JP2006017630A - 被処理体表面検査装置 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 172
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 88
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 140
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 128
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 47
- 230000008859 change Effects 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】 ウエハ表面検査装置10は、ウエハWの表面の検査箇所に、s偏光及びp偏光のレーザ光を照射するレーザ光照射器11,12と、照射されたレーザ光に起因する散乱光を検出する散乱光検出器13,14と、演算部16とを備え、レーザ光照射器11,12はそれぞれ照射角α1,α2を自在に変化可能に構成され、2つの散乱光検出器13,14は、検出された散乱光に応じて信号を演算部16へ送信し、演算部16は、散乱光検出器13,14から送信された信号に応じて散乱光の発生要因がパーティクルであるかピンホールであるかを弁別する。
【選択図】 図1
Description
レジスト膜モデル41のメッシュ数 256個×256個×1個
レーザ光44の波長及びエネルギ 488nm,1mW/cm2
一部欠落42の開口部大きさ Φ=100nm
球状粒子モデル43の大きさ Φ=100nm
レジスト膜モデル41の厚さ 2000Å(200nm)
大気の屈折率 1.00+0.07i
レジスト膜モデル41の屈折率 1.46+0.0003i
ウエハモデル40の屈折率 3.85+0.01i
まず、レーザ光44の偏光成分をp偏光に設定した場合における散乱光の強度分布の解析結果について説明する。
(実施例1)
まず、上述した図4(a)のピンホールの電磁波解析用モデル及び図4(b)のパーティクルの電磁波解析用モデルを用いて、レーザ光44の照射角を5度乃至90度に亘って変化させたときの散乱光の強度の変化を解析した。この解析に用いたパラメータは上述した散乱光の強度分布の解析のパラメータと同じであった。そして、得られた解析の結果を図8のグラフにプロットした。なお、図8における「散乱光強度」は、散乱光の強度の全散乱角に亘る総和である。
(実施例2)
次に、上述した図4(a)のピンホールの電磁波解析用モデル及び図4(b)のパーティクルの電磁波解析用モデルを用いて、検出する散乱光の散乱角(検出角)を変化させた場合における散乱光の振幅の変化を解析した。このとき、レーザ光44の偏光成分をp偏光及びs偏光のいずれかに設定し、さらに、レーザ光の照射角を20度近傍、60度近傍、90度近傍のいずれか1つに設定した。この解析に用いたパラメータも上述した散乱光の強度分布の解析のパラメータと同じであった。そして、得られた解析の結果を図10乃至12の各グラフにプロットした。なお、各図における「散乱光振幅」は、各散乱角における任意面積に入射した散乱光の強度の1/2乗であり、太実線はs偏光を照射した場合におけるパーティクルからの散乱光振幅であり、細実線はs偏光を照射した場合におけるピンホールからの散乱光振幅であり、太点線はp偏光を照射した場合におけるパーティクルからの散乱光振幅であり、細点線はp偏光を照射した場合におけるピンホールからの散乱光振幅である。
Lp p偏光のレーザ光
Ls s偏光のレーザ光
Ss,Sp 散乱光
W ウエハ
10,70,150 ウエハ表面検査装置
11,12,152 レーザ光照射器
13,14,71,72,153 散乱光検出器
15,151 ステージ
16,154 演算部
40 ウエハモデル
41 レジスト膜モデル
42 球状粒子モデル
44 レーザ光
Claims (19)
- 被処理体の表面に照射光を照射する少なくとも1つの照射手段と、前記照射光に応じて前記被処理体の表面から発生する散乱光を検出する少なくとも1つの散乱光検出手段と、前記検出された散乱光に応じて前記散乱光の発生要因を弁別する弁別手段とを備える被処理体表面検査装置において、
前記照射手段は、s偏光及びp偏光の少なくとも1つの照射光を照射すると共に、前記照射光の照射角を変化させ、
前記弁別手段は、前記検出された散乱光の強度に応じて、前記散乱光の発生要因が異物であるか微小欠陥であるかを弁別することを特徴とする被処理体表面検査装置。 - 前記照射手段はs偏光の照射光を低照射角で照射し、前記弁別手段は、前記検出された散乱光の強度が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記検出された散乱光の強度が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項1記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段はs偏光及びp偏光の照射光を照射し、前記弁別手段は、前記p偏光の照射光に起因する散乱光の強度に対する前記s偏光の照射光に起因する散乱光の強度の比に応じて前記散乱光の発生要因を弁別することを特徴とする請求項1記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段は前記照射光を低照射角で照射し、前記弁別手段は、前記比が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記比が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項3記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段が前記照射光の照射角を前記被処理体の表面から15度乃至45度に亘って変化させ、前記弁別手段は、前記比が1より大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記比が1以下であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項4記載の被処理体表面検査装置。
- 被処理体の表面に照射光を照射する少なくとも1つの照射手段と、前記照射光に応じて前記被処理体の表面から発生する散乱光を検出する少なくとも1つの散乱光検出手段と、前記検出された散乱光に応じて前記散乱光の発生要因を弁別する弁別手段とを備える被処理体表面検査装置において、
前記照射手段は、所定の照射角で前記照射光を照射するように固定され、且つs偏光及びp偏光の少なくとも1つの照射光を照射し、
前記弁別手段は、前記検出された散乱光の強度に応じて、前記散乱光の発生要因が異物であるか微小欠陥であるかを弁別することを特徴とする被処理体表面検査装置。 - 前記照射手段はs偏光の照射光を低照射角で照射するように固定され、前記弁別手段は、前記検出された散乱光の強度が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記検出された散乱光の強度が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項6記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段はs偏光及びp偏光の照射光を照射し、前記弁別手段は、前記p偏光の照射光に起因する散乱光の強度に対する前記s偏光の照射光に起因する散乱光の強度の比に応じて前記散乱光の発生要因を弁別することを特徴とする請求項6記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段は前記照射光を低照射角で照射するように固定され、前記弁別手段は、前記比が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記比が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項8記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段は、前記照射光を前記被処理体の表面から15度乃至45度のいずれかの照射角で照射するように固定され、前記弁別手段は、前記比が1より大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記比が1以下であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項9記載の被処理体表面検査装置。
- 被処理体の表面に照射光を照射する少なくとも1つの照射手段と、前記照射光に応じて前記被処理体の表面から発生する散乱光を検出する少なくとも1つの散乱光検出手段と、前記検出された散乱光に応じて前記散乱光の発生要因を弁別する弁別手段とを備える被処理体表面検査装置において、
前記照射手段は、s偏光及びp偏光の少なくとも1つの照射光を照射し、
前記散乱光検出手段は、前記検出する散乱光の検出角を変化させ、
前記弁別手段は、前記検出された散乱光の振幅に応じて、前記散乱光の発生要因が異物であるか微小欠陥であるかを弁別することを特徴とする被処理体表面検査装置。 - 前記照射手段はs偏光の照射光を低照射角で照射し、前記散乱光検出手段は低散乱角の散乱光を検出し、前記弁別手段は、前記検出された散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記検出された散乱光の振幅が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項11記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段はp偏光の照射光を高照射角で照射し、前記散乱光検出手段は高散乱角の散乱光を検出し、前記弁別手段は、前記検出された散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別し、前記検出された散乱光の振幅が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別することを特徴とする請求項11記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段は、s偏光及びp偏光の照射光を照射角を変化させて照射し、前記弁別手段は、低照射角の前記s偏光の照射光に起因する低散乱角の散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、高照射角の前記p偏光の照射光に起因する高散乱角の散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項11記載の被処理体表面検査装置。
- 前記弁別手段は、前記s偏光の照射光に起因する散乱光の振幅の極値が前記被処理体の表面から20度の散乱角近傍において検出されたときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記p偏光の照射光に起因する散乱光の振幅の極値が前記被処理体の表面から90度の散乱角近傍において検出されたときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項14記載の被処理体表面検査装置。
- 被処理体の表面に照射光を照射する少なくとも1つの照射手段と、前記照射光に応じて前記被処理体の表面から発生する散乱光を検出する少なくとも1つの散乱光検出手段と、前記検出された散乱光に応じて前記散乱光の発生要因を弁別する弁別手段とを備える被処理体表面検査装置において、
前記照射手段は、s偏光及びp偏光の少なくとも1つの照射光を照射し、
前記散乱光検出手段は、所定の検出角で前記散乱光を検出するように固定され、
前記弁別手段は、前記検出された散乱光の振幅に応じて、前記散乱光の発生要因が異物であるか微小欠陥であるかを弁別することを特徴とする被処理体表面検査装置。 - 前記照射手段はs偏光の照射光を低照射角で照射するように固定され、前記散乱光検出手段は前記散乱光を低散乱角で検出するように固定され、前記弁別手段は、前記検出された散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記検出された散乱光の振幅が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項16記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段はp偏光の照射光を高照射角で照射するように固定され、前記散乱光検出手段は前記散乱光を高散乱角で検出するように固定され、前記弁別手段は、前記検出された散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別し、前記検出された散乱光の振幅が小であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別することを特徴とする請求項16記載の被処理体表面検査装置。
- 前記照射手段は、s偏光の照射光を低照射角で照射するとともに、p偏光の照射光を高照射角で照射するように固定され、前記散乱光検出手段は、前記散乱光を高散乱角及び低散乱角で検出するように固定され、前記弁別手段は、前記s偏光の照射光に起因する、前記低散乱角の散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記異物と弁別し、前記p偏光の照射光に起因する、前記高散乱角の散乱光の振幅が大であるときに、前記散乱光の発生要因を前記微小欠陥と弁別することを特徴とする請求項16記載の被処理体表面検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004197056A JP4761427B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 被処理体表面検査装置 |
US11/171,236 US7245364B2 (en) | 2004-07-02 | 2005-07-01 | Apparatus for inspecting a surface of an object to be processed |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004197056A JP4761427B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 被処理体表面検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006017630A true JP2006017630A (ja) | 2006-01-19 |
JP4761427B2 JP4761427B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=35792054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004197056A Expired - Fee Related JP4761427B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 被処理体表面検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4761427B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007225432A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査方法及び検査装置 |
JP2008261790A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
JP2009031251A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式検査方法、および光学式検査装置 |
JP2009535782A (ja) * | 2006-05-02 | 2009-10-01 | アクレテック ユーエスエイ インコーポレイテッド | 基板照明・検査装置 |
US8189185B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Optical inspection method and optical inspection system |
EP2287594A4 (en) * | 2008-05-22 | 2016-01-20 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | METHOD FOR TROUBLESHOOTING AND TROUBLESHOOTING APPARATUS |
KR20170041128A (ko) * | 2015-10-06 | 2017-04-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치 |
CN111307819A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 |
WO2021131207A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60220940A (ja) * | 1983-05-20 | 1985-11-05 | Hitachi Ltd | 異物自動検査装置 |
JPS62223649A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | 検査方法および装置 |
JPH02284047A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
JPH0552764A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | Kobe Steel Ltd | 表面欠陥検査装置 |
JPH06242012A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Toshiba Corp | 異物検査装置 |
JP2001503148A (ja) * | 1996-12-04 | 2001-03-06 | エイド・オプティカル・システムズ・コーポレイション | ウェハ表面上のピットと粒子を区別するための表面検査システム及び方法 |
JP2002257533A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2002257747A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2002340811A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Silicon Technology Co Ltd | 表面評価装置 |
JP2007526444A (ja) * | 2003-06-06 | 2007-09-13 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | パターン化ウェハまたは非パターン化ウェハおよびその他の検体の検査システム |
-
2004
- 2004-07-02 JP JP2004197056A patent/JP4761427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60220940A (ja) * | 1983-05-20 | 1985-11-05 | Hitachi Ltd | 異物自動検査装置 |
JPS62223649A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | 検査方法および装置 |
JPH02284047A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
JPH0552764A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | Kobe Steel Ltd | 表面欠陥検査装置 |
JPH06242012A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Toshiba Corp | 異物検査装置 |
JP2001503148A (ja) * | 1996-12-04 | 2001-03-06 | エイド・オプティカル・システムズ・コーポレイション | ウェハ表面上のピットと粒子を区別するための表面検査システム及び方法 |
JP2002257747A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2002257533A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2002340811A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Silicon Technology Co Ltd | 表面評価装置 |
JP2007526444A (ja) * | 2003-06-06 | 2007-09-13 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | パターン化ウェハまたは非パターン化ウェハおよびその他の検体の検査システム |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007225432A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査方法及び検査装置 |
JP4723399B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査方法及び検査装置 |
JP2009535782A (ja) * | 2006-05-02 | 2009-10-01 | アクレテック ユーエスエイ インコーポレイテッド | 基板照明・検査装置 |
JP2008261790A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
US8319960B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-11-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection system |
US8804109B2 (en) | 2007-04-13 | 2014-08-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection system |
JP2009031251A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式検査方法、および光学式検査装置 |
US8189185B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Optical inspection method and optical inspection system |
EP2287594A4 (en) * | 2008-05-22 | 2016-01-20 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | METHOD FOR TROUBLESHOOTING AND TROUBLESHOOTING APPARATUS |
KR20170041128A (ko) * | 2015-10-06 | 2017-04-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치 |
KR101885614B1 (ko) | 2015-10-06 | 2018-08-06 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치 |
WO2021131207A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム |
JP2021106208A (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-26 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム |
JP7176508B2 (ja) | 2019-12-26 | 2022-11-22 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム |
CN111307819A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 |
CN111307819B (zh) * | 2020-03-16 | 2024-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4761427B2 (ja) | 2011-08-31 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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