JPH0540026A - パターン読み取り装置 - Google Patents
パターン読み取り装置Info
- Publication number
- JPH0540026A JPH0540026A JP3075892A JP7589291A JPH0540026A JP H0540026 A JPH0540026 A JP H0540026A JP 3075892 A JP3075892 A JP 3075892A JP 7589291 A JP7589291 A JP 7589291A JP H0540026 A JPH0540026 A JP H0540026A
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- Japan
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- pattern
- light
- inspected
- polarization component
- polarization
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検査物上のパターンを正確に読み取ると
ともに、被検査物の表面状態（汚れ、さびなど）を読み
取ることができるパターン読み取り装置を提供する。 【構成】 直線偏光コヒーレント光が被検査物（４）
に略垂直に照射され、その反射光が偏光ビームスプリッ
タ（１１）によって偏光方向が互いに直交するＳ偏光成
分とＰ偏光成分とに分離される。Ｓ偏光成分及びＰ偏光
成分のそれぞれの強度がＣＣＤラインセンサ（１２，１
３）によって検出され、その強度の比に基づいてパター
ンが読み取られる。
ともに、被検査物の表面状態（汚れ、さびなど）を読み
取ることができるパターン読み取り装置を提供する。 【構成】 直線偏光コヒーレント光が被検査物（４）
に略垂直に照射され、その反射光が偏光ビームスプリッ
タ（１１）によって偏光方向が互いに直交するＳ偏光成
分とＰ偏光成分とに分離される。Ｓ偏光成分及びＰ偏光
成分のそれぞれの強度がＣＣＤラインセンサ（１２，１
３）によって検出され、その強度の比に基づいてパター
ンが読み取られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク、レチクル、プ
リント配線基板等に形成されたパターンの読み取り装置
に関し、特にコヒーレント光を集束させて被検査物に照
射し、その反射光によってパターンを読み取るパターン
読み取り装置に関する。
リント配線基板等に形成されたパターンの読み取り装置
に関し、特にコヒーレント光を集束させて被検査物に照
射し、その反射光によってパターンを読み取るパターン
読み取り装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コヒーレント光を被検査物に照射し、そ
の反射光によってパターンを読み取る装置として、被検
査物の基材部の反射光のスペックルパターンと、銅箔等
によって形成されたパターン部のスペックルパターンの
輝度が著しく相違することを利用して、パターンの汚れ
やさびの影響を受けずにパターンを読み取ることができ
るようにしたものが、本願出願人により既に提案されて
いる（特願平２−２８３７８８号）。
の反射光によってパターンを読み取る装置として、被検
査物の基材部の反射光のスペックルパターンと、銅箔等
によって形成されたパターン部のスペックルパターンの
輝度が著しく相違することを利用して、パターンの汚れ
やさびの影響を受けずにパターンを読み取ることができ
るようにしたものが、本願出願人により既に提案されて
いる（特願平２−２８３７８８号）。
【０００３】また、直線偏光レーザ光を被検査物に対し
て斜め上方から照射し、垂直方向に反射される偏光成分
の強度に基づいて、ＩＣ，ＬＳＩ等の微細パターンに付
着した異物を検出する手法が従来より知られている
（「光技術応用システム」社団法人 精機学会編、昭晃
堂発行、昭和５８年３月２０日初版第１刷発行、第１７
５頁〜第１７６頁）。
て斜め上方から照射し、垂直方向に反射される偏光成分
の強度に基づいて、ＩＣ，ＬＳＩ等の微細パターンに付
着した異物を検出する手法が従来より知られている
（「光技術応用システム」社団法人 精機学会編、昭晃
堂発行、昭和５８年３月２０日初版第１刷発行、第１７
５頁〜第１７６頁）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち前
者は、音響光学偏光手段で照明光を被露光物上に走査す
るので、ＣＣＤの画素上で走査して読み取る方法に比べ
て読み取り速度を速くできない。また、２次元的光学素
子、波形発生装置、発振器等を必要とする。
者は、音響光学偏光手段で照明光を被露光物上に走査す
るので、ＣＣＤの画素上で走査して読み取る方法に比べ
て読み取り速度を速くできない。また、２次元的光学素
子、波形発生装置、発振器等を必要とする。
【０００５】また、後者の手法は、異物があるかないか
の検出には適するが、被検査物上のパターンでは鏡面反
射して、受光信号光が弱くなり、読み取り精度が悪くな
る。本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、パタ
ーンの汚れ、さび等があってもパターンの読み取りを正
確に行うとともに、被検査物の表面状態（はんだの凹
凸、さび、汚れ等の違い）を読み取ることができるパタ
ーン読み取り装置を提供することを目的とする。
の検出には適するが、被検査物上のパターンでは鏡面反
射して、受光信号光が弱くなり、読み取り精度が悪くな
る。本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、パタ
ーンの汚れ、さび等があってもパターンの読み取りを正
確に行うとともに、被検査物の表面状態（はんだの凹
凸、さび、汚れ等の違い）を読み取ることができるパタ
ーン読み取り装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、直線偏光光を被検査物に照射し、その反射光
によって該被検査物上のパターンを読み取るパターン読
み取り装置において、直線偏光光を被検査物に略垂直に
照射する光照射手段と、前記被検査物からの反射光を、
偏光方向が互いに直交するＳ偏光成分とＰ偏光成分とに
分離する偏光成分分離手段と、前記Ｓ偏光成分及びＰ偏
光成分の強度を検出する光強度検出手段と、前記Ｓ偏光
成分及びＰ偏光成分の強度の比を算出し、該強度比に基
づいてパターンを読み取る読み取り手段とを設けるよう
にしたものである。
本発明は、直線偏光光を被検査物に照射し、その反射光
によって該被検査物上のパターンを読み取るパターン読
み取り装置において、直線偏光光を被検査物に略垂直に
照射する光照射手段と、前記被検査物からの反射光を、
偏光方向が互いに直交するＳ偏光成分とＰ偏光成分とに
分離する偏光成分分離手段と、前記Ｓ偏光成分及びＰ偏
光成分の強度を検出する光強度検出手段と、前記Ｓ偏光
成分及びＰ偏光成分の強度の比を算出し、該強度比に基
づいてパターンを読み取る読み取り手段とを設けるよう
にしたものである。
【０００７】
【作用】直線偏光光が被検査物に鏡面反射して読み取り
が不十分にならない程度の垂直に近い角度で照射され、
その反射光が、偏光方向が互いに直交するＳ偏光成分と
Ｐ偏光成分とに分離される。Ｓ偏光成分及びＰ偏光成分
の強度が検出され、その強度比に基づいてパターンが読
み取られる。
が不十分にならない程度の垂直に近い角度で照射され、
その反射光が、偏光方向が互いに直交するＳ偏光成分と
Ｐ偏光成分とに分離される。Ｓ偏光成分及びＰ偏光成分
の強度が検出され、その強度比に基づいてパターンが読
み取られる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例に係るパターン読
み取り装置の構成を示す図である。同図中１は直線偏光
光（本願では直線偏光された光を意味する）としてのレ
ーザ光を出力する半導体レーザであり、その出力光はシ
リンドリカルレンズ２及びハーフミラー３を介して被検
査物４に対して望ましくは垂直に照射される。被検査物
４は、図のＹ方向に移動可能なテーブル５の上に載置さ
れている。テーブル５には、ボールネジ６及びテーブル
駆動モータ７が取り付けられており、テーブル駆動モー
タ７にはエンコーダ８が設けられている。エンコーダ８
の検出信号はコントロール部９に入力され、コントロー
ル部９はモータ７の駆動制御を行う。ハーフミラー３の
上方には対物レンズ１０及び偏光ビームスプリッタ１１
がこの順序で配されており、偏光ビームスプリッタ（偏
光成分分離手段）１１の面１１ａ及び１１ｂに対向する
位置にはＣＣＤラインセンサ（光強度検出手段）１２，
１３が設けられている。従って、被検査物４からの反射
光は、ハーフミラー３を透過し、対物レンズ１０を介し
て偏光ビームスプリッタ１１に入射する。偏光ビームス
プリッタ１１は、入射光を互いに直交するＳ偏光成分と
Ｐ偏光成分とに分離し、それぞれＣＣＤラインセンサ１
２，１３に入射させる。
み取り装置の構成を示す図である。同図中１は直線偏光
光（本願では直線偏光された光を意味する）としてのレ
ーザ光を出力する半導体レーザであり、その出力光はシ
リンドリカルレンズ２及びハーフミラー３を介して被検
査物４に対して望ましくは垂直に照射される。被検査物
４は、図のＹ方向に移動可能なテーブル５の上に載置さ
れている。テーブル５には、ボールネジ６及びテーブル
駆動モータ７が取り付けられており、テーブル駆動モー
タ７にはエンコーダ８が設けられている。エンコーダ８
の検出信号はコントロール部９に入力され、コントロー
ル部９はモータ７の駆動制御を行う。ハーフミラー３の
上方には対物レンズ１０及び偏光ビームスプリッタ１１
がこの順序で配されており、偏光ビームスプリッタ（偏
光成分分離手段）１１の面１１ａ及び１１ｂに対向する
位置にはＣＣＤラインセンサ（光強度検出手段）１２，
１３が設けられている。従って、被検査物４からの反射
光は、ハーフミラー３を透過し、対物レンズ１０を介し
て偏光ビームスプリッタ１１に入射する。偏光ビームス
プリッタ１１は、入射光を互いに直交するＳ偏光成分と
Ｐ偏光成分とに分離し、それぞれＣＣＤラインセンサ１
２，１３に入射させる。
【００１０】なお、上記半導体レーザ１の出力光の偏光
の向きは、２つのＣＣＤラインセンサ１２，１３の検出
出力に最も差が出るように設定する。また、ＣＣＤライ
ンセンサ１２，１３は被検査物の全く同じ場所に対応し
た反射光を受光するように設置されている。
の向きは、２つのＣＣＤラインセンサ１２，１３の検出
出力に最も差が出るように設定する。また、ＣＣＤライ
ンセンサ１２，１３は被検査物の全く同じ場所に対応し
た反射光を受光するように設置されている。
【００１１】ＣＣＤラインセンサ１２，１３は、走査制
御部１４によって制御され、ＣＣＤラインセンサ１２，
１３は被検査物４の読み取り装置の同期をとりながら走
査し、入射された光の強度に応じた電気信号を信号処理
回路１６に入力する。
御部１４によって制御され、ＣＣＤラインセンサ１２，
１３は被検査物４の読み取り装置の同期をとりながら走
査し、入射された光の強度に応じた電気信号を信号処理
回路１６に入力する。
【００１２】信号処理回路１６は図２に示すように、演
算増幅器（以下「オペアンプ」という）２０１及びトラ
ンジスタ２０２から成る２つのログアンプ２０と、抵抗
３０１〜３０４及びオペアンプ３０５から成る差動増幅
回路３０と、比較器４０とによって構成される。ＣＣＤ
ラインセンサ１２，１３は、それぞれオペアンプ２０１
の反転入力に接続され、その反転入力はトランジスタ２
０２のコレクタに接続されている。トランジスタ２０２
のエミッタはオペアンプ２０１の出力に接続され、トラ
ンジスタ２０２のベース及びオペアンプ２０１の非反転
入力は接地されている。２つのオペアンプ２０１の出力
は、それぞれ抵抗３０１，３０２を介してオペアンプ３
０５の反転入力及び非反転入力に接続されている。オペ
アンプ３０５の非反転入力は抵抗３０３を介して接地さ
れ、反転入力は抵抗３０４を介して出力に接続されてい
る。オペアンプ３０５の出力は比較器４０の一方の入力
に接続され、比較器４０の他方の入力には基準電圧ＶＲ
ＥＦが供給されている。比較器４０の出力がパターン検
出信号として取り出される。
算増幅器（以下「オペアンプ」という）２０１及びトラ
ンジスタ２０２から成る２つのログアンプ２０と、抵抗
３０１〜３０４及びオペアンプ３０５から成る差動増幅
回路３０と、比較器４０とによって構成される。ＣＣＤ
ラインセンサ１２，１３は、それぞれオペアンプ２０１
の反転入力に接続され、その反転入力はトランジスタ２
０２のコレクタに接続されている。トランジスタ２０２
のエミッタはオペアンプ２０１の出力に接続され、トラ
ンジスタ２０２のベース及びオペアンプ２０１の非反転
入力は接地されている。２つのオペアンプ２０１の出力
は、それぞれ抵抗３０１，３０２を介してオペアンプ３
０５の反転入力及び非反転入力に接続されている。オペ
アンプ３０５の非反転入力は抵抗３０３を介して接地さ
れ、反転入力は抵抗３０４を介して出力に接続されてい
る。オペアンプ３０５の出力は比較器４０の一方の入力
に接続され、比較器４０の他方の入力には基準電圧ＶＲ
ＥＦが供給されている。比較器４０の出力がパターン検
出信号として取り出される。
【００１３】上述のように構成される信号処理回路１６
は以下のように動作する。
は以下のように動作する。
【００１４】ＣＣＤラインセンサ１２，１３から受光し
た光（Ｓ偏光成分及びＰ偏光成分）の強度に比例した電
流がログアンプ２０に入力され、ログアンプ２０の出力
には入力電流の対数に比例する電圧Ｖ1，Ｖ2が得られ
る。従って、ログアンプ２０は、入力信号の大きさをそ
の対数に変換する機能を有する。差動増幅回路３０は、
２つのログアンプ２０の出力Ｖ1，Ｖ2の差分に比例する
電圧ΔＶを出力する。ここで、電圧Ｖ1，Ｖ2がそれぞれ
Ｓ偏光成分及びＰ偏光成分の強度の対数に比例するの
で、差電圧ΔＶはＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度比Ｓ／
Ｐを表わす値となる。この差電圧ΔＶは比較器４０によ
って基準電圧ＶＲＥＦと比較され、その大小関係に応じ
た２値信号として、パターン検出信号が得られる。
た光（Ｓ偏光成分及びＰ偏光成分）の強度に比例した電
流がログアンプ２０に入力され、ログアンプ２０の出力
には入力電流の対数に比例する電圧Ｖ1，Ｖ2が得られ
る。従って、ログアンプ２０は、入力信号の大きさをそ
の対数に変換する機能を有する。差動増幅回路３０は、
２つのログアンプ２０の出力Ｖ1，Ｖ2の差分に比例する
電圧ΔＶを出力する。ここで、電圧Ｖ1，Ｖ2がそれぞれ
Ｓ偏光成分及びＰ偏光成分の強度の対数に比例するの
で、差電圧ΔＶはＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度比Ｓ／
Ｐを表わす値となる。この差電圧ΔＶは比較器４０によ
って基準電圧ＶＲＥＦと比較され、その大小関係に応じ
た２値信号として、パターン検出信号が得られる。
【００１５】前記強度比Ｓ／Ｐは、被検査物の配線パタ
ーン部、あるいははんだの凹凸やさびなどに対しては小
さな値となり、汚れのある部分や基材部（配線パターン
以外の部分）については大きな値となるので、基準電圧
ＶＲＥＦを適切に設定することにより、被検査物上の異
物がさびであるのか、汚れであるのかといった判別が可
能となる。
ーン部、あるいははんだの凹凸やさびなどに対しては小
さな値となり、汚れのある部分や基材部（配線パターン
以外の部分）については大きな値となるので、基準電圧
ＶＲＥＦを適切に設定することにより、被検査物上の異
物がさびであるのか、汚れであるのかといった判別が可
能となる。
【００１６】また、光強度そのもの（ログアンプ出力Ｖ
1，Ｖ2）は、配線パターン部が大きくなり、さび、はん
だの凹凸は小さくなるので、光強度Ｖ1，Ｖ2と前記強度
比Ｓ／Ｐとに基づいて、配線パターン部を正確に検出す
ることができる。その結果、さびやはんだの凹凸等の影
響を受けることなく配線パターンを正確に読み取ること
ができる。
1，Ｖ2）は、配線パターン部が大きくなり、さび、はん
だの凹凸は小さくなるので、光強度Ｖ1，Ｖ2と前記強度
比Ｓ／Ｐとに基づいて、配線パターン部を正確に検出す
ることができる。その結果、さびやはんだの凹凸等の影
響を受けることなく配線パターンを正確に読み取ること
ができる。
【００１７】なお、上述した実施例では偏光成分分離手
段として、偏光ビームスプリッタを用いたが、ウォラス
トンプリズムを用いてもよい。また、光強度検出手段
は、ＣＣＤラインセンサに限らず、ＣＣＤ若しくはフォ
トダイオードのエリアセンサを用いてもよい。また、直
線偏光コヒーレント光を得るために半導体レーザを用い
たが、これに限らず例えばガスレーザ又はハロゲンラン
プと偏光板とを組み合わせたものを用いてもよい。
段として、偏光ビームスプリッタを用いたが、ウォラス
トンプリズムを用いてもよい。また、光強度検出手段
は、ＣＣＤラインセンサに限らず、ＣＣＤ若しくはフォ
トダイオードのエリアセンサを用いてもよい。また、直
線偏光コヒーレント光を得るために半導体レーザを用い
たが、これに限らず例えばガスレーザ又はハロゲンラン
プと偏光板とを組み合わせたものを用いてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
検査物からの反射光がＳ偏光成分とＰ偏光成分に分離さ
れ、それらの成分の強度比に基づいてパターンが読み取
られるので、光の強度のみでは判別できなかったさびや
汚れといった被検査物の表面状態をも読み取ることがで
きる。
検査物からの反射光がＳ偏光成分とＰ偏光成分に分離さ
れ、それらの成分の強度比に基づいてパターンが読み取
られるので、光の強度のみでは判別できなかったさびや
汚れといった被検査物の表面状態をも読み取ることがで
きる。
【００１９】また、反射光の光強度と強度比とに基づい
てパターンを読み取ることにより、さびや汚れの影響を
受けることなく、正確なパターンの読み取りが可能とな
る。
てパターンを読み取ることにより、さびや汚れの影響を
受けることなく、正確なパターンの読み取りが可能とな
る。
【図１】本発明の一実施例に係るパターン読み取り装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】図１の信号処理回路の構成を示す回路図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ ２ シリンドリカルレンズ ３ ハーフミラー ４ 被検査物 １０ 対物レンズ １１ 偏光ビームスプリッタ １２，１３ ＣＣＤラインセンサ １６ 信号処理回路
Claims (1)
- 【請求項１】 直線偏光光を被検査物に照射し、その反
射光によって該被検査物上のパターンを読み取るパター
ン読み取り装置において、直線偏光光を被検査物に略垂
直に照射する光照射手段と、前記被検査物からの反射光
を、偏光方向が互いに直交するＳ偏光成分とＰ偏光成分
とに分離する偏光成分分離手段と、前記Ｓ偏光成分及び
Ｐ偏光成分の強度を検出する光強度検出手段と、前記Ｓ
偏光成分及びＰ偏光成分の強度の比を算出し、該強度比
に基づいてパターンを読み取る読み取り手段とを設けた
ことを特徴とするパターン読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075892A JPH0540026A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | パターン読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075892A JPH0540026A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | パターン読み取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540026A true JPH0540026A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=13589425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3075892A Pending JPH0540026A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | パターン読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002303579A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 物品の表面状態の検査方法及びその装置 |
| CN101995217A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 株式会社拓普康 | 测量装置 |
| JP2012060131A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Asml Netherlands Bv | アライメント測定システム、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置においてのアライメントを決定する方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3075892A patent/JPH0540026A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002303579A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 物品の表面状態の検査方法及びその装置 |
| CN101995217A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 株式会社拓普康 | 测量装置 |
| KR101223849B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2013-01-17 | 니혼덴산리드가부시키가이샤 | 측정 장치 |
| JP2012060131A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Asml Netherlands Bv | アライメント測定システム、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置においてのアライメントを決定する方法 |
| JP2014132695A (ja) * | 2010-09-13 | 2014-07-17 | Asml Netherlands Bv | アライメント測定システム、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置においてのアライメントを決定する方法 |
| US9046385B2 (en) | 2010-09-13 | 2015-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Alignment measurement system, lithographic apparatus, and a method to determine alignment in a lithographic apparatus |
| US9280057B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Alignment measurement system, lithographic apparatus, and a method to determine alignment of in a lithographic apparatus |
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