JP6507979B2 - 半導体ウェーハの評価方法 - Google Patents
半導体ウェーハの評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6507979B2 JP6507979B2 JP2015199111A JP2015199111A JP6507979B2 JP 6507979 B2 JP6507979 B2 JP 6507979B2 JP 2015199111 A JP2015199111 A JP 2015199111A JP 2015199111 A JP2015199111 A JP 2015199111A JP 6507979 B2 JP6507979 B2 JP 6507979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- receiving system
- incident
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 46
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 41
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 65
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000001824 photoionisation detection Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3075—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state for use in the UV
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8848—Polarisation of light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
更に本発明は、上記評価方法による評価が行われた、研磨面を有する半導体ウェーハに関する。
研磨面を有する半導体ウェーハを、入射系および受光系を有するレーザー表面検査装置を用いて評価する方法であって、
一入射系から上記半導体ウェーハの研磨面に入射光を入射させ、この入射光が研磨面で反射または散乱することにより放射された放射光を、第一の受光系で受光することによって得られた測定結果1、第二の受光系で受光することによって得られた測定結果2、および第三の受光系で受光することによって得られた測定結果3に基づき、上記半導体ウェーハの上記研磨面に存在する加工起因欠陥および表面付着異物からなる群から選択される異常種を輝点として検出することにより、上記半導体ウェーハの評価を行うことを含み、
第一の受光系、第二の受光系および第三の受光系は、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる、上記評価方法、
を新たに見出した。即ち、上記評価方法によれば、一入射系と、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる三種の受光系とを備えたレーザー表面検査装置により得られる三種の測定結果に基づき、上記異常種の検出が可能となる。
上記評価方法による評価が行われた、研磨面を有する半導体ウェーハ、
も提供される。
本発明の一態様は、研磨面を有する半導体ウェーハを、入射系および受光系を有するレーザー表面検査装置を用いて評価する方法(以下、「評価方法」とも記載する。)に関する。上記評価方法は、一入射系から上記半導体ウェーハの研磨面に入射光を入射させ、この入射光が研磨面で反射または散乱することにより放射された放射光を、第一の受光系で受光することによって得られた測定結果1、第二の受光系で受光することによって得られた測定結果2、および第三の受光系で受光することによって得られた測定結果3に基づき、上記半導体ウェーハの上記研磨面に存在する加工起因欠陥および表面付着異物からなる群から選択される異常種を輝点として検出することにより、上記半導体ウェーハの評価を行うことを含み、第一の受光系、第二の受光系および第三の受光系は、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる。
上記評価方法において用いるレーザー表面検査装置(以下、単に「表面検査装置」とも記載する。)は、
・一入射系と、
・受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる3つの受光系(第一の受光系、第二の受光系および第三の受光系)と、
を備えている。かかる表面検査装置では、一入射系から評価対象の半導体ウェーハの研磨面に入射した光が研磨面上の各所で反射または散乱することにより放射された放射光が、上記3つの受光系で受光される。放射光が放射する方向(詳しくは、反射光の反射角度または散乱光の散乱角度)および偏光特性は、加工起因欠陥や表面付着異物の存在により様々に変わり得る。それらが異なる様々な放射光を、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる上記3つの受光系で受光することにより、加工起因欠陥や表面付着異物を輝点として検出することが可能になると、本発明者は推察している。そのような入射系および受光系を備える表面検査装置の一例(概略構成図)を、図1に示す。図1中、入射光を実線矢印、放射光を点線矢印で模式的に示しているが、図中に示す入射方向および放射方向は例示であって、本発明を何ら限定するものではない。
レーザー光源100と、
レーザー光源100から入射した光がポリッシュドウェーハ1の表面(研磨面)で散乱または反射することにより放射された放射光を受光する低角度側受光器101および102、ならびに高角度側受光器201と、
を備えている。図1に示す表面検査装置10は、高角度側受光器が1つであり低角度側受光器が2つの構成であるが、かかる構成に限定されるものではなく、高角度側受光器が2つであり低角度側受光器が1つの構成であってもよい。また、2つの低角度側受光器の受光角は、同じであっても異なっていてもよい。この点は、高角度側受光器が2つの場合でも同様である。それら3つの受光器は、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる。この点については、更に後述する。なお図1に示す表面検査装置10では、低角度側受光器101および102は、ステージ11上方全周において放射光を受光する構成であるが、放射光を受光できる構成であればよく図1に示す態様に限定されるものではない。
上記評価方法における検出対象は、半導体ウェーハの上記研磨面に存在する加工起因欠陥および表面付着異物からなる群から選択される異常種である。これら異常種は、評価対象のポリッシュドウェーハの研磨面に一入射系から光を入射させ研磨面から光が放射(散乱または反射)されることにより、受光系において輝点として検出される。輝点を検出することにより、表面検査装置の演算部において、検出された輝点のサイズから、標準粒子のサイズに基づき、輝点をもたらした異常種のサイズ(検出サイズ)を算出することができる。標準粒子のサイズに基づく検出サイズの算出は、市販の表面検査装置に備えられている演算手段により、または公知の演算方法により、行うことができる。
これに対して、加工起因欠陥は、ポリッシュドウェーハの製造工程における化学的または機械的な加工によりポリッシュドウェーハに導入される。例えば、加工起因欠陥の例としては、
・鏡面研磨または鏡面研磨の前に通常行われる粗研磨(例えばラッピング)等における研磨により導入されるライン状の凸状欠陥であるPID(Polished Induced Defect);
・PIDの中でも比較的短い島状の形状のPIDであるShort PID;
・比較的なだらかな凹形状の欠陥であるShallow、
を挙げることができる。
次に、上記評価方法の具体的態様について、説明する。
一入射系から評価対象のポリッシュドウェーハの研磨面に入射する入射光の波長は、特に限定されるものではない。入射光は、一態様では紫外光であるが、可視光またはその他の光であってもよい。ここで本発明における紫外光とは、400nm未満の波長域の光をいい、可視光とは、400〜600nmの波長域の光をいうものとする。
前述の通り、本発明の評価方法において用いる表面検査装置は、3つの受光系を有し、これら3つの受光系は、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる。一態様では、1つの受光系が評価対象のポリッシュドウェーハの研磨面からの放射光を高角度側で受光する高角度受光系であり、他の2つの受光系が上記放射光を低角度側で受光する低角度受光系である。2つの低角度受光系の受光角は、同じであっても異なっていてもよい。ここで受光角に関して高角度(側)・低角度(側)とは、一方と他方との関係で相対的に定まるものであり、具体的な角度は限定されるものではない。一態様では、先に記載した入射角度と同様に評価対象のポリッシュドウェーハの研磨面を基準に角度を規定する場合、高角度側での受光とは、80°超〜90°の範囲の受光角で受光することをいうことができ、低角度側での受光とは、0°〜80°の範囲の受光角で受光することをいうことができる。また、他の一態様では、2つの受光系が高角度受光系であり、1つの受光系が低角度受光系であってもよい。この場合、2つの高角度受光系の受光角は、同じであっても異なっていてもよい。
第一の受光系は、全方位光を受光し、
第二の受光系は、方位角θ1°の偏光を受光し、
第三の受光系は、方位角θ2°の偏光を受光し、
第一の受光系の受光角は、第二の受光系および第三の受光系の受光角より高角度である。即ち、全方位光を受光する第一の受光系は、高角度受光系であり、偏光を受光する第二の受光系および第三の受光系は、低角度受光系である。更に、偏光を受光する2つの受光系(第二の受光系および第三の受光系)が受光する偏光の方位角は、θ1°<θ2°である。
上記評価方法における検出対象は、研磨面に存在する加工起因欠陥および表面付着異物からなる群から選択される異常種であるが、これら異常種の中でも、表面付着異物(一般に「Particle」と呼ばれる。)は、入射系から入射した入射光を、加工起因欠陥と比べて等方的に散乱する傾向がある。また換言すれば、加工起因欠陥は、入射系から入射した入射光を、表面付着異物と比べて異方的に散乱する傾向がある。本発明者は、かかる傾向に関して、上記のより好ましい具体的な一態様にかかる受光系を有する表面検査装置では、より方位角が小さい偏光を受光する第二の受光系は、ポリッシュドウェーハ表面(研磨面)からの反射光成分の抑制が可能であり、等方的な散乱をする表面付着異物からの散乱光を検出しやすいと考えている。これに対し、より方位角が大きい偏光を受光する第三の受光系は、上記第二の受光系と比べて、ポリッシュドウェーハ表面(研磨面)からの反射光成分の抑制効果は低いものの、異方的な散乱をする加工起因欠陥からの散乱光を高感度に検出することができると、本発明者は考えている。更に、上記の第二の受光系および第三の受光系とともに、これら2つの受光系よりも高角度側で全方位光を受光する第一の受光系を組み合わせることにより、各種異常種の検出感度をより高めることができると、本発明者は推察している。こうして、加工起因欠陥および表面付着異物をともに高感度に検出することが可能になると、本発明者は考えている。ただし以上は本発明者による推察を含むものであり、本発明を何ら限定するものではない。
高角度側で全方位光を受光する第一の受光系での受光により得られた測定結果1における検出の有無および検出サイズ;
低角度側で方位角θ1°の偏光を受光する第二の受光系での受光により得られた測定結果2における検出の有無および検出サイズ;ならびに、
低角度側で方位角θ2°(ただしθ1°<θ2°)の偏光を受光する第三の受光系での受光により得られた測定結果3における検出の有無および検出サイズ、
からなる群から選ばれる判別基準に基づき、検出された異常種が加工起因欠陥であるか表面付着異物であるか判別することができる。このような判別が可能となる理由は、加工起因欠陥と表面付着異物は、発生原因の違いに起因し形状等が異なることにより光を散乱・反射する挙動が異なるため、受光角や偏光選択性が異なる受光系における検出の有無や検出サイズが異なることにあると、本発明者は考えている。
また、製品として出荷する前のポリッシュドウェーハを上記評価方法により評価し、各種異常種の存在数が予め定めていた許容範囲内(閾値以下)であることが確認されたポリッシュドウェーハを製品ウェーハとして出荷することにより、高品質なポリッシュドウェーハを安定供給することが可能となる。なお閾値は、特に限定されるものではなく、製品ウェーハの用途等に応じて、適宜設定することができる。
即ち、上記評価方法は、ポリッシュドウェーハの工程管理や品質管理のために用いることができる。
本発明の更なる態様は、上記評価方法による評価が行われた、研磨面を有する半導体ウェーハ(ポリッシュドウェーハ)に関する。かかるポリッシュドウェーハは、上記評価結果による評価によって、各種異常種の存在数が予め定めていた許容範囲内(閾値以下)であることが確認されたポリッシュドウェーハであることができる。
評価対象のポリッシュドウェーハを準備し、表面検査装置として、KLA TENCOR社製 SurfscanシリーズSP5を用いて輝点の検出を行った。KLA TENCOR社製 SurfscanシリーズSP5は、一入射系として、評価対象ウェーハの表面に入射光を斜め入射させる紫外光源を有し、受光系として、DNO(Dark-Field Narrow Oblique)チャンネル、DW1O(Dark-Field Wide1 Oblique)チャンネル、およびDW2O(Dark-Field Wide2 Oblique)チャンネルという3つの受光系を有する。DNOは、全方位光を受光する(即ち偏光選択性を有さない)受光系であり、DW1OチャンネルおよびDW2Oチャンネルに対して高角度側の受光系である。一方、DW1OチャンネルおよびDW2Oチャンネルは、DNOチャンネルに対して低角度側の受光系であり、偏光選択性を有する。DW1Oチャンネルが受光する偏光の方位角は、DW2Oチャンネルが受光する偏光の方位角より小さい。DW1Oチャンネルが受光する偏光の方位角は、0°以上90°以下の範囲にあり、DW2Oチャンネルが受光する偏光の方位角は、90°以上180°以下の範囲にある。
表面検査装置KLA TENCOR社製 SurfscanシリーズSP5を用いて、評価対象のポリッシュドウェーハの研磨面の全域に入射光を走査して輝点(LPD)として異常種を検出し、かつ輝点のサイズに基づき、上記表面検査装置に備えられた演算部において、検出された異常種サイズ(検出サイズ)を算出した。なお上記表面検査装置の各受光系において検出される輝点のサイズの下限(検出下限)は、DNOチャンネルは36nm、DW1Oチャンネルは19nm、DW2Oチャンネルは31nmである。
上記1.で評価を行ったポリッシュドウェーハの研磨面を、走査型電子顕微鏡(SEM;Scanning Electron Microscope)により観察し、上記表面検査装置により検出された輝点位置に存在する異常種を、観察された形状に基づき、表面付着異物(Particle)および各種加工起因欠陥(PID、Short PIDおよびShallow)に分類した。SEMで観察された各異常種の一例(SEM像)を、図2に示す。図2(a)はParticle、図2(b)はPID、図2(c)はShort PID、図2(d)はShallowと分類された異常種のSEM像である。
(1)DW1Oチャンネルにおいて得られた結果とDW2Oチャンネルにおいて得られた結果の対比検討
図3に、上記2.におけるSEMによる観察により分類された各異常種について、上記1.においてDW1Oチャンネルで輝点として検出されたサイズから算出された異常種サイズとDW2Oチャンネルで輝点として検出されたサイズから算出された異常種サイズをプロットしたグラフを示す。このグラフ内で、X軸上にプロットされた異常種は、DW1Oチャンネルのみで検出され、DW2Oチャンネルでは未検出の異常種であり、Y軸上にプロットされたLPDは、DW2Oチャンネルのみで検出され、DW1Oチャンネルでは未検出の異常種である。
図3に示すグラフより、以下の傾向が確認できる。
(i)Particleは、
・DW1Oチャンネルのみで検出(DW2Oチャンネルでは未検出)、
または、
・サイズ比DW2O/DW1Oがおよそ1(主にy=xのライン上またはその周辺に存在);
(ii)PID、Short PID、Shallowは、
・DW2Oチャンネルのみで検出(DW1Oチャンネルでは未検出)、
または、
・サイズ比DW2O/DW1Oがおよそ2(主にy=2xのライン上またはその周辺に存在)。
図4に、上記2.におけるSEMによる観察により分類された各異常種について、上記1.においてDW1Oチャンネルで輝点として検出されたサイズから算出された異常種サイズとDNOチャンネルで輝点として検出されたサイズから算出された異常種サイズをプロットしたグラフを示す。このグラフ内で、X軸上にプロットされた異常種は、DW1Oチャンネルのみで検出され、DNOチャンネルでは未検出の異常種であり、Y軸上にプロットされた異常種は、DNOチャンネルのみで検出され、DW1Oチャンネルでは未検出のLPDである。
図4に示すグラフより、以下の傾向が確認できる。
(i)Particleは、
・DW1Oチャンネルのみで検出(DNOチャンネルでは未検出)、
または、
・サイズ比DNO/DW1Oがおよそ1(主にy=xのライン上またはその周辺に存在);
(ii)PID、Short PID、Shallowは、
・DNOチャンネルのみで検出(DW1Oチャンネルでは未検出)、
または、
・サイズ比DNO/DW1Oがおよそ2(主にy=2xのライン上またはその周辺に存在)。
そこで、上記の結果をもとに、下記表2に示す異常種判別条件を作成した。ParticleのDW2O/DW1Oサイズ比およびDNO/DW1Oサイズ比はおよそ1であり、PIDなどの加工起因欠陥のDW2O/DW1Oサイズ比およびDNO/DW1Oサイズ比はおよそ2であることから、Particleと加工起因欠陥を判別する、DW2O/DW1Oサイズ比およびDNO/DW1Oサイズ比の閾値は、1.0超2.0未満に設定することが望ましいと考え、暫定的に1.4とした。表2に示す異常種判別基準で判別を行い、この異常種判別基準の妥当性を上記2.のSEMによる観察結果により確認した。その結果、表2に示す異常種判別基準に適応しない異常種はきわめてわずかであり、適応率(%)=[適応した異常種の数/(適応した異常種の数+適応しない異常種の数)]×100、により算出される適応率は、表2に示すように90%超であった。
Claims (3)
- 研磨面を有する半導体ウェーハを、入射系および受光系を有するレーザー表面検査装置を用いて評価する方法であって、
一入射系から前記半導体ウェーハの研磨面に入射光を入射させ、該入射光が研磨面で反射または散乱することにより放射された放射光を、第一の受光系で受光することによって得られた測定結果1、第二の受光系で受光することによって得られた測定結果2、および第三の受光系で受光することによって得られた測定結果3に基づき、前記半導体ウェーハの前記研磨面に存在する加工起因欠陥および表面付着異物からなる群から選択される異常種を輝点として検出することにより、前記半導体ウェーハの評価を行うことを含み、
前記第一の受光系、第二の受光系および第三の受光系は、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なり、
前記第一の受光系は、全方位光を受光し、
前記第二の受光系は、方位角θ 1 °の偏光を受光し、
前記第三の受光系は、方位角θ 2 °の偏光を受光し、
前記第一の受光系の受光角は、前記第二の受光系および前記第三の受光系の受光角より高角度であり、
前記第二の受光系および前記第三の受光系は、方位角が異なる偏光をそれぞれ選択受光し、0°≦θ 1 °≦90°であり、90°≦θ 2 °≦180°であり、
下記基準:
- 前記Xは、1.3<X<1.6である、請求項1に記載の評価方法。
- 前記入射光の入射角度は、前記半導体ウェーハの研磨面と水平な全方向を0°、該研磨面と垂直な方向を90°として、0°超90°未満の範囲である請求項1または2に記載の評価方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015199111A JP6507979B2 (ja) | 2015-10-07 | 2015-10-07 | 半導体ウェーハの評価方法 |
PCT/JP2016/074471 WO2017061179A1 (ja) | 2015-10-07 | 2016-08-23 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハ |
CN201680050755.XA CN108027330B (zh) | 2015-10-07 | 2016-08-23 | 半导体晶片的评价方法和半导体晶片 |
US15/765,857 US10422756B2 (en) | 2015-10-07 | 2016-08-23 | Semiconductor wafer evaluation method and semiconductor wafer |
KR1020187008415A KR102039417B1 (ko) | 2015-10-07 | 2016-08-23 | 반도체 웨이퍼의 평가 방법 |
DE112016004591.3T DE112016004591T5 (de) | 2015-10-07 | 2016-08-23 | Bewertungsverfahren für Halbleiterwafer und Halbleiterwafer |
US16/509,861 US10718720B2 (en) | 2015-10-07 | 2019-07-12 | Semiconductor wafer evaluation method and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015199111A JP6507979B2 (ja) | 2015-10-07 | 2015-10-07 | 半導体ウェーハの評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017072461A JP2017072461A (ja) | 2017-04-13 |
JP6507979B2 true JP6507979B2 (ja) | 2019-05-08 |
Family
ID=58487419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015199111A Active JP6507979B2 (ja) | 2015-10-07 | 2015-10-07 | 半導体ウェーハの評価方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10422756B2 (ja) |
JP (1) | JP6507979B2 (ja) |
KR (1) | KR102039417B1 (ja) |
CN (1) | CN108027330B (ja) |
DE (1) | DE112016004591T5 (ja) |
WO (1) | WO2017061179A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6507979B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2019-05-08 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法 |
JP6673122B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-03-25 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP2018182160A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法 |
CN109405749B (zh) * | 2018-11-19 | 2024-03-26 | 清华大学深圳研究生院 | 一种激光成像测距方法及系统 |
CN109781666B (zh) * | 2018-11-27 | 2021-04-23 | 大连理工大学 | 一种偏振激光散射检测单晶硅片亚表面损伤的方法 |
JP7103211B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-07-20 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法および製造方法ならびに半導体ウェーハの製造工程管理方法 |
CN111328370B (zh) * | 2019-04-23 | 2023-05-02 | 合刃科技(深圳)有限公司 | 一种表面缺陷检测系统及方法 |
JP7218710B2 (ja) * | 2019-11-07 | 2023-02-07 | 株式会社Sumco | レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法 |
JP7176508B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2022-11-22 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム |
JP7283445B2 (ja) * | 2020-06-08 | 2023-05-30 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5279180A (en) | 1975-12-26 | 1977-07-04 | Chukyo Electric Co | Buffer |
US6118525A (en) | 1995-03-06 | 2000-09-12 | Ade Optical Systems Corporation | Wafer inspection system for distinguishing pits and particles |
TW482898B (en) * | 1996-12-04 | 2002-04-11 | Ade Optical Syst Corp | A surface inspection system and method for distinguishing between particle defects and pit defects on a surface of a workpiece. |
JPH1164234A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Advantest Corp | 異物検出方法、および異物検出装置 |
JP2000162141A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および方法 |
JP3996728B2 (ja) | 2000-03-08 | 2007-10-24 | 株式会社日立製作所 | 表面検査装置およびその方法 |
JP3476742B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2003-12-10 | エイド・オプティカル・システムズ・コーポレイション | 基板の表面に発生する粒子の材料を識別する方法と装置 |
US6731384B2 (en) * | 2000-10-10 | 2004-05-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting foreign particle and defect and the same method |
JP2002257747A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検査装置 |
US7046353B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-05-16 | Kabushiki Kaisha Topcon | Surface inspection system |
US7397552B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-07-08 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Optical inspection with alternating configurations |
JP5466377B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-04-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
JP5572293B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2014-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US8169613B1 (en) * | 2008-11-21 | 2012-05-01 | Kla-Tencor Corp. | Segmented polarizer for optimizing performance of a surface inspection system |
JP5509581B2 (ja) | 2008-11-27 | 2014-06-04 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの評価方法 |
JP5171744B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2013-03-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2013205239A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板表面検査方法及びその装置 |
US9239295B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-01-19 | Kla-Tencor Corp. | Variable polarization wafer inspection |
US20150017745A1 (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-15 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
JP6004033B1 (ja) | 2015-04-14 | 2016-10-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置 |
JP6507979B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2019-05-08 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法 |
-
2015
- 2015-10-07 JP JP2015199111A patent/JP6507979B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-23 US US15/765,857 patent/US10422756B2/en active Active
- 2016-08-23 DE DE112016004591.3T patent/DE112016004591T5/de active Pending
- 2016-08-23 KR KR1020187008415A patent/KR102039417B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-23 CN CN201680050755.XA patent/CN108027330B/zh active Active
- 2016-08-23 WO PCT/JP2016/074471 patent/WO2017061179A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-07-12 US US16/509,861 patent/US10718720B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180042399A (ko) | 2018-04-25 |
JP2017072461A (ja) | 2017-04-13 |
US10422756B2 (en) | 2019-09-24 |
KR102039417B1 (ko) | 2019-11-01 |
WO2017061179A1 (ja) | 2017-04-13 |
CN108027330A (zh) | 2018-05-11 |
CN108027330B (zh) | 2021-04-02 |
US20180292330A1 (en) | 2018-10-11 |
DE112016004591T5 (de) | 2018-08-30 |
US10718720B2 (en) | 2020-07-21 |
US20190331609A1 (en) | 2019-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6507979B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
JP6004033B1 (ja) | エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置 | |
JP5509581B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
JP6256413B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
US20180328859A1 (en) | Wafer inspection method and wafer inspection apparatus | |
JP6508082B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの評価方法 | |
JP6673122B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
WO2018193762A1 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法 | |
TWI745781B (zh) | 半導體晶圓的評估方法及製造方法以及半導體晶圓製造步驟管理方法 | |
JP5585438B2 (ja) | ウェーハの欠陥検出方法 | |
JP7283445B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
JP2010283264A (ja) | レーザー散乱法を用いた半導体ウェーハの良品判定方法 | |
JP6809422B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
JP4507157B2 (ja) | ウエーハ製造工程の管理方法 | |
JP5036757B2 (ja) | 基板の表面検査装置及び表面検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6507979 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |