JPH01239437A - 異物有無検査装置 - Google Patents
異物有無検査装置Info
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- JPH01239437A JPH01239437A JP63069136A JP6913688A JPH01239437A JP H01239437 A JPH01239437 A JP H01239437A JP 63069136 A JP63069136 A JP 63069136A JP 6913688 A JP6913688 A JP 6913688A JP H01239437 A JPH01239437 A JP H01239437A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 54
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、主としてＬＳＩ製造プロセスにおいて、半導
体ウェハーに回路パターンを焼付けるために用いられる
レティクルとかマスク、あるいは、回路パターンが形成
された製品ウェハー、更には、液晶用基板などの検査対
象基板の表面に、異物が付着しているか否かを検査する
ための装置に係り、より詳しくは、表面に回路パターン
が描かれている検査対象基板の該表面に対してレーザー
ビームを走査照射するように構成すると共に、その検査
対象基板の表面からの反射散乱光の検出結果に基いて前
記検査対象基板の表面における異物の有無を判別するよ
うに構成されている異物有無検査装置に関する。
体ウェハーに回路パターンを焼付けるために用いられる
レティクルとかマスク、あるいは、回路パターンが形成
された製品ウェハー、更には、液晶用基板などの検査対
象基板の表面に、異物が付着しているか否かを検査する
ための装置に係り、より詳しくは、表面に回路パターン
が描かれている検査対象基板の該表面に対してレーザー
ビームを走査照射するように構成すると共に、その検査
対象基板の表面からの反射散乱光の検出結果に基いて前
記検査対象基板の表面における異物の有無を判別するよ
うに構成されている異物有無検査装置に関する。
かかる異物有無検査装置としては、従来から、下記のよ
うな構成を存するものが知られている。
うな構成を存するものが知られている。
即ち、その最も原理的な構成を有する従来一般の異物有
無検査装置は、第５図に示すように、表面に回路パター
ン（図示せず）が描かれた検査対象基板Ｏ（この例では
べりクル枠１を有するものを示している）を載置したス
テージ（図示せず）を水平面上で一方向くＸ方向）に直
線移動走査させると共に、例えばＨｅ−Ｎｅレーザーを
発振するレーザー発振器２．ビームエキスパンダー３゜
スキャニング用のガルバノミラ−４，集光レンズ（ｆ・
θレンズ）５等から成る入射光学系へにより、前記検査
対象基板０の一側方における所定角度斜め上方から、そ
の検査対象基板０の検査表面に対して一定の振動面を有
する（つまり、検査表面に対して平行に振動するＳ偏光
の）直線偏光レーザービームＬを、前記Ｘ方向に直交す
るＸ方向における所定範囲内で往復直線走査させながら
照射し、その照射レーザービームＬの検査表面からの反
射散乱光Ｒを、前記入射光学系Ａに関して検査対象基板
０の両横側方（つまり、その基板ＯのＸ方向における両
側方）における斜め上方に配置した検出光学系Ｂ、Ｂで
検出するように構成されており、各検出光学系Ｂは、集
光レンズ６、スリット７、特定の直線偏光成分（この例
では、検査表面に垂直に振動するＰ偏光成分）のみをカ
ット（除去）するように検光軸が設定された偏光板から
成る検光子８１例えば光電子倍増管から成る光検出器９
（９Ａ、９Ｂ）等をその順に並設して構成されている
。
無検査装置は、第５図に示すように、表面に回路パター
ン（図示せず）が描かれた検査対象基板Ｏ（この例では
べりクル枠１を有するものを示している）を載置したス
テージ（図示せず）を水平面上で一方向くＸ方向）に直
線移動走査させると共に、例えばＨｅ−Ｎｅレーザーを
発振するレーザー発振器２．ビームエキスパンダー３゜
スキャニング用のガルバノミラ−４，集光レンズ（ｆ・
θレンズ）５等から成る入射光学系へにより、前記検査
対象基板０の一側方における所定角度斜め上方から、そ
の検査対象基板０の検査表面に対して一定の振動面を有
する（つまり、検査表面に対して平行に振動するＳ偏光
の）直線偏光レーザービームＬを、前記Ｘ方向に直交す
るＸ方向における所定範囲内で往復直線走査させながら
照射し、その照射レーザービームＬの検査表面からの反
射散乱光Ｒを、前記入射光学系Ａに関して検査対象基板
０の両横側方（つまり、その基板ＯのＸ方向における両
側方）における斜め上方に配置した検出光学系Ｂ、Ｂで
検出するように構成されており、各検出光学系Ｂは、集
光レンズ６、スリット７、特定の直線偏光成分（この例
では、検査表面に垂直に振動するＰ偏光成分）のみをカ
ット（除去）するように検光軸が設定された偏光板から
成る検光子８１例えば光電子倍増管から成る光検出器９
（９Ａ、９Ｂ）等をその順に並設して構成されている
。
なお、前記検出光学系Ｂにおける検光子８は、検査対象
基板０の検査表面からの反射散乱光Ｒが回路パターン（
特に４５°回路パターン）によるものか異物によるもの
か、を弁別して誤検出を防止することを目的として設け
られているものである。
基板０の検査表面からの反射散乱光Ｒが回路パターン（
特に４５°回路パターン）によるものか異物によるもの
か、を弁別して誤検出を防止することを目的として設け
られているものである。
つまり、第６図（イ）に示すように、検査対象基板Ｏの
検査表面上に４５″パターン（照射レーザービームＬに
対して４５″をなすエツジを有する回路パターン）が存
在すると、この部分において照射レーザービームＬ（Ｓ
偏光）は検出光学系Ｂに向かって反射されることになる
が、その反射光Ｒは大部分がＰ偏光となるため、検光子
８の検光軸をこれと垂直になるように設定配置しておけ
ば、その反射光Ｒ（Ｐ偏光）はカットされて光検出器９
へは到達せず、従って、この場合には光検出器９は光を
検出しない。一方、第６図（ロ）に示すように、検査対
象基板Ｏの検査表面上に実際に異物Ｚが存在する場合に
は、この異物Ｚにより照射レーザービームＬ （Ｓ偏光
）はランダムな方向に反射散乱されて、その一部が検出
光学系Ｂへ入射することになるが、その異物Ｚからの反
射散乱光ＲにはＳ偏光成分とＰ偏光成分とが混在してい
るため、前記検光子８においてその一部（Ｐ偏光成分）
はカットされるものの、その一部（Ｓ偏光成分）は検光
子８を通過して光検出器９へ到達し、従って、この場合
には光検出器９が光を検出して、異物Ｚの存在が検出さ
れる。このように、回路パターンよる反射光と異物Ｚに
よる散乱光に含まれる偏光の相違を利用した手段を講す
ることによって、たとえ検査対象基板０の検査表面上に
４５°回路パターンが存在したとしても、異物Ｚのみを
弁別して検出できるように構成されているのである（但
し、下記するところから明らかなように、その弁別が確
実に行われるとは言えない現状にある）。
検査表面上に４５″パターン（照射レーザービームＬに
対して４５″をなすエツジを有する回路パターン）が存
在すると、この部分において照射レーザービームＬ（Ｓ
偏光）は検出光学系Ｂに向かって反射されることになる
が、その反射光Ｒは大部分がＰ偏光となるため、検光子
８の検光軸をこれと垂直になるように設定配置しておけ
ば、その反射光Ｒ（Ｐ偏光）はカットされて光検出器９
へは到達せず、従って、この場合には光検出器９は光を
検出しない。一方、第６図（ロ）に示すように、検査対
象基板Ｏの検査表面上に実際に異物Ｚが存在する場合に
は、この異物Ｚにより照射レーザービームＬ （Ｓ偏光
）はランダムな方向に反射散乱されて、その一部が検出
光学系Ｂへ入射することになるが、その異物Ｚからの反
射散乱光ＲにはＳ偏光成分とＰ偏光成分とが混在してい
るため、前記検光子８においてその一部（Ｐ偏光成分）
はカットされるものの、その一部（Ｓ偏光成分）は検光
子８を通過して光検出器９へ到達し、従って、この場合
には光検出器９が光を検出して、異物Ｚの存在が検出さ
れる。このように、回路パターンよる反射光と異物Ｚに
よる散乱光に含まれる偏光の相違を利用した手段を講す
ることによって、たとえ検査対象基板０の検査表面上に
４５°回路パターンが存在したとしても、異物Ｚのみを
弁別して検出できるように構成されているのである（但
し、下記するところから明らかなように、その弁別が確
実に行われるとは言えない現状にある）。
前述した従来手段、即ち、検出光学系Ｂに特定の直線偏
光成分（Ｐ偏光成分）のみをカットする検光子８を設け
ることによって、回路パターンによる反射光か異物Ｚに
よる散乱光かが確実に弁別されるためには、４５″回路
パターン部分における反射光の殆ど全てが特定のかつ完
全な直線偏光成分（Ｐ偏光成分）となっていることが前
提となる！ しかしながら、本発明者の調査研究結果によれば、４５
°回路パターン部分における反射光は、大体のところ特
定偏光成分（Ｐ偏光成分）にはなっているとは言え、詳
細に見ると完全な直線偏光では無く、実際には楕円偏光
となっており、その偏光面が１００％単一であるとは言
えないために、前記のような特定のかつ完全な直線偏光
成分（Ｐ偏光成分）のみをカット可能な検光子８を設け
ただけでは、４５″回路パターンによる反射光を十分に
は除去できず、従って、異物Ｚのみを確実に弁別して誤
検出を防止できる性能には限界がある、という欠点が存
在することが判明した。
光成分（Ｐ偏光成分）のみをカットする検光子８を設け
ることによって、回路パターンによる反射光か異物Ｚに
よる散乱光かが確実に弁別されるためには、４５″回路
パターン部分における反射光の殆ど全てが特定のかつ完
全な直線偏光成分（Ｐ偏光成分）となっていることが前
提となる！ しかしながら、本発明者の調査研究結果によれば、４５
°回路パターン部分における反射光は、大体のところ特
定偏光成分（Ｐ偏光成分）にはなっているとは言え、詳
細に見ると完全な直線偏光では無く、実際には楕円偏光
となっており、その偏光面が１００％単一であるとは言
えないために、前記のような特定のかつ完全な直線偏光
成分（Ｐ偏光成分）のみをカット可能な検光子８を設け
ただけでは、４５″回路パターンによる反射光を十分に
は除去できず、従って、異物Ｚのみを確実に弁別して誤
検出を防止できる性能には限界がある、という欠点が存
在することが判明した。
殊に最近では、検出を要する異物Ｚの微少化が進むに伴
って、検出すべき異物２からの散乱光が非常に微弱化す
る一方、それに加えて、回路パターンの微細化（つまり
線数の増加）に伴って、回路パターンからの反射光は比
較的大きくなる、という傾向が強くなってきているため
に、上記のような欠点はますます大きな問題になりつつ
ある。
って、検出すべき異物２からの散乱光が非常に微弱化す
る一方、それに加えて、回路パターンの微細化（つまり
線数の増加）に伴って、回路パターンからの反射光は比
較的大きくなる、という傾向が強くなってきているため
に、上記のような欠点はますます大きな問題になりつつ
ある。
本発明の目的は、かかる従来欠点を解消し得る異物有無
検査装置を開発・提供せんとすることにある。
検査装置を開発・提供せんとすることにある。
上記目的を達成するために、本発明は、表面に回路パタ
ーンが描かれている検査対象基板の該表面に対してレー
ザービームをその基板の一側方における斜め上方から走
査照射する入射光学系を設けると共に、前記検査対象基
板の表面からの反射散乱光を検出する検出光学系を前記
入射光学系に関してその基板の横側方における斜め上方
に設け、前記検出光学系による反射散乱光の検出結果に
基いて前記検査対象基板の表面における異物の有無を判
別するように構成されている異物有無検査装置において
、 前記入射光学系に対してハーフミラ−を介して共役検出
光学系を設けることにより、その入射光学系の光軸上を
戻ってくる反射散乱光を検出可能に構成し、かつ、前記
検出光学系および共役検出光学系の両検出光学系が共に
反射散乱光を検出したときにのみ異物有りと判定する信
号処理回路を設けである、 という手段を講じた点に特徴がある。
ーンが描かれている検査対象基板の該表面に対してレー
ザービームをその基板の一側方における斜め上方から走
査照射する入射光学系を設けると共に、前記検査対象基
板の表面からの反射散乱光を検出する検出光学系を前記
入射光学系に関してその基板の横側方における斜め上方
に設け、前記検出光学系による反射散乱光の検出結果に
基いて前記検査対象基板の表面における異物の有無を判
別するように構成されている異物有無検査装置において
、 前記入射光学系に対してハーフミラ−を介して共役検出
光学系を設けることにより、その入射光学系の光軸上を
戻ってくる反射散乱光を検出可能に構成し、かつ、前記
検出光学系および共役検出光学系の両検出光学系が共に
反射散乱光を検出したときにのみ異物有りと判定する信
号処理回路を設けである、 という手段を講じた点に特徴がある。
上記特徴構成により発揮される作用は次の通りである。
即ち、本発明に係る異物有無検査装置においては、本来
の検出光学系に加えて、入射光学系の一部を有効利用し
た共役検出光学系を設けると共に、それら検出光学系お
よび共役検出光学系の両検出光学系が共に反射散乱光を
検出したときにのみ異物有りと判定する信号処理回路を
設けであるから、後述する〔実施例〕の記載からも一層
明らかになるように、回路パターンからの反射光には夫
々定まった方向性があるが、異物による反射光には一定
の方向性は無い、という現象を利用することによって、
回路パターンのエツジ角度の如何に拘らず、その回路パ
ターンが異物として誤検出されることを確実に防止でき
、異物のみを確実に弁別して検出できるようになった。
の検出光学系に加えて、入射光学系の一部を有効利用し
た共役検出光学系を設けると共に、それら検出光学系お
よび共役検出光学系の両検出光学系が共に反射散乱光を
検出したときにのみ異物有りと判定する信号処理回路を
設けであるから、後述する〔実施例〕の記載からも一層
明らかになるように、回路パターンからの反射光には夫
々定まった方向性があるが、異物による反射光には一定
の方向性は無い、という現象を利用することによって、
回路パターンのエツジ角度の如何に拘らず、その回路パ
ターンが異物として誤検出されることを確実に防止でき
、異物のみを確実に弁別して検出できるようになった。
〔実施例〕
以下、本発明の具体的実施例を図面（第１図ないし第４
図）に基いて説明する。
図）に基いて説明する。
第１図は、本発明の実施例に係る異物有無検査装置の全
体構成を示しているが、この図において、ペリクル枠１
を有する検査対象基板Ｏ２および、集光レンズ６、スリ
ット７、検光子８．光検出器９等から成る各検出光学系
Ｂについては、前記第５図を用いて説明した従来構成の
ものと同様であるので、ここではそれらについての詳細
説明は省略し、本発明の要部にかかる入射光学系Ａおよ
び共役検出光学系Ｃを主に説明する。
体構成を示しているが、この図において、ペリクル枠１
を有する検査対象基板Ｏ２および、集光レンズ６、スリ
ット７、検光子８．光検出器９等から成る各検出光学系
Ｂについては、前記第５図を用いて説明した従来構成の
ものと同様であるので、ここではそれらについての詳細
説明は省略し、本発明の要部にかかる入射光学系Ａおよ
び共役検出光学系Ｃを主に説明する。
即ち、第２図にも示しているように、前記入射光学系Ａ
は、従来構成のものと同様に、レーザー発ｉｂ２．ビー
ムエキスパンダー３．スキャニング用のガルバノミラ−
４，集光レンズ（ｆ・θレンズ）５等から構成されてい
るが、この入射光学系Ａの光路途中（ビームエキスパン
ダー３とガルバノミラ−４との間）にはハーフミラ−１
ｏが介装されており、そして、このハーフミラ−１ｏを
介して、前記入射光学系Ａと光路を共有する共役検出光
学系Ｃが設けられている。この共役検出光学系Ｃは、集
光レンズ１１．空間（円孔）フィルター１２．光検出器
１３から成り、前記入射光学系Ａを戻って来る光があれ
ば、その戻り光はハーフミラ−１Ｏを介して取り出され
、前記集光レンズ１１および空間フィルター１２を経て
光検出器１３へ到達する。なお、前記空間フィルター１
２は、検査対象基板Ｏの裏面側で反射して戻って来る光
や、レンズあるいはミラー面の傷やほこりによるノイズ
成分を除去するために設けられているものである。
は、従来構成のものと同様に、レーザー発ｉｂ２．ビー
ムエキスパンダー３．スキャニング用のガルバノミラ−
４，集光レンズ（ｆ・θレンズ）５等から構成されてい
るが、この入射光学系Ａの光路途中（ビームエキスパン
ダー３とガルバノミラ−４との間）にはハーフミラ−１
ｏが介装されており、そして、このハーフミラ−１ｏを
介して、前記入射光学系Ａと光路を共有する共役検出光
学系Ｃが設けられている。この共役検出光学系Ｃは、集
光レンズ１１．空間（円孔）フィルター１２．光検出器
１３から成り、前記入射光学系Ａを戻って来る光があれ
ば、その戻り光はハーフミラ−１Ｏを介して取り出され
、前記集光レンズ１１および空間フィルター１２を経て
光検出器１３へ到達する。なお、前記空間フィルター１
２は、検査対象基板Ｏの裏面側で反射して戻って来る光
や、レンズあるいはミラー面の傷やほこりによるノイズ
成分を除去するために設けられているものである。
そして、前記基本的な両検出光学系Ｂ、Ｂおよび共役検
出光学系Ｃからの信号は、前記第１図に示しているよう
に、信号処理回路りへ入力されている。
出光学系Ｃからの信号は、前記第１図に示しているよう
に、信号処理回路りへ入力されている。
前記信号処理回路りは、第３図に示すように構成されて
いる。
いる。
この第３図において、１４Ａ、１４Ｂは、前記基本的な
両検出光学系Ｂ、Ｂにおける光検出器９（９Ａ、９Ｂ）
に対するアンプであり、これら両アンプ１４Ａ、１４Ｂ
からの出力信号は、検査対象基板Ｏの走査方向における
中心を示すスキャナーからの信号Ｐで作動する切換スイ
ッチ１５により、Ａ／Ｄ変換器１６およびコンパレータ
１７へ選択的に入力される。前記Ａ／Ｄ変換器１６にお
いてデジタル変換されたデータはＲＡＭ１８へ供給され
、また、コンパレータ１７においては、それへの入力信
号が所定の闇値以上の有意の値である場合にのみ信号ａ
が出力され、その出力信号ａはアンドゲート１９の一方
の端子へ入力される。
両検出光学系Ｂ、Ｂにおける光検出器９（９Ａ、９Ｂ）
に対するアンプであり、これら両アンプ１４Ａ、１４Ｂ
からの出力信号は、検査対象基板Ｏの走査方向における
中心を示すスキャナーからの信号Ｐで作動する切換スイ
ッチ１５により、Ａ／Ｄ変換器１６およびコンパレータ
１７へ選択的に入力される。前記Ａ／Ｄ変換器１６にお
いてデジタル変換されたデータはＲＡＭ１８へ供給され
、また、コンパレータ１７においては、それへの入力信
号が所定の闇値以上の有意の値である場合にのみ信号ａ
が出力され、その出力信号ａはアンドゲート１９の一方
の端子へ入力される。
一方、２０は、前記共役検出光学系Ｃにおける光検出器
１３に対するアンプであり、このアンプ２０からの出力
信号はコンパレータ２１へ入力され、このコンパレータ
２１においては、それへの入力信号が所定の闇値以上の
有意の値である場合にのみ信号すが出力され、その出力
信号すは前記アンドゲート１９の他方の端子へ入力され
る。
１３に対するアンプであり、このアンプ２０からの出力
信号はコンパレータ２１へ入力され、このコンパレータ
２１においては、それへの入力信号が所定の闇値以上の
有意の値である場合にのみ信号すが出力され、その出力
信号すは前記アンドゲート１９の他方の端子へ入力され
る。
そして、アンドゲート１９は、前記両コンパレータ１７
，２１の両方から信号ａ、ｂが入力された場合にのみ、
前記ＲＡＭ１８に対して、前記Ａ／Ｄ変換器１６から供
給されたデータの書込みを許容する信号Ｃを発するよう
に構成されている。
，２１の両方から信号ａ、ｂが入力された場合にのみ、
前記ＲＡＭ１８に対して、前記Ａ／Ｄ変換器１６から供
給されたデータの書込みを許容する信号Ｃを発するよう
に構成されている。
次に、上記のように構成された異物有無検査装置の動作
について、その要点を説明する。
について、その要点を説明する。
第４図（イ）に示すように、検査対象基板Ｏの表面上の
０″回路パターンに照射レーザービームＬが入射される
と、その入射方向とは反対方向へ向かう反射光Ｒが生じ
る。従って、その反射光Ｒは前記基本的な両検出光学系
Ｂ、Ｂの光検出器９（９Ａ、９Ｂ）および共役検出光学
系Ｃの光検出器１３の何れにも検出されることはない。
０″回路パターンに照射レーザービームＬが入射される
と、その入射方向とは反対方向へ向かう反射光Ｒが生じ
る。従って、その反射光Ｒは前記基本的な両検出光学系
Ｂ、Ｂの光検出器９（９Ａ、９Ｂ）および共役検出光学
系Ｃの光検出器１３の何れにも検出されることはない。
また、第４図（ロ）に示すように、検査対象基板Ｏの表
面上の４５″回路パターンに照射レーザービームＬが入
射されると、その入射方向とほぼ直交する方向へ向かう
反射光を含むコーンカップ状の反射光Ｒが生じる。従っ
て、その反射光Ｒは前記基本的な両検出光学系Ｂ、Ｂ９
（９Ａ、９Ｂ）の何れか一方には検出されるが、共役
検出光学系Ｃの光検出器１３には検出されない。
面上の４５″回路パターンに照射レーザービームＬが入
射されると、その入射方向とほぼ直交する方向へ向かう
反射光を含むコーンカップ状の反射光Ｒが生じる。従っ
て、その反射光Ｒは前記基本的な両検出光学系Ｂ、Ｂ９
（９Ａ、９Ｂ）の何れか一方には検出されるが、共役
検出光学系Ｃの光検出器１３には検出されない。
また、第４図（ハ）に示すように、検査対象基板０の表
面上の９０″回路パターンに照射レーザービームＬが入
射されると、その入射方向を含む鉛直面の全方向へ向か
う平面放射状の反射光Ｒが生じる。従って、その反射光
Ｒは前記共役検出光学系Ｃの光検出器１３には検出され
るが、基本的な両検出光学系Ｂ、Ｂの光検出器９ （９
Ａ、９Ｂ）には検出されない。
面上の９０″回路パターンに照射レーザービームＬが入
射されると、その入射方向を含む鉛直面の全方向へ向か
う平面放射状の反射光Ｒが生じる。従って、その反射光
Ｒは前記共役検出光学系Ｃの光検出器１３には検出され
るが、基本的な両検出光学系Ｂ、Ｂの光検出器９ （９
Ａ、９Ｂ）には検出されない。
そして、図示はしていないが、検査対象基板０の表面上
に異物が存在し、その異物に照射レーザービームＬが入
射されると、その反射光Ｒは全方向にアットランダムに
散乱する。従って、その反射光Ｒは、前記基本的な両検
出光学系Ｂ、 Ｂの光検出器９ （９Ａ、９Ｂ）および
共役検出光学系Ｃの光検出器１３の何れにも検出される
ことになる。
に異物が存在し、その異物に照射レーザービームＬが入
射されると、その反射光Ｒは全方向にアットランダムに
散乱する。従って、その反射光Ｒは、前記基本的な両検
出光学系Ｂ、 Ｂの光検出器９ （９Ａ、９Ｂ）および
共役検出光学系Ｃの光検出器１３の何れにも検出される
ことになる。
以上のように、回路パターンからの反射光には夫々定ま
った方向性があるが、異物による反射光には一定の方向
性は無い、という現象から明らかなように、前記信号処
理回路りにおける信号ａ。
った方向性があるが、異物による反射光には一定の方向
性は無い、という現象から明らかなように、前記信号処
理回路りにおける信号ａ。
ｂ、 ｃの状態は、次頁の表に示すようになる。つま
り、回路パターンのエツジ角度の如何に拘らず、その回
路パターンが異物として誤検出されることは無く、異物
のみが確実に弁別されて検出できるのである。
り、回路パターンのエツジ角度の如何に拘らず、その回
路パターンが異物として誤検出されることは無く、異物
のみが確実に弁別されて検出できるのである。
（以下、次頁に続く）
また、前記構成の信号処理回路りによれば、上記のよう
に回路パターンからの障害光による影響を確実に除去で
きるのみならず、各光検出器９（９Ａ。
に回路パターンからの障害光による影響を確実に除去で
きるのみならず、各光検出器９（９Ａ。
９Ｂ）、１３自体から生じるパルスノイズについても、
それらに同時性が無い限り確実に除去することができる
。
それらに同時性が無い限り確実に除去することができる
。
以上詳述したところから明らかなように、本発明に係る
異物有無検査装置によれば、本来の検出光学系に加えて
、入射光学系の一部を有効利用した共役検出光学系を設
けると共に、それら検出光学系および共役検出光学系の
両検出光学系が共に反射散乱光を検出したときにのみ異
物有りと判定する信号処理回路を設ける、という手段を
採用したことにより、回路パターンからの反射光には夫
々定まった方向性があるが、異物による反射光には一定
の方向性は無い、という現象を利用して、回路パターン
のエツジ角度の如何に拘らず、その回路パターンが異物
として誤検出されることを確実に防止できるようになり
、以って、検査対象基板の表面上における回路パターン
と実際の異物との弁別性能（Ｓ／Ｎ比）を、従来技術に
比較して格段に優れたものに向上させ得る、という顕著
な効果が奏されるに至ったのである。
異物有無検査装置によれば、本来の検出光学系に加えて
、入射光学系の一部を有効利用した共役検出光学系を設
けると共に、それら検出光学系および共役検出光学系の
両検出光学系が共に反射散乱光を検出したときにのみ異
物有りと判定する信号処理回路を設ける、という手段を
採用したことにより、回路パターンからの反射光には夫
々定まった方向性があるが、異物による反射光には一定
の方向性は無い、という現象を利用して、回路パターン
のエツジ角度の如何に拘らず、その回路パターンが異物
として誤検出されることを確実に防止できるようになり
、以って、検査対象基板の表面上における回路パターン
と実際の異物との弁別性能（Ｓ／Ｎ比）を、従来技術に
比較して格段に優れたものに向上させ得る、という顕著
な効果が奏されるに至ったのである。
第１図ないし第４図は本発明に係る異物有無検査装置の
具体的実施例を示し、第１図は全体概略構成図、第２図
は要部構成図、第３図は要部の回路構成図、そして、第
４図は動作を説明するために用いる反射光パターンの説
明図である。 また、第５図および第６図は、本発明の技術的背景なら
びに従来問題を説明するだめのものであって、第５図は
入来一般の異物有無検査装置の全体構成図であり 第６
図はその作用説明図である。 ０・・・・・・・・・検査対象基板、 Ｌ・・・・・・・・・レーザービーム、Ｒ・・・・・・
・・・反射散乱光、 Ａ・・・・・・・・・入射光学系、 Ｂ・・・・・・・・・検出光学系、 Ｃ・・・・・・・・・共役検出光学系、Ｄ・・・・・・
・・・信号処理回路、 ＩＯ・・・・・・ハーフミラ−０ 出願人 株式会社 堀 場 製 作 所代理人 弁理士
藤 本 英 夫 第５図
具体的実施例を示し、第１図は全体概略構成図、第２図
は要部構成図、第３図は要部の回路構成図、そして、第
４図は動作を説明するために用いる反射光パターンの説
明図である。 また、第５図および第６図は、本発明の技術的背景なら
びに従来問題を説明するだめのものであって、第５図は
入来一般の異物有無検査装置の全体構成図であり 第６
図はその作用説明図である。 ０・・・・・・・・・検査対象基板、 Ｌ・・・・・・・・・レーザービーム、Ｒ・・・・・・
・・・反射散乱光、 Ａ・・・・・・・・・入射光学系、 Ｂ・・・・・・・・・検出光学系、 Ｃ・・・・・・・・・共役検出光学系、Ｄ・・・・・・
・・・信号処理回路、 ＩＯ・・・・・・ハーフミラ−０ 出願人 株式会社 堀 場 製 作 所代理人 弁理士
藤 本 英 夫 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面に回路パターンが描かれている検査対象基板の該
表面に対してレーザービームをその基板の一側方におけ
る斜め上方から走査照射する入射光学系を設けると共に
、前記検査対象基板の表面からの反射散乱光を検出する
検出光学系を前記入射光学系に関してその基板の横側方
における斜め上方に設け、前記検出光学系による反射散
乱光の検出結果に基いて前記検査対象基板の表面におけ
る異物の有無を判別するように構成されている異物有無
検査装置において、 前記入射光学系に対してハーフミラーを介して共役検出
光学系を設けることにより、その入射光学系の光軸上を
戻ってくる反射散乱光を検出可能に構成し、かつ、前記
検出光学系および共役検出光学系の両検出光学系が共に
反射散乱光を検出したときにのみ異物有りと判定する信
号処理回路を設けてあることを特徴とする異物有無検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069136A JPH01239437A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 異物有無検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069136A JPH01239437A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 異物有無検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239437A true JPH01239437A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13393929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069136A Pending JPH01239437A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 異物有無検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01239437A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0475748A2 (en) * | 1990-09-12 | 1992-03-18 | Nikon Corporation | Foreign particle detecting apparatus |
| US5363187A (en) * | 1990-09-12 | 1994-11-08 | Nikon Corporation | Light scanning apparatus for detecting foreign particles on surface having circuit pattern |
| JP2011197288A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及び露光装置 |
-
1988
- 1988-03-19 JP JP63069136A patent/JPH01239437A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0475748A2 (en) * | 1990-09-12 | 1992-03-18 | Nikon Corporation | Foreign particle detecting apparatus |
| US5363187A (en) * | 1990-09-12 | 1994-11-08 | Nikon Corporation | Light scanning apparatus for detecting foreign particles on surface having circuit pattern |
| JP2011197288A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及び露光装置 |
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