JPS6382348A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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JPS6382348A
JPS6382348A JP22604186A JP22604186A JPS6382348A JP S6382348 A JPS6382348 A JP S6382348A JP 22604186 A JP22604186 A JP 22604186A JP 22604186 A JP22604186 A JP 22604186A JP S6382348 A JPS6382348 A JP S6382348A
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は外観検査技術に関し、例えば、ウェーハの外
観検査に利用して有効な技術に関する。
[従来の技術] ウェーハ上の拡散層や配線層あるいは絶縁膜のパターン
は1年々、微細化、高密度化される傾向にある。微細パ
ターンをもつウェーハを低コストで歩留り良く生産する
ためには、できるだけ速い段階で、ウェーハの検査を行
ない、異物等が存在する場合は、これを除去することが
必要である。
ところで、本発明者は、ウェーハ表面に偏光光線を照射
することによって、ウェーハ表面に付着した異物等を検
出するウェーハの外観検査について検討した。以下は公
知とされた技術ではないが、本発明者によって検討され
た技術であり、その概要は次のとおりである。
すなわち、所定の平面内において回転されるウェーハの
表面の所定の部位に、P偏光(Parallel偏光)
およびS偏光(Senkrecht偏光)を照射しつつ
走査し、ウェーハ表面に単層でしかも段差が小さいとい
うような理想的なパターンが形成されている場合におい
ては、パターンによるP偏光およびS偏光の反射光は、
P偏光およびS偏光のいずれの場合においてもS偏光の
みとなることを利用し、反射光に含まれるP偏光の光量
の変化を検出することでパターンに付着した異物を検出
するというものである。
しかしながら、上記のように、単にP偏光の光量を検出
することによって異物の有無を判別する検査においては
、例えば、パターンが多層状に形成されて、ウェーハの
表面形状が複雑になっていたり、段差寸法の変化が大き
くなるなどして異物の存在しない下地部分からの反射光
中に含まれるP偏光の光量が比較的多くなる場合、下地
からの反射光に含まれるP偏光と異物からのP偏光との
比率が低下してしまう。そのため、検出可能な異物の最
小寸法が比較的大きくなり、検出感度や検出精度が低下
するなどの欠点がある。
本発明者は上記方法によって得られるP偏光成分および
S偏光成分の光量を別個に検出し、P偏光成分の光量と
S偏光成分の光量との比を所定のしきい値と比較するこ
とによってウェーハに付着した異物を検出する技術を開
発し提案した(特願昭61−65667号明細書)。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、P偏光成分とS偏光成分の比と所定のし
きい値を比較することによって異物を検査する方法は、
検出可能な異物の最小寸法が比較的大きくなり、検出感
度や検出精度が低下されるという問題点を解決するもの
の、異物粒径の大きな異物を見逃すという不都合がある
本発明の目的は、ウェーハに付着した異物を高感度かつ
高信頼性で検出可能な異物検査装置を提供することにあ
る。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては1本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
[問題点を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、被検査物表面にS偏光を照射して得られる反
射光中のP偏光成分とS偏光成分の光量との比を所定の
しきい値と比較することにによって微tJsな異物を高
感度で検査するモード、もしくはP偏光成分の光量と所
定のしきい値の比較によって比較的大きな異物を高感度
で検出するモードのいずれかによって異物ありと判定さ
れた場合は。
異物検出信号を出力して異物の存在を知らせるようにす
るものである。
[作用] 上記した手段によれば、ウェーハ表面に存在する異物の
うち、比較的粒径の小さなものは、微小な異物を高感度
で検出可能なP偏光成分とS偏光成分の光量と所定のし
きい値とを比較する方法によって検出され、上記方法に
よっては見逃しやすい比較的大きな異物は、高感度で検
出するP偏光成分の光景と所定のしきい値とを比較する
方法によって検出されることにより、異物検査を高信頼
性のもとで高感度に行なえるようにするという上記目的
を達成することができる。
[実施例コ 第3図は、ウェーハ上の異物およびパターンからの反射
・散乱光の偏光特性を示す。
同図において、実線で示される曲線(a)は、ウェーハ
にS偏光を照射した際の異物からの散乱光におけるP偏
光成分とS偏光成分との比と、異物粒径の大きさとの関
係を示すものである。点線で示される曲線(b)は、異
物からの散乱光におけるP偏光成分の光量と、異物粒径
の大きさとの関係を示すものである。
また、2点鎖点で示される直a (C)は、パターンか
らの反射光におけるP偏光成分とS偏光成分の光量の比
を示すものである。
異物およびパターンからの反射・散乱光の特性を示す曲
線(a)〜(c)において、異物粒径が例えば、R以上
になると、曲線(a)と曲線(c)はほぼ一致する。す
なわち、異物の粒径がR以上になるとP偏光成分とS偏
光成分の光量の比を所定のしきい値と比較して、異物を
検出することは極めて困難である8しかしながら、曲線
(b)と曲線(c)に着目すれば粒径がR以上であって
もパターンと異物の判別のためのしきい値の設定が可能
となり、設定したしきい値との比較によってパターンと
異物の判別が可能になる。すなわち、異物の粒径がR以
上のものの検出は、P偏光成分の光量と所定のしきい値
と比較して行なうことができる。
一方、異物の粒径がRより小さいものの検出は第3図に
図示したように1曲m(a)と(c)が著しく異なるた
め、しきい値を設定して、これとP偏光成分とS偏光成
分の比と比較して行なうことができる。
第2図に本発明の一実施例である異物検査i置の概略構
成図を示す。
同図において、所定の平面内において移動自在なXYテ
ーブル1の上には1例えばウェーハなどの被検査物2が
着脱自在に固定されている。
さらに、XYテーブル1の周辺部には、S偏光(S)の
みを放射する光源3および光源4がXYテーブル1を挟
んで対向配設され、光源3および、  4から放射され
るS偏光(S)がXYテーブル1の上に載置された被検
査物2の所定の部位に向けてほぼ水平に照射される構造
とされている。
そして、XYテーブル1に載置される被検査物2を光源
3および4に対して相対的に平行移動させることにより
、S偏光(S)による被検査物2の表面の走査が行なわ
れるものである6また、XYテーブル1の上方には、被
検査物2の前記S偏光(S)が照射される部位からの反
射光5を収束する対物レンズ6が光軸をほぼ垂直にして
設けられている。
この場合、前記対物レンズ6の上方には、対物レンズ6
と光軸が同一にされた偏光ビームスプリッタ(分岐部)
7が配設されている。
この偏光ビームスプリッタ7は、対物レンズ6を介して
入射される反射光5に含まれるP偏光成分5PおよびS
偏光成分5Sのうち、P偏光成分5Pを入射光5と同じ
方向に直進させると共に、S偏光成分5Sを入射光5の
光路に交差する方向に反射することによって、P偏光成
分5PおよびS偏光成分5Sが分岐されて取り出される
ように構成されている。
また、偏光ビームスプリッタ7において分岐されたP偏
光成分5PおよびS偏光成分5sの光路には、P偏光成
分検出器8およびS偏光成分検出器9が設けられており
、P偏光成分5PおよびS偏光成分5Sの光量が、それ
ぞれ光景に応じた強度の電気信号に変換されて検出され
る構造とされている。
上記構成の異物検査装置に設けられた検出器8および9
は第1図に示すような判定回路に出方される。すなわち
、P偏光成分検出器8は、比較回路10に接続され、S
偏光成分検出器9は、除算器12に接続されている。
比較回路10には、電気処理系のノイズやレーザ迷光の
ような成分が誤って異物と判定されないようにするため
にしきい値P0が設定されている。
そして、比較回路10は、これに供給されたP偏光成分
の光景に基づいた電気信号がしきい値P0を越えた場合
にのみ、すなわち、電気処理系のノイズ等が除去された
電気信号を比較回路11および除算器12に送出するよ
うにされる。比較回路11には、粒径の大きな異物とパ
ターンを区別するためのしきい値P1が設定されており
、比較回路11は、比較回路10より供給されたP偏光
成分の光量に基づいた電気信号がPlを越えた場合(異
物が検出された場合)にのみハイレベルの検出信号をO
RゲートG1の一方の六方端子に送出する。しきい値P
工の算出は、特に制限されないがP偏光成分の光量に基
づく異物の検査と、P偏光成分とS偏光成分の光量の比
に基づ(異物の検査を実験的に行ない、各々の検査結果
を比較し。
上記比に基づく異物の検査によって検出可能な異物粒径
の上限を求めて、これに基づいて行なう。
その結果、ORゲートG1の出力端子がら、異物の存在
を知らせるハイレベルの異物検出信号が送出される。
除算器12には、比較回路10より送出されるP偏光成
分の光量に基づいた電気信号P(ただしPは閾値P0よ
り大きい)およびS偏光成分検出器9より送出されるS
偏光成分の光量に基づいた電気信号Sが供給され、除算
器12はこれに基づいた信号P/Sを比較回路13に送
出する。
比較回路13は、これに供給された信号P/Sがしきい
値M(第4図における直線Aの傾き)を越えた場合(異
物が検出された場合)にのみハイレベルの検出信号をO
RゲートG1の一方の入力端子に送出する。その結果、
ORゲートG1の出力端子から異物の存在を知らせるハ
イレベルの異物検出信号が出力される。
第4図に本発明の装置によって得られる異物に基づいた
信号とパターンに基づいた信号の領域の関係を示す説明
図を示す。
しきい値p、、p□2Mは、上記したのと同様のもので
ある。しきい値Mは、直線Aの傾き(P/S)である。
同図において、しきい値がP。より小さい領域において
は、第2図に示した装置における電気処理系のノイズや
レーザ迷光のような成分が誤って異物と検出される可能
性が大きくしかも、しきい値P0以下の領域では、異物
の存在量や異物の大きさが無視できる程度であると推測
されるので。
しきい値P0以下は異物検査を行なわない領域である。
しきい値がP。より大きくてP□より小さい領域(異物
の粒径が比較的小さい領域)における検査は、しきい値
M(直線Aの傾き)を基準にして行なう。すなわち、上
記信号P/Sが直線Aの傾きより小さくされた斜線で示
された領域が異物からの信号領域とされる。
一方、しきい値がPiを超える領域(異物の粒径が比較
的大きい領域)における検査はしきい値P1を基準にし
て行なう、すなわち、上記P偏光成分の光量に基づいた
電気信号Pがしきい値P□を超える領域が異物からの信
号領域とされる。
上記した実施例では、被検査物表面にS偏光を照射して
得られる反射光中のP偏光成分とS偏光成分の光量との
比と所定のしきい値との比較によって微小な異物を高感
度で検査するモードもしくはP偏光成分の光量と所定の
しきい値の比較によって比較的大きな異物を高感度で検
出するモードのいずれかによって異物ありと判定された
場合は、異物検出信号によって異物の存在を知らせるよ
うにしたので、異物の判定が異物の粒径に応じたしきい
値で行なわれるという作用により、小さな粒径の異物は
もちろん大きな粒径の異物も高感度かつ高い信頼性で検
出できるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例では、被検査物を光源にたいして相
対的に平行移動させることによりS偏光の走査を行なっ
ているが、被検査物を回転させることによって異なる波
長のS偏光による被検査物の表面の走査が行なわれるよ
うにしても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェーハの外観検査
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、例えば、フォトマスク、回折格子な
ど、規則性のあるパターンの検査などに適用できる。
[発明の効果] 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
すなわち、微小な異物を高感度で検査するモードと比較
的大きな異物を高感度で検出するモードを併用して検査
を行なえるようにしたので、被検査物に存在する大きい
異物も小さい異物も高感度かつ高い信頼性で検出できる
【図面の簡単な説明】
第1図は異物判定回路の一実施例を示すブロック図。 第2図は、本発明の一実施例である異物検査装置の図解
的斜視図、 第3図はウェーハ上の異物およびパターンからの反射・
散乱光の偏光特性を示すグラフ図。 第4図は異物に基づいた信号領域とパターンに基づいた
信号領域の関係を示すグラフである。 1・・・・XYテーブル、2・・・・被検査物、3,4
・・・・光源、6・・・・対物レンズ、7・・・・偏光
ビームスプリッタ、8・・・・P偏光成分検出器、9・
・・・S偏光成分検出器、10,11,13・・・・比
較回路、12・・・・除算器、G1・・・・ゲート。 第  1  図 第  2  区 /グP’Aび分を誘 第  3  図 フぐく?そ  天

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被検査物表面にS偏光を照射する光源と、上記被検
    査物からの反射光中に含まれるP偏光成分およびS偏光
    成分を分岐させる分岐部と、上記分岐部において分岐さ
    れたP偏光成分およびS偏光成分の各々の光量を検出す
    る検出部と、上記検出部によって検出されるP偏光成分
    の光量とS偏光成分の光量との比を算出する演算部と、
    上記演算部で得られた演算値を所定のしきい値と比較す
    る第1の比較部と、P偏光成分の光量を所定のしきい値
    と比較する第2の比較部とを備え、上記2つの比較部か
    らの出力が異物検出信号として出力されるようにされて
    なることを特徴とする異物検査装置。 2、上記演算部の前段には電気処理系のノイズを除去す
    るノイズ除去手段が設けられ、P偏光成分の光量に基づ
    いた電気信号は、上記ノイズ除去手段を通して上記演算
    部に供給されるようにされてなることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の異物検査装置。
JP22604186A 1986-09-26 1986-09-26 異物検査装置 Expired - Lifetime JPH07107509B2 (ja)

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JP (1) JPH07107509B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0423447A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Hitachi Ltd 異物検出方法およびその装置
US5345211A (en) * 1992-07-20 1994-09-06 Yazaki Corporation Connection box for fusible links and terminal nut

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0423447A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Hitachi Ltd 異物検出方法およびその装置
US5345211A (en) * 1992-07-20 1994-09-06 Yazaki Corporation Connection box for fusible links and terminal nut

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