JPH04103144A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
- Publication number
- JPH04103144A JPH04103144A JP22201990A JP22201990A JPH04103144A JP H04103144 A JPH04103144 A JP H04103144A JP 22201990 A JP22201990 A JP 22201990A JP 22201990 A JP22201990 A JP 22201990A JP H04103144 A JPH04103144 A JP H04103144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- laser beams
- scattered light
- scattered
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体集積回路製造工程におけるウェーハー
又はマスク（レチク）Ｖ ）の異物検査方法に関するも
のであり、特に回路パターンが形成されているウェーハ
ー又はマスクの異物検査方法に関するものである。
又はマスク（レチク）Ｖ ）の異物検査方法に関するも
のであり、特に回路パターンが形成されているウェーハ
ー又はマスクの異物検査方法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、回路パターンが形成されているウェーハーやマス
ク上の異物検出には、主に次の２通りの方法が用いられ
てきた。
ク上の異物検出には、主に次の２通りの方法が用いられ
てきた。
第１の方法は、散乱光信号の画像処理を行い、周期性の
ある信号をパターンからの散乱光と判断し、パターンと
異物を区別することによって異物検出を行う方法である
。
ある信号をパターンからの散乱光と判断し、パターンと
異物を区別することによって異物検出を行う方法である
。
また、第２の方法は、Ｓ偏光（振動面が試料面に平行な
偏光）したレーザー光が回路パターンで散乱される際に
Ｐ偏光（振動面が試料面に垂直な偏光）に変化すること
を利用して、フィルターで散乱光のＰ成分をカットする
ことによって回路パターンからの散乱光のみを消去する
ことによって異物検出する方法である。
偏光）したレーザー光が回路パターンで散乱される際に
Ｐ偏光（振動面が試料面に垂直な偏光）に変化すること
を利用して、フィルターで散乱光のＰ成分をカットする
ことによって回路パターンからの散乱光のみを消去する
ことによって異物検出する方法である。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記従来技術において、散乱光信号の画像処理を行う方
法は、正確で異物検出感度も良いが、検出時間が非常に
長くなυ、製造工程での異物管理には使用できない。例
えば、６インチウェーハーの全面検査を行うために、数
十時間を必要とする。
法は、正確で異物検出感度も良いが、検出時間が非常に
長くなυ、製造工程での異物管理には使用できない。例
えば、６インチウェーハーの全面検査を行うために、数
十時間を必要とする。
また、偏光したレーザー光の散乱を用いる方法では、パ
ターンのエツジ部分などがエツチングの際に荒れたりす
ると、そのような箇所ではＳ偏光が完全にＰ偏光に変化
せず、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分が混在し、パターンから
の散乱光が消去できなくなる。
ターンのエツジ部分などがエツチングの際に荒れたりす
ると、そのような箇所ではＳ偏光が完全にＰ偏光に変化
せず、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分が混在し、パターンから
の散乱光が消去できなくなる。
そこで本発明は、迅速且つ正確に、回路パターンが形成
されているウニ−バー又はマスク上の異物検出全行う方
法と捉供することを目的とする。
されているウニ−バー又はマスク上の異物検出全行う方
法と捉供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
上記課題を解決する手段として、本発明では、レーザー
光をウェーハー又はマヌクの面上の近接した２点に照射
し、元栓圧器により散乱光の有無を別々に検出する。そ
して、検品された散乱光が１つである場合に、ウェーハ
ー又はマスク上に異物が存在すると判断し、散乱光が２
つ検出される場合及び散乱光が１つも検出されない場合
を、異物が存在しなＡと判断する。
光をウェーハー又はマヌクの面上の近接した２点に照射
し、元栓圧器により散乱光の有無を別々に検出する。そ
して、検品された散乱光が１つである場合に、ウェーハ
ー又はマスク上に異物が存在すると判断し、散乱光が２
つ検出される場合及び散乱光が１つも検出されない場合
を、異物が存在しなＡと判断する。
上記手段により、第３図に示すように、回路パターン１
のエツジ部分からの散乱光３ａは、近接した位置に照射
された２つのレーザー光２がら起こころ。これに対して
、第４図に示すように、照射したレーザー光２のうち実
際に異物９に照射したレーザー光のみが散乱光３ｂにな
る。
のエツジ部分からの散乱光３ａは、近接した位置に照射
された２つのレーザー光２がら起こころ。これに対して
、第４図に示すように、照射したレーザー光２のうち実
際に異物９に照射したレーザー光のみが散乱光３ｂにな
る。
なお・、第５図に示すように、パターン１の平坦部分に
レーザー光２が照射された場合は、散乱光に々らな−。
レーザー光２が照射された場合は、散乱光に々らな−。
〈実施例〉
本発明におして、レーザー全２つ用いた場合の実施例全
第１図に示し、説明する。
第１図に示し、説明する。
第１図におＡて、ウェーハー４ｆｆｉＸ、Ｙ方向に移動
できるステージ５に載せ、ウニ−バー４のオリエンテー
ション・フラットに垂直な方向から、ウェーハー面との
角度θがθ二ｌＯ°〜ｇｏ’の範囲で一定角度でレーザ
ー６全固定し、２つのレーザー光２を照射する。レーザ
ー光２は数Ａｍ以下にしぼり、２つのレーザー光２０間
隔は数Ａｍ以下に近ずける。光検出器８は、散乱光のみ
を検出するため、ウェーハー面に垂直方向で受光面を固
定し、配置する。また、他方のレーザー光による散乱光
を除去するために、スリット７を介して散乱光を検出す
る。以上の様にしてステージ５全Ｘ方向、Ｙ方向に走査
して、ウェーへ−全面にレーザー光２を照射し、異物検
査を行う。
できるステージ５に載せ、ウニ−バー４のオリエンテー
ション・フラットに垂直な方向から、ウェーハー面との
角度θがθ二ｌＯ°〜ｇｏ’の範囲で一定角度でレーザ
ー６全固定し、２つのレーザー光２を照射する。レーザ
ー光２は数Ａｍ以下にしぼり、２つのレーザー光２０間
隔は数Ａｍ以下に近ずける。光検出器８は、散乱光のみ
を検出するため、ウェーハー面に垂直方向で受光面を固
定し、配置する。また、他方のレーザー光による散乱光
を除去するために、スリット７を介して散乱光を検出す
る。以上の様にしてステージ５全Ｘ方向、Ｙ方向に走査
して、ウェーへ−全面にレーザー光２を照射し、異物検
査を行う。
第１図において、回路パターンｌのエツジ部分に照射さ
れた２つのレーザー光２は、前記エツジ部分に於いて、
同時に散乱するために、スリット７を介して光検出器８
で２つの散乱光８ａが同時に検出され、この場合は回路
パターン１と判断する。
れた２つのレーザー光２は、前記エツジ部分に於いて、
同時に散乱するために、スリット７を介して光検出器８
で２つの散乱光８ａが同時に検出され、この場合は回路
パターン１と判断する。
次に、第２の実施例として、−のレーザー全周いた場合
を第２図に示し、説明する。
を第２図に示し、説明する。
第１の実施例と同様にしてウェーハー４をステージ５に
載せ、光検出器８を設置する。
載せ、光検出器８を設置する。
第２の実施例の場合、−の光検出器を用いる。
レーザー光２をオリエンテーション・フラットに垂直な
方向でウェーハー面との角度をθ＝１０°〜８０°の範
囲で一定角度に保ち、レーザー６牛固定し、照射する。
方向でウェーハー面との角度をθ＝１０°〜８０°の範
囲で一定角度に保ち、レーザー６牛固定し、照射する。
次に、ステージ５をＸ方向に数μｍし、再び照射ｔｉい
、散乱光を検出する。以上のようにして、ウェーハー全
面に照射し、検査全行う。
、散乱光を検出する。以上のようにして、ウェーハー全
面に照射し、検査全行う。
第２の実施例は、第１の実施例に比べ検査時間がかかる
が、−のレーザーで検査でき、またスリットが不必要で
ある。
が、−のレーザーで検査でき、またスリットが不必要で
ある。
〈発明の効果〉
以上、詳細に説明した様に、本発明により、回路パター
ンが形成されているウェーハ又はマスク上の異物を迅速
かつ正確に検出することが可能となる。
ンが形成されているウェーハ又はマスク上の異物を迅速
かつ正確に検出することが可能となる。
第１図及び第２図は、それぞれ本発明の第１及び第２の
実施例の概略図である。 第３図はレーザー光全回路パターンのエツジ部に照射し
た場合の説明図である。 第４図は、パターン上に異物が存在する場合の説明図で
ある。 第５図は、パターン平坦部にレーザー光を照射させた場
合の説明図である。 符号の説明 １：パターン、 ２：入射レーザー光、 ３ａ：パター
ンのエツジ部からの散乱レーザー光、ｂ ：異物からの散乱レーザー光、 ４：ウニ ５：ステージ、 ６ ： レーザー ７：スリ ット、 ：光検出器、 ：異物、 二反射レーザー光。
実施例の概略図である。 第３図はレーザー光全回路パターンのエツジ部に照射し
た場合の説明図である。 第４図は、パターン上に異物が存在する場合の説明図で
ある。 第５図は、パターン平坦部にレーザー光を照射させた場
合の説明図である。 符号の説明 １：パターン、 ２：入射レーザー光、 ３ａ：パター
ンのエツジ部からの散乱レーザー光、ｂ ：異物からの散乱レーザー光、 ４：ウニ ５：ステージ、 ６ ： レーザー ７：スリ ット、 ：光検出器、 ：異物、 二反射レーザー光。
Claims (1)
- １、回路パターンを有するウェーハー又はマスク上の異
物の有無を検査する方法に於いて、レーザー光を上記ウ
ェーハー又はマスク上の近接した２点に照射して、別々
に散乱光を検出し、一の散乱光のみが検出される場合を
異物有りと判断することを特徴とする異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22201990A JPH04103144A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22201990A JPH04103144A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103144A true JPH04103144A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16775832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22201990A Pending JPH04103144A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516874A (ja) * | 1997-09-19 | 2001-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 改良形試料検査システム |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP22201990A patent/JPH04103144A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516874A (ja) * | 1997-09-19 | 2001-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 改良形試料検査システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4595289A (en) | Inspection system utilizing dark-field illumination | |
| US4898471A (en) | Particle detection on patterned wafers and the like | |
| JPS6365904B2 (ja) | ||
| JPH06249791A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2000097872A (ja) | 光学的検査装置 | |
| JPS61260632A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH04103144A (ja) | 異物検査方法 | |
| JPS6240656B2 (ja) | ||
| JPH05215696A (ja) | 欠陥検査方法および装置 | |
| JPH0534128A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2705764B2 (ja) | 透明ガラス基板の欠陥検出装置 | |
| JP2577920B2 (ja) | 異物有無検査装置 | |
| JP3336392B2 (ja) | 異物検査装置及び方法 | |
| JPH0743323B2 (ja) | 表面異物検査装置 | |
| JP2898669B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2603078B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2970235B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPS5998524A (ja) | 透明体の検査装置 | |
| JPS63103951A (ja) | ゴミ検査装置 | |
| JPH05216211A (ja) | マスクの検査方法および装置 | |
| JP3064459B2 (ja) | マスクの異物検査方法 | |
| JPH0582933B2 (ja) | ||
| JPH07333167A (ja) | 表面状態検査装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JPH01239437A (ja) | 異物有無検査装置 | |
| JPH09218163A (ja) | 異物検査装置における信号処理方法 |