JPS63279146A - 異物検出装置 - Google Patents

異物検出装置

Info

Publication number
JPS63279146A
JPS63279146A JP62115649A JP11564987A JPS63279146A JP S63279146 A JPS63279146 A JP S63279146A JP 62115649 A JP62115649 A JP 62115649A JP 11564987 A JP11564987 A JP 11564987A JP S63279146 A JPS63279146 A JP S63279146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scanning
inspected
reticle
foreign
photoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62115649A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumitomo Hayano
史倫 早野
Kazunori Imamura
今村 和則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP62115649A priority Critical patent/JPS63279146A/ja
Priority to US07/148,691 priority patent/US4889998A/en
Publication of JPS63279146A publication Critical patent/JPS63279146A/ja
Priority to US07/427,365 priority patent/US4999510A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N2021/4704Angular selective
    • G01N2021/4711Multiangle measurement
    • G01N2021/4721Multiangle measurement using a PSD

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、微小なゴミ等の異物を検出する装置に関し、
特にLSI用フォトマスク、レチクル、ウェハ等の基板
上に付着した異物の検査装置に関するものである。
〔従来の技術〕
LSI用ウェハを製造するには、レチクルやフォトマス
ク(以下レチクルと称す)による転写が行なわれるが、
その際、レチクルに異物が付着していると、製造された
ウェハの欠陥の原因となるため、事前にそれら表面に異
物が付着しているかどうかを検査する必要がある。
それには、レチクル上にレーザビーム等を集光させ走査
し、異物から出る散乱信号により異物を検出する方法が
ある。このときレチクルのバターンエノジからも散乱光
が出るが、これは強い指向性をもっている。これに対し
て異物からの散乱光は比較的無指向性で発生するため、
所定の角度で配置された複数の光電検出器により得られ
る散乱信号からバクーンエッジと異物の散乱信号を区別
して異物のみを検出することが可能となる。
近年レチクルの表面上に異物付着防止膜(以下ペリクル
と称す)を取り付ける場合がある。ペリクルは支持枠を
介してレチクルの表面を被覆するようになっている。こ
の場合でもレチクルやペリクルの表面に異物が付着して
いることがあり、ペリクルを装着した状態でも、レチク
ル等の基板上の異物を検出する必要がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、ペリクルを装置した状態では、ペリクルの支持
枠にさえぎられて、低い角度で異物からの散乱光を受光
することが不可能になるという欠点があった。この欠点
を克服するための一つの方法としてレチクルを90°な
いし180°回転させて、ペリクルの支持枠にさえぎら
れて異物検査が不可能であった領域の検査もできるよう
にする方法があるが、この場合は検査時間が長くかかる
という欠点があつた。
本発明はこれらの欠点を解決し、ペリクルが装着された
状態であっても異物検査が可能な異物検出装置を提供す
ることを目的とする。
(発明の概要) 本発明は、光ビーム(1)を被検査物(5,7)面上で
所定方向に繰り返し走査する走査手段(3,4)と、前
記光ビーム(1)によって前記被検査物(5,7)面上
を2次元的に走査するように、前記被検査物を移動する
移動手段(8,9)と、前記被検査物(5,7)から生
じる光情報を異なる位置で受光する複数の光電変換器(
13,16,19,22〕と、を有し、前記光電変換器
からの信号に基づいて前記被検査物面上の異物を検出す
る異物検出装置において、前記光ビーム(1)を前記被
検査物面上に斜入射せしめ、前記複数の光電変換器(1
3,16,19,22)は前記光ビーム(1)の走査中
心位置(0)における入射面に対称に少くとも2対配設
してなり、それらの対のうちの一つ(13,22)はさ
らに、前記走査線(L)を含み前記被検査物面にほぼ垂
直な面内に設けられて基準の対を構成しており、前記基
準の対を構成している光電変換器(13,22)の出力
信号を論理和演算手段(41)に入力すると共に、この
論理和演算手段(41)の出力信号と残りの光電変換器
(16,19)の出力信号とを論理積演算手段(43)
に入力し、この論理積演算手段(43)の出力信号に基
づいて前記被検査物面上の異物を検出することを特徴と
する異物検出装置である。
〔実施例] 以下本発明の実施例を添付の図面に基づいて詳しく説明
する。第1図は本発明の実施例の構成を示す説明図で、
被検査物としてのレチクル5は、載物台8の上に周辺部
のみ支えられて載置される。
載物台8はモータ9と送りネジ等により、−図中Xyz
座標系において、X方向に移動可能である。
この載物台8の移動量は、例えばリニアエンコーダのよ
うな測長器10により測定される。レチクル5には図示
のようにペリクル7が、支持枠6を介して装着されてい
る。一方、レーザ光1は、不図示のエキスパンダーや集
光レンズ4等により任意のビーム径に変換されて、レチ
クル5上に斜入射する。この入射角としては、レーザビ
ーム1が支持枠6によってケラレないように、入射角が
80aから10″の間に設定される。レーザビーム1は
走査鏡(例えばガルバノミラ−スキャナー)3により、
レチクル5の上fxX方向範囲り内を走査する。このと
き偏光板2により、入射ビームが入射面(図ではyz平
面)に垂直な偏光方向(S偏光)になるようにしてもよ
い。レーザビーム1がレチクル5の全面を走査するため
には、走査鏡3を振動させると同時に、前述のモータ9
も駆動させて、レーザビーム1の走査速度よりも遅い速
度でレチクル5をX方向に移動する。このとき測長器I
Oはレーザビームのレチクル5上におけるX方向の照射
位置に対応した測定値を出力する。またX方向に関して
は走査鏡3の振れ角検出信号によって照射位置が求めら
れる。レチクル5上に付着した異物からの光情報、すな
わち無指向に出る散乱光を検出するために、光電検出器
13.16.19.22がレチクル5に垂直でかつ走査
範囲りを含む面内(検出器13.22)及びこの面より
も照射面側に配置されている。光電検出器13.16.
19.22の前には異物からの散乱光を集光するための
レンズ11,14.17.20が設けられている。また
レチクル5をX方向に移動する際、走査ビーム1がペリ
クル支持枠6に近づくと、レチクル5の裏面、表面の反
射光が支持枠6に照射されることになり、迷光発生の原
因となる。これら支持枠6からの迷光が異物からの散乱
光とともに光電検出器13.16.19.22に入らな
いようにスリット板12.15.18.21が設置され
ている。このスリット板12.15.18.21はレチ
クル5の上の走査範囲りとほぼ共役な位置に置かれ、光
電検出器13.16.19.22は、このスリット板1
2.15.18.21のおのおのにスリットの直後にく
るように密着、ないしはスリットのすぐ後方に分離して
配置されている。あるいは不図示のリレー光学系をスリ
ット板12.15.18.21と光電検出器13.16
.19.22との間に設け、如上の効果を得るようにし
てもよい。なお、このスリット12.15.18.21
は平行であるよりむしろ上方に広がったくさび形の方が
より有効である。なぜならば、第1図の実施例のように
、走査範囲りに対して斜めの方向から異物による散乱光
を受光する受光系においては、走査範囲り上のX方向の
走査位置が変わると、受光レンズ11.14.17.2
0の横倍率に対応して、迷光の入射防止に最適なスリッ
ト12.15.18.21の幅も変わるからである。
次に受光レンズ11.14.17.20の光軸j2+ 
、lx 、Ilz 、em及び受光素子13.16.1
9.22の配置について第2図、第3図により説明する
。第2図は第1図を上方から見た図、第3図は第1図を
走査鏡3側のX方向より見た側面図である。第2図で光
電検出器13.22は走査範囲りの延長上にあり(これ
はあくまで第2図でのx−y投射図であり、正確には前
述のように、走査範囲りを含みレチクル5に垂直な面内
にある)、光電検出器16.19は方位角ψ2、ψ3が
15°〜80°になるように、かつ第3図に示すように
レチクル5の表面と、光軸1r、it、fly、1m 
とのなす角θ1、θ1、θ1、θ4が10’〜80″に
なるように照射面側に、かつ走査中心Oを通る光ビーム
の入射面に対して対称な位置に配置される。また受光レ
ンズ1114.17.20の各光軸!1、l□、is 
、II4の延長線はいずれも走査線り上に(実施例では
L上の一点0)に集まるようになっている。なお、受光
レンズ11.14.17.20は走査中心Oからほぼ等
距離に配置されている。
これまでは、ペリクル7が装着された場合のレチクル5
面上の異物検査法について述べたが、ペリクル7の膜上
の異物検査の場合では、ペリクル7の検査面上に照射す
るレーザビームの焦点がくるように、レチクル全体を高
さ方向(Z)方向に移動したのち、異物検査を開始する
次に第1図の実施例に示した装置で、レチクル上に存在
する異物を検出する動作について説明する。
レチクル5上にレーザ光1を走査するとき、レーザ光が
パターンエツジを照射した場合、その散乱光は強い指向
性をともなう。このとき互いに異なる方向に配置された
光電検出器13.16.19.22のうち、特定の光電
検出器のみが、パターンエツジからの散乱光を受光する
。これに対し、レーザ光が走査中に異物を照射した場合
は、異物による散乱光は、あらゆる方向、すなわち無指
向に生じるため、光電検出器13.16.19.22の
すべてが、異物からの散乱光を受光する。
これらの出力信号から異物を検出する回路について第4
図により説明する。
光電検出器13.16.19.22の光電変換信号は、
増幅器23.24.25.26によって増幅される。し
かし、4つの光電検出器13.16.19.22の各光
電変換信号は、レチクル5上の異物の位置によって、そ
の大きさが異なる。
具体的にはレーザ走査線上にある同一の異物であっても
、各光電検出器13.16.19.22までの距離が近
い異物の方が、遠い異物より光電変換信号は大きい。そ
こで各光電変換信号の大小に基づいて異物の大きさを決
めるためにも、異物の位置に応じて各信号の差を補正し
ておく必要がある。
このために各増幅器23.24.25.26のあとに、
印加電圧により増幅度の変化する可変利得増幅器の如き
増幅度変換器27.28.29.30を設けておき、制
御器31により、それぞれの増幅度を変えられるように
する。制御器31は走査鏡3の回転位置に対応した信号
を出力する回転位置検出器4aからの信号によって、各
増幅度変換器27に印加する電圧値等をあらかじめ記憶
された値に基づいて出力する。すなわち制御器31は、
走査鏡3がX方向に走査しはじめた時に動作を開始し、
走査中は照射ビームの位置に応じて増幅度変換器27.
28.29.30の増幅度を変えていき、走査を終了し
た時点で、動作を終了する。そして再びX方向の走査を
開始したら、また同じ動作を繰り返す。なお、増幅度変
換器23.24.25.26の増幅度は、光電検出器1
3.16.19.22の配置に応じて決定される。この
ようにして補正を行うことにより、異物の位置にかかわ
らず、異物の大きさのみに依存した信号が得られる。
次にこれらの信号は比較回路32.33.34.35に
よって基準信号36と信号値の大小を比較し、例えばH
i、Lo等の2値化を行なう。なお、この基準信号36
は、時間的に一定レベルである必要はなく、走査鏡3の
振動に同期して変化する信号であってもよいし、各比較
回路32.33.34.35に各々、異なった信号強度
を入力してもよい、このとき第1図の実施例で走査線り
の延長上に配置された2つの光電検出器13.22から
、このようにして得られる2値化された信号37.3日
は論理回路41に入力される。この論理回路41は、所
定の論理演算すなわち論理和(0R)演算を行う。これ
は照射ビームが支持枠6の内側近くを走査している場合
には、支持枠6にさえぎられて、2つの光電検出器13
.22のうちの一方は、異物からの散乱光を受光できな
くなるが、論理回路41によって2値化信号37.38
のOR演算を行えば、上記のような状態であっても、走
査線上に異物がありさえすれば、光電検出器13.22
の一方は必ず異物からの散乱光を受光するので、論理回
路41は「異物有り」という2値化された信号を(例え
ばHiレベル信号)を出力することができる。そしてこ
の論理回路41の出力42と、残り2つの光電検出器1
6.19の2値化された信号39.40は論理回路43
に入力される。この論理回路43は各2値化出力から所
定の論理演算、例えば論理積(AND)演算を行う。す
でに述べたように異物からの散乱光は無指向であるため
、各光電変換信号の出力42.39.40がすべてHi
レベルとすれば、論理回路43は所定の異物検出信号(
例えばHiレベル信号)を出力する。これに対してパタ
ーンエツジからの散乱光には指向性があり、各光電変換
信号のうちいずれか1つは出力値が低くLoレベルであ
り、論理回路43からはHiレベルの出力は得られない
、従って論理回路43は、レチクル5上の異物にレーザ
光が照射された時だけ、異物検出信号44を出力する。
またパターンからの散乱信号に影響されずに異物のおお
よその大きさを知る方法としては光電検出器16.19
の光電変換信号のうちの小さい方の信号の信号強度と、
あらかじめ統計的に求めておいた異物の大きさと信号強
度の関係のデータを照合する方法が有効である。
これは特開昭59−61762号公報に既述されており
、本発明においても同じ方法が適用できる。
すなわち、増幅度変換器29.30の出力50.51は
比較器52と切換器53に入力される。比較器52は2
つの入力信号50.51の信号強度を比較して、小さい
方の入力信号を出力するように切換器53を制御する。
切換器53によって選択された小さい方のアナログ信号
54は、A/D変換器55に入力されデジタル信号に変
換される。
A/D変換器55の出力信号56を、不図示のコンピュ
ーターにより、あらかしめ統計的に求めておいた異物の
大きさと、入力信号値の関係のデータと照合することに
より、異物のおおよその大きさを知ることができる。
〔発明の効果] 以上のように本発明によれば、レチクル上に異物付着防
止膜(ペリクル)が装着された場合であっても、ペリク
ルの支持枠に邪魔されることなく、レチクル上の異物及
びその大きさ、位置を検査することができる。
特にLSI製造用のフォトマスクやレチクルのように検
査面上に回路パターンがあっても、パターンに影響され
ずに異物のみを検出することができるという利点がある
更に本発明はレチクルやフォトマスクに付着した異物の
検出のみならず、一般の平面基板上にパターンが密着し
た物体上の異物の検出にも利用できるので、ゴミ等の異
物の付着を嫌う精密パターンの製造時の異物検査にも非
常に有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による装置の実施例の斜視図、第2図は
、光電検出器の配置を示す第1図の上面図、第3図は光
電検出器の配置を示す第1図の側面図、第4図は異物を
検出するために第1図と共に用いられる信号処理回路を
示す図である。 [主要部分の符号の説明] 1・・・光ビーム、  3・・・走査鏡、4・・・集光
レンズ、  5・・・レチクル、7・・・ペリクル、 
 8・・・載物台、9・・・モータ、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 光ビームを被検査物面上で所定方向に繰り返し走査する
    走査手段と、前記光ビームによって前記被検査物面上を
    2次元的に走査するように、前記被検査物を移動する移
    動手段と、前記被検査物から生じる光情報を異なる位置
    で受光する複数の光電変換器と、を有し、前記光電変換
    器からの信号に基づいて前記被検査物面上の異物を検出
    する異物検出装置において、 前記光ビームを前記被検査物面上に斜入射せしめ、前記
    複数の光電変換器は前記光ビームの走査中心位置におけ
    る入射面に対称に少くとも2対配設してなり、それらの
    対のうちの一つはさらに、前記走査線を含み前記被検査
    物面にほぼ垂直な面内に設けられて基準の対を構成して
    おり、前記基準の対を構成している光電変換器の出力信
    号を論理和演算手段に入力すると共に、この論理和演算
    手段の出力信号と残りの光電変換器の出力信号とを論理
    積演算手段に入力し、この論理積演算手段の出力信号に
    基づいて前記被検査物面上の異物を検出することを特徴
    とする異物検出装置。
JP62115649A 1987-01-29 1987-05-12 異物検出装置 Pending JPS63279146A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62115649A JPS63279146A (ja) 1987-05-12 1987-05-12 異物検出装置
US07/148,691 US4889998A (en) 1987-01-29 1988-01-26 Apparatus with four light detectors for checking surface of mask with pellicle
US07/427,365 US4999510A (en) 1987-01-29 1989-10-27 Apparatus for detecting foreign particles on a surface of a reticle or pellicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62115649A JPS63279146A (ja) 1987-05-12 1987-05-12 異物検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63279146A true JPS63279146A (ja) 1988-11-16

Family

ID=14667865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62115649A Pending JPS63279146A (ja) 1987-01-29 1987-05-12 異物検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63279146A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4669875A (en) Foreign particle detecting method and apparatus
US4966457A (en) Inspecting apparatus for determining presence and location of foreign particles on reticles or pellicles
US7616299B2 (en) Surface inspection method and surface inspection apparatus
JPS6352696B2 (ja)
USRE33991E (en) Foreign particle detecting method and apparatus
JPS6365904B2 (ja)
US5602639A (en) Surface-condition inspection method and apparatus including a plurality of detecting elements located substantially at a pupil plane of a detection optical system
JPH0256626B2 (ja)
JPH0769272B2 (ja) 異物検査装置
JPS63279146A (ja) 異物検出装置
JPS6364738B2 (ja)
JP2503919B2 (ja) 異物検査装置
JPH046898B2 (ja)
JPH0462457A (ja) 表面状態検査装置
JP3336392B2 (ja) 異物検査装置及び方法
JP2671896B2 (ja) 異物検査装置
JPH06273344A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
WO2022201910A1 (ja) 異物検査装置及び異物検査方法
JP3406951B2 (ja) 表面状態検査装置
JPS62179642A (ja) 表面欠陥検出装置
JP3218726B2 (ja) 異物検査装置
JPS60154635A (ja) パタ−ン欠陥検査装置
JPH0769271B2 (ja) 欠陥検査装置
JPS5862544A (ja) 欠陥検査装置
JPS63118640A (ja) 異物検出装置