JPS59231402A - 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 - Google Patents
生セラミックス基材上の配線パターン検出方法Info
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- JPS59231402A JPS59231402A JP10586783A JP10586783A JPS59231402A JP S59231402 A JPS59231402 A JP S59231402A JP 10586783 A JP10586783 A JP 10586783A JP 10586783 A JP10586783 A JP 10586783A JP S59231402 A JPS59231402 A JP S59231402A
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパターン検出方法に関するものであり一更に詳
しくはパターンと基材が微細な粒子で構成され、加えて
パターンが基材と比較して黒っぽく形成され、明視野照
明光に対する反射光をイメージセンサで受け、これに基
づいてパターンを検出するパターン検出方法に関する。
しくはパターンと基材が微細な粒子で構成され、加えて
パターンが基材と比較して黒っぽく形成され、明視野照
明光に対する反射光をイメージセンサで受け、これに基
づいてパターンを検出するパターン検出方法に関する。
従来のパターン検出方法としては、牙１図に示す様に、
明視野照明４からの光をノ・−フミラー６を介して基材
２上のパターン１に照射し、その反射光を対物レンズ６
を介してイメージセンサ５に入射させ、パターン１を検
出するものが知られている。この場合、パターン１と基
材２が微細な粒子で構成され、パターン１と基材２の表
面の各粒子の面方向が不均一に形成されていると、矛１
図に示す様に、入射光ａに対して反射光すの様に正反射
する場合と一人射光Ｃに′対して反射光ｄの様に乱反射
する場合とがある。パターン１が基材２と比較して明度
が低い場合−上記パターン１における正反射は、イメー
ジセンサ５において第２図に示す様にパターン１上の輝
点となり、ノイズｅとして検出される。従って、従来の
パターン検出方法には、パターン検出の８／Ｎ比が悪く
なるという欠点があった。
明視野照明４からの光をノ・−フミラー６を介して基材
２上のパターン１に照射し、その反射光を対物レンズ６
を介してイメージセンサ５に入射させ、パターン１を検
出するものが知られている。この場合、パターン１と基
材２が微細な粒子で構成され、パターン１と基材２の表
面の各粒子の面方向が不均一に形成されていると、矛１
図に示す様に、入射光ａに対して反射光すの様に正反射
する場合と一人射光Ｃに′対して反射光ｄの様に乱反射
する場合とがある。パターン１が基材２と比較して明度
が低い場合−上記パターン１における正反射は、イメー
ジセンサ５において第２図に示す様にパターン１上の輝
点となり、ノイズｅとして検出される。従って、従来の
パターン検出方法には、パターン検出の８／Ｎ比が悪く
なるという欠点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな（し、パ
ターンが基材に比べて黒っぽ（形成され−かつパターン
と基材が微細な粒子で構成されている場合、パターン表
面上の粒子による照明光の正反射に基づくノイズ（検出
パターンの輝点）を低減し、高いＳ／Ｎ比を得ることが
できるパターン検出力法を提供することにある。
ターンが基材に比べて黒っぽ（形成され−かつパターン
と基材が微細な粒子で構成されている場合、パターン表
面上の粒子による照明光の正反射に基づくノイズ（検出
パターンの輝点）を低減し、高いＳ／Ｎ比を得ることが
できるパターン検出力法を提供することにある。
本発明のパターン検出方法は−パターンと基材に偏光し
た明視野照明製照射し、パターンと基材からの反射光の
うち、明視野照明の偏光方向と同一方向の偏光成分を遮
断し、明視野照明の偏光方向と直角の偏光成分だけを抽
出して一イメージセンサでパターン検出を行うものであ
る。
た明視野照明製照射し、パターンと基材からの反射光の
うち、明視野照明の偏光方向と同一方向の偏光成分を遮
断し、明視野照明の偏光方向と直角の偏光成分だけを抽
出して一イメージセンサでパターン検出を行うものであ
る。
以下添付の図面に示す実施例により、更に詳細に不発ψ
Ｊについて説明する。
Ｊについて説明する。
坩・６図は本発明の一実施例を示す図であり、１・１図
に示す従来例と同一部分は同一符号を付している。パタ
ーン１は基板２に比べて黒っぽく形成され、パターン１
と基材２は共に微細な粒子で構成されている。明視野照
明４としては−例えばノ・ロゲン又は水銀灯を用いる。
に示す従来例と同一部分は同一符号を付している。パタ
ーン１は基板２に比べて黒っぽく形成され、パターン１
と基材２は共に微細な粒子で構成されている。明視野照
明４としては−例えばノ・ロゲン又は水銀灯を用いる。
偏光板７は明視野照明４からの光を一定方向に偏光する
偏光板であり％ ｆは偏光を示している。ノーーフミラ
ー６は偏光ｆを基材２とパターン１に照射するため、偏
光ｆの光路を変化させるだめのものである。偏光板８は
パターン１と基材２からの反射光のうち、偏光ｆの偏光
方向と直角方向の偏光ｇだげを通過させる偏光板である
。また一対物レンズ６はパターン１と基材２かものＮ、
射光をイメージセンサ５上に結像させるものである。
偏光板であり％ ｆは偏光を示している。ノーーフミラ
ー６は偏光ｆを基材２とパターン１に照射するため、偏
光ｆの光路を変化させるだめのものである。偏光板８は
パターン１と基材２からの反射光のうち、偏光ｆの偏光
方向と直角方向の偏光ｇだげを通過させる偏光板である
。また一対物レンズ６はパターン１と基材２かものＮ、
射光をイメージセンサ５上に結像させるものである。
パターン１としては、例えばスクリーン印刷によるタン
グステンのパターンを用いることができ一基拐２として
は、例えばセラミックの生シートヲ用いることができる
。しかし、他のパターン材料・基材でも一上記した条件
を満足させるものは可能である。
グステンのパターンを用いることができ一基拐２として
は、例えばセラミックの生シートヲ用いることができる
。しかし、他のパターン材料・基材でも一上記した条件
を満足させるものは可能である。
次に一牙６図に示す実施例によるパターン検出動作につ
いて説明する。偏′ｙｔ、ｆがハーフミラ−６と対物レ
ンズ３を介してパターン１と基材２に照射される。この
とぎ、牙４図に示す様に、入射光りと反射光ｉが正反射
すると、入射光りと反射光ｌの偏光方向Ｊ、には同一と
なり、反射光ｌは矛３図に示す偏光板８で遮断される。
いて説明する。偏′ｙｔ、ｆがハーフミラ−６と対物レ
ンズ３を介してパターン１と基材２に照射される。この
とぎ、牙４図に示す様に、入射光りと反射光ｉが正反射
すると、入射光りと反射光ｌの偏光方向Ｊ、には同一と
なり、反射光ｌは矛３図に示す偏光板８で遮断される。
従って、１・２図に示す様な、パターン１上の輝点によ
るノイズｅは消失する。一方１，１−４ 図ノ入射光ノ
と反射光ｍの様に乱反射する場合は、反射光ｍの偏光方
向ｎは入射光！の偏光方向ｋに対し変化する。そのため
、３・６図に示す偏光板８では、入射光！の偏光方向ｋ
に対し直角な偏光力量成分だけが偏光ｇとして通過する
。以上の現象と全（同じ現象が、基材２への入射光と放
射光についても生じる。
るノイズｅは消失する。一方１，１−４ 図ノ入射光ノ
と反射光ｍの様に乱反射する場合は、反射光ｍの偏光方
向ｎは入射光！の偏光方向ｋに対し変化する。そのため
、３・６図に示す偏光板８では、入射光！の偏光方向ｋ
に対し直角な偏光力量成分だけが偏光ｇとして通過する
。以上の現象と全（同じ現象が、基材２への入射光と放
射光についても生じる。
従って、パターン１の反射率が小さく、基材２の放射率
が高い場合、その実像をイメージセンサ５で映像信号に
変換すると、従来技術（偏光を用いない場合）では牙５
図（ａ）に示すパターン部分ｑ・基板部分ｐ・輝点ｒの
様に検出されていたものが、３・５図（ｂ） Ｋ示すノ
くターン部分ｔ・基板部分Ｓの様に検出され、輝点ｒが
消失する。これによって−輝点に基づ（ノイズカー低減
され、８７Ｎ比の高い）（ターン検出を行なうことが可
能となる。
が高い場合、その実像をイメージセンサ５で映像信号に
変換すると、従来技術（偏光を用いない場合）では牙５
図（ａ）に示すパターン部分ｑ・基板部分ｐ・輝点ｒの
様に検出されていたものが、３・５図（ｂ） Ｋ示すノ
くターン部分ｔ・基板部分Ｓの様に検出され、輝点ｒが
消失する。これによって−輝点に基づ（ノイズカー低減
され、８７Ｎ比の高い）（ターン検出を行なうことが可
能となる。
尚、オろ図において、明視野照明４・偏光板７のかわり
に偏光レーザ及びビームエキスノくンダを用いて、同様
のパターン検出を行なうことができる。
に偏光レーザ及びビームエキスノくンダを用いて、同様
のパターン検出を行なうことができる。
′：！１６図は本発明のパターン検出方法を用℃・たパ
ターン外観検音装置の一例を示す図であり一］・６図と
同一部分は同一符号を付してその説明を省略する。
ターン外観検音装置の一例を示す図であり一］・６図と
同一部分は同一符号を付してその説明を省略する。
テーブル駆１Ｗ１系は、基材２をセントするＸＹテーブ
ル９と、ＸＹテーブル９をＸ方向・Ｙ方向に駆動するＸ
ステップモータ１０とＸステ・ノブモータ１１と、この
Ｘステ・ノブモータ１０とＸステップモータ１１を駆動
するテーブル駆動回路１５とから構成されている。ノく
ターン認識部は映像信号を２値化信号に変換する２値化
１回路１２と、２値化信号をメモリに展開し欠陥を抽出
する欠陥検出回路１３と一欠陥の集計とＸＹテーブル９
の駆動指令を行なう処理部１４から構成されている。
ル９と、ＸＹテーブル９をＸ方向・Ｙ方向に駆動するＸ
ステップモータ１０とＸステ・ノブモータ１１と、この
Ｘステ・ノブモータ１０とＸステップモータ１１を駆動
するテーブル駆動回路１５とから構成されている。ノく
ターン認識部は映像信号を２値化信号に変換する２値化
１回路１２と、２値化信号をメモリに展開し欠陥を抽出
する欠陥検出回路１３と一欠陥の集計とＸＹテーブル９
の駆動指令を行なう処理部１４から構成されている。
パターン１と基材２は一前記実施例と同様に、スクリー
ン印刷によるタングステンのパターン及びセラミック生
シートの基拐とする。
ン印刷によるタングステンのパターン及びセラミック生
シートの基拐とする。
基月２が設置されたＸＹテーブル９は、目視又は自動的
に位置決めが行なわれる。処理開始後、処理部１４から
の指令により、Ｘステップモータ１０とＸステップモー
タ１１が駆動され、ＸＹテーブル９が移動する。
に位置決めが行なわれる。処理開始後、処理部１４から
の指令により、Ｘステップモータ１０とＸステップモー
タ１１が駆動され、ＸＹテーブル９が移動する。
パターン１の実像は、１・６図に関する動作説明で記述
したのと全く同４１ｊに、イメージセンサ５で映像信号
に変換される。２値化回路１２は、この映像信号を２値
化信号に変換する。欠陥検出回路１３は、２値化１ｇ号
をメモリに格納し、特徴抽出あるいは設計データ比較法
によって欠陥検出を行ない−その結果を処理部１４に転
送する。
したのと全く同４１ｊに、イメージセンサ５で映像信号
に変換される。２値化回路１２は、この映像信号を２値
化信号に変換する。欠陥検出回路１３は、２値化１ｇ号
をメモリに格納し、特徴抽出あるいは設計データ比較法
によって欠陥検出を行ない−その結果を処理部１４に転
送する。
このパターン外観検査装置によれば−イメージセンサ５
から出力される映像信号に輝点によるノイズが含まれて
いないため、欠陥検出精度が高まり、さらに輝点による
ノイズを除去するノイズ除去回路も必要としないという
効果がある。
から出力される映像信号に輝点によるノイズが含まれて
いないため、欠陥検出精度が高まり、さらに輝点による
ノイズを除去するノイズ除去回路も必要としないという
効果がある。
本発明によれば、パターンが基材に比らべて黒っぽく、
パターン・基材が微細な粒子で構成され、各粒子の面が
異なる方向ケ向いているとぎ、照明光に偏光を用い、照
明光の偏光方向と同一方向の偏光成分を退所し、照明光
の偏光方向と直角な偏光成分をもつ偏光による実像から
パターン検出を行なうことによ！−正反射による輝点に
基づくノイズが低減され、高いＳ／Ｎ比を得ることが可
能となり、検出精度が大幅に向上する効果がある。
パターン・基材が微細な粒子で構成され、各粒子の面が
異なる方向ケ向いているとぎ、照明光に偏光を用い、照
明光の偏光方向と同一方向の偏光成分を退所し、照明光
の偏光方向と直角な偏光成分をもつ偏光による実像から
パターン検出を行なうことによ！−正反射による輝点に
基づくノイズが低減され、高いＳ／Ｎ比を得ることが可
能となり、検出精度が大幅に向上する効果がある。
矛１図は従来のパターン検出力法の一例を示す説明図、
矛２図は従来のパターン検出方法によって得られるパタ
ーン実像の一例を示す図、牙ろ図は本発明のパターン検
出方法の一実施例を示す図、・４１４図は牙６図に示す
実施例におけるパターン部分の反射状態を示す説明図、
オ・５図（ａ）は従来のパターン検出方法によって得ら
れる映像を示す図、之・５図（ｂ）は本発明のパターン
検出方法によって得らｙする映像を示す図、堵１６図は
本発明のパターン検出方法を用いたパターン外観検査装
置の一例を示す図である。 ６・・対物レンズ、 ４・明視野照明５・・イメー
ジセンサ−６・・・ハーフミラース８・・・個光板。 代理人升理士 高 橋 明 夫 第１図 第２図 ２ 才３図 第４図 矛５図 （ａ） （ｂ）
矛２図は従来のパターン検出方法によって得られるパタ
ーン実像の一例を示す図、牙ろ図は本発明のパターン検
出方法の一実施例を示す図、・４１４図は牙６図に示す
実施例におけるパターン部分の反射状態を示す説明図、
オ・５図（ａ）は従来のパターン検出方法によって得ら
れる映像を示す図、之・５図（ｂ）は本発明のパターン
検出方法によって得らｙする映像を示す図、堵１６図は
本発明のパターン検出方法を用いたパターン外観検査装
置の一例を示す図である。 ６・・対物レンズ、 ４・明視野照明５・・イメー
ジセンサ−６・・・ハーフミラース８・・・個光板。 代理人升理士 高 橋 明 夫 第１図 第２図 ２ 才３図 第４図 矛５図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- パターンと基材に元を照射し、その反射光をイメージセ
ンサで受光し、パターンを検出するパターン検出方法に
おいて−パターンと基材に照射する元に偏光を用い、パ
ターンと基材からの反射光のうち、上記偏光と同一方向
の偏光成分を遮断し、かつ上記偏光と直角方向の偏光成
分だけをイメージセンサに受光させることを特徴とする
パターン検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10586783A JPS59231402A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10586783A JPS59231402A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231402A true JPS59231402A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH0410563B2 JPH0410563B2 (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=14418904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10586783A Granted JPS59231402A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 生セラミックス基材上の配線パターン検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231402A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112343A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷物検査装置 |
| JPS62182455U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| JPH01237440A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-21 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 部品リード線のクリンチ状態検出方法 |
| JPH01263540A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | パターン検出装置 |
| US4890926A (en) * | 1987-12-21 | 1990-01-02 | Miles Inc. | Reflectance photometer |
| EP0350957A2 (en) * | 1988-07-14 | 1990-01-17 | Atr Communication Systems Research Laboratories | Image pickup apparatus |
| JPH0269641A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Tokyo Electron Ind Co Ltd | 被測定物の反射光取込み装置 |
| JP2004144764A (ja) * | 1998-09-18 | 2004-05-20 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2005055447A (ja) * | 1998-09-18 | 2005-03-03 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2010060415A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Ccs Inc | 検査用照明装置及び検査方法 |
| JP2010286247A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Nikon Corp | 表面検査装置 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10586783A patent/JPS59231402A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112343A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷物検査装置 |
| JPH0374633B2 (ja) * | 1984-06-29 | 1991-11-27 | ||
| JPS62182455U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| US4890926A (en) * | 1987-12-21 | 1990-01-02 | Miles Inc. | Reflectance photometer |
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| JP2004144764A (ja) * | 1998-09-18 | 2004-05-20 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
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| JP2010286247A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Nikon Corp | 表面検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410563B2 (ja) | 1992-02-25 |
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