JPH0478200B2 - - Google Patents
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- JPH0478200B2 JPH0478200B2 JP60268584A JP26858485A JPH0478200B2 JP H0478200 B2 JPH0478200 B2 JP H0478200B2 JP 60268584 A JP60268584 A JP 60268584A JP 26858485 A JP26858485 A JP 26858485A JP H0478200 B2 JPH0478200 B2 JP H0478200B2
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- laser
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
- G02B26/12—Scanning systems using multifaceted mirrors
- G02B26/123—Multibeam scanners, e.g. using multiple light sources or beam splitters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえばプリント基板上にレーザビー
ムを走査して直接パターンを形成し、なおかつ、
その描画されたパターンを検査するレーザ描画検
査方法および装置に関する。
ムを走査して直接パターンを形成し、なおかつ、
その描画されたパターンを検査するレーザ描画検
査方法および装置に関する。
近年、プリント基板等の試料に直接的にパター
ンを描画するものとして、レーザビームを利用し
たレーザ描画装置が開発されている。この装置は
試料を一方向に連続的に移動させながら、その移
動方向と直行する方向にレーザビームを走査し、
パターンを描画するものである。
ンを描画するものとして、レーザビームを利用し
たレーザ描画装置が開発されている。この装置は
試料を一方向に連続的に移動させながら、その移
動方向と直行する方向にレーザビームを走査し、
パターンを描画するものである。
しかしながら、従来においては、単にプリント
基板上のレジストを露光するのみで、パターンを
形成するには現像、エツチングの行程が必要であ
り、さらに、パターンを検査するには別途検査行
程が必要になり、処理効率が悪い欠点があつた。
基板上のレジストを露光するのみで、パターンを
形成するには現像、エツチングの行程が必要であ
り、さらに、パターンを検査するには別途検査行
程が必要になり、処理効率が悪い欠点があつた。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところは、試料の描画行程を短縮
化するとともに、描画パターンの検査行程を別途
必要とすることなく描画行程と同一の行程で連続
的にパターンを検査できるようにした処理効率の
高いレーザ描画検査方法および装置を提供しよう
とするものである。
その目的とするところは、試料の描画行程を短縮
化するとともに、描画パターンの検査行程を別途
必要とすることなく描画行程と同一の行程で連続
的にパターンを検査できるようにした処理効率の
高いレーザ描画検査方法および装置を提供しよう
とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、第１の発明
は往復動自在なステージ上に試料をセツトし、前
記ステージを一方向に移動させながら上記試料に
レーザを走査してパターンを描画し、しかるの
ち、ステージを他方向に移動させて、試料の描画
パターンを光学的に検査する方法で、第２の発明
は耐エツチング性を有する試料をセツトする往復
動自在なステージと、このステージの一方向の移
動時にレーザビームを前記試料に走査してパター
ンを描画するレーザ走査装置と、上記ステージの
他方向の移動時に上記試料の描画パターンを光学
的に検査するパターン検査装置とを具備してなる
ものである。
は往復動自在なステージ上に試料をセツトし、前
記ステージを一方向に移動させながら上記試料に
レーザを走査してパターンを描画し、しかるの
ち、ステージを他方向に移動させて、試料の描画
パターンを光学的に検査する方法で、第２の発明
は耐エツチング性を有する試料をセツトする往復
動自在なステージと、このステージの一方向の移
動時にレーザビームを前記試料に走査してパター
ンを描画するレーザ走査装置と、上記ステージの
他方向の移動時に上記試料の描画パターンを光学
的に検査するパターン検査装置とを具備してなる
ものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例を参照して
説明する。図中１は装置本体で、この本体１内に
ステージ２が矢印ａ，ｂ方向に移動自在に設けら
れ、図示しない駆動機構により往復移動されるよ
うになつている。そして、前記ステージ２上には
試料としてのプリント基板３が載置されている。
このプリント基板３上にはレジスト２０が塗布さ
れ、このレジスト２０としてはたとえば、ニトロ
セルロース、PMMAなどの樹脂にオイルブラツ
ク、近赤外吸収剤などのを混合したものが使用さ
れる。また、上記ステージ２の移動路の上方部に
はレーザ走査装置４およびパターン検査装置５が
設けられている。
説明する。図中１は装置本体で、この本体１内に
ステージ２が矢印ａ，ｂ方向に移動自在に設けら
れ、図示しない駆動機構により往復移動されるよ
うになつている。そして、前記ステージ２上には
試料としてのプリント基板３が載置されている。
このプリント基板３上にはレジスト２０が塗布さ
れ、このレジスト２０としてはたとえば、ニトロ
セルロース、PMMAなどの樹脂にオイルブラツ
ク、近赤外吸収剤などのを混合したものが使用さ
れる。また、上記ステージ２の移動路の上方部に
はレーザ走査装置４およびパターン検査装置５が
設けられている。
上記レーザ走査装置４およびパターン検査装置
５は第２図に示すように構成されている。すなわ
ち、６はレーザヘツドで、このレーザヘツド６か
ら発振されたレーザビーム２１は第１のミラー７
により、その光路が90度変更され、この変更され
た光路中には変調素子８、ビームエキスパンダ９
および第２の反射ミラー１０が順次配設されてい
る。また、前記第２の反射ミラー１０により、光
路は再度90度変更され、さらに、第３の反射ミラ
ー１１により光路変更されて、ポリゴンミラー１
２に導かれるようになつている。前記ポリゴンミ
ラー１２は６面体の回転体で、その各面は鏡面仕
上げされている。このポリゴンミラー１２はモー
タ１３によつて回転され、レーザビーム２１を左
右方向に走査するようになつている。また、前記
ポリゴンミラー１２の前方部にはｆ−θレンズ１
４、さらに、反射ミラー１５が配設されている。
前記反射ミラー１５は回動自在に設けられ、描画
時と検査時ではその角度を変更するようになつて
いる。すなわち、描画時にはレーザビーム２１を
ガラス基板３に対し略直角に、また、検査時には
傾斜した状態で照射するようにそれぞれ角度を変
更するようになつている。また、検査時にプリン
ト基板３から反射されるレーザビーム２１の光路
にはシリンドリカルレンズ１６が設けられ、この
シリンドリカルレンズ１６にはグラスフアイバー
１７および光増幅器１８を介して信号処理部１９
が接続されている。
５は第２図に示すように構成されている。すなわ
ち、６はレーザヘツドで、このレーザヘツド６か
ら発振されたレーザビーム２１は第１のミラー７
により、その光路が90度変更され、この変更され
た光路中には変調素子８、ビームエキスパンダ９
および第２の反射ミラー１０が順次配設されてい
る。また、前記第２の反射ミラー１０により、光
路は再度90度変更され、さらに、第３の反射ミラ
ー１１により光路変更されて、ポリゴンミラー１
２に導かれるようになつている。前記ポリゴンミ
ラー１２は６面体の回転体で、その各面は鏡面仕
上げされている。このポリゴンミラー１２はモー
タ１３によつて回転され、レーザビーム２１を左
右方向に走査するようになつている。また、前記
ポリゴンミラー１２の前方部にはｆ−θレンズ１
４、さらに、反射ミラー１５が配設されている。
前記反射ミラー１５は回動自在に設けられ、描画
時と検査時ではその角度を変更するようになつて
いる。すなわち、描画時にはレーザビーム２１を
ガラス基板３に対し略直角に、また、検査時には
傾斜した状態で照射するようにそれぞれ角度を変
更するようになつている。また、検査時にプリン
ト基板３から反射されるレーザビーム２１の光路
にはシリンドリカルレンズ１６が設けられ、この
シリンドリカルレンズ１６にはグラスフアイバー
１７および光増幅器１８を介して信号処理部１９
が接続されている。
次に、上記プリント基板３にパターンを描画す
る場合について説明する。このときは、まず、第
１図に実線に示すようにプリント基板３をセツト
したステージ２を図示しない駆動機構により矢印
ａ方向に移動させる。この移動によりプリント基
板３がレーザ走査装置４の下方部に至ると、レー
ザヘツド６からレーザビーム２１が発振され、こ
のレーザビーム２１が第１の反射ミラー７、変調
素子８、第２の反射ミラー１０及び第３の反射ミ
ラー１１を介してポリゴンミラー１２に照射され
ポリゴンミラー１２の回転により、レーザビーム
２１がｆ−θレンズ１４、さらに反射ミラー１５
を介してプリント基板３に走査される。このレー
ザビーム２１の走査により、プリント基板３上の
レジスト２０が燃焼蒸発、すなわち、輝散し銅箔
面を露出させパターンが描画されることになる。
このレジスト輝散方式によりパターンが描写され
たプリント基板３は現像行程を必要とすることな
く、描画後、直接エツチングー行程に送ることが
できる。
る場合について説明する。このときは、まず、第
１図に実線に示すようにプリント基板３をセツト
したステージ２を図示しない駆動機構により矢印
ａ方向に移動させる。この移動によりプリント基
板３がレーザ走査装置４の下方部に至ると、レー
ザヘツド６からレーザビーム２１が発振され、こ
のレーザビーム２１が第１の反射ミラー７、変調
素子８、第２の反射ミラー１０及び第３の反射ミ
ラー１１を介してポリゴンミラー１２に照射され
ポリゴンミラー１２の回転により、レーザビーム
２１がｆ−θレンズ１４、さらに反射ミラー１５
を介してプリント基板３に走査される。このレー
ザビーム２１の走査により、プリント基板３上の
レジスト２０が燃焼蒸発、すなわち、輝散し銅箔
面を露出させパターンが描画されることになる。
このレジスト輝散方式によりパターンが描写され
たプリント基板３は現像行程を必要とすることな
く、描画後、直接エツチングー行程に送ることが
できる。
次に、描画されたパターンを検査する場合につ
いて説明する。レーザビーム２１の操作には描画
の場合と同様の光学系を使用するが、レーザヘツ
ド６から発振されるレーザビーム２１の強度を下
げてプリント基板３に走査する。このレーザビー
ム２１の走査により、プリント基板３から反射さ
れる光はシリンドリカルレンズ１６により受けら
れ、グラスフアイバー１７を通つて光増幅器１８
に達し、さらに、信号処理部１９へ送られる。こ
の反射光はプリント基板３の描画されたパター
ン、すなわち、レジスト部とレジストが輝散し銅
箔が露出している部分とでは強度が異なるため、
パターンと対応した信号に変換できる。この信号
とレーザビームの偏向方向位置情報およびステー
ジ位置情報を組合わせてパターンの描画データと
比較するとことにより、描画されたパターンを検
査をすることができる。
いて説明する。レーザビーム２１の操作には描画
の場合と同様の光学系を使用するが、レーザヘツ
ド６から発振されるレーザビーム２１の強度を下
げてプリント基板３に走査する。このレーザビー
ム２１の走査により、プリント基板３から反射さ
れる光はシリンドリカルレンズ１６により受けら
れ、グラスフアイバー１７を通つて光増幅器１８
に達し、さらに、信号処理部１９へ送られる。こ
の反射光はプリント基板３の描画されたパター
ン、すなわち、レジスト部とレジストが輝散し銅
箔が露出している部分とでは強度が異なるため、
パターンと対応した信号に変換できる。この信号
とレーザビームの偏向方向位置情報およびステー
ジ位置情報を組合わせてパターンの描画データと
比較するとことにより、描画されたパターンを検
査をすることができる。
なお、検査用レーザビームは検査範囲内の操作
中はon、offすることなく連続光とする。
中はon、offすることなく連続光とする。
また、上記一実施例においては同一のレーザヘ
ツド６を用いて描画と検査を行なつたが、これに
限られず、別の光源を用いて検査するようにして
もよい。
ツド６を用いて描画と検査を行なつたが、これに
限られず、別の光源を用いて検査するようにして
もよい。
以上説明したように、本発明によれば、現像行
程を必要とすることなくパターンを描画できると
ともに検査行程を別途必要とすることなく描画行
程から連続的に描画パターンの検査を行なうこと
ができ処理効率を著しく向上できるという効果を
奏するものである。
程を必要とすることなくパターンを描画できると
ともに検査行程を別途必要とすることなく描画行
程から連続的に描画パターンの検査を行なうこと
ができ処理効率を著しく向上できるという効果を
奏するものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図
はレーザ描画検査装置を示す構成図、第２図はレ
ーザ走査装置およびパターン検査装置を示す斜視
図である。 ３……プリント基板（試料）、２……ステージ、
２１……レーザビーム、４……レーザ走査装置、
５……パターン検査装置。
はレーザ描画検査装置を示す構成図、第２図はレ
ーザ走査装置およびパターン検査装置を示す斜視
図である。 ３……プリント基板（試料）、２……ステージ、
２１……レーザビーム、４……レーザ走査装置、
５……パターン検査装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 耐エツチング性を有するレジストを塗布した
試料を往復動自在なステージ上にセツトし、前記
ステージを一方向に移動させながら上記試料にレ
ーザビームを照射してパターンを描画し、しかる
のち、前記ステージを他方向に移動させて上記描
画されたパターンを光学的に検査することを特徴
とするレーザ描画検査方法。 ２ 耐エツチング性を有するレジストを塗布した
試料をセツトする往復動自在なステージと、この
ステージの一方向の移動時にレーザビームを前記
試料に走査してパターンを描画するレーザ走査装
置と、上記ステージの他方向の移動時に上記試料
の描画パターンを光学的に検査するパターン検査
装置とを具備してなることを特徴とするレーザ描
画検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268584A JPS62127655A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | レ−ザ描画検査方法および装置 |
| US06/935,729 US4810095A (en) | 1985-11-29 | 1986-11-28 | Laser-beam, pattern drawing/inspecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268584A JPS62127655A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | レ−ザ描画検査方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127655A JPS62127655A (ja) | 1987-06-09 |
| JPH0478200B2 true JPH0478200B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=17460556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60268584A Granted JPS62127655A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | レ−ザ描画検査方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4810095A (ja) |
| JP (1) | JPS62127655A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3806686A1 (de) * | 1988-03-02 | 1989-09-14 | Wegu Messtechnik | Mehrkoordinatenmess- und -pruefeinrichtung |
| CA2057894A1 (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-07 | Harry P. Brueggemann | Scanner system with input capability |
| DE4031633A1 (de) * | 1990-10-05 | 1992-04-16 | Sick Optik Elektronik Erwin | Optische inspektionsvorrichtung |
| AU7682594A (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-27 | Uvtech Systems, Inc. | Surface processing |
| US5814156A (en) * | 1993-09-08 | 1998-09-29 | Uvtech Systems Inc. | Photoreactive surface cleaning |
| JP3431247B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-07-28 | 株式会社日立製作所 | 薄膜製造方法および薄膜多層基板製造方法 |
| EP1291118A1 (de) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | TRUMPF LASERTECHNIK GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Vertiefen von Löchern in einer Mehrlagenleiterplatte |
| JP4274784B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2009-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 配線形成システムおよびその方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4271334A (en) * | 1979-04-06 | 1981-06-02 | Discovision Associates | Apparatus for correcting for temperature-induced tracking errors in a system for recovering information from a recording disc |
| JPS59174070A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像記録方法 |
| US4651169A (en) * | 1985-04-02 | 1987-03-17 | Eastman Kodak Company | Laser printer for printing a plurality of output-images sizes |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60268584A patent/JPS62127655A/ja active Granted
-
1986
- 1986-11-28 US US06/935,729 patent/US4810095A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62127655A (ja) | 1987-06-09 |
| US4810095A (en) | 1989-03-07 |
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