JPH04157352A - 表面異物検査装置 - Google Patents
表面異物検査装置Info
- Publication number
- JPH04157352A JPH04157352A JP28248690A JP28248690A JPH04157352A JP H04157352 A JPH04157352 A JP H04157352A JP 28248690 A JP28248690 A JP 28248690A JP 28248690 A JP28248690 A JP 28248690A JP H04157352 A JPH04157352 A JP H04157352A
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- JP
- Japan
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- wafer
- foreign matter
- rear face
- jig
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- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光を用いた表面異物検査装置に関する。
従来の表面異物検査装置は、第３図に示す構造になって
おり、ステージ１０１上に半導体ウェーハ１０２を装填
し、光源１０３よりレーザ光１０５を照射し、その散乱
光を検出器１０４にて検出することにより、半導体ウェ
ーハ１０２の表面上の異物を検出する構造となっていた
。
おり、ステージ１０１上に半導体ウェーハ１０２を装填
し、光源１０３よりレーザ光１０５を照射し、その散乱
光を検出器１０４にて検出することにより、半導体ウェ
ーハ１０２の表面上の異物を検出する構造となっていた
。
このような従来用いていた表面異物検査装置では、半導
体ウェーハ１０２をステージ１０１に載せる構造となっ
ているため、ウェーハ表面の異物を検査している時につ
ニーノ）裏面はステージと擦れてゴミが発生し付着する
ため、ウェーハの表面と裏面とを同時に検査することは
不可能という問題点があった。
体ウェーハ１０２をステージ１０１に載せる構造となっ
ているため、ウェーハ表面の異物を検査している時につ
ニーノ）裏面はステージと擦れてゴミが発生し付着する
ため、ウェーハの表面と裏面とを同時に検査することは
不可能という問題点があった。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、半導体ウェーハ
の表面と裏面とを一度で検査できるようにした表面異物
検査装置を提供することにある。
の表面と裏面とを一度で検査できるようにした表面異物
検査装置を提供することにある。
本発明の構成は、治具に固定された半導体ウェーハの表
面にレーザ光を照射し、その散乱光を検出Ｊることによ
り、前記ウェーハ表面上の異物を検査する異物検査装置
において、前記ウェーへの裏面も検査できるように、前
記治具を回転する手段を設けたことを特徴とする。
面にレーザ光を照射し、その散乱光を検出Ｊることによ
り、前記ウェーハ表面上の異物を検査する異物検査装置
において、前記ウェーへの裏面も検査できるように、前
記治具を回転する手段を設けたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
ウェーハ固定治具部分の平面図である。
ウェーハ固定治具部分の平面図である。
第１図、第２図において 本実施例は、ウェーハ固定治
具１が半導体ウェーハ２の周囲を、４個の滑車からなる
４点で支える構造となっている。
具１が半導体ウェーハ２の周囲を、４個の滑車からなる
４点で支える構造となっている。
光源３からＨｅ−Ｎｅのレーザ光５をウェーハ２の表面
上に照射する。ウェーハ表面上で反射もしくは散乱した
レーザ光を、検出器４により検出することで、異物の有
無を確認する構成になっている。
上に照射する。ウェーハ表面上で反射もしくは散乱した
レーザ光を、検出器４により検出することで、異物の有
無を確認する構成になっている。
ここで、ウェーハ固定治具１は矢印方向に回転する構造
になっており、ウェーハ２を光源３に対して表面側にも
裏面側にも向けることが可能となっている。そのため、
本実施例による表面異物検査装置では、ウェーハ２の表
面も、裏面も一度に人物検査ができる構造になっている
。
になっており、ウェーハ２を光源３に対して表面側にも
裏面側にも向けることが可能となっている。そのため、
本実施例による表面異物検査装置では、ウェーハ２の表
面も、裏面も一度に人物検査ができる構造になっている
。
かつ従来の装置と異なり、ウェーハをステージ上に装填
する構造ではないため、ウェーハ裏面がステージと擦れ
てゴミが発生する問題もなく、ステージ上のゴミがウェ
ーハ裏面に付着する問題も解決できる。
する構造ではないため、ウェーハ裏面がステージと擦れ
てゴミが発生する問題もなく、ステージ上のゴミがウェ
ーハ裏面に付着する問題も解決できる。
以上説明したように、本発明では、ウェーハを固定する
構造であり、従来のようにウェーハ裏面がステージと擦
れるという問題もなく、ゴミの発生およびウェーハ裏面
へのゴミの付着を防止できる効果があり、またウェーハ
固定治具が回転する構造となっているため、ウェーハの
表面と裏面を同時に検査することができるという効果が
あり、それにより装置のゴミレベルを評価する場合従来
は検査用ウェーハを２枚必要としていたのに対し、本発
明では検査用ウェーハを１枚に低減できる効果があり、
また検査装置内でのゴミの発生も防止できるため、検査
装置の精度も従来に比べて大幅に改善できる効果がある
。
構造であり、従来のようにウェーハ裏面がステージと擦
れるという問題もなく、ゴミの発生およびウェーハ裏面
へのゴミの付着を防止できる効果があり、またウェーハ
固定治具が回転する構造となっているため、ウェーハの
表面と裏面を同時に検査することができるという効果が
あり、それにより装置のゴミレベルを評価する場合従来
は検査用ウェーハを２枚必要としていたのに対し、本発
明では検査用ウェーハを１枚に低減できる効果があり、
また検査装置内でのゴミの発生も防止できるため、検査
装置の精度も従来に比べて大幅に改善できる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の表面異物検査装置の断面図
、第２図は第１図のウェーハ固定治具の部分の平面図、
第３図は従来装置の断面図である。 １・・・ウェーハ固定治具、２．１０２・・・半導体ウ
ェーハ、３．１０３川光源、４，１０４・Ｉ重器、５，
１０５・・・レーザ光、１ｏ１・・・ステージ。
、第２図は第１図のウェーハ固定治具の部分の平面図、
第３図は従来装置の断面図である。 １・・・ウェーハ固定治具、２．１０２・・・半導体ウ
ェーハ、３．１０３川光源、４，１０４・Ｉ重器、５，
１０５・・・レーザ光、１ｏ１・・・ステージ。
Claims (1)
- 治具に固定された半導体ウェーハの表面にレーザ光を
照射し、その散乱光を検出することにより、前記ウェー
ハ表面上の異物を検査する異物検査装置において、前記
ウェーハの裏面も検査できるように、前記治具を回転す
る手段を設けたことを特徴とする表面異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28248690A JPH04157352A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 表面異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28248690A JPH04157352A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 表面異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157352A true JPH04157352A (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17653068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28248690A Pending JPH04157352A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 表面異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04157352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329251A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fujitsu Ltd | 光学ウェハ検査装置 |
| CN115808428A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124942A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-28 | ワツカー・ケミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 特に半導体スライスの表面性状を測定するための方法と装置 |
| JPH0260860B2 (ja) * | 1984-01-27 | 1990-12-18 | Gen Electric |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP28248690A patent/JPH04157352A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260860B2 (ja) * | 1984-01-27 | 1990-12-18 | Gen Electric | |
| JPS63124942A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-28 | ワツカー・ケミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 特に半導体スライスの表面性状を測定するための方法と装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329251A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fujitsu Ltd | 光学ウェハ検査装置 |
| CN115808428A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
| CN115808428B (zh) * | 2022-11-16 | 2024-04-30 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
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