたアルミニウム製ブロックであってもよい。取り付け台（図示せず
）はプリント回路ボード150に取り付けられている。レンズは，8mmの焦点距離を
もつ5mm×10mmのものであってもよい。レンズ144の焦点はLED140に合っている。
偏光器142のストリップがレンズ144の平坦部分上に位置する。偏光の線はウエハ
の平面に関して垂直である。これにより，ウエハ面からの浅い反射角の効果が減
少する。ミラー146は，レンズ144およびLED140の下方に取り付けられる。ミラー
146の焦点はLED140に合っている。
【００２３】
光センサー102は，1mm×37mmの検知領域をもつデュアル・フォトダイオードで
あってもよい。センサーは気密密封され，組み込み赤外線フィルターを有する。
フィルターは，制御された一酸化ケイ素の層であってもよく，この層は光学的に
赤外線を透過する。フィルターにより，LED140からの赤外線は通過できるが，可
視光は遮断する。センサー102はプリント回路ボード150に取り付けられ得る。セ
ンサー102の出力は，検知回路154（図５）（当業者には知られた増幅および処理
回路を含み得る）に適用される。
あってもよい。センサーは気密密封され，組み込み赤外線フィルターを有する。
フィルターは，制御された一酸化ケイ素の層であってもよく，この層は光学的に
赤外線を透過する。フィルターにより，LED140からの赤外線は通過できるが，可
視光は遮断する。センサー102はプリント回路ボード150に取り付けられ得る。セ
ンサー102の出力は，検知回路154（図５）（当業者には知られた増幅および処理
回路を含み得る）に適用される。
【００２４】
モニター・フォトダイオード170が測定領域の外で，センサー102に隣接して配
置されてもよい。フォトダイオード170はまた，組み込み赤外線フィルターを含
むことができる。フォトダイオード170の出力は，光源からの光強度を検知し，L
ED140に適用される電流を調節するために使用される。図５に示されているよう
に，モニター・フォトダイオード170および強度基準デジタル−アナログコンバ
ータ172が強度調整器回路174の入力に結合される。強度調整器回路174は制御さ
れた電流を，LED140に供給する。
置されてもよい。フォトダイオード170はまた，組み込み赤外線フィルターを含
むことができる。フォトダイオード170の出力は，光源からの光強度を検知し，L
ED140に適用される電流を調節するために使用される。図５に示されているよう
に，モニター・フォトダイオード170および強度基準デジタル−アナログコンバ
ータ172が強度調整器回路174の入力に結合される。強度調整器回路174は制御さ
れた電流を，LED140に供給する。
【００２５】
時間の関数となる，ウエハ方向センサーからのエッジ信号のグラフが図６に示
されている。エッジ信号は，ウエハが軸線56（図２）の回りで回転するときに，
時間とともに変化する。波形200が仕上げられたエッジをもつ，ノッチのある石
英ウエハからのエッジ信号を表す。波形200の，粗い正弦形は，回転軸線56に関
するウエハの偏心を示す。波形200の振幅を，回転軸線56に関する角度の関数で
解析することにより，回転軸線56に関するオフセットのXおよびY成分が決定され
得る。指標ノッチ120（図３）はスパイク210として，波形において明確に分かり
，これによりウエハ12の角度方向（angular orientation）が示される。波形200
は，モータ54の出力シャフトに取り付けられたシャフトエンコーダを使用するこ
とにより，回転軸線56の回りの，ウエハ12の回転と相互に関連付けられ得る。
されている。エッジ信号は，ウエハが軸線56（図２）の回りで回転するときに，
時間とともに変化する。波形200が仕上げられたエッジをもつ，ノッチのある石
英ウエハからのエッジ信号を表す。波形200の，粗い正弦形は，回転軸線56に関
するウエハの偏心を示す。波形200の振幅を，回転軸線56に関する角度の関数で
解析することにより，回転軸線56に関するオフセットのXおよびY成分が決定され
得る。指標ノッチ120（図３）はスパイク210として，波形において明確に分かり
，これによりウエハ12の角度方向（angular orientation）が示される。波形200
は，モータ54の出力シャフトに取り付けられたシャフトエンコーダを使用するこ
とにより，回転軸線56の回りの，ウエハ12の回転と相互に関連付けられ得る。
【００２６】
時間と関数となる，ウエハ方向センサーのエッジ信号のグラフが図７に示され
ている。波形300は，仕上げられていないエッジをもつ，ノッチのあるガラスウ
エハに対する信号を示す。ほぼ正弦波形の波形300に重ね合わされたノイズは，
ウエハの粗いエッジを示し，ノッチはスパイク310により示される。
ている。波形300は，仕上げられていないエッジをもつ，ノッチのあるガラスウ
エハに対する信号を示す。ほぼ正弦波形の波形300に重ね合わされたノイズは，
ウエハの粗いエッジを示し，ノッチはスパイク310により示される。
【００２７】
上述したように，ウエハの角度方向および偏心は，ウエハ方向センサーにより
生じたエッジ信号から決定される。決定された値は次に，ウエハの角度方向およ
び位置を補正するために使用される。特に，角度方向は，方向ステーション26か
らプロセスステーション28（図１）に移送されるときに，支持台座50上で回転軸
線56のまわりにウエハ12を回転させることにより補正され得る。位置エラーは，
変位を補償することにより除去することができる。
生じたエッジ信号から決定される。決定された値は次に，ウエハの角度方向およ
び位置を補正するために使用される。特に，角度方向は，方向ステーション26か
らプロセスステーション28（図１）に移送されるときに，支持台座50上で回転軸
線56のまわりにウエハ12を回転させることにより補正され得る。位置エラーは，
変位を補償することにより除去することができる。
【００２８】
本発明のウエハ方向センサーは，限定するわけではないが石英，シリコン，サ
ファイアおよびガラスを含む種々の材料の半導体ウエハの指標および位置エラー
を検出する。方向センサーは半導体ウエハのノッチ，またはフラットという指標
を検出する。エッジ信号はすべてのウエハタイプに対して同じようになる。した
がって，石英テストウエハおよび製品シリコンウエハのような，いろいろなタイ
プのウエハは，同じプロセスサイクルにおいて混合することができる。
ファイアおよびガラスを含む種々の材料の半導体ウエハの指標および位置エラー
を検出する。方向センサーは半導体ウエハのノッチ，またはフラットという指標
を検出する。エッジ信号はすべてのウエハタイプに対して同じようになる。した
がって，石英テストウエハおよび製品シリコンウエハのような，いろいろなタイ
プのウエハは，同じプロセスサイクルにおいて混合することができる。
【００２９】
このように，本発明の好適な実施例をもって説明し，図示してきたが，当業者
であれば，特許請求の範囲により画成される発明の範囲から逸脱することなく，
種々の変更，修正をなし得ること明白である。
であれば，特許請求の範囲により画成される発明の範囲から逸脱することなく，
種々の変更，修正をなし得ること明白である。
【図１】
図１は，本発明にしたがった，ウエハ方向センサーを組み込むウエハ移送装置
の実施例の略示平面図である。
の実施例の略示平面図である。
【図２】
図２は，ウエハ方向センサーの略示側面図である。
【図３】
図３は，図２のウエハ方向センサーの略示平面図である。
【図４】
図４は，本発明のウエハ方向センサーの実施例の略示側面図である。
【図５】
図５は，図４のウエハ方向センサーに使用される回路の略示ブロック図である
。
。
【図６】
図６は，仕上げされた端部を含むノッチのあるウエハに対する縁信号を，時間
の関数で示したグラフである。
の関数で示したグラフである。
【図７】
図７は，仕上げされていない端部を含むノッチのあるガラスウエハの縁信号を
，時間の関数で示したグラフである。
，時間の関数で示したグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１月２１日（２００２．１．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
発明の分野
本発明は半導体ウエハのようなディスク形状のワークピースのための方向セン
サーに関し，特に石英ウエハを含む，種々のタイプのウエハの方向を検知するこ
とができるウエハ方向センサーに関する。
サーに関し，特に石英ウエハを含む，種々のタイプのウエハの方向を検知するこ
とができるウエハ方向センサーに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
イオン注入システムは，通常は，ガスまたは固定材料を，よく定義されたビー
ム内に変換するためのイオン源を含む。イオンビームは分析され，不所望のイオ
ン種を除去し，所望のエネルギーをもつまで加速され，ターゲット面に向けられ
る。ビームは，ビーム走査により，ターゲット移動により，またはビーム走査と
ターゲット移動の組み合わせにより，ターゲット領域にわたって分布される。従
前の一つのアプローチにおいて，半導体ウエハはディスクの周囲近くに配置され
る。ディスクはその中心軸の回りで回転し，半導体ウエハにわたってイオンビー
ムを分布するために，イオンビームに関して移動させられる。イオン注入機は典
型的に，ウエアをイオン注入機に導入し，注入後ウエハを取り除くための自動ウ
エハハンドリング装置をもつエンドステーションを含む。
ム内に変換するためのイオン源を含む。イオンビームは分析され，不所望のイオ
ン種を除去し，所望のエネルギーをもつまで加速され，ターゲット面に向けられ
る。ビームは，ビーム走査により，ターゲット移動により，またはビーム走査と
ターゲット移動の組み合わせにより，ターゲット領域にわたって分布される。従
前の一つのアプローチにおいて，半導体ウエハはディスクの周囲近くに配置され
る。ディスクはその中心軸の回りで回転し，半導体ウエハにわたってイオンビー
ムを分布するために，イオンビームに関して移動させられる。イオン注入機は典
型的に，ウエアをイオン注入機に導入し，注入後ウエハを取り除くための自動ウ
エハハンドリング装置をもつエンドステーションを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ウエハ方向器（orienter）を組み込むウエハ移送システムが，Hertelらによる
，1989年6月6日に発行した米国特許第4,836,733号に開示されている。ウエハが
方向器のチャック上に配置され，回転させられる。方向センサーがウエハのエッ ジ の下方に位置する光源と光源に整合した，ウエハのエッジの上方に位置する太
陽電池とを含む。光源からの光ビームはウエハ面に対し垂直に向けられている。
ウエハは光源の一部が，太陽電池に到達するのを妨げる。太陽電池からの信号出
力は，ウエハの偏心，およびフラットまたはノッチのような指標を表す。方向セ
ンサーからの信号に基づき，偏心および回転向きが補正され得る。ウエハ整合器
（aligner）もまたNiewmierzyckiによる，1995年9月26日に発行された米国特許
第5,45,521号，Volovichによる1993年8月24日に発行された米国特許第5,238,354
号，およびPhillipsによる1982年8月24日に発行された米国特許第4,345,836号に
開示されている。
，1989年6月6日に発行した米国特許第4,836,733号に開示されている。ウエハが
方向器のチャック上に配置され，回転させられる。方向センサーがウエハのエッ ジ の下方に位置する光源と光源に整合した，ウエハのエッジの上方に位置する太
陽電池とを含む。光源からの光ビームはウエハ面に対し垂直に向けられている。
ウエハは光源の一部が，太陽電池に到達するのを妨げる。太陽電池からの信号出
力は，ウエハの偏心，およびフラットまたはノッチのような指標を表す。方向セ
ンサーからの信号に基づき，偏心および回転向きが補正され得る。ウエハ整合器
（aligner）もまたNiewmierzyckiによる，1995年9月26日に発行された米国特許
第5,45,521号，Volovichによる1993年8月24日に発行された米国特許第5,238,354
号，およびPhillipsによる1982年8月24日に発行された米国特許第4,345,836号に
開示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来技術のウエハ方向センサーは一般的に，在来のシリコンウエハに対しては
満足に行く結果をもたらす。しかし，ある場合には，イオン注入器は，指標とし
てノッチまたはフラットをもつ，石英，サファイアおよびガラス（これに限定す
るものではないが）を含む種々の材料のウエハについても機能するように要求さ
れている。たとえば，石英ウエハは，イオン注入器での不一様性および不純物量
をテストするために利用される。在来の光学的方向センサーは石英ウエハのエッ ジ を検出することができない。その理由は，光源からの光ビームは透明な石英ウ
エハのためにその通過を遮断されず，そのウエハは，センサーにとっていわば見
ることがほとんどできないものであるからである。
満足に行く結果をもたらす。しかし，ある場合には，イオン注入器は，指標とし
てノッチまたはフラットをもつ，石英，サファイアおよびガラス（これに限定す
るものではないが）を含む種々の材料のウエハについても機能するように要求さ
れている。たとえば，石英ウエハは，イオン注入器での不一様性および不純物量
をテストするために利用される。在来の光学的方向センサーは石英ウエハのエッ ジ を検出することができない。その理由は，光源からの光ビームは透明な石英ウ
エハのためにその通過を遮断されず，そのウエハは，センサーにとっていわば見
ることがほとんどできないものであるからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで，透明な材料を含む，種々の材料のウエハのエッジを検出することがで
きる，改良されたウエハ方向センサーの需要がある。
きる，改良されたウエハ方向センサーの需要がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
発明の要旨
本発明の第一の態様にしたがって，ほぼディスク形状のワークピースのエッジ
の検出装置を提供する。装置は，光ビームの第一部がワークピースを通り越し，
光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，光ビームを，ワ
ークピースの表面のエッジ付近に向けるように配置される光源を含む。光ビーム
と表面に対する法線との間の角度が，ワークピース内で全内反射をする臨界角に
等しいか，それ以上射となる。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，
光ビームの第一の部分を検出し，ワークピースが回転しているときに，ワークピ
ースのエッジを標示するエッジ信号を発生するために配置された光センサーを含
む。装置は，光ビームに透明なものを含む，種々の材料の半導体ウエハの方向お
よび位置を検出するために使用することができる。
光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，光ビームを，ワ
ークピースの表面のエッジ付近に向けるように配置される光源を含む。光ビーム
と表面に対する法線との間の角度が，ワークピース内で全内反射をする臨界角に
等しいか，それ以上射となる。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，
光ビームの第一の部分を検出し，ワークピースが回転しているときに，ワークピ
ースのエッジを標示するエッジ信号を発生するために配置された光センサーを含
む。装置は，光ビームに透明なものを含む，種々の材料の半導体ウエハの方向お
よび位置を検出するために使用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
光センサーは，線形センサーからなるものでもよい。線形センサーの長さ方向
は好適に，回転中心に関して，放射状に向く。光源はまた平行化された光ビーム
をワークピースの表面に向けるための光学系を含んでもよい。光学系はワークピ
ースの表面に向けられた矩形のビームを発生することができ，その矩形のビーム
の長さ方向は回転中心に関し放射方向に向く。
は好適に，回転中心に関して，放射状に向く。光源はまた平行化された光ビーム
をワークピースの表面に向けるための光学系を含んでもよい。光学系はワークピ
ースの表面に向けられた矩形のビームを発生することができ，その矩形のビーム
の長さ方向は回転中心に関し放射方向に向く。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の実施例にしたがって，ほぼディスク形状のワークピースのエッジ
を検出する方法が提供される。その方法は，光ビームの第一の部分がワークピー
スを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮蔽されるように，
ワークピースの表面近くに，光ビームを向ける工程を含む。光ビームと，その表
面に対する法線との間の角度がワークピース内で，光ビームの全内反射を形成す
る臨界角度に等しいか，または大きい。その方法はさらにワークピースを回転さ
せる工程，光ビームの第一の部分を検知する工程，およびワークピースが回転す
るときに，ワークピースのエッジを表示するエッジ信号を発生する工程を含む。
スを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮蔽されるように，
ワークピースの表面近くに，光ビームを向ける工程を含む。光ビームと，その表
面に対する法線との間の角度がワークピース内で，光ビームの全内反射を形成す
る臨界角度に等しいか，または大きい。その方法はさらにワークピースを回転さ
せる工程，光ビームの第一の部分を検知する工程，およびワークピースが回転す
るときに，ワークピースのエッジを表示するエッジ信号を発生する工程を含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
処理後，移送アーム22は，方向ステーション26を使用することなく，ウエハを
カセットホルダー10に戻す。ウエハが外側カセットロック14，18のいずれかから
移送されると，移送アーム22は，駆動組立体40により，Y軸線にそって各カセッ
トロックへと移動する。ウエハはカセットから取り出され，移送アームは，中央
の位置に戻り，アームはステーション28へと伸長する。図１の実施例のおいて，
処理ステーション28はバッチタイプのイオン注入機に複数のウエハを配置するた
めにディスク上47に位置する。ウエハはディスクの周囲付近に，ウエハ移送装置
により一度に一つ，配置される。ウエハのロードおよびアンロードの間，ディス
クは，次第に回転し始め，ディスク上の各ウエハ配置サイトがウエハ移送装置に
対して与えられる。
カセットホルダー10に戻す。ウエハが外側カセットロック14，18のいずれかから
移送されると，移送アーム22は，駆動組立体40により，Y軸線にそって各カセッ
トロックへと移動する。ウエハはカセットから取り出され，移送アームは，中央
の位置に戻り，アームはステーション28へと伸長する。図１の実施例のおいて，
処理ステーション28はバッチタイプのイオン注入機に複数のウエハを配置するた
めにディスク上47に位置する。ウエハはディスクの周囲付近に，ウエハ移送装置
により一度に一つ，配置される。ウエハのロードおよびアンロードの間，ディス
クは，次第に回転し始め，ディスク上の各ウエハ配置サイトがウエハ移送装置に
対して与えられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ウエハ方向センサー34は光源100および光センサー102を含む。光源100は5°以
内に平行化される光ビーム110を生成する。光ビーム110は，ウエハ12の表面に対
する法線114に対する角度θで，ウエハ12のエッジに向けられる。以下で説明す
るが，角度θは，ウエハ12で，光ビームの全内反射が起こる臨界角に等しいか，
またはそれより大きい。しかし，ウエハ12により遮断される光ビーム110の一部
が，光ビーム110の波長範囲においてウエハが透明とはなってはいるが，阻止さ
れる。
内に平行化される光ビーム110を生成する。光ビーム110は，ウエハ12の表面に対
する法線114に対する角度θで，ウエハ12のエッジに向けられる。以下で説明す
るが，角度θは，ウエハ12で，光ビームの全内反射が起こる臨界角に等しいか，
またはそれより大きい。しかし，ウエハ12により遮断される光ビーム110の一部
が，光ビーム110の波長範囲においてウエハが透明とはなってはいるが，阻止さ
れる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２および３の例において，光源100はウエハ12に下方で，放射方向外側に配
置され，光ビーム110は角度θでウエハ12の下面に向けられる。さらに，光源100
は，光ビームの第一の部分がウエハ12のエッジを通り越し，光ビームの第二の部
分がウエハ12に遮断されるように配置される。エッジ112の位置が，ウエハ上の
指標のため，および回転軸線56に対するウエハの中心58のずれのために，変化す
ることから，光ビーム110は，エッジ112の想定位置の範囲を越えて，エッジ112
により一部が阻止されるように十分な幅をもつべきである。光ビーム110が一つ
の極端な例として，ウエハ12により全体的に阻止され，または他の極端な例とし
て，ウエハ12上に入射しないとき，方向センサーはウエハのエッジの位置を決定
することができない。
置され，光ビーム110は角度θでウエハ12の下面に向けられる。さらに，光源100
は，光ビームの第一の部分がウエハ12のエッジを通り越し，光ビームの第二の部
分がウエハ12に遮断されるように配置される。エッジ112の位置が，ウエハ上の
指標のため，および回転軸線56に対するウエハの中心58のずれのために，変化す
ることから，光ビーム110は，エッジ112の想定位置の範囲を越えて，エッジ112
により一部が阻止されるように十分な幅をもつべきである。光ビーム110が一つ
の極端な例として，ウエハ12により全体的に阻止され，または他の極端な例とし
て，ウエハ12上に入射しないとき，方向センサーはウエハのエッジの位置を決定
することができない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
光センサー102はウエハ12の上方で，光ビーム110と整合するように配置される
。ウエハ12を通り越した光ビーム110は，センサー102に入射するが，ウエハ12に
より遮断された光ビーム110の第二の部分はセンサー102に入射しない。図３に示
されているように，センサー102は矩形の検知領域をもち，その矩形の検知領域
の長手方向の寸法は回転軸船56に関して放射方向に向いている。光センサー102
は，光ビーム110を受信する検知領域部分が増加するときに，増加するエッジ信
号を生成する。図３に示されているように，光ビーム110の第一の部分110aはセ
ンサー102に入射し，光ビーム110の第二の部分110bはウエハ12により阻止される
。光ビーム110およびセンサー102に対するエッジ112の位置は，回転軸線56のま
わりでのウエハ12の回転の間，ノッチ120のような指標およびウエハの偏心の結
果，変化する。これにより，ウエハ12により阻止された光ビーム112の部分が変
化する。すなわち，第一の部分110aおよび第二の部分110bの相対的な割合が変化
し，エッジ信号の変化（ウエハの位置および方向を示す）が生じる。図２におい
て，光源100およびセンサー102は本発明の範囲内で種々に配置される。たとえば
，光源100はウエハ12の上方でかつ放射方向外側に配置され，センサー102はウエ
ハ12に下方に配置されてもよい。このような場合，光ビーム110は，臨界角に等
しいか，それより大きい，法線114に対する角度θで，ウエハ12の面に向けられ
る。さらに，光ビーム110は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し
，センサーにより遮断され，光ビームの第二の部分がウエハにより遮断されるよ
うに，位置付けられる。
。ウエハ12を通り越した光ビーム110は，センサー102に入射するが，ウエハ12に
より遮断された光ビーム110の第二の部分はセンサー102に入射しない。図３に示
されているように，センサー102は矩形の検知領域をもち，その矩形の検知領域
の長手方向の寸法は回転軸船56に関して放射方向に向いている。光センサー102
は，光ビーム110を受信する検知領域部分が増加するときに，増加するエッジ信
号を生成する。図３に示されているように，光ビーム110の第一の部分110aはセ
ンサー102に入射し，光ビーム110の第二の部分110bはウエハ12により阻止される
。光ビーム110およびセンサー102に対するエッジ112の位置は，回転軸線56のま
わりでのウエハ12の回転の間，ノッチ120のような指標およびウエハの偏心の結
果，変化する。これにより，ウエハ12により阻止された光ビーム112の部分が変
化する。すなわち，第一の部分110aおよび第二の部分110bの相対的な割合が変化
し，エッジ信号の変化（ウエハの位置および方向を示す）が生じる。図２におい
て，光源100およびセンサー102は本発明の範囲内で種々に配置される。たとえば
，光源100はウエハ12の上方でかつ放射方向外側に配置され，センサー102はウエ
ハ12に下方に配置されてもよい。このような場合，光ビーム110は，臨界角に等
しいか，それより大きい，法線114に対する角度θで，ウエハ12の面に向けられ
る。さらに，光ビーム110は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し
，センサーにより遮断され，光ビームの第二の部分がウエハにより遮断されるよ
うに，位置付けられる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
半導体ウエハおよび基板はすべて，そのウエハが面する空気または真空より高
い濃度（より高い屈折率）をもつ。石英およびサファイアを含む，基板およびウ
エハの屈折率は典型的に，1.5よりも高い。全内反射を確実にするために，法線1
14に対して約65度で，ウエハに光が進む。この光は，法線114に関して約48度で
ウエハを通る。光は，ウエハの反対側に達すると，ウエハの面に平行になり，ま
たはウエハ内に戻り，その結果光はウエハを透過しない。
い濃度（より高い屈折率）をもつ。石英およびサファイアを含む，基板およびウ
エハの屈折率は典型的に，1.5よりも高い。全内反射を確実にするために，法線1
14に対して約65度で，ウエハに光が進む。この光は，法線114に関して約48度で
ウエハを通る。光は，ウエハの反対側に達すると，ウエハの面に平行になり，ま
たはウエハ内に戻り，その結果光はウエハを透過しない。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は，本発明にしたがった，ウエハ方向センサーを組み込むウエハ移送装置
の実施例の略示平面図である。
の実施例の略示平面図である。
【図２】
図２は，ウエハ方向センサーの略示側面図である。
【図３】
図３は，図２のウエハ方向センサーの略示平面図である。
【図４】
図４は，本発明のウエハ方向センサーの実施例の略示側面図である。
【図５】
図５は，図４のウエハ方向センサーに使用される回路の略示ブロック図である
。
。
【図６】
図６は，仕上げされた端部を含むノッチのあるウエハに対するエッジ信号を，
時間の関数で示したグラフである。
時間の関数で示したグラフである。
【図７】
図７は，仕上げされていない端部を含むノッチのあるガラスウエハのエッジ信
号を，時間の関数で示したグラフである。
号を，時間の関数で示したグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 モーア，デイビッド
アメリカ合衆国マサチューセッツ州01930，
グロセスタ，バブソン・コート・ナンバー
２，11
Ｆターム(参考） 2F065 AA12 BB03 CC19 FF02 GG07
HH03 HH12 HH15 JJ18 LL08
LL19 LL26 NN02 NN16 PP13
5C034 CC09 CC11
5F031 CA02 JA02 JA03 JA05 JA07
JA15 JA28 JA34 JA36 PA30
Claims (20)
- 【請求項１】表面を有する，ほぼディスク状のワークピースのエッジを決定
する装置であって， 光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワ
ークピースにより遮断されるように，ワークピースのエッジの近傍で，ワークピ
ースの表面に，光ビームを向けるように配置された光源と， ワークピースを回転させる機構と， 光ビームの第一の部分を検知し，ワークピースが回転するときに，ワークピー
スのエッジを表すエッジ信号を発生するように配置された光センサーと， を含み， 光ビームと，ワークピースの表面に対する法線との間の角度が，ワークピース
内で，光ビームが全内反射する臨界角度に等しいか，またはそれよりも大きい，
ところの装置。 - 【請求項２】前記角度は65度に等しいか，またはそれよりも大きい，請求項
１に記載の装置。 - 【請求項３】ワークピースは半導体ウエハからなり， 前記光源，前記回転機構および前記光センサーは，半導体ウエハ上の指標を検
知するために配置される，請求項３に記載の装置。 - 【請求項４】半導体ウエハは少なくとも部分的に光に透明で，前記光源およ
び前記光センサーは，半導体ウエハ上の指標を検知するように，配置される，請
求項３に記載の装置。 - 【請求項５】半導体ウエハは，石英，シリコン，サファイアおよびガラスか
らなるグループから選択され，前記光源および前記光センサーは半導体ウエハ上
の指標を検知するように，配置される，請求項３に記載の装置。 - 【請求項６】 指標は半導体ウエハのエッジにあるノッチからなり，前記光
源および前記光センサーはノッチを検知するように，配置される，請求項３に記
載の装置。 - 【請求項７】指標は半導体ウエハのエッジにあるフラットからなり，前記光
源および前記光センサーはフラットを検知するように，配置される，請求項３に
記載の装置。 - 【請求項８】前記光センサーは，細長い線形センサーであり，前記線形セン
サーの長手方向の寸法は，ワークピースの回転中心に関して放射方向に向く，請
求項１に記載の装置。 - 【請求項９】前記光源は，ワークピースの表面に，平行化した光ビームを向
ける光学系を含む，請求項１に記載の装置。 - 【請求項１０】前記光源は，ライト・エミッション・ダイオード，偏光器，
レンズ，ライト・エミッション・ダイオードの光出力を平行化するための放物面
鏡を含む，請求項１に記載の装置。 - 【請求項１１】前記光源は，長手方向の寸法をもつ，矩形の光ビームを発生
する光学系を含み，矩形の光ビームの長手方向の寸法がワークピースの回転中心
に関して放射方向に沿うようにして，矩形の光ビームは，ワークピースの表面に
向けられる，請求項１に記載の装置。 - 【請求項１２】さらに，光ビームの強度をモニターし，強度を表すフィード
バック信号を発生するための第二の光センサーを含み， 前記光源は，フィードバック信号に応答して光ビームの強度を制御するために
，強度調整回路を含む，請求項１に記載の装置。 - 【請求項１３】光ビームと，ワークピースの表面に対する法線との間の角度
が，1.5またはそれ以上の屈折率をもつワークピースにおいて，全内反射を生じ
るように選択される，請求項１に記載の装置。 - 【請求項１４】表面を有する，ほぼディスク状のワークピースのエッジを決
定する方法であって， 光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワ
ークピースにより遮断されるように，ワークピースのエッジの近傍で，ワークピ
ースの表面に，光ビームを向ける工程と， ワークピースを回転させる工程と， 光ビームの第一の部分を検知し，ワークピースが回転するときに，ワークピー
スのエッジを表すエッジ信号を発生させる工程と， を含み， 光ビームと，ワークピースの表面に関する法線との間の角度が，ワークピース
内で，光ビームが全内反射する臨界角度に等しいか，またはそれよりも大きい，
ところの方法。 - 【請求項１５】前記角度は65度に等しいか，またはそれよりも大きい，請求
項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】光ビームの第一の部分を検知する工程は，半導体ウエハ上の
指標を検出することを含む，請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１７】光ビームの第一の部分を検知する工程は，ワークピースの回
転中心に関して，放射方向に向けられた長手方向の寸法をもつ光センサーで，光
ビームを検知する工程を含む，請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１８】光ビームを向ける工程は，ワークピースの表面に，平行化し
た光ビームを向けることを含む，請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１９】光ビームを向ける工程は，矩形の光ビームを発生すること，
および，矩形の光ビームの，長手方向の寸法がワークピースの回転中心に関して
放射方向に沿うようにして，矩形の光ビームをワークピースの表面に向けること
を含む，請求項１４に記載の方法。 - 【請求項２０】さらに，光ビームの強度をモニターし，強度を表すフィード
バック信号を発生し，フィードバック信号に応答して光ビームの強度を制御する
工程を含む，請求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/327,738 | 1999-06-08 | ||
| US09/327,738 US6162008A (en) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Wafer orientation sensor |
| PCT/US2000/012687 WO2000075969A1 (en) | 1999-06-08 | 2000-05-10 | Wafer orientation sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003501828A true JP2003501828A (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=23277827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001502149A Pending JP2003501828A (ja) | 1999-06-08 | 2000-05-10 | ウエハ方向センサー |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6162008A (ja) |
| EP (1) | EP1183713A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003501828A (ja) |
| KR (1) | KR100624608B1 (ja) |
| TW (1) | TW460913B (ja) |
| WO (1) | WO2000075969A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028065A1 (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Fujitsu Microelectronics Limited | イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法 |
| WO2010067814A1 (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
| KR20160120771A (ko) * | 2014-03-12 | 2016-10-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 센서 시스템, 기판 핸들링 시스템 및 리소그래피 장치 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4674705B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び搬送システム |
| US6592673B2 (en) * | 1999-05-27 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate |
| JP3437812B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2003-08-18 | タツモ株式会社 | 基板搬送装置 |
| EP1269521A1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-01-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. | WAFER ORIENTATION SENSOR FOR GaAs WAFERS |
| NL1015397C2 (nl) * | 2000-06-07 | 2001-12-10 | Asm Int | Inrichting voor het behandelen van een wafer. |
| KR100618558B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2006-08-31 | 가부시키가이샤 야스카와덴키 | 웨이퍼 프리얼라인먼트 장치와 그 웨이퍼 유무 판정방법,웨이퍼 에지 위치 검출방법과 그 방법을 실행시키는프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록매체,웨이퍼의 에지 위치 검출장치 및 프리얼라인먼트 센서 |
| KR100387525B1 (ko) * | 2001-02-05 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지시스템 및 그 방법 |
| US6752585B2 (en) * | 2001-06-13 | 2004-06-22 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for transferring a semiconductor substrate |
| US6556887B2 (en) * | 2001-07-12 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method for determining a position of a robot |
| US6728596B1 (en) * | 2001-11-28 | 2004-04-27 | Therma-Wave, Inc. | Wafer prealigner with phase sensitive detection |
| WO2003098668A2 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Asyst Technologies, Inc. | Pre-aligner |
| JP2004282002A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US7235806B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-06-26 | Asm America, Inc. | Wafer edge with light sensor |
| US6823753B1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-30 | Asm America, Inc. | Sensor signal transmission from processing system |
| JP4566798B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板位置決め装置，基板位置決め方法，プログラム |
| DE102005035199A1 (de) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren zum Ermitteln der Ist-Lage einer Drehachse eines Transportmechanismus |
| US20080101912A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Martin Todd W | Deposition analysis for robot motion correction |
| US8099190B2 (en) * | 2007-06-22 | 2012-01-17 | Asm International N.V. | Apparatus and method for transferring two or more wafers whereby the positions of the wafers can be measured |
| ITUD20070197A1 (it) * | 2007-10-24 | 2009-04-25 | Baccini S P A | Dispositivo e procedimento di allineamento per allineare piastre per circuiti elettronici |
| KR101489963B1 (ko) | 2007-12-13 | 2015-02-04 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
| US8273178B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-09-25 | Asm Genitech Korea Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of maintaining the same |
| JP2010032372A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | エッジ検出方法 |
| US8614797B2 (en) * | 2011-06-27 | 2013-12-24 | Infineon Technologies Ag | Wafer orientation sensor |
| JP2014086578A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Applied Materials Inc | オリエンタチャンバ |
| JP6114708B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN105807579B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-10-16 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种硅片和基板预对准测量装置和方法 |
| US10458020B2 (en) | 2015-04-14 | 2019-10-29 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| MX2017013724A (es) * | 2015-04-29 | 2018-03-02 | Magna Int Inc | Accesorio flexible. |
| US9933314B2 (en) | 2016-06-30 | 2018-04-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Semiconductor workpiece temperature measurement system |
| US10041789B2 (en) * | 2016-09-30 | 2018-08-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Integrated emissivity sensor alignment characterization |
| JP6847770B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-03-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR102642205B1 (ko) * | 2017-10-25 | 2024-02-28 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 반도체 제조 장비를 위한 완만한 각도, 다중-파장, 다중-수신기, 감도 조정형 정렬기 센서 |
| US10720354B2 (en) * | 2018-08-28 | 2020-07-21 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for aligning light-transmitting birefringent workpieces |
| CN109848826B (zh) * | 2019-03-04 | 2024-04-30 | 天通日进精密技术有限公司 | 晶圆多工位边缘抛光设备 |
| US11688616B2 (en) | 2020-07-22 | 2023-06-27 | Applied Materials, Inc. | Integrated substrate measurement system to improve manufacturing process performance |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4345836A (en) * | 1979-10-22 | 1982-08-24 | Optimetrix Corporation | Two-stage wafer prealignment system for an optical alignment and exposure machine |
| GB2157078B (en) * | 1984-03-30 | 1987-09-30 | Perkin Elmer Corp | Wafer alignment apparatus |
| US4887904A (en) * | 1985-08-23 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for positioning a semi-conductor wafer |
| JPS62243339A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | Hitachi Nakaseiki Ltd | ウエハ搬送装置のオリフラ合わせ機構 |
| US4836733A (en) * | 1986-04-28 | 1989-06-06 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
| JPH01202835A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 位置決め装置 |
| JPH01303737A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Canon Inc | 位置決め装置 |
| US5102280A (en) * | 1989-03-07 | 1992-04-07 | Ade Corporation | Robot prealigner |
| JP2642216B2 (ja) * | 1989-05-23 | 1997-08-20 | サイベック システムズ | 半導体物品の予備位置決め方法及び装置 |
| US5238354A (en) * | 1989-05-23 | 1993-08-24 | Cybeq Systems, Inc. | Semiconductor object pre-aligning apparatus |
| JPH04298060A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの位置合わせ装置 |
| US5513948A (en) * | 1991-05-17 | 1996-05-07 | Kensington Laboratories, Inc. | Universal specimen prealigner |
| JP3074313B2 (ja) * | 1993-01-26 | 2000-08-07 | 株式会社メックス | ウエハーの位置決め装置 |
| US5452521A (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Niewmierzycki; Leszek | Workpiece alignment structure and method |
| US5563798A (en) * | 1994-04-05 | 1996-10-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer positioning system |
| TW315504B (ja) * | 1995-03-20 | 1997-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JPH10242250A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Fujitsu Ltd | ウェハ位置検出方法、アライメント装置、及び、半導体処理装置 |
| US6491491B1 (en) * | 1997-10-30 | 2002-12-10 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | Articulated robot |
-
1999
- 1999-06-08 US US09/327,738 patent/US6162008A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-10 WO PCT/US2000/012687 patent/WO2000075969A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-05-10 EP EP00932223A patent/EP1183713A1/en not_active Withdrawn
- 2000-05-10 JP JP2001502149A patent/JP2003501828A/ja active Pending
- 2000-05-10 KR KR1020017015752A patent/KR100624608B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-30 TW TW089110450A patent/TW460913B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028065A1 (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Fujitsu Microelectronics Limited | イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法 |
| US8063388B2 (en) | 2007-08-30 | 2011-11-22 | Fujitsu Semiconductor Limited | Ion implantation apparatus, substrate clamping mechanism, and ion implantation method |
| JP5035345B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2012-09-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法 |
| WO2010067814A1 (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
| JP2010141124A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板および基板の製造方法 |
| CN102246265A (zh) * | 2008-12-11 | 2011-11-16 | 住友电气工业株式会社 | 基板和用于制造基板的方法 |
| KR20160120771A (ko) * | 2014-03-12 | 2016-10-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 센서 시스템, 기판 핸들링 시스템 및 리소그래피 장치 |
| KR101885751B1 (ko) | 2014-03-12 | 2018-08-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 센서 시스템, 기판 핸들링 시스템 및 리소그래피 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020011436A (ko) | 2002-02-08 |
| KR100624608B1 (ko) | 2006-09-19 |
| WO2000075969A1 (en) | 2000-12-14 |
| TW460913B (en) | 2001-10-21 |
| EP1183713A1 (en) | 2002-03-06 |
| US6162008A (en) | 2000-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003501828A (ja) | ウエハ方向センサー | |
| KR100727168B1 (ko) | 기판 검사 장치 및 방법 | |
| KR100516405B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 | |
| US5644400A (en) | Method and apparatus for determining the center and orientation of a wafer-like object | |
| JPH1089904A (ja) | Ｖノッチウェハ位置決め装置 | |
| KR20030025167A (ko) | 피처리 기판 결함 검사장치 및 반도체장치의 제조방법 | |
| EP0105185B1 (en) | Target body position measuring method for charged particle beam fine pattern exposure system | |
| US7746482B2 (en) | Determining the position of a semiconductor substrate on a rotation device | |
| US6952255B2 (en) | System and method for integrated multi-use optical alignment | |
| US6943364B2 (en) | Multi-functioned wafer aligner | |
| JP2007165655A (ja) | ウエハ方向センサー | |
| EP1424537B1 (en) | Recording device of information recording medium original disk | |
| CN111201594B (zh) | 用于半导体制造设备的浅角、多波长、多受光器、灵敏度可调的校准传感器 | |
| JPH05160245A (ja) | 円形基板の位置決め装置 | |
| JPH0685038A (ja) | ウエハの位置合わせ方法及びその装置並びに透明ウエハの位置合わせ装置 | |
| JPH05206237A (ja) | 半導体基板の欠け検査装置 | |
| EP0614080A2 (en) | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer | |
| JP2997360B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
| US20220415690A1 (en) | Aligner apparatus | |
| JP2662524B2 (ja) | Ｘ線分析における試料の方位の判定方法および装置 | |
| JP2003258062A (ja) | 円板状体の位置合わせ装置およびその方法 | |
| JPH01295421A (ja) | 周辺露光装置 | |
| JPH09283601A (ja) | 半導体ウエハの方向決定方法および装置 | |
| JPH10173031A (ja) | 円形基板位置決め装置 | |
| JPH0530304B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20041220 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20041228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050318 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050318 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050909 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051212 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060131 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070327 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070330 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070801 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070921 |