JPH0410563B2 - - Google Patents
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- JPH0410563B2 JPH0410563B2 JP10586783A JP10586783A JPH0410563B2 JP H0410563 B2 JPH0410563 B2 JP H0410563B2 JP 10586783 A JP10586783 A JP 10586783A JP 10586783 A JP10586783 A JP 10586783A JP H0410563 B2 JPH0410563 B2 JP H0410563B2
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- pattern
- wiring pattern
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、生セラミツクス基材上の配線パター
ン検出方法に関するものであり、更に詳しくは配
線パターンと生セラミツクス基材が微細な粒子で
構成され、加えて配線パターンが生セラミツクス
基材と比較して黒つぽく形成された生セラミツク
ス基材上の配線パターンの反射光像をイメージセ
ンサで撮像して得られる画像信号に基づいて配線
パターンを検出する生セラミツクス基材上の配線
パターン検出方法に関するものである。
ン検出方法に関するものであり、更に詳しくは配
線パターンと生セラミツクス基材が微細な粒子で
構成され、加えて配線パターンが生セラミツクス
基材と比較して黒つぽく形成された生セラミツク
ス基材上の配線パターンの反射光像をイメージセ
ンサで撮像して得られる画像信号に基づいて配線
パターンを検出する生セラミツクス基材上の配線
パターン検出方法に関するものである。
従来試みられた生セラミツクス基材上の配線パ
ターン検出方法としては、第１図に示す様に、明
視野照明４からの光をハーフミラー６を介して基
材２上のパターン１に照射し、その反射光を対物
レンズ３を介してイメージセンサ５に入射させ、
パターン１を検出するものが知られている。この
場合、パターン１と基材２が微細な粒子で構成さ
れ、パターン１と基材２の表面の各粒子の面方向
が不均一に形成されていると、第１図に示す様
に、入射光ａに対して反射光ｂの様に正反射する
場合と、入射光ｃに対して反射光ｄの様に乱反射
する場合とがある。パターン１が基材２と比較し
て明度が低い場合、上記パターン１における正反
射は、イメージセンサ５において第２図に示す様
にパターン１上の輝点となり、ノイズｅとして検
出される。従つて、上記のように試みられた生セ
ラミツクス基材上の配線パターン検出方法におい
ては、配線パターン検出のＳ／Ｎ比が悪くなると
いう課題があつた。また、従来技術として、直線
偏光レーザ光を斜め方向から照射し、回路パター
ンのエツジから発生する散乱光を検光子（偏光
板）で消去して異物を検出する技術が、特開昭56
−86340号公報、特開昭54−101390号公報および
特開昭55−149829号公報によつて知られている。
また、従来技術として、楕円偏光の照明を行い、
特定の偏光成分を検出して金属表面の微小欠陥を
検出することが、特開昭57−54803号公報により
知られている。また、従来技術として、高炉内の
挿入物の高さプロフアイルを測定する技術が、特
開昭57−67107号公報により知られていた。
ターン検出方法としては、第１図に示す様に、明
視野照明４からの光をハーフミラー６を介して基
材２上のパターン１に照射し、その反射光を対物
レンズ３を介してイメージセンサ５に入射させ、
パターン１を検出するものが知られている。この
場合、パターン１と基材２が微細な粒子で構成さ
れ、パターン１と基材２の表面の各粒子の面方向
が不均一に形成されていると、第１図に示す様
に、入射光ａに対して反射光ｂの様に正反射する
場合と、入射光ｃに対して反射光ｄの様に乱反射
する場合とがある。パターン１が基材２と比較し
て明度が低い場合、上記パターン１における正反
射は、イメージセンサ５において第２図に示す様
にパターン１上の輝点となり、ノイズｅとして検
出される。従つて、上記のように試みられた生セ
ラミツクス基材上の配線パターン検出方法におい
ては、配線パターン検出のＳ／Ｎ比が悪くなると
いう課題があつた。また、従来技術として、直線
偏光レーザ光を斜め方向から照射し、回路パター
ンのエツジから発生する散乱光を検光子（偏光
板）で消去して異物を検出する技術が、特開昭56
−86340号公報、特開昭54−101390号公報および
特開昭55−149829号公報によつて知られている。
また、従来技術として、楕円偏光の照明を行い、
特定の偏光成分を検出して金属表面の微小欠陥を
検出することが、特開昭57−54803号公報により
知られている。また、従来技術として、高炉内の
挿入物の高さプロフアイルを測定する技術が、特
開昭57−67107号公報により知られていた。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決す
べく、配線パターンと生セラミツクス基材が微細
な粒子で構成され、加えて配線パターンが生セラ
ミツクス基材と比較して黒つぽく形成された生セ
ラミツクス基材上の配線パターンに対して、配線
パターン表面上の粒子による照明光の正反射に基
づくノイズ（検出パターンの輝点）を低減して、
配線パターンを示す２値化画像信号を高いＳ／Ｎ
比でもつと検出して、配線パターンの欠陥を高信
頼度で検出するようにした生セラミツクス基材上
の配線パターン検出方法を提供することにある。
べく、配線パターンと生セラミツクス基材が微細
な粒子で構成され、加えて配線パターンが生セラ
ミツクス基材と比較して黒つぽく形成された生セ
ラミツクス基材上の配線パターンに対して、配線
パターン表面上の粒子による照明光の正反射に基
づくノイズ（検出パターンの輝点）を低減して、
配線パターンを示す２値化画像信号を高いＳ／Ｎ
比でもつと検出して、配線パターンの欠陥を高信
頼度で検出するようにした生セラミツクス基材上
の配線パターン検出方法を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、微細粒
子状の生セラミツクス基材上に、該微細粒子より
光学的な反射率の低い微細粒子状の配線パターン
を形成した被検査対象物に直線偏光光を照明し、
上記基材表面及び配線パターン表面からの反射光
像を対物レンズにより結像させると共に上記基材
表面及び配線パターン表面からの反射光の内、偏
光板により上記直線偏光光の正反射光成分を遮光
して上記直線偏光光の偏光方向と直角方向成分に
ついて通過させ、この通過して結像した反射光像
をイメージセンサで撮像して上記微細粒子による
輝点のない配線パターンを示す画像信号に変換
し、この画像信号を２値化画像信号に変換し、こ
の２値化画像信号に基づいて、配線パターンの欠
陥を検出することを特徴とする生セラミツクス基
材上の配線パターン検出方法である。
子状の生セラミツクス基材上に、該微細粒子より
光学的な反射率の低い微細粒子状の配線パターン
を形成した被検査対象物に直線偏光光を照明し、
上記基材表面及び配線パターン表面からの反射光
像を対物レンズにより結像させると共に上記基材
表面及び配線パターン表面からの反射光の内、偏
光板により上記直線偏光光の正反射光成分を遮光
して上記直線偏光光の偏光方向と直角方向成分に
ついて通過させ、この通過して結像した反射光像
をイメージセンサで撮像して上記微細粒子による
輝点のない配線パターンを示す画像信号に変換
し、この画像信号を２値化画像信号に変換し、こ
の２値化画像信号に基づいて、配線パターンの欠
陥を検出することを特徴とする生セラミツクス基
材上の配線パターン検出方法である。
以下添付の図面に示す実施例により、更に詳細
に本発明について説明する。
に本発明について説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す図であり、第
１図に示す従来例と同一部分は同一符号を付して
いる。パターン１は基板２に比べて黒つぽく形成
され、パターン１と基材２は共に微細な粒子で構
成されている。明視野照明４としては、例えばハ
ロゲン又は水銀灯を用いる。偏光板７は明視野照
明４からの光を一定方向に偏光する偏光板であ
り、ｆは偏光を示している。ハーフミラー６は偏
光ｆを基材２とパターン１に照射するため、偏光
ｆの光路を変化させるためのものである。偏光板
８はパターン１と基材２からの反射光のうち、偏
光ｆの偏光方向と直角方向の偏光ｇだけを通過さ
せる偏光板である。また、対物レンズ３はパター
ン１と基材２からの反射光をイメージセンサ５上
に結像させるものである。
１図に示す従来例と同一部分は同一符号を付して
いる。パターン１は基板２に比べて黒つぽく形成
され、パターン１と基材２は共に微細な粒子で構
成されている。明視野照明４としては、例えばハ
ロゲン又は水銀灯を用いる。偏光板７は明視野照
明４からの光を一定方向に偏光する偏光板であ
り、ｆは偏光を示している。ハーフミラー６は偏
光ｆを基材２とパターン１に照射するため、偏光
ｆの光路を変化させるためのものである。偏光板
８はパターン１と基材２からの反射光のうち、偏
光ｆの偏光方向と直角方向の偏光ｇだけを通過さ
せる偏光板である。また、対物レンズ３はパター
ン１と基材２からの反射光をイメージセンサ５上
に結像させるものである。
パターン１としては、例えばスクリーン印刷に
よるタングステンのパターンを用いることがで
き、基材２としては、例えばセラミツクの生シー
トを用いることができる。しかし、他のパターン
材料・基材でも、上記した条件を満足させるもの
は可能である。
よるタングステンのパターンを用いることがで
き、基材２としては、例えばセラミツクの生シー
トを用いることができる。しかし、他のパターン
材料・基材でも、上記した条件を満足させるもの
は可能である。
次に、第３図に示す実施例によるパターン検出
動作について説明する。偏光ｆがハーフミラー６
と対物レンズ３を介してパターン１と基材２に照
射される。このとき、第４図に示す様に、入射光
ｈと反射光ｉが正反射すると、入射光ｈと反射光
ｉの偏向方向ｊ，ｋは同一となり、反射光ｉは第
３図に示す偏光板８で遮断される。従つて、第２
図に示す様な、パターン１上の輝点によるノイズ
ｅは消失する。一方、第４図の入射光ｌと反射光
ｍの様に乱反射する場合は、反射光ｍの偏光方向
ｎは入射光ｌの偏光方向ｋに対し変化する。その
ため、第３図に示す偏光板８では、入射光ｌの偏
光方向ｋに対し直角な偏向方向成分だけが偏光ｇ
として通過する。以上の現象と全く同じ現象が、
基材２への入射光と反射光についても生じる。
動作について説明する。偏光ｆがハーフミラー６
と対物レンズ３を介してパターン１と基材２に照
射される。このとき、第４図に示す様に、入射光
ｈと反射光ｉが正反射すると、入射光ｈと反射光
ｉの偏向方向ｊ，ｋは同一となり、反射光ｉは第
３図に示す偏光板８で遮断される。従つて、第２
図に示す様な、パターン１上の輝点によるノイズ
ｅは消失する。一方、第４図の入射光ｌと反射光
ｍの様に乱反射する場合は、反射光ｍの偏光方向
ｎは入射光ｌの偏光方向ｋに対し変化する。その
ため、第３図に示す偏光板８では、入射光ｌの偏
光方向ｋに対し直角な偏向方向成分だけが偏光ｇ
として通過する。以上の現象と全く同じ現象が、
基材２への入射光と反射光についても生じる。
従つて、パターン１の反射率が小さく、基材２
の反射率が高い場合、その実像をイメージセンサ
５で映像信号に変換すると、従来技術（偏光を用
いない場合）では第５図ａに示すパターン部分
ｑ・基板部分ｐ・輝点ｒの様に検出されていたも
のが、第５図ｂに示すパターン部分ｔ・基板部分
ｓの様に検出され、輝点ｒが消失する。これによ
つて、輝点に基づくノイズが低減され、Ｓ／Ｎ比
の高いパターン検出を行なうことが可能となる。
の反射率が高い場合、その実像をイメージセンサ
５で映像信号に変換すると、従来技術（偏光を用
いない場合）では第５図ａに示すパターン部分
ｑ・基板部分ｐ・輝点ｒの様に検出されていたも
のが、第５図ｂに示すパターン部分ｔ・基板部分
ｓの様に検出され、輝点ｒが消失する。これによ
つて、輝点に基づくノイズが低減され、Ｓ／Ｎ比
の高いパターン検出を行なうことが可能となる。
尚、第３図において、明視野照明４・偏光板７
のかわりに偏光レーザ及びビームエキスパンダを
用いて、同様のパターン検出を行なうことができ
る。
のかわりに偏光レーザ及びビームエキスパンダを
用いて、同様のパターン検出を行なうことができ
る。
第６図は本発明のパターン検出方法を用いたパ
ターン外観検査装置の一例を示す図であり、第３
図と同一部分は同一符号を付してその説明を省略
する。
ターン外観検査装置の一例を示す図であり、第３
図と同一部分は同一符号を付してその説明を省略
する。
テーブル駆動系は、基材２をセツトするXYテ
ーブル９と、XYテーブル９をＸ方向・Ｙ方向に
駆動するＸステツプモータ１０とＹステツプモー
タ１１と、このＸステツプモータ１０とＹステツ
プモータ１１を駆動するテーブル駆動回路１５と
から構成されている。パターン認識部は映像信号
を２値化信号に変換する２値化回路１２と、２値
化信号をメモリに展開し欠陥を抽出する欠陥検出
回路１３と、欠陥の集計とXYテーブル９の駆動
指令を行なう処理部１４から構成されている。
ーブル９と、XYテーブル９をＸ方向・Ｙ方向に
駆動するＸステツプモータ１０とＹステツプモー
タ１１と、このＸステツプモータ１０とＹステツ
プモータ１１を駆動するテーブル駆動回路１５と
から構成されている。パターン認識部は映像信号
を２値化信号に変換する２値化回路１２と、２値
化信号をメモリに展開し欠陥を抽出する欠陥検出
回路１３と、欠陥の集計とXYテーブル９の駆動
指令を行なう処理部１４から構成されている。
パターン１と基材２は、前記実施例と同様に、
スクリーン印刷によるタングステンのパターン及
びセラミツク生シートの基材とする。
スクリーン印刷によるタングステンのパターン及
びセラミツク生シートの基材とする。
基材２が設置されたXYテーブル９は、目視又
は自動的に位置決めが行なわれる。処理開始後、
処理部１４からの指令により、Ｘステツプモータ
１０とＹステツプモータ１１が駆動され、XYテ
ーブル９が移動する。
は自動的に位置決めが行なわれる。処理開始後、
処理部１４からの指令により、Ｘステツプモータ
１０とＹステツプモータ１１が駆動され、XYテ
ーブル９が移動する。
パターン１の実像は、第３図に関する動作説明
で記述したのと全く同様に、イメージセンサ５で
映像信号に変換される。２値化回路１２は、この
映像信号を２値化信号に変換する。欠陥検出回路
１３は、２値化信号をメモリに格納し、特徴抽出
あるいは設計データ比較法によつて欠陥検出を行
ない、その結果を処理部１４に転送する。
で記述したのと全く同様に、イメージセンサ５で
映像信号に変換される。２値化回路１２は、この
映像信号を２値化信号に変換する。欠陥検出回路
１３は、２値化信号をメモリに格納し、特徴抽出
あるいは設計データ比較法によつて欠陥検出を行
ない、その結果を処理部１４に転送する。
このパターン外観検査装置によれば、イメージ
センサ５から出力される映像信号に輝点によるノ
イズが含まれていないため、欠陥検出精度が高ま
り、さらに輝点によるノイズを除去するノイズ除
去回路も必要としないという効果がある。
センサ５から出力される映像信号に輝点によるノ
イズが含まれていないため、欠陥検出精度が高ま
り、さらに輝点によるノイズを除去するノイズ除
去回路も必要としないという効果がある。
本発明によれば、配線パターンと生セラミツク
ス基材が微細な粒子で構成され、加えて配線パタ
ーンが生セラミツクス基材と比較して黒つぽく形
成された生セラミツクス基材上の配線パターンに
対して、正反射光に基づくノイズ（検出パターン
の輝点）を低減して、配線パターンを示す２値化
画像信号を高いＳ／Ｎ比でもつと検出して、配線
パターンの欠陥を高信頼度で検出することができ
る効果を奏する。
ス基材が微細な粒子で構成され、加えて配線パタ
ーンが生セラミツクス基材と比較して黒つぽく形
成された生セラミツクス基材上の配線パターンに
対して、正反射光に基づくノイズ（検出パターン
の輝点）を低減して、配線パターンを示す２値化
画像信号を高いＳ／Ｎ比でもつと検出して、配線
パターンの欠陥を高信頼度で検出することができ
る効果を奏する。
第１図は従来のパターン検出方法の一例を示す
説明図、第２図は従来のパターン検出方法によつ
て得られるパターン実像の一例を示す図、第３図
は本発明のパターン検出方法の一実施例を示す
図、第４図は第３図に示す実施例におけるパター
ン部分の反射状態を示す説明図、第５図ａは従来
のパターン検出方法によつて得られる映像を示す
図、第５図ｂは本発明のパターン検出方法によつ
て得られる映像を示す図、第６図は本発明のパタ
ーン検出方法を用いたパターン外観検査装置の一
例を示す図である。 ３…対物レンズ、４…明視野照明、５…イメー
ジセンサ、６…ハーフミラー、７，８…偏光板。
説明図、第２図は従来のパターン検出方法によつ
て得られるパターン実像の一例を示す図、第３図
は本発明のパターン検出方法の一実施例を示す
図、第４図は第３図に示す実施例におけるパター
ン部分の反射状態を示す説明図、第５図ａは従来
のパターン検出方法によつて得られる映像を示す
図、第５図ｂは本発明のパターン検出方法によつ
て得られる映像を示す図、第６図は本発明のパタ
ーン検出方法を用いたパターン外観検査装置の一
例を示す図である。 ３…対物レンズ、４…明視野照明、５…イメー
ジセンサ、６…ハーフミラー、７，８…偏光板。
Claims (1)
- １ 微細粒子状の生セラミツクス基材上に、該微
細粒子より光学的な反射率の低い微細粒子状の配
線パターンを形成した被検査対象物に直線偏光光
を照明し、上記基材表面及び配線パターン表面か
らの反射光像を対物レンズにより結像させると共
に上記基材表面及び配線パターン表面からの反射
光の内、偏光板により上記直線偏光光の正反射光
成分を遮光して上記直線偏光光の偏光方向と直角
方向成分について通過させ、この通過して結像し
た反射光像をイメージセンサで撮像して上記微細
粒子による輝点のない配線パターンを示す画像信
号に変換し、この画像信号を２値化画像信号に変
換し、この２値化画像信号に基づいて、配線パタ
ーンの欠陥を検出することを特徴とする生セラミ
ツクス基材上の配線パターン検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10586783A JPS59231402A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10586783A JPS59231402A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231402A JPS59231402A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH0410563B2 true JPH0410563B2 (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=14418904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10586783A Granted JPS59231402A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231402A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112343A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷物検査装置 |
| JPS62182455U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| JPH01263540A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | パターン検出装置 |
| US4890926A (en) * | 1987-12-21 | 1990-01-02 | Miles Inc. | Reflectance photometer |
| JPH0743324B2 (ja) * | 1988-03-18 | 1995-05-15 | 株式会社高岳製作所 | 部品リード線のクリンチ状態検出方法 |
| US5016282A (en) * | 1988-07-14 | 1991-05-14 | Atr Communication Systems Research Laboratories | Eye tracking image pickup apparatus for separating noise from feature portions |
| JPH0269641A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Tokyo Electron Ind Co Ltd | 被測定物の反射光取込み装置 |
| JP3918840B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2007-05-23 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP3956942B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2007-08-08 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP5167542B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2013-03-21 | シーシーエス株式会社 | 検査用照明装置及び検査方法 |
| JP5354362B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2013-11-27 | 株式会社ニコン | 表面検査装置 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10586783A patent/JPS59231402A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59231402A (ja) | 1984-12-26 |
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