JPS62223649A - 検査方法および装置 - Google Patents
検査方法および装置Info
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- JPS62223649A JPS62223649A JP6566786A JP6566786A JPS62223649A JP S62223649 A JPS62223649 A JP S62223649A JP 6566786 A JP6566786 A JP 6566786A JP 6566786 A JP6566786 A JP 6566786A JP S62223649 A JPS62223649 A JP S62223649A
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- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、渣査技術、特に、半導体装での製造における
ウェハの外観検査に通用して有効な技術に関する。
ウェハの外観検査に通用して有効な技術に関する。
［従来の技術］
半導体装置の製造におけるウェハの外観検査については
、株式会社工業調査会、昭和５８年１１月１５日発行、
「電子材料Ｊ １９８３年１１月号別冊、Ｐ２Ｏ４〜Ｐ
２Ｏ９に記載されている。
、株式会社工業調査会、昭和５８年１１月１５日発行、
「電子材料Ｊ １９８３年１１月号別冊、Ｐ２Ｏ４〜Ｐ
２Ｏ９に記載されている。
ところで、本発明者は、偏光光線を照射することによっ
てウェハ表面に付着した異物などを検出するウェハの外
観検査について検討した。以下は、公知とされた技術で
はないが本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次のとおりである。
てウェハ表面に付着した異物などを検出するウェハの外
観検査について検討した。以下は、公知とされた技術で
はないが本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次のとおりである。
すなわち、所定の平面内において回転されるウェハ平面
の所定の部位に、Ｐ偏光（プライマリＰｒｉｍａｒｙ偏
光）およびＳ偏光（セコンダリ５ｅｃｏｎ−ｄａｒｙ偏
光）を照射しつつ走査し、ウェハ表面に形成された規則
的な形状のパターンによってＰ偏光およびＳ偏光が反射
される場合には、Ｐ偏光およびＳ偏光のいずれの場合に
おいても反射光がＳ偏光となることを利用し、規則的な
形状のパターンに付着した乱雑な形状の異物からの反射
光にのみ含まれるＰ偏光を検出することにより、ウェハ
の所定の部位に付着した異物などを検出するものである
。
の所定の部位に、Ｐ偏光（プライマリＰｒｉｍａｒｙ偏
光）およびＳ偏光（セコンダリ５ｅｃｏｎ−ｄａｒｙ偏
光）を照射しつつ走査し、ウェハ表面に形成された規則
的な形状のパターンによってＰ偏光およびＳ偏光が反射
される場合には、Ｐ偏光およびＳ偏光のいずれの場合に
おいても反射光がＳ偏光となることを利用し、規則的な
形状のパターンに付着した乱雑な形状の異物からの反射
光にのみ含まれるＰ偏光を検出することにより、ウェハ
の所定の部位に付着した異物などを検出するものである
。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のように、単にＰ偏光の光量を検出
することによって異物の有無を判別する検査においては
、たとえば、パターンが多層状に形成され、ウェハの表
面形状が複雑化されたり、段差寸法の変化が大きくなる
などして異物の存在しない下地部分からの反射光中に含
まれるＰ偏光の光量が比較的多い場合、下地からの反射
光に含まれるＰ偏光と異物からのＰ偏光との対比が低下
され、検出可能な異物の最小寸法が比較的大きくなり、
検出感度や検出精度が低下されるなどの欠点がある。
することによって異物の有無を判別する検査においては
、たとえば、パターンが多層状に形成され、ウェハの表
面形状が複雑化されたり、段差寸法の変化が大きくなる
などして異物の存在しない下地部分からの反射光中に含
まれるＰ偏光の光量が比較的多い場合、下地からの反射
光に含まれるＰ偏光と異物からのＰ偏光との対比が低下
され、検出可能な異物の最小寸法が比較的大きくなり、
検出感度や検出精度が低下されるなどの欠点がある。
このことは、半導体装置の小型化、高集積化などに伴っ
て、ウェハに形成されるパターンが微細化され、パター
ンに付着する異物の検出をより高感度および高精度で行
うことが要請されつつあることを考慮すれば、重要な問
題となることを発明者は見いだした。
て、ウェハに形成されるパターンが微細化され、パター
ンに付着する異物の検出をより高感度および高精度で行
うことが要請されつつあることを考慮すれば、重要な問
題となることを発明者は見いだした。
本発明の目的は、被検査物に付着する異物などの検出感
度および検出精度を向上させることが可能な検査技術を
提供することにある。
度および検出精度を向上させることが可能な検査技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
［問題点を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被検査物表面にＳ偏光を照射して得られる反
射光中のＰ偏光成分およびＳ偏光成分の光量を個別に検
出し、Ｐ偏光成分の光量とＳ偏光成分の光量との比を所
定のしきい値と比較することによって被検査物表面にお
ける所定の検査が行われるようにしたものである。
射光中のＰ偏光成分およびＳ偏光成分の光量を個別に検
出し、Ｐ偏光成分の光量とＳ偏光成分の光量との比を所
定のしきい値と比較することによって被検査物表面にお
ける所定の検査が行われるようにしたものである。
［作 用コ
上記した手段によれば、たとえば、被検査物表面に付着
した乱雑な形状の異物などから反射され、Ｓ偏光成分お
よびＰ偏光成分をほぼ等置台む反射光と、被検査物の下
地部分から反射され、Ｓ偏光成分の光量がＰ偏光成分の
光量に対して比較的少ない反射光とが、大きな対比をも
って検出され、被検査物に付着する異物などの検出感度
および検出精度を向上させることが可能となる。
した乱雑な形状の異物などから反射され、Ｓ偏光成分お
よびＰ偏光成分をほぼ等置台む反射光と、被検査物の下
地部分から反射され、Ｓ偏光成分の光量がＰ偏光成分の
光量に対して比較的少ない反射光とが、大きな対比をも
って検出され、被検査物に付着する異物などの検出感度
および検出精度を向上させることが可能となる。
［実施例１］
第１図は、本発明の一実施例である漫査装置の要部を示
す模式図であり、第２図は、その作用を説明する説明図
である。
す模式図であり、第２図は、その作用を説明する説明図
である。
所定の平面内において移動自在なＸＹテーブル１の上に
は、たとえばウェハなどの被検査物２が着脱自在に位置
されている。
は、たとえばウェハなどの被検査物２が着脱自在に位置
されている。
さらに、ＸＹテーブル１の周辺部には、Ｓ偏光（Ｓ）の
みを放射する複数の光源３および光源４が該ＸＹテーブ
ル１を介して対向して配設され、該光源３および４から
放射されるＳ偏光（Ｓ）がＸＹテーブル１の上に載面さ
れる被検査物２の所定の部位に向けてほぼ水平に照射さ
れる構造とされている。
みを放射する複数の光源３および光源４が該ＸＹテーブ
ル１を介して対向して配設され、該光源３および４から
放射されるＳ偏光（Ｓ）がＸＹテーブル１の上に載面さ
れる被検査物２の所定の部位に向けてほぼ水平に照射さ
れる構造とされている。
そして・ＸＹテーブルｌに載置される被検査物２を複数
の光源３および４に対して相対的に平行移動させること
により、Ｓ偏光（Ｓ）による該被検査物２の表面の走査
が行われるものである。
の光源３および４に対して相対的に平行移動させること
により、Ｓ偏光（Ｓ）による該被検査物２の表面の走査
が行われるものである。
また、ＸＹテーブルエの直上方には、被検査物２の前記
Ｓ偏光（Ｓ）が照射される部位から発生される反射光５
を収束する対物レンズ６が光軸をほぼ垂直にして設けら
れている。
Ｓ偏光（Ｓ）が照射される部位から発生される反射光５
を収束する対物レンズ６が光軸をほぼ垂直にして設けら
れている。
この場合、前記対物レンズ６の上方には、該対物レンズ
６と光軸を同じくする偏光ビームスプリンタ（分岐部）
７が配設されている。
６と光軸を同じくする偏光ビームスプリンタ（分岐部）
７が配設されている。
この偏光ビームスプリンタ７は、対物レンズ６を介して
入射される反射光５に含まれるＰ偏光成分５ＰおよびＳ
偏光成分５Ｓのうち、Ｐ偏光成分５Ｐを入射光５と同じ
方向に直進させるとともに、Ｓ偏光成分５Ｓを入射光５
の光路に交差する方向に反射することによって、Ｐ偏光
成分５ＰおよびＳ偏光成分５Ｓが分岐されて取り出され
るように構成されている。
入射される反射光５に含まれるＰ偏光成分５ＰおよびＳ
偏光成分５Ｓのうち、Ｐ偏光成分５Ｐを入射光５と同じ
方向に直進させるとともに、Ｓ偏光成分５Ｓを入射光５
の光路に交差する方向に反射することによって、Ｐ偏光
成分５ＰおよびＳ偏光成分５Ｓが分岐されて取り出され
るように構成されている。
また、偏光ビームスプリッタフにおいて分岐されたＰ偏
光成分５ＰおよびＳ偏光成分５Ｓの光路には、複数の検
出器８および検出器９が設けられており、Ｐ偏光成分５
ＰおよびＳ偏光成分５Ｓの光量が、それぞれ該光量に応
じた強度の電気信号に変換されて検出される構造とされ
ている。 ゛さらに、複数の検出器８および９は、演算
部１０に接続されており、該演算部１０においては、た
とえば、検出器８から得られるＰ偏光成分５Ｐの光量に
応じた電気信号の値を、検出器９から得られるＳ偏光成
分５Ｓの光量に応じた電気信号の値で除して得られる、
Ｐ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓの光量との比Ｒ
が算出されるように構成されている。
光成分５ＰおよびＳ偏光成分５Ｓの光路には、複数の検
出器８および検出器９が設けられており、Ｐ偏光成分５
ＰおよびＳ偏光成分５Ｓの光量が、それぞれ該光量に応
じた強度の電気信号に変換されて検出される構造とされ
ている。 ゛さらに、複数の検出器８および９は、演算
部１０に接続されており、該演算部１０においては、た
とえば、検出器８から得られるＰ偏光成分５Ｐの光量に
応じた電気信号の値を、検出器９から得られるＳ偏光成
分５Ｓの光量に応じた電気信号の値で除して得られる、
Ｐ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓの光量との比Ｒ
が算出されるように構成されている。
また、演算部１０には比較部１１が接続されており、該
演算部１０において得られたＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ
偏光成分５Ｓの光量との比Ｒと所定のしきい値Ｔとを比
較することによって、被検査物２の所定の部位における
異物の有無などが判別される構造とされている０図中、
１３は基準電圧発生器を示す。
演算部１０において得られたＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ
偏光成分５Ｓの光量との比Ｒと所定のしきい値Ｔとを比
較することによって、被検査物２の所定の部位における
異物の有無などが判別される構造とされている０図中、
１３は基準電圧発生器を示す。
以下、本実施例の作用について説明する。
始めに、ウェハなどの被検査物２が、該被検査物２の表
面に形成されたパターン２ａの方向が、たとえば対向し
て設けられた光源３および４の光軸にほぼ垂直となる姿
勢でＸＹテーブルｌの上に固定される。
面に形成されたパターン２ａの方向が、たとえば対向し
て設けられた光源３および４の光軸にほぼ垂直となる姿
勢でＸＹテーブルｌの上に固定される。
次に、被検査物２の所定の部位に光源３および４から放
射されるＳ偏光（Ｓ）が照射されるとともに、ＸＹテー
ブル１は、互いに直交する方向にジクザクに平行移動さ
れ、該被検査物２に照射されるＳ偏光（Ｓ）によって被
検査物２の表面が走査される。
射されるＳ偏光（Ｓ）が照射されるとともに、ＸＹテー
ブル１は、互いに直交する方向にジクザクに平行移動さ
れ、該被検査物２に照射されるＳ偏光（Ｓ）によって被
検査物２の表面が走査される。
そして、被検査物２のＳ偏光（Ｓ）の照射部位から得ら
れる反射光５は、対物レンズ６を経て偏光ビームスプリ
ッタフに入射され、該反射光５に含まれるＰ偏光成分５
ＰおよびＳ偏光成分５Ｓは分岐され、それぞれ検出器８
および９に到達し、それぞれの光量に応じた強度の電気
信号に変換される。
れる反射光５は、対物レンズ６を経て偏光ビームスプリ
ッタフに入射され、該反射光５に含まれるＰ偏光成分５
ＰおよびＳ偏光成分５Ｓは分岐され、それぞれ検出器８
および９に到達し、それぞれの光量に応じた強度の電気
信号に変換される。
さらに、検出器８および９が接続される演算部１０にお
いては、たとえば、検出器８から得られるＰ偏光成分５
Ｐの光量に応じた電気信号の値を、検出器９から得られ
るＳ偏光成分５Ｓの光量に応じた電気信号の値で除して
得られる、Ｐ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓの光
量との比Ｒが算出され、比較部１１において、前記比Ｒ
を所定のしきい値Ｔと比較し、Ｒ＞Ｔの場合に被検査物
の所定の部位に異物１２が存在するものと判定し、その
時の座標値などの情報とともに所定の図示しない記憶部
や表示部などに出力するものである。
いては、たとえば、検出器８から得られるＰ偏光成分５
Ｐの光量に応じた電気信号の値を、検出器９から得られ
るＳ偏光成分５Ｓの光量に応じた電気信号の値で除して
得られる、Ｐ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓの光
量との比Ｒが算出され、比較部１１において、前記比Ｒ
を所定のしきい値Ｔと比較し、Ｒ＞Ｔの場合に被検査物
の所定の部位に異物１２が存在するものと判定し、その
時の座標値などの情報とともに所定の図示しない記憶部
や表示部などに出力するものである。
すなわち、第２図に示されるように、被検査物２に形成
された規則的な形状のパターン２ａからの反射光５には
、反射面の形状がほぼ規則的であるため、はとんどがＳ
偏光成分５Ｓで構成され、Ｐ偏光成分５Ｐの量は僅かと
なり、一方、外形が乱雑な形状を呈する異物１２からの
反射光５においては、含まれるＳ偏光成分５Ｓの光量と
Ｐ偏光成分５Ｐの光量とがほぼ等しくなる。
された規則的な形状のパターン２ａからの反射光５には
、反射面の形状がほぼ規則的であるため、はとんどがＳ
偏光成分５Ｓで構成され、Ｐ偏光成分５Ｐの量は僅かと
なり、一方、外形が乱雑な形状を呈する異物１２からの
反射光５においては、含まれるＳ偏光成分５Ｓの光量と
Ｐ偏光成分５Ｐの光量とがほぼ等しくなる。
このため、パターン２ａからの反射光５におけるＰ偏光
成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓの光量との比Ｒと、異
物１２からの反射光５におけるＰ偏光成分５Ｐの光量と
Ｓ偏光成分５Ｓの光量との比Ｒとの差が極めて大きくな
り、両者の間に所定のしきい値Ｔを設けることにより、
比較的寸法の小さな異物１２などからの反射光５と被検
査物２に形成されたパターン２ａなどの下地部分からの
反射光５とが明瞭に区別され、被検査物２に付着した異
物１２などの検出感度および精度が向上される。
成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓの光量との比Ｒと、異
物１２からの反射光５におけるＰ偏光成分５Ｐの光量と
Ｓ偏光成分５Ｓの光量との比Ｒとの差が極めて大きくな
り、両者の間に所定のしきい値Ｔを設けることにより、
比較的寸法の小さな異物１２などからの反射光５と被検
査物２に形成されたパターン２ａなどの下地部分からの
反射光５とが明瞭に区別され、被検査物２に付着した異
物１２などの検出感度および精度が向上される。
なお、上記の説明では、主として被検査物２に形成され
たパターン２ａに付着した異物１２の検出について説明
したが、パターン２ａにおける比較的大きな寸法の不規
則な突出や欠損などの欠陥も通常前記の異物１２と同様
に不規則な表面形状を呈するものであり、これら欠陥の
検出に本実施例の検査装置が使用できることは言うまで
もない。
たパターン２ａに付着した異物１２の検出について説明
したが、パターン２ａにおける比較的大きな寸法の不規
則な突出や欠損などの欠陥も通常前記の異物１２と同様
に不規則な表面形状を呈するものであり、これら欠陥の
検出に本実施例の検査装置が使用できることは言うまで
もない。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、被検査物２の所定の部位にＳ偏光（Ｓ）を照射
する際に発生される反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐ
とＳ偏光成分５Ｓとを、偏光ビームスプリッタ７および
複数の検出器８．９によって個別に検出し、さらに演算
部１０においてＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓ
の光量との比Ｒを算出し、該比Ｒを比較部１１において
所定のしきい値Ｔと比較することによって、被検査物２
に付着した異物１２などからの反射光５と被検査物２に
形成された規則的な形状のパターン２ａなどの下地部分
からの反射光５とを判別することにより、被検査物２の
表面に付着した異物１２などが検出される構造であるた
め、たとえば単に反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐの
光量の変化を検出する場合などに比較して、被検査物２
に付着した比較的寸法の小さな異物１２などの検出感度
および精度が向上される。
する際に発生される反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐ
とＳ偏光成分５Ｓとを、偏光ビームスプリッタ７および
複数の検出器８．９によって個別に検出し、さらに演算
部１０においてＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５Ｓ
の光量との比Ｒを算出し、該比Ｒを比較部１１において
所定のしきい値Ｔと比較することによって、被検査物２
に付着した異物１２などからの反射光５と被検査物２に
形成された規則的な形状のパターン２ａなどの下地部分
からの反射光５とを判別することにより、被検査物２の
表面に付着した異物１２などが検出される構造であるた
め、たとえば単に反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐの
光量の変化を検出する場合などに比較して、被検査物２
に付着した比較的寸法の小さな異物１２などの検出感度
および精度が向上される。
（２）、被検査物２を複数の光源３および４に対して相
対的に平行移動させることによりＳ偏光（Ｓ）による該
被検査物２の表面の走査が行われるため、被検査物２に
規則的に形成されたパターン２ａに対するＳ偏光（Ｓ）
の照射角が一定となり、パターン２ａなどの下地部分か
らの反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐの光量を比較的
低い値に安定に維持することができ、反射光５に含まれ
るＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５ｓの光量との比
Ｒに基づいて行われる異物１２の検出が安定な感度で行
われる。
対的に平行移動させることによりＳ偏光（Ｓ）による該
被検査物２の表面の走査が行われるため、被検査物２に
規則的に形成されたパターン２ａに対するＳ偏光（Ｓ）
の照射角が一定となり、パターン２ａなどの下地部分か
らの反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐの光量を比較的
低い値に安定に維持することができ、反射光５に含まれ
るＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ偏光成分５ｓの光量との比
Ｒに基づいて行われる異物１２の検出が安定な感度で行
われる。
（３）、前記（２）の結果、被検査物２の表面に、異物
１２の検出を行わない非検査領域などを容易に設定する
ことができ、検査工程の簡略化などが可能となる。
１２の検出を行わない非検査領域などを容易に設定する
ことができ、検査工程の簡略化などが可能となる。
（４）、前記（１１〜（３）の結果、半導体装置の製造
におけるウェハの外観検査での生産性が向上される。
におけるウェハの外観検査での生産性が向上される。
［実施例２］
第３図は、本発明の他の実施例である検査装置の要部を
示す説明図である。
示す説明図である。
本実施例２においては、前記実施例１における偏光ビー
ムスプリッタフに代えて、ハーフミラ−？ａ（分岐部）
を設け、反射光５を二つの光路に分岐させるとともに、
Ｐ偏光成分５ＰまたはＳ偏光成分５Ｓのみを透過させる
偏光板７ｂおよび偏光板７ｃを介して検出器８ａおよび
検出器９ａにそれぞれ入射させることにより、反射光５
に含まれるＰ偏光成分５ＰおよびＳ偏光成分５ｓの光量
が個別に検出されるように構成されているところが前記
実施例１の場合と異なるものである。
ムスプリッタフに代えて、ハーフミラ−？ａ（分岐部）
を設け、反射光５を二つの光路に分岐させるとともに、
Ｐ偏光成分５ＰまたはＳ偏光成分５Ｓのみを透過させる
偏光板７ｂおよび偏光板７ｃを介して検出器８ａおよび
検出器９ａにそれぞれ入射させることにより、反射光５
に含まれるＰ偏光成分５ＰおよびＳ偏光成分５ｓの光量
が個別に検出されるように構成されているところが前記
実施例１の場合と異なるものである。
本実施例２においても、以下のような効果を得ることが
できる。
できる。
（ｌ）、被検査物２の所定の部位にＳ偏光（Ｓ）を照射
する際に発生される反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐ
とＳ偏光成分５Ｓとを、ハーフミラ−７ａ、偏光板７ｂ
、７ｃおよび複数の検出器８．９によって個別に検出し
、さらに演算部１０においてＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ
偏光成分５Ｓの光量との比Ｒを算出し、該比Ｒを比較部
１１において所定のしきい値Ｔと比較することによって
、被検査物２に付着した異物１２からの反射光５と被検
査物２に形成された規則的な形状のパターン２ａなどの
下地部分からの反射光５とを判別することにより、被検
査物２の表面に付着した異物１２が検出される構造であ
るため、たとえば単に反射光５に含まれるＰ＠光成分５
Ｐの光量の変化を検出する場合などに比較して、被検査
物２に付着した異物１２の検出感度および精度が向上さ
れる。
する際に発生される反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐ
とＳ偏光成分５Ｓとを、ハーフミラ−７ａ、偏光板７ｂ
、７ｃおよび複数の検出器８．９によって個別に検出し
、さらに演算部１０においてＰ偏光成分５Ｐの光量とＳ
偏光成分５Ｓの光量との比Ｒを算出し、該比Ｒを比較部
１１において所定のしきい値Ｔと比較することによって
、被検査物２に付着した異物１２からの反射光５と被検
査物２に形成された規則的な形状のパターン２ａなどの
下地部分からの反射光５とを判別することにより、被検
査物２の表面に付着した異物１２が検出される構造であ
るため、たとえば単に反射光５に含まれるＰ＠光成分５
Ｐの光量の変化を検出する場合などに比較して、被検査
物２に付着した異物１２の検出感度および精度が向上さ
れる。
（２）、被検査物２を複数の光源３および４に対して相
対的に平行移動させることによりＳ偏光（Ｓ）による該
被検査物２の表面の走査が行われるため、被検査物２に
規則的に形成されたパターン２ａに対するＳ偏光（Ｓ）
の照射角が一定となり、パターン２ａなどの下地部分か
らの反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐの光量を比較的
低い値に安定に維持することができ、反射光５に含まれ
るＰ偏光成分５ＰとＳ偏光成分５Ｓとの比Ｒに基づいて
行われる異物１２の検出が安定な感度で行われる。
対的に平行移動させることによりＳ偏光（Ｓ）による該
被検査物２の表面の走査が行われるため、被検査物２に
規則的に形成されたパターン２ａに対するＳ偏光（Ｓ）
の照射角が一定となり、パターン２ａなどの下地部分か
らの反射光５に含まれるＰ偏光成分５Ｐの光量を比較的
低い値に安定に維持することができ、反射光５に含まれ
るＰ偏光成分５ＰとＳ偏光成分５Ｓとの比Ｒに基づいて
行われる異物１２の検出が安定な感度で行われる。
（３）、前記（２）の結果、被検査物２の表面に、異物
１２の検出を行わない非検査領域などを容易に設定する
ことができ、検査工程の簡略化などが可能となる。
１２の検出を行わない非検査領域などを容易に設定する
ことができ、検査工程の簡略化などが可能となる。
（４）、前記（１）〜（３）の結果、半導体装置の製造
におけるウェハの外観検査での生産性が向上される。
におけるウェハの外観検査での生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、被検査物を回転させることによって、Ｓ偏光
による該被検査物表面の走査が行われるようにしても良
い。
による該被検査物表面の走査が行われるようにしても良
い。
以上の説明では主として本発明者に止ってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの外観検査技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、フォトマスク、回折格子な
ど、規則性のあるパターンの検査などに広（適用できる
。
をその背景となった利用分野であるウェハの外観検査技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、フォトマスク、回折格子な
ど、規則性のあるパターンの検査などに広（適用できる
。
〔発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、被検査物表面にＳ偏光を照射する複数の光源
と、該被検査物からの反射光中に含まれるＰ偏光成分お
よびＳ偏光成分を分岐させる分岐部と、該分岐部におい
て分岐されたＰｌ光成分およびＳ偏光成分の各々の光量
を検出する複数の検出部と、該複数の検出部において検
出される前記Ｐ偏光成分の光量と前記Ｓ偏光成分の光量
との比を算出する演算部と、該演算部において得られる
前記比を所定のしきい値と比較する比較部とを有する構
造であるため、被検査物の下地部分からの反射光に含ま
れるｐｇ光成分の光量が比較的多い場合でも、下地部分
からの反射光と異物などからの反射光とが明瞭に区別す
ることが可能となり、たとえば、単に反射光に含まれる
Ｐ偏光成分の光量の変化のみに基づいて異物を検出する
場合などに比較して、被検査物に付着する異物などの検
出感度および検出精度を向上させることができる。
と、該被検査物からの反射光中に含まれるＰ偏光成分お
よびＳ偏光成分を分岐させる分岐部と、該分岐部におい
て分岐されたＰｌ光成分およびＳ偏光成分の各々の光量
を検出する複数の検出部と、該複数の検出部において検
出される前記Ｐ偏光成分の光量と前記Ｓ偏光成分の光量
との比を算出する演算部と、該演算部において得られる
前記比を所定のしきい値と比較する比較部とを有する構
造であるため、被検査物の下地部分からの反射光に含ま
れるｐｇ光成分の光量が比較的多い場合でも、下地部分
からの反射光と異物などからの反射光とが明瞭に区別す
ることが可能となり、たとえば、単に反射光に含まれる
Ｐ偏光成分の光量の変化のみに基づいて異物を検出する
場合などに比較して、被検査物に付着する異物などの検
出感度および検出精度を向上させることができる。
第１図は、本発明の一実施例である検査装置の要部を示
す模式図、 第２図は、その作用を説明する説明図、第３図は、本発
明の他の実施例である検査装置の要部を示す模式図であ
る。 ！・・・ＸＹテーブル、２・・・被検査物、２ａ・・・
パターン、３．４・・・光源、５・・・反射光、５Ｐ・
・・Ｐ偏光成分、５Ｓ・・・Ｓ偏光成分、６・・・対物
レンズ、７・・・偏光ビームスプリンタ（分岐部）、７
ａ・・・ハーフミラ−（分岐部）、７ｂ、１ｃｍ−−偏
光板、８．８ａ、９，９ａ・・・検出器、１０・・・演
算部、１１・・・比較部、１２・・・異物、Ｓ・・・Ｓ
偏光、Ｒ・・・反射光中のＰ偏光成分の光量とＳ偏光成
分の光量との比、Ｔ・・・しきい値。 第 ３ 図 ７ａ−ハーフミラ− ７ｂ、 ７ｃ −４局ぞ沃
す模式図、 第２図は、その作用を説明する説明図、第３図は、本発
明の他の実施例である検査装置の要部を示す模式図であ
る。 ！・・・ＸＹテーブル、２・・・被検査物、２ａ・・・
パターン、３．４・・・光源、５・・・反射光、５Ｐ・
・・Ｐ偏光成分、５Ｓ・・・Ｓ偏光成分、６・・・対物
レンズ、７・・・偏光ビームスプリンタ（分岐部）、７
ａ・・・ハーフミラ−（分岐部）、７ｂ、１ｃｍ−−偏
光板、８．８ａ、９，９ａ・・・検出器、１０・・・演
算部、１１・・・比較部、１２・・・異物、Ｓ・・・Ｓ
偏光、Ｒ・・・反射光中のＰ偏光成分の光量とＳ偏光成
分の光量との比、Ｔ・・・しきい値。 第 ３ 図 ７ａ−ハーフミラ− ７ｂ、 ７ｃ −４局ぞ沃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検査物表面にＳ偏光を照射して得られる反射光中
のＰ偏光成分およびＳ偏光成分の光量を個別に検出し、
該Ｐ偏光成分の光量と該Ｓ偏光成分の光量との比を所定
のしきい値と比較することによって、前記被検査物表面
における所定の検査を行うことを特徴とする検査方法。 ２、前記Ｓ偏光が照射される前記被検査物を相対的に平
行移動させることにより、該被検査物表面が該Ｓ偏光に
よって走査されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の検査方法。 ３、前記被検査物がウェハであり、該ウェハ表面におけ
る異物の有無などの検査を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の検査方法。 ４、被検査物表面にＳ偏光を照射する複数の光源と、該
被検査物からの反射光中に含まれるＰ偏光成分およびＳ
偏光成分を分岐させる分岐部と、該分岐部において分岐
されたＰ偏光成分およびＳ偏光成分の各々の光量を検出
する複数の検出部と、該複数の検出部において検出され
る前記Ｐ偏光成分の光量と前記Ｓ偏光成分の光量との比
を算出する演算部と、該演算部において得られる前記比
を所定のしきい値と比較する比較部とを有することを特
徴とする検査装置。 ５、前記被検査物が前記複数の光源に対して相対的に平
行移動されることによって、該複数の光源から該被検査
物表面に照射されるＳ偏光の該被検査物に対する走査が
行われることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
検査装置。 ６、前記複数の光源が、前記被検査物を介して対向して
配設されていることを特徴とする特許請求の範囲第４項
記載の検査装置。 ７、前記被検査物がウェハであり、該ウェハ表面におけ
る異物の有無などの検査を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6566786A JPS62223649A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6566786A JPS62223649A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 検査方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62223649A true JPS62223649A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13293573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6566786A Pending JPS62223649A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62223649A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575858U (ja) * | 1992-03-06 | 1993-10-15 | 株式会社三協精機製作所 | 文字列等のパターン読取装置 |
| GB2348491A (en) * | 1998-04-03 | 2000-10-04 | Advantest Corp | Surface inspection device |
| GB2335982B (en) * | 1998-04-03 | 2000-12-06 | Advantest Corp | Surface inspection using the ratio of intensities of S-and P- polarized light components of a laser beam |
| JP2006017630A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体表面検査装置 |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP6566786A patent/JPS62223649A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575858U (ja) * | 1992-03-06 | 1993-10-15 | 株式会社三協精機製作所 | 文字列等のパターン読取装置 |
| GB2348491A (en) * | 1998-04-03 | 2000-10-04 | Advantest Corp | Surface inspection device |
| GB2335982B (en) * | 1998-04-03 | 2000-12-06 | Advantest Corp | Surface inspection using the ratio of intensities of S-and P- polarized light components of a laser beam |
| GB2348491B (en) * | 1998-04-03 | 2001-10-03 | Advantest Corp | Surface inspection using the ratio of intensities of S- and P-polarized light components of a laser beam |
| US6356347B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-03-12 | Advantest Corporation | Surface inspection using the ratio of intensities of s- and p-polarized light components of a laser beam reflected a rough surface |
| JP2006017630A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体表面検査装置 |
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