JPH05206237A - 半導体基板の欠け検査装置 - Google Patents
半導体基板の欠け検査装置Info
- Publication number
- JPH05206237A JPH05206237A JP1265392A JP1265392A JPH05206237A JP H05206237 A JPH05206237 A JP H05206237A JP 1265392 A JP1265392 A JP 1265392A JP 1265392 A JP1265392 A JP 1265392A JP H05206237 A JPH05206237 A JP H05206237A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- chip
- sensor
- laser displacement
- displacement sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】人為的なミスを起すことなく短時間で定量的に
検査出来る。 【構成】半導体基板１１の周端部にレーザ光を照射し、
その反射光を入光して周端部の凹凸を測定するレーザ変
位センサ１とを設け、半導体基板１１に欠け有るか否か
を検査する。
検査出来る。 【構成】半導体基板１１の周端部にレーザ光を照射し、
その反射光を入光して周端部の凹凸を測定するレーザ変
位センサ１とを設け、半導体基板１１に欠け有るか否か
を検査する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の円形状の半導体基板にお
ける周縁部の欠けの有無を検査する半導体基板のエッヂ
チップ検出に関する。
ける周縁部の欠けの有無を検査する半導体基板のエッヂ
チップ検出に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体基板の欠けの検査
は、簡易的な回転テーブルに半導体基板を乗せ、回転テ
ーブルを回しながらその周縁部を目視あるいはルーペ等
を使用して、欠けの有無を検査していた。
は、簡易的な回転テーブルに半導体基板を乗せ、回転テ
ーブルを回しながらその周縁部を目視あるいはルーペ等
を使用して、欠けの有無を検査していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述さた従来の半導体
基板のエッヂチップ検査方法では、半導体基板を１枚ず
つ目視によって検査しているので、個人の能力差や、体
調による人為的なミスが発生したり、微小なカケは検出
できなかったりするばかりか検査時間が長くかかるとい
う欠点があった。
基板のエッヂチップ検査方法では、半導体基板を１枚ず
つ目視によって検査しているので、個人の能力差や、体
調による人為的なミスが発生したり、微小なカケは検出
できなかったりするばかりか検査時間が長くかかるとい
う欠点があった。
【０００４】本発明の目的は、かかる欠点を解消すべく
人為的なミスを起することなく定量的に検査できる半導
体基板の欠け検査装置を提供することである。
人為的なミスを起することなく定量的に検査できる半導
体基板の欠け検査装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板を欠
け検査装置は、半導体基板の周辺に発生する微小な欠け
の有無を検査する半導体基板の欠け検査装置において、
前記半導体基板を搭載し回転する回転チャックと、前記
半導体基板の周端部と所定の間隔で配置されるとともに
この周端部にレーザ光を照射して前記周縁部の距離を検
出するレーザ変位センサとを備えている。
け検査装置は、半導体基板の周辺に発生する微小な欠け
の有無を検査する半導体基板の欠け検査装置において、
前記半導体基板を搭載し回転する回転チャックと、前記
半導体基板の周端部と所定の間隔で配置されるとともに
この周端部にレーザ光を照射して前記周縁部の距離を検
出するレーザ変位センサとを備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の半導体基
板の欠け検査装置の一実施例を説明するための（ａ）は
主要部を示す斜視図、（ｂ）はレーザ変位センサの出力
を示すグラフである。この半導体基板の欠け検査装置
は、図１（ａ）に示すように、円形状の半導体基板１１
を保持し回転する回転チャック２と、回転する半導体基
板１１の周端部にレーザ光３を照射しその反射光を受光
して周端部の凹度を検出するレーザ変位センサ１とこの
レーザ変位センサ１の出力を入力し、演算し欠けの有無
を判定する制御部（図示せず）とを有している。
板の欠け検査装置の一実施例を説明するための（ａ）は
主要部を示す斜視図、（ｂ）はレーザ変位センサの出力
を示すグラフである。この半導体基板の欠け検査装置
は、図１（ａ）に示すように、円形状の半導体基板１１
を保持し回転する回転チャック２と、回転する半導体基
板１１の周端部にレーザ光３を照射しその反射光を受光
して周端部の凹度を検出するレーザ変位センサ１とこの
レーザ変位センサ１の出力を入力し、演算し欠けの有無
を判定する制御部（図示せず）とを有している。
【０００８】次に、この半導体基板の欠け検査装置の動
作を説明する。まず、半導体基板１１を回転チャック２
に搭載し、回転させる。次に反射型のレーザ変位センサ
１がレーサ光３を発光し、半導体基板１１の周端部に照
射する。これにより周端部に照射されたレーザ光はこの
レーザ変位センサ１に反射光として戻ってくる。そして
反射型のレーザ変位センサ１は、半導体基板１１の周端
部との距離を電圧として出力する。この状態が図１
（ｂ）に示すように半導体基板の周端部に対してセンサ
からの出力電圧が周端部位置での出力電圧より異状変動
があれば、欠けとして判断する。
作を説明する。まず、半導体基板１１を回転チャック２
に搭載し、回転させる。次に反射型のレーザ変位センサ
１がレーサ光３を発光し、半導体基板１１の周端部に照
射する。これにより周端部に照射されたレーザ光はこの
レーザ変位センサ１に反射光として戻ってくる。そして
反射型のレーザ変位センサ１は、半導体基板１１の周端
部との距離を電圧として出力する。この状態が図１
（ｂ）に示すように半導体基板の周端部に対してセンサ
からの出力電圧が周端部位置での出力電圧より異状変動
があれば、欠けとして判断する。
【０００９】なお、欠けの許容値を変動幅として設定し
ておけば、この変動幅より大きい変動を不良の欠けと判
定出来るので、定量的にも欠けの有無を判定出来る。
ておけば、この変動幅より大きい変動を不良の欠けと判
定出来るので、定量的にも欠けの有無を判定出来る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板を回転させこの周縁部の凹凸を定量的に検出する非接
触型のレーザ変位センサを設けることによって、きわめ
て短時間で、欠けの有無及びこの大きさをも定量的に検
査できる半導体基板の欠け検査装置が得られるという効
果がある。
板を回転させこの周縁部の凹凸を定量的に検出する非接
触型のレーザ変位センサを設けることによって、きわめ
て短時間で、欠けの有無及びこの大きさをも定量的に検
査できる半導体基板の欠け検査装置が得られるという効
果がある。
【図１】本発明の半導体基板の欠け検査装置の一実施例
を説明すらための（ａ）は主要部を示す斜視図、（ｂ）
はレーザ変位センサの出力を示すグラフである。
を説明すらための（ａ）は主要部を示す斜視図、（ｂ）
はレーザ変位センサの出力を示すグラフである。
１ レーザ変位センサ ２ 回転チャック ３ レーザ光 １１ 半導体基板 １２ 欠け
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の周辺に発生する微小な欠け
の有無を検査する半導体基板の欠け検査装置において、
前記半導体基板を搭載し回転する回転チャックと、前記
半導体基板の周端部と所定の間隔で配置されるとともに
この周端部にレーザ光を照射して前記周縁部の距離を検
出するレーザ変位センサとを備えることを特徴とする半
導体基板の欠け検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265392A JPH05206237A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の欠け検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265392A JPH05206237A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の欠け検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206237A true JPH05206237A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11811327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265392A Withdrawn JPH05206237A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の欠け検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206237A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5546179A (en) * | 1994-10-07 | 1996-08-13 | Cheng; David | Method and apparatus for mapping the edge and other characteristics of a workpiece |
| US6164894A (en) * | 1997-11-04 | 2000-12-26 | Cheng; David | Method and apparatus for integrated wafer handling and testing |
| US6415977B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking and identifying a defective die site |
| CN107993955A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆边缘缺陷的方法 |
| CN110459488A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-15 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种智能测距的晶圆寻边装置和方法 |
| CN110514123A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-11-29 | 成都博奥晶芯生物科技有限公司 | 一种基于激光位移传感器的微结构体二维检测方法及装置 |
| CN110514122A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-11-29 | 成都博奥晶芯生物科技有限公司 | 基于激光位移传感器的微阵列盖片二维检测方法及装置 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1265392A patent/JPH05206237A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5546179A (en) * | 1994-10-07 | 1996-08-13 | Cheng; David | Method and apparatus for mapping the edge and other characteristics of a workpiece |
| US6164894A (en) * | 1997-11-04 | 2000-12-26 | Cheng; David | Method and apparatus for integrated wafer handling and testing |
| US6415977B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking and identifying a defective die site |
| US6889902B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Descriptor for identifying a defective die site and methods of formation |
| US7127365B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-10-24 | Micron Technology, Inc. | Method for identifying a defective die site |
| US7255273B2 (en) | 2000-08-30 | 2007-08-14 | Micron Technology, Inc. | Descriptor for identifying a defective die site |
| CN107993955A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆边缘缺陷的方法 |
| CN110459488A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-15 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种智能测距的晶圆寻边装置和方法 |
| CN110514123A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-11-29 | 成都博奥晶芯生物科技有限公司 | 一种基于激光位移传感器的微结构体二维检测方法及装置 |
| CN110514122A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-11-29 | 成都博奥晶芯生物科技有限公司 | 基于激光位移传感器的微阵列盖片二维检测方法及装置 |
| CN110514123B (zh) * | 2019-09-20 | 2021-04-02 | 成都博奥晶芯生物科技有限公司 | 一种基于激光位移传感器的微结构体二维检测方法及装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |