JPS60154635A - パタ−ン欠陥検査装置 - Google Patents
パタ−ン欠陥検査装置Info
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- JPS60154635A JPS60154635A JP1003184A JP1003184A JPS60154635A JP S60154635 A JPS60154635 A JP S60154635A JP 1003184 A JP1003184 A JP 1003184A JP 1003184 A JP1003184 A JP 1003184A JP S60154635 A JPS60154635 A JP S60154635A
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- Japan
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- patterns
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスにおいて形成されたパタ
ーンの欠陥検査装置に係り、特に、リングラフィの限界
のために生じた丸みが問題となる微細なパターンの検査
に好適なパターン欠陥検査装置に関する。
ーンの欠陥検査装置に係り、特に、リングラフィの限界
のために生じた丸みが問題となる微細なパターンの検査
に好適なパターン欠陥検査装置に関する。
微細なパターンの検査方法には、パターンの映像信号の
画像処理をして、欠陥を発見する方法等があるが、この
発明において対象とするのは、レーザ光をパターンの形
成された基板に照射したとき発生する反射回折光を利用
する方法である。
画像処理をして、欠陥を発見する方法等があるが、この
発明において対象とするのは、レーザ光をパターンの形
成された基板に照射したとき発生する反射回折光を利用
する方法である。
上記方法の原理について説明する。
一般に半導体パターンのエッチの方向にま規則性がある
。第１図は、エッチの方向が０度方向と定義したパター
ン１を示している。半導体パターンに使用されるエッヂ
の他の方向は、第１図に示したように、４５度、９０度
、１３５度方向のみである。
。第１図は、エッチの方向が０度方向と定義したパター
ン１を示している。半導体パターンに使用されるエッヂ
の他の方向は、第１図に示したように、４５度、９０度
、１３５度方向のみである。
いま、０度方向のエッチを有するパターンに、第２図の
ように、レーザ光２を照射した場合を考える。このとき
、０度方向のエッチによる反射回折光の方向は９０度方
向が強くなる。ここでいう９０度方向とは対向方向であ
る２７０度方向も含んでおり、以下、他の方向でも同様
である。パターンのエッチの方向は限られているため、
反射回折光の強くなる方向は０度、４５度、９０度。
ように、レーザ光２を照射した場合を考える。このとき
、０度方向のエッチによる反射回折光の方向は９０度方
向が強くなる。ここでいう９０度方向とは対向方向であ
る２７０度方向も含んでおり、以下、他の方向でも同様
である。パターンのエッチの方向は限られているため、
反射回折光の強くなる方向は０度、４５度、９０度。
１３５度方向（正常方向）だけである。
第３図に示したパターンには欠陥がある。このときには
、正常方向の中間方向である。２２．５度、６７．５度
、１１２．５度、１５７．５ 度方向（異常方向）への
反射回折光が強くなる。これらの異常方向への反射回折
光が入射するように対向する８個の光検出器をレーザ照
射部の周辺に配置し、レーザ光を走査しながら、対向方
向の出力が加え合わされたこれらの光検出袋の出力の変
化を観測すれば、パターン欠陥の有無がわかる。
、正常方向の中間方向である。２２．５度、６７．５度
、１１２．５度、１５７．５ 度方向（異常方向）への
反射回折光が強くなる。これらの異常方向への反射回折
光が入射するように対向する８個の光検出器をレーザ照
射部の周辺に配置し、レーザ光を走査しながら、対向方
向の出力が加え合わされたこれらの光検出袋の出力の変
化を観測すれば、パターン欠陥の有無がわかる。
パターンのサイズが大きく、かつ、走査しているレーザ
のスボツｉ〜サイズが大きいときには、欠陥があれば、
異常方向に配置された光済出器からの出力にパルスが発
生し、これがパターンの欠陥の存在を示していた。しか
し、近年、半８体パターンの微細化が進んだため、単に
パルスの検出だけでは欠陥と判定できなくなってきた。
のスボツｉ〜サイズが大きいときには、欠陥があれば、
異常方向に配置された光済出器からの出力にパルスが発
生し、これがパターンの欠陥の存在を示していた。しか
し、近年、半８体パターンの微細化が進んだため、単に
パルスの検出だけでは欠陥と判定できなくなってきた。
半導体パターンの微細化に伴って、レーザ光をより細く
絞って、微細な欠陥を検出する必要性が高まってくる。
絞って、微細な欠陥を検出する必要性が高まってくる。
このとき問題となるのは、リソグラフィの限界のために
生じるパターンの丸みである。第４図に示した例では、
直角部分をもつパターン３に、半径約１μｍの丸みが生
じている。丸みがあってもパターンは正常である。しか
し、パターンが正常であるにもかかわらず、第４図に示
したように、レーザ光を照射したとき、この丸みのため
に、２２．５度および６７．５度の異常方向に反射回折
光が発生してしまう。したがって、このような丸みの」
二をレーザ光が走査されたならば、異常方向に設置され
た光検出器の出力にパルスが発生して、パターンに欠陥
があるがごとき誤信号となる。
生じるパターンの丸みである。第４図に示した例では、
直角部分をもつパターン３に、半径約１μｍの丸みが生
じている。丸みがあってもパターンは正常である。しか
し、パターンが正常であるにもかかわらず、第４図に示
したように、レーザ光を照射したとき、この丸みのため
に、２２．５度および６７．５度の異常方向に反射回折
光が発生してしまう。したがって、このような丸みの」
二をレーザ光が走査されたならば、異常方向に設置され
た光検出器の出力にパルスが発生して、パターンに欠陥
があるがごとき誤信号となる。
本発明は、十、記の欠点に着目してなされたものであり
、微細なパターンの欠陥を検査するとき、リソグラフィ
の限界のために発生した丸みによる誤信号に対処可能な
パターン欠陥検査装置を提供することを目的とするもの
である。
、微細なパターンの欠陥を検査するとき、リソグラフィ
の限界のために発生した丸みによる誤信号に対処可能な
パターン欠陥検査装置を提供することを目的とするもの
である。
上記目的を達成するために、本発明では、合同な模様の
パターンが、検査対象とする半導体基板上に２個以上存
在する時、２個の該パターンを選び出し、それぞれの同
等な位置から発生する反射回折光を比較することにより
欠陥パターンの存在を検出する如く構成したものである
。
パターンが、検査対象とする半導体基板上に２個以上存
在する時、２個の該パターンを選び出し、それぞれの同
等な位置から発生する反射回折光を比較することにより
欠陥パターンの存在を検出する如く構成したものである
。
最初に１本発明の基本的考え方について、以下説明する
。
。
同じ形状の二つのパターンに、リソグラフィの限界によ
って丸みが生じる場合、丸みの出来具合は同じである。
って丸みが生じる場合、丸みの出来具合は同じである。
同じ形状のパターンが二つ基板上に形成されたとき、二
つのパターンが正常に形成されているならば、二つのパ
ターンは丸みも含めて形状は完全に一致する。反射回折
光は形状に依存するので、合同な二つのパターンがあり
、二つが共に正常であるならば、丸みがあっても同等な
場所からの反射回折光は一致する。
つのパターンが正常に形成されているならば、二つのパ
ターンは丸みも含めて形状は完全に一致する。反射回折
光は形状に依存するので、合同な二つのパターンがあり
、二つが共に正常であるならば、丸みがあっても同等な
場所からの反射回折光は一致する。
したがって、二つの同一なパターンの同等な部分から発
生する反射回折光を比較し、一致していないならば、ど
ちらかのパターンに欠陥があるとする判定方式が可能で
ある。
生する反射回折光を比較し、一致していないならば、ど
ちらかのパターンに欠陥があるとする判定方式が可能で
ある。
上で述べた反射回折光の一致を調べる方式では、原理的
には、正常方向、異常方向の区別なく１ぺての方向で強
度が一致しているか否か調べればよい。
には、正常方向、異常方向の区別なく１ぺての方向で強
度が一致しているか否か調べればよい。
実際には、すべての方向の反射回折光の強度を比均して
、欠陥の有無を判定するのは、回路が複雑になるので、
加え合わせた信号を比較する方法をとった。
、欠陥の有無を判定するのは、回路が複雑になるので、
加え合わせた信号を比較する方法をとった。
ここと、問題となるのは、どの方向の信号を加え合わせ
て、比較するのがよいかということである。
て、比較するのがよいかということである。
欠陥と正常パターンのエッチとが同じにレーザ光で照射
されている状態を考える。正常パターンのエッヂは、そ
れに垂直な方向に強い反射回折光を出す。欠陥は、異常
方向及び正″畠方向に反射回折光を発生させるが、一般
に、正常パターンのエッチによるものと注べて反射回折
光の強度は非常に小さい。したがって、正常パターンの
エッチによる強い反射回折光の信号と加え合わせて比較
する方法は、大きい信号の小さい差を検出しなげ九ばな
らないことがあるので、欠陥による小さい反射回折光を
検出する感度のよい方法とはなり得なし＼。
されている状態を考える。正常パターンのエッヂは、そ
れに垂直な方向に強い反射回折光を出す。欠陥は、異常
方向及び正″畠方向に反射回折光を発生させるが、一般
に、正常パターンのエッチによるものと注べて反射回折
光の強度は非常に小さい。したがって、正常パターンの
エッチによる強い反射回折光の信号と加え合わせて比較
する方法は、大きい信号の小さい差を検出しなげ九ばな
らないことがあるので、欠陥による小さい反射回折光を
検出する感度のよい方法とはなり得なし＼。
さらに、欠陥のある場合の正常方向の反射回折光の強度
と、同形状の正常なパターンによる正常方向の強度の大
小関係は一律に定まらない。たとえば、正常なエッチの
近傍に異物が積着しているときは、正常方向の反射回折
光の強度は強くなり、また、エッチに欠けがある場合は
逆に正常方向の強度は小さくなる。上のことより、二つ
のパターンにおける正常方向に発生した反射回折光の大
小関係より、どちらに欠陥があるか判別するのは難しい
。
と、同形状の正常なパターンによる正常方向の強度の大
小関係は一律に定まらない。たとえば、正常なエッチの
近傍に異物が積着しているときは、正常方向の反射回折
光の強度は強くなり、また、エッチに欠けがある場合は
逆に正常方向の強度は小さくなる。上のことより、二つ
のパターンにおける正常方向に発生した反射回折光の大
小関係より、どちらに欠陥があるか判別するのは難しい
。
一方、異常方向への反射回折光は、欠陥があれば、強く
なる。正常なパターンにおいては、異常方向への反射回
折光はほとんどなく、丸みによるものが少しあるのみで
、パターンにどんな欠陥があろうとも減ることはない（
丸みの部分における小さい欠けは、現実のパターンでは
ほとんどない）。これは、パターンのエッチの方向の規
則性より起こる。このことから、二つの同一のパターン
の同等な場所から発生する異常方向への反射回折光を比
較したとき、一方の信号の方が大きければ、大きい信号
を出したパターンに欠陥があると考えてよい。
なる。正常なパターンにおいては、異常方向への反射回
折光はほとんどなく、丸みによるものが少しあるのみで
、パターンにどんな欠陥があろうとも減ることはない（
丸みの部分における小さい欠けは、現実のパターンでは
ほとんどない）。これは、パターンのエッチの方向の規
則性より起こる。このことから、二つの同一のパターン
の同等な場所から発生する異常方向への反射回折光を比
較したとき、一方の信号の方が大きければ、大きい信号
を出したパターンに欠陥があると考えてよい。
以上のことから、異常方向の反射回折光を加え合わせて
、比１咬する方法が有利であることが分かる。
、比１咬する方法が有利であることが分かる。
以下、本発明を実施例によって詳しく説明する。
第５図は、本発明における検出系の配置図であり、簡単
のために一部の光検出器しか書いていない。微細パター
ンの形成された基板４上を収束レーザ光５で走査する。
のために一部の光検出器しか書いていない。微細パター
ンの形成された基板４上を収束レーザ光５で走査する。
パターンのエッチの方向の一つはＡＢを結ぶ線と平行で
あるものとする。基板４は移動可能な試料台の上に乗っ
ている。微細パターンによる反射回折光６は斜め上方の
光検出器群７で検出する。第６図は第５図の上面図であ
る。正常なパターンであれば反射回折光がほとんど入射
しない方向（異常方向）に、光検出器が配置されている
。つまり、ＡＢに対して、２２．５度、６７．５度、１
１２．５度、１５７．５ 度方向である。
あるものとする。基板４は移動可能な試料台の上に乗っ
ている。微細パターンによる反射回折光６は斜め上方の
光検出器群７で検出する。第６図は第５図の上面図であ
る。正常なパターンであれば反射回折光がほとんど入射
しない方向（異常方向）に、光検出器が配置されている
。つまり、ＡＢに対して、２２．５度、６７．５度、１
１２．５度、１５７．５ 度方向である。
第７図は、信号処理回路を示している。検出器群７から
の信号は増幅器８により増幅され、同一の光量が光検出
器に入射したとき、同一の大きさの出力が、それぞれの
増幅器から出るように、増幅器の増幅率を調整しである
。増幅器すらのすべての出力は加算回路９により加え合
わされ、ＡＤ変換器１０でデジタル量に変換される。Ａ
Ｄ変換器１０のサンプリング周期はサンプリングコント
ローラ１１により調整される。Ａ’Ｄ変換器１０の出力
は減算回路１２とシフトレジスタ１３に入る。
の信号は増幅器８により増幅され、同一の光量が光検出
器に入射したとき、同一の大きさの出力が、それぞれの
増幅器から出るように、増幅器の増幅率を調整しである
。増幅器すらのすべての出力は加算回路９により加え合
わされ、ＡＤ変換器１０でデジタル量に変換される。Ａ
Ｄ変換器１０のサンプリング周期はサンプリングコント
ローラ１１により調整される。Ａ’Ｄ変換器１０の出力
は減算回路１２とシフトレジスタ１３に入る。
シフトレジスタ１３はｎ個あり、この個数はＡＤ変換器
１０のビット数に依存する。また、シフトレジスタ１３
による移動の個数ｍは、収束レーザ光の走査速度および
パターンの周期性に依存する。
１０のビット数に依存する。また、シフトレジスタ１３
による移動の個数ｍは、収束レーザ光の走査速度および
パターンの周期性に依存する。
シフ１−レジスタへのデータの取り込み、およびビット
の移動は、サンプリング周期毎に行なうので、サンプリ
ングコン１−ローラ１１からのサンプリング周期に同期
のとれた信号で行なう。減算器１２には、シフトレジス
タ１３で遅れの生じたデータとＡＤ変換器１０から直接
、入って来る遅れのないデータとが入る。ザンブリング
周波数とシフトレジスタ１３のピッ１へ数の調整により
、この両者のデータは合同なパターンの同じ場所からの
ものであるようにする。減算器１２では両者の差がとら
れ、符号によりどちらが大２ｔいかの情報をａより出力
し、一方、差の絶対値をとり、これをｂより出力する。
の移動は、サンプリング周期毎に行なうので、サンプリ
ングコン１−ローラ１１からのサンプリング周期に同期
のとれた信号で行なう。減算器１２には、シフトレジス
タ１３で遅れの生じたデータとＡＤ変換器１０から直接
、入って来る遅れのないデータとが入る。ザンブリング
周波数とシフトレジスタ１３のピッ１へ数の調整により
、この両者のデータは合同なパターンの同じ場所からの
ものであるようにする。減算器１２では両者の差がとら
れ、符号によりどちらが大２ｔいかの情報をａより出力
し、一方、差の絶対値をとり、これをｂより出力する。
この絶対値は、外よれ俟えられるしきい値ｖ＋５し比咬
器１４で比較され、■ｔｈより減算回路１２の絶対値の
出力の方が大きいとき、パターンに欠陥があるど判定呟
゛ろ、１ 周期的にパターンが第８図に示されている。収束レーザ
光５を矢印の方向に走査したとき、加算回路９の出力は
、下図のようになる。横軸はＪ−図のパターンの位置と
対応がとれており、横軸の垂直上方のパターンの位置と
一致する。パター・−ンの角には丸みがあるため、パタ
ーンの周期で加算回路９の出力は変化するが、欠陥１５
のあるところでは大きくなる。横軸は位置で書いである
が、収束レーザ光５を走査するので時間軸と考えてもよ
い。収束１ノーザ光５が移動してパターンパターンの同
等な位置に来る時間だけ遅れが生じるように、サンプリ
ング周期とシフ１へレジスタ１３のビット数を調轄する
７こうすることにより、同じ形状のところからの一つの
データがいつも減算回路１２に入る。これらの値は、正
常なパターンであればほぼ同じ大きさであるが、欠陥１
５のような乱れがあると減算回路１２の絶対値出力は大
きくなる。
器１４で比較され、■ｔｈより減算回路１２の絶対値の
出力の方が大きいとき、パターンに欠陥があるど判定呟
゛ろ、１ 周期的にパターンが第８図に示されている。収束レーザ
光５を矢印の方向に走査したとき、加算回路９の出力は
、下図のようになる。横軸はＪ−図のパターンの位置と
対応がとれており、横軸の垂直上方のパターンの位置と
一致する。パター・−ンの角には丸みがあるため、パタ
ーンの周期で加算回路９の出力は変化するが、欠陥１５
のあるところでは大きくなる。横軸は位置で書いである
が、収束レーザ光５を走査するので時間軸と考えてもよ
い。収束１ノーザ光５が移動してパターンパターンの同
等な位置に来る時間だけ遅れが生じるように、サンプリ
ング周期とシフ１へレジスタ１３のビット数を調轄する
７こうすることにより、同じ形状のところからの一つの
データがいつも減算回路１２に入る。これらの値は、正
常なパターンであればほぼ同じ大きさであるが、欠陥１
５のような乱れがあると減算回路１２の絶対値出力は大
きくなる。
このとき、許容範囲として設けた■ｔｈを越えるため１
．比較器１４で欠陥と判定される。
．比較器１４で欠陥と判定される。
第９ｎに本発明の他の実施例を示す。レーザ１６から出
射するレーザ光１７を、凸レンズ１８と凸レンズ１９を
用いて大きいビームに変換する。
射するレーザ光１７を、凸レンズ１８と凸レンズ１９を
用いて大きいビームに変換する。
平面反射鏡２０で反射された後、半透鏡２１でこのビー
ムは、同じ光量のビームに部分される。半透鏡で反射さ
九たビームおよび半透鏡を透過し平面度ル１釘２２で反
射したビームは、それぞれ、集光レンズ２３．２４でパ
ターンの形成された基板２５上に絞り込まれる。照射位
置は、場所は異なるが、合同なパターンの同形状の部分
である。パターンによる反射回折光２６は集光レンズ２
４の周辺に配置した８個の光検出器２７．２８で検出さ
れる。８個の光検出器は、第６図と同じで、第１０図の
ように、正常なパターンからの反射回折光が弱い方向に
配置される。
ムは、同じ光量のビームに部分される。半透鏡で反射さ
九たビームおよび半透鏡を透過し平面度ル１釘２２で反
射したビームは、それぞれ、集光レンズ２３．２４でパ
ターンの形成された基板２５上に絞り込まれる。照射位
置は、場所は異なるが、合同なパターンの同形状の部分
である。パターンによる反射回折光２６は集光レンズ２
４の周辺に配置した８個の光検出器２７．２８で検出さ
れる。８個の光検出器は、第６図と同じで、第１０図の
ように、正常なパターンからの反射回折光が弱い方向に
配置される。
次に、処理回路を第１１図に示す。二つのレーザ光に対
する反射回折光は、それぞれ、８個の光検出器で検出さ
れ、増幅器２９で増幅される。二組の異常方向の８個の
信号は加算器３０で加算され、減算器３１に入力される
。ａにはどちらのレーザ光による信号が大きいかの情報
が出力され、ｂには、二つの入力信号の差の絶対値が出
力される。基板を移動させながら、絶縁値としきい値Ｖ
ｔｈとを比較器３２で比べ、絶対値の方が大きいとき、
パターンに欠陥があるとする。このとき、ａの信号によ
り、どちらのビーム異常方向の反射回折光が大きいか分
かり、反射回折光の大きい方に欠陥が存在することにな
る。
する反射回折光は、それぞれ、８個の光検出器で検出さ
れ、増幅器２９で増幅される。二組の異常方向の８個の
信号は加算器３０で加算され、減算器３１に入力される
。ａにはどちらのレーザ光による信号が大きいかの情報
が出力され、ｂには、二つの入力信号の差の絶対値が出
力される。基板を移動させながら、絶縁値としきい値Ｖ
ｔｈとを比較器３２で比べ、絶対値の方が大きいとき、
パターンに欠陥があるとする。このとき、ａの信号によ
り、どちらのビーム異常方向の反射回折光が大きいか分
かり、反射回折光の大きい方に欠陥が存在することにな
る。
半導体プロセスで半導体基板上に形成されたパターンは
、一般に複数個の同一のチップから成る。
、一般に複数個の同一のチップから成る。
二つに分けたレーザ光を場所の異なる同一なチップの同
等な場所に照射すれば、上記の実施例は実現可能である
。
等な場所に照射すれば、上記の実施例は実現可能である
。
以上詳述したように、本発明は、合同にパターンの同等
な形状の部分から発生する反射回折光の比較を行なうも
のである。一方のパターンに、リソグラフィの限界によ
る丸みから異常方向に反射回折光が発生したとしても、
もう一方のパターンにも同様な丸みがあるため、同じ大
きさの異常方向への反射回折光が発生する。これらは打
ち消されるので、丸みによる誤検出はなくなる。
な形状の部分から発生する反射回折光の比較を行なうも
のである。一方のパターンに、リソグラフィの限界によ
る丸みから異常方向に反射回折光が発生したとしても、
もう一方のパターンにも同様な丸みがあるため、同じ大
きさの異常方向への反射回折光が発生する。これらは打
ち消されるので、丸みによる誤検出はなくなる。
第１図はパターンのエッチの方向を示す図、第２図〜第
４図は反射回折光の方向を示す図、第５図は本発明の一
実施例における検出系の概略図、第６図はその検出系の
上面図、第７図は信号処理部の概略図、第８図は周期パ
ターンをレーザ光で走査したときの異常方向への信号波
形図、第９図は本発明の他の実施例における検出系の概
略図、第１０図はその検出系の北面図、第１１図は信号
処理部の概略図である。 １−・・０度方向と定義したパターン、２・・・レーザ
光、３・・・直角部分をもつパターン、４・・・基板、
５・・・収束レーザ光、６・・・反射回折光、７・・・
光検出器群、８・・・増幅器、９・・・加算回路、１０
・・・ＡＤ変換器、１１・・・サンプリングコントロー
ラ、】２・・・減算回路、１３・・・シフトレジスタ、
１４・・・比較器、】５・・・欠陥、１６・・・レーザ
、１７・・・レーザ光、２０・・・平面反射鏡、２】・
・・半透鏡、２２・・・平面反射鏡、２３．２４・・・
焦光レンズ、２５・・・基板、２６・・・反射回折光、
２７．２８・・・光検出器、２９・・・増幅器、第３図
罵４図 冨 ５ 図 第 ２ 図 劉 ７ 図 ■ Ｂ 図 蒐 ｑ 図 第 １θ 図 葛 １１ 図
４図は反射回折光の方向を示す図、第５図は本発明の一
実施例における検出系の概略図、第６図はその検出系の
上面図、第７図は信号処理部の概略図、第８図は周期パ
ターンをレーザ光で走査したときの異常方向への信号波
形図、第９図は本発明の他の実施例における検出系の概
略図、第１０図はその検出系の北面図、第１１図は信号
処理部の概略図である。 １−・・０度方向と定義したパターン、２・・・レーザ
光、３・・・直角部分をもつパターン、４・・・基板、
５・・・収束レーザ光、６・・・反射回折光、７・・・
光検出器群、８・・・増幅器、９・・・加算回路、１０
・・・ＡＤ変換器、１１・・・サンプリングコントロー
ラ、】２・・・減算回路、１３・・・シフトレジスタ、
１４・・・比較器、】５・・・欠陥、１６・・・レーザ
、１７・・・レーザ光、２０・・・平面反射鏡、２】・
・・半透鏡、２２・・・平面反射鏡、２３．２４・・・
焦光レンズ、２５・・・基板、２６・・・反射回折光、
２７．２８・・・光検出器、２９・・・増幅器、第３図
罵４図 冨 ５ 図 第 ２ 図 劉 ７ 図 ■ Ｂ 図 蒐 ｑ 図 第 １θ 図 葛 １１ 図
Claims (1)
- 収束コヒーシン１〜光をパターンに照射したとき、発生
する反射回折光を利用するパターン検査装置において、
合同な模様のパターンが、検査対象とする半導体基板上
に二つ以上存在するとき、二つの該パターンを選び出し
、それぞれの同等な位置から発生する反射回折光を比較
することにより欠陥パターンの存在を検出する如く構成
したことを特徴とするパターン欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003184A JPS60154635A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | パタ−ン欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003184A JPS60154635A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | パタ−ン欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154635A true JPS60154635A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11739020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003184A Pending JPS60154635A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | パタ−ン欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410400A (en) * | 1991-06-26 | 1995-04-25 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus |
| US6064477A (en) * | 1993-02-26 | 2000-05-16 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for inspecting reticle for defects |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP1003184A patent/JPS60154635A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410400A (en) * | 1991-06-26 | 1995-04-25 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus |
| US6084664A (en) * | 1992-11-30 | 2000-07-04 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for inspecting reticle for defects |
| US6064477A (en) * | 1993-02-26 | 2000-05-16 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for inspecting reticle for defects |
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