JPS6129744A - 欠陥検出方法 - Google Patents
欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPS6129744A JPS6129744A JP15186384A JP15186384A JPS6129744A JP S6129744 A JPS6129744 A JP S6129744A JP 15186384 A JP15186384 A JP 15186384A JP 15186384 A JP15186384 A JP 15186384A JP S6129744 A JPS6129744 A JP S6129744A
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- Japan
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、被検出物体で走査し、その反射状態に基づい
て被検出物体の表面欠陥を検出する方法に胸する。
て被検出物体の表面欠陥を検出する方法に胸する。
背景技術
第８図は従来技術において被検出物体の表面欠陥を検出
する方法を説明するための図である。被検出物体５０に
レーザ光５１を照射し、その乱反射される光を受光素子
５２で受光する。光電変換された信号Ｓ１は増ａ器５３
で増幅され、比較器５４でレベル弁別される。被検出物
体５０を矢符Ａの方向に移動して亀裂などの欠陥部分り
にレーザ光５１が照射されると、乱反射される光量が増
加し、増幅器５３から出力される信号のレベルが弁別レ
ベルを超え、比較器５４から欠陥検出を示す信号Ｓ２が
出力される。
する方法を説明するための図である。被検出物体５０に
レーザ光５１を照射し、その乱反射される光を受光素子
５２で受光する。光電変換された信号Ｓ１は増ａ器５３
で増幅され、比較器５４でレベル弁別される。被検出物
体５０を矢符Ａの方向に移動して亀裂などの欠陥部分り
にレーザ光５１が照射されると、乱反射される光量が増
加し、増幅器５３から出力される信号のレベルが弁別レ
ベルを超え、比較器５４から欠陥検出を示す信号Ｓ２が
出力される。
第９図は従来技術の他の実施例を示す図であり、第８図
の構成に類似する部分には同一の参照符を付す。第８−
に示されている実施例と同様にレーザ光５１を被検出物
体５’００表面に魚射し、正反射される光をハーフミラ
−５５を介して受光素子５２で受光する。被検出物体５
０を矢符Ａで示されている方向に移動して、欠陥部分り
にレーザ光５１が照射されると正反射光の受光量が減少
する。
の構成に類似する部分には同一の参照符を付す。第８−
に示されている実施例と同様にレーザ光５１を被検出物
体５’００表面に魚射し、正反射される光をハーフミラ
−５５を介して受光素子５２で受光する。被検出物体５
０を矢符Ａで示されている方向に移動して、欠陥部分り
にレーザ光５１が照射されると正反射光の受光量が減少
する。
受光素子５２からの出力信号Ｓ１は増幅器５３で増幅さ
れ、比較器５４でレベル弁別される。弁別レベルよシ低
い信号が入力されると比較器５４がら欠陥を示す倍８５
２が出力される。第１０図は第９図に示されている実施
例と同一であるが、被検出物体５０に凸部５０ａが形成
されている場合を示している。被検出物体５ｏの凸部５
０ａにし−ザ光５１が照射されると、欠陥部分りの場合
と同様に正反射光が減少し、欠陥を示す信ＪｐｊＳ２が
出力される。被検出物体５ｏの表面に凹凸部が存在する
と、第８図および第９図に示されているような従来技術
では欠陥を検出することが難しくなる。
れ、比較器５４でレベル弁別される。弁別レベルよシ低
い信号が入力されると比較器５４がら欠陥を示す倍８５
２が出力される。第１０図は第９図に示されている実施
例と同一であるが、被検出物体５０に凸部５０ａが形成
されている場合を示している。被検出物体５ｏの凸部５
０ａにし−ザ光５１が照射されると、欠陥部分りの場合
と同様に正反射光が減少し、欠陥を示す信ＪｐｊＳ２が
出力される。被検出物体５ｏの表面に凹凸部が存在する
と、第８図および第９図に示されているような従来技術
では欠陥を検出することが難しくなる。
発明が解決しようとする問題点
上述のような従来技術では被検出物体からの反射光の増
減を検出しているに過ぎず、エツジ部分や欠陥ではない
凹凸部であっても欠陥として検出されてしまう。そこで
被検出物体の位置決めを正確に行い、正常な凹凸部のあ
る位置での受光信号が検出されないようにするマスク処
理を施し、誤検出を防止している。このような方法では
作業効率が悪い上、マスク処理された凹凸部に欠陥が生
じていたさき、その欠陥を見逃すという問題があった。
減を検出しているに過ぎず、エツジ部分や欠陥ではない
凹凸部であっても欠陥として検出されてしまう。そこで
被検出物体の位置決めを正確に行い、正常な凹凸部のあ
る位置での受光信号が検出されないようにするマスク処
理を施し、誤検出を防止している。このような方法では
作業効率が悪い上、マスク処理された凹凸部に欠陥が生
じていたさき、その欠陥を見逃すという問題があった。
本発明の目的は、被検出物体の形状に左右されることな
く、被検出物体の表向に存在する欠陥を正確に検出する
ことができる欠陥検出方法を提供することである。
く、被検出物体の表向に存在する欠陥を正確に検出する
ことができる欠陥検出方法を提供することである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、被検出物体を外囲して被検出物体からの反射
光を受光する複数の受光素子を配置し、前記受光素子の
受光量の分布に基づいて被検出物体の表面欠陥を検出す
る欠陥検出方法である。
光を受光する複数の受光素子を配置し、前記受光素子の
受光量の分布に基づいて被検出物体の表面欠陥を検出す
る欠陥検出方法である。
作用
本発明に従えば、被検出物体を外囲して被検出物体から
の反射光を受光する複数の受光素子を配置し、前記受光
素子の受光量の分布に基づいて被検出物体の表ｉ］１１
欠陥を検出するので、欠陥と正常な形状とを正確に区別
することができる。
の反射光を受光する複数の受光素子を配置し、前記受光
素子の受光量の分布に基づいて被検出物体の表ｉ］１１
欠陥を検出するので、欠陥と正常な形状とを正確に区別
することができる。
実施例
第１図は本発明の系統図であり、第２図り第１図の切断
面線■−■から見た平面図である。被検出物体１は、第
１図において紙面に垂直方向、第２図において矢符Ｂの
示す方向に等速移動する移動テーブル２に乗載されてい
る。被検出物体１の移動を妨げない上方であって被検出
物体ｌを外囲するようにリング状の受光ユニット３．４
が配置されている。第３図は受光ユニット３．４付近の
斜視図である。受光ユニット３は、内側の受光面が矩形
である８つの受光素子３８〜３ｈが相互に接続されて形
成される。受光ユニット３と同形状を旬し、受光素子４
ａ〜４ｈから成る受光ユニット４は、受光ユニツ）３に
対して２２．５°回帖した位負で受光ユニット３に載設
される。
面線■−■から見た平面図である。被検出物体１は、第
１図において紙面に垂直方向、第２図において矢符Ｂの
示す方向に等速移動する移動テーブル２に乗載されてい
る。被検出物体１の移動を妨げない上方であって被検出
物体ｌを外囲するようにリング状の受光ユニット３．４
が配置されている。第３図は受光ユニット３．４付近の
斜視図である。受光ユニット３は、内側の受光面が矩形
である８つの受光素子３８〜３ｈが相互に接続されて形
成される。受光ユニット３と同形状を旬し、受光素子４
ａ〜４ｈから成る受光ユニット４は、受光ユニツ）３に
対して２２．５°回帖した位負で受光ユニット３に載設
される。
受光ユニット３．４の上方からを動チーグル２０来載而
に対して垂直方向に、ハーフミラ−５を介してレーザ光
６が被検出物体１の上面に照射される。レーザ光６は検
出されるべき最小欠陥を検知することができるようにビ
ーム径か絞られて、移動テーブルの移動方向と直角方向
に走査される。
に対して垂直方向に、ハーフミラ−５を介してレーザ光
６が被検出物体１の上面に照射される。レーザ光６は検
出されるべき最小欠陥を検知することができるようにビ
ーム径か絞られて、移動テーブルの移動方向と直角方向
に走査される。
被検出物体１の上面から垂直反射される反射光は、ハー
フミラ−５で光路が９０°１凹転され、集光レンズ７で
受光素子８に集光される。受光素子８は受光量に応じた
信号を増幅器９に出力する。増幅器９で増幅された信号
は判定回路１０に出力される。
フミラ−５で光路が９０°１凹転され、集光レンズ７で
受光素子８に集光される。受光素子８は受光量に応じた
信号を増幅器９に出力する。増幅器９で増幅された信号
は判定回路１０に出力される。
被検出物体ｌの上面から圭直反射されない反射光は、受
光ユニット３の各受光素子３ａ〜３ｈの受光面および受
光ユニット４の各受光索子４ａ〜４ｈの受光面で受光さ
れる。受光ユニット３の各受光素子３８〜３ｈは受光量
に応じた信号を増幅器１１に出力し、受光ユニット４の
各受光素子４８〜４ｈは受光量に応じた信号を増幅器１
２に出力する。増幅器１１．１２でそれぞれ増幅された
信号は、判定回路ｌＯに出力される。
光ユニット３の各受光素子３ａ〜３ｈの受光面および受
光ユニット４の各受光索子４ａ〜４ｈの受光面で受光さ
れる。受光ユニット３の各受光素子３８〜３ｈは受光量
に応じた信号を増幅器１１に出力し、受光ユニット４の
各受光素子４８〜４ｈは受光量に応じた信号を増幅器１
２に出力する。増幅器１１．１２でそれぞれ増幅された
信号は、判定回路ｌＯに出力される。
判定回路１０では、各受光素子３ａ〜３ｈ、４ａ〜４ｈ
、８からの受光量の分布に基づいて被検出物体の表向に
欠陥が存在するか否かが判定される。ここでその判定基
準となる受光量の分布状急について、第４図を参照して
説明する。図中においてチャネル１〜８ｆ１９光菓子３
８〜３ｈまたは受光索子４ａ〜４ｈに対応し、チャネル
９は受光素子８に対応する。レーザ光６が照射された被
検出物体１０表面状らに応じて、判定回路１０の各チャ
ネル１〜９に入力される受光蓋が変化する。第４図（１
）は平坦部での受光量分布を示し、垂直反射の割合が高
く、チャネル９の受光量が大となる。
、８からの受光量の分布に基づいて被検出物体の表向に
欠陥が存在するか否かが判定される。ここでその判定基
準となる受光量の分布状急について、第４図を参照して
説明する。図中においてチャネル１〜８ｆ１９光菓子３
８〜３ｈまたは受光索子４ａ〜４ｈに対応し、チャネル
９は受光素子８に対応する。レーザ光６が照射された被
検出物体１０表面状らに応じて、判定回路１０の各チャ
ネル１〜９に入力される受光蓋が変化する。第４図（１
）は平坦部での受光量分布を示し、垂直反射の割合が高
く、チャネル９の受光量が大となる。
第４図（２）は丸みのあるエツジ部での受光量分布を示
し、チャネル５に対応する受光素子に反射光が集中して
いる状慝を示している。第４図［３１は丸みのないエツ
ジ部での受光値分布でろって反射光は分散している。被
検出物体１に欠けか生じていてレーザ光６が魚釣される
と、第４図（４１に示されているように圭Ｉ鼠反射の割
合が低くなり、乱反射される割合が高くなる。被検出物
体１に惰、裂が生じていてレーザ光６が照射されると、
第４図（５）に示されているように丸みのないエツジに
比べ乱反射光が多いが、欠けの場合より少ない。またそ
の季直反射光は、平坦部の場合より少ないが欠けの場合
よシ多い。以上のような受光量分布から、たとえばチャ
ネル９の圭直反射の受光量、チャネル１〜８０分散反射
の受光量の最大値と最小値および分散反射の聴受光量の
４つの変数を求め、その変数に従て欠陥か否かが判定さ
れる。
し、チャネル５に対応する受光素子に反射光が集中して
いる状慝を示している。第４図［３１は丸みのないエツ
ジ部での受光値分布でろって反射光は分散している。被
検出物体１に欠けか生じていてレーザ光６が魚釣される
と、第４図（４１に示されているように圭Ｉ鼠反射の割
合が低くなり、乱反射される割合が高くなる。被検出物
体１に惰、裂が生じていてレーザ光６が照射されると、
第４図（５）に示されているように丸みのないエツジに
比べ乱反射光が多いが、欠けの場合より少ない。またそ
の季直反射光は、平坦部の場合より少ないが欠けの場合
よシ多い。以上のような受光量分布から、たとえばチャ
ネル９の圭直反射の受光量、チャネル１〜８０分散反射
の受光量の最大値と最小値および分散反射の聴受光量の
４つの変数を求め、その変数に従て欠陥か否かが判定さ
れる。
上述の実施例では受光ユニット３に２２．５°回転した
位置で受光ユニット４を載設しているのは、その−受光
素子の受光面と隣接する受光素子の受光面との境界部の
受光感度が悪いためである。前記境界部に反射ビームが
かかったとき、２つの受光ユニット３．４の受光量分布
はずれるので、各受光ユニット３，４で互いに隣接され
る受光素子の出力を引算しその最大値を求める。第５図
＋１１は＋光ユニット３における各受光索子３ａ〜３ｈ
における受光量を数字で示す図であり、第５図＋１１は
ｉ光ユニット４における各受光素子４ａ〜４ｈＫおける
受光量を数字で示す図である。第５図（Ｓ）で示されて
いる受光量を分布図で示す第６図ｆｌのようになり、第
５図（２）で示されている受光量を分布図で示すと第６
図（２）のようになる。第５図およびＳ６図で示されて
いる一例では、受光ユニット３の前記最大値の方が受光
ユニット４の最大値より大きいと占える。このような場
合受光ユニット３における受光量が欠陥判定の対象とさ
れる。
位置で受光ユニット４を載設しているのは、その−受光
素子の受光面と隣接する受光素子の受光面との境界部の
受光感度が悪いためである。前記境界部に反射ビームが
かかったとき、２つの受光ユニット３．４の受光量分布
はずれるので、各受光ユニット３，４で互いに隣接され
る受光素子の出力を引算しその最大値を求める。第５図
＋１１は＋光ユニット３における各受光索子３ａ〜３ｈ
における受光量を数字で示す図であり、第５図＋１１は
ｉ光ユニット４における各受光素子４ａ〜４ｈＫおける
受光量を数字で示す図である。第５図（Ｓ）で示されて
いる受光量を分布図で示す第６図ｆｌのようになり、第
５図（２）で示されている受光量を分布図で示すと第６
図（２）のようになる。第５図およびＳ６図で示されて
いる一例では、受光ユニット３の前記最大値の方が受光
ユニット４の最大値より大きいと占える。このような場
合受光ユニット３における受光量が欠陥判定の対象とさ
れる。
第７図は上述の欠陥判定の過程を示すフローチャートで
ある。ステップｎ１では垂直反射の受光量、Ｄ Ｉ Ｒ
が設定値ａより以上であるかそれ未満であるかが判断さ
れる。受光量ＤＩＲが設定値ａより以上であるとステッ
プｎ２で平坦部とされる。
ある。ステップｎ１では垂直反射の受光量、Ｄ Ｉ Ｒ
が設定値ａより以上であるかそれ未満であるかが判断さ
れる。受光量ＤＩＲが設定値ａより以上であるとステッ
プｎ２で平坦部とされる。
受光量ＩＪＩＲが設定値ａより小であるとステップｎ３
に移って、受光量１）ＩＲがダ定１［ａより未満の設定
値すより以上か未満かが判断される。受光量ＤＩＲが設
定値すよ９以上であるとステップｎ４に移って分散反射
の受光量の最大値ＭＡＸが設定値ｄより以上か未満かが
ヤ」断される。最大値ＭＡＸが設定値ｄより未満である
とステップｎ５に移ってエツジ部とされる。最大値ＭＡ
Ｘが設定値ｄより以上であるとステップｎ６に移って、
分散反射の受光量の最小値ＭＩＮが設定値ｅより以上か
未満かが判断される。最小値ＭＩＮが設定値ｅよシ未渦
であるとステップｎ５でエツジ部とされ、最小値ＭＩＮ
が設定値ｅよシ以上であると亀裂とされる。ステップｎ
３で受光量ＤＩＲが設定値すより未満であるとステップ
ｎ８に移って、受光量ＤＩＲが設定値すより未満の設定
値Ｃより以上か未満かが判断される。受光量ＤＩＲが設
定値Ｃよシ以上であるとステップｎ９に移って分散反射
の聴受光量ＳＵＭと設定値ｆとが比較される。受光量Ｓ
ＵＭが設定値ｆより以上であるとステップｎｌＯで亀裂
とされる。受光量ＳＵＭが設定値ｆより未満であるとス
テップｎｉｌに移って最大値ＭＡＸと最小値Ｍ Ｉ Ｎ
（１）差ＭＡＸ−ＭＩＮと設定値りとが比較される。そ
の差ＭＡＸ−ＭＩＮが設定（ｍ ｈより未満であるとス
テップｎ１２に移って最小値ＭＩＮが設定値ｉと比較さ
れる。最小値Ｒ１１Ｎが設定値ｉよシ以上であるとステ
ップｎ１３で亀裂とされる。前記差ＭＡＸ−ＭＩＮが設
定値りよシ以上であるか最小値ＭＩＮが設定値ｉより以
上のとき、ステップｎ１４でエツジ部とされる。
に移って、受光量１）ＩＲがダ定１［ａより未満の設定
値すより以上か未満かが判断される。受光量ＤＩＲが設
定値すよ９以上であるとステップｎ４に移って分散反射
の受光量の最大値ＭＡＸが設定値ｄより以上か未満かが
ヤ」断される。最大値ＭＡＸが設定値ｄより未満である
とステップｎ５に移ってエツジ部とされる。最大値ＭＡ
Ｘが設定値ｄより以上であるとステップｎ６に移って、
分散反射の受光量の最小値ＭＩＮが設定値ｅより以上か
未満かが判断される。最小値ＭＩＮが設定値ｅよシ未渦
であるとステップｎ５でエツジ部とされ、最小値ＭＩＮ
が設定値ｅよシ以上であると亀裂とされる。ステップｎ
３で受光量ＤＩＲが設定値すより未満であるとステップ
ｎ８に移って、受光量ＤＩＲが設定値すより未満の設定
値Ｃより以上か未満かが判断される。受光量ＤＩＲが設
定値Ｃよシ以上であるとステップｎ９に移って分散反射
の聴受光量ＳＵＭと設定値ｆとが比較される。受光量Ｓ
ＵＭが設定値ｆより以上であるとステップｎｌＯで亀裂
とされる。受光量ＳＵＭが設定値ｆより未満であるとス
テップｎｉｌに移って最大値ＭＡＸと最小値Ｍ Ｉ Ｎ
（１）差ＭＡＸ−ＭＩＮと設定値りとが比較される。そ
の差ＭＡＸ−ＭＩＮが設定（ｍ ｈより未満であるとス
テップｎ１２に移って最小値ＭＩＮが設定値ｉと比較さ
れる。最小値Ｒ１１Ｎが設定値ｉよシ以上であるとステ
ップｎ１３で亀裂とされる。前記差ＭＡＸ−ＭＩＮが設
定値りよシ以上であるか最小値ＭＩＮが設定値ｉより以
上のとき、ステップｎ１４でエツジ部とされる。
ステップｎ８で受光量ＤＩＲが設定値Ｃよシ未満のとき
、ステップｎ１５に移って聴受光量ＳＵＭと設定値Ｃよ
り未満の設定値ｇとが比較される。
、ステップｎ１５に移って聴受光量ＳＵＭと設定値Ｃよ
り未満の設定値ｇとが比較される。
受光量ＳＬＩＭが設定値ｇより未満のとき、ステップｎ
１６でエツジ部とされる。受光ＨｓｕＭが設定値ｇより
以上であるとステップｎ１７に移って前記差ＭＡＸ−Ｍ
ＩＮと設定値ｊとが比軟される。
１６でエツジ部とされる。受光ＨｓｕＭが設定値ｇより
以上であるとステップｎ１７に移って前記差ＭＡＸ−Ｍ
ＩＮと設定値ｊとが比軟される。
差ＭＡＸ−ＭＩＮが設定値ｊより以上であるとステップ
ｎ１８でエツジ部とされる。差ＭＡＸ−ＭＩＮが設定値
ｊより未満であるとき、ステップｎｌ９で欠けとされる
。以上のようにして亀裂や欠けの欠陥が検出される。
ｎ１８でエツジ部とされる。差ＭＡＸ−ＭＩＮが設定値
ｊより未満であるとき、ステップｎｌ９で欠けとされる
。以上のようにして亀裂や欠けの欠陥が検出される。
第７図に示したような判断構造は、対象検査物体が変る
ごとに設定値の変換などが必要であるが、１１１Ｎ理判
断の「ＹＥｓＪおよび「ＮＯ」をアナログコンパレータ
のような比較素子で回路構成すれば、リアルタイムで表
面欠陥を検出することができる。
ごとに設定値の変換などが必要であるが、１１１Ｎ理判
断の「ＹＥｓＪおよび「ＮＯ」をアナログコンパレータ
のような比較素子で回路構成すれば、リアルタイムで表
面欠陥を検出することができる。
本発明ｆ′ｉ麦面大面欠陥出だけでなく、表向形状の検
査などに適用されてもよい。
査などに適用されてもよい。
効果
以上のように本発明によれば、被検出物体の１億な位置
決めが従来技術に関連して述べたような複雑なマスク処
理は本発明では必要がなく、被検出物体の表面に存在す
る欠陥を正確に検出することができる。
決めが従来技術に関連して述べたような複雑なマスク処
理は本発明では必要がなく、被検出物体の表面に存在す
る欠陥を正確に検出することができる。
第１図は本発明の系統図、第２図は切断面線■−１１か
ら見た平面図、第３図は受光ユニット付近の斜視図、第
４図は受光素子の受光量分布を示す図、第５図は受光ユ
ニツ）３．４における受光量の逮いを説明するだめの図
、第６図＃：ｔ＠５図に対応した受光量分布を示す図、
第７図は欠陥判定の過程を説明するだめのフローチャー
ト、第８図は従来技術の一実施例の系統図、第９図は従
来技術の他の実施例の糸ｌｊｋ、図、第１Ｏ図は第９図
に示されている実施例の問題点を説明するための図であ
る。 １・・・被検出物体、３．４・・・受光ユニット、６・
・・レーザ光、３ ａ〜３ ｈ、４ ａ〜４ ｈ、８＝
受光素子、１０・・・判定回路 代理人 弁理士 西教圭一部 第３図 第４図 チャλル
手ヤネｌし千ヤネＩし く１） ” 第６ 今ヤネル 図
ら見た平面図、第３図は受光ユニット付近の斜視図、第
４図は受光素子の受光量分布を示す図、第５図は受光ユ
ニツ）３．４における受光量の逮いを説明するだめの図
、第６図＃：ｔ＠５図に対応した受光量分布を示す図、
第７図は欠陥判定の過程を説明するだめのフローチャー
ト、第８図は従来技術の一実施例の系統図、第９図は従
来技術の他の実施例の糸ｌｊｋ、図、第１Ｏ図は第９図
に示されている実施例の問題点を説明するための図であ
る。 １・・・被検出物体、３．４・・・受光ユニット、６・
・・レーザ光、３ ａ〜３ ｈ、４ ａ〜４ ｈ、８＝
受光素子、１０・・・判定回路 代理人 弁理士 西教圭一部 第３図 第４図 チャλル
手ヤネｌし千ヤネＩし く１） ” 第６ 今ヤネル 図
Claims (1)
- 被検出物体を外囲して被検出物体からの反射光を受光す
る複数の受光素子を配置し、前記受光素子の受光量の分
布に基づいて、被検出物体の表面欠陥を検出する欠陥検
出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15186384A JPS6129744A (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15186384A JPS6129744A (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129744A true JPS6129744A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15527883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15186384A Pending JPS6129744A (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7295299B2 (en) | 2001-10-22 | 2007-11-13 | Jenoptik Surface Inspection Gmbh | Device for optically measuring surface properties |
-
1984
- 1984-07-21 JP JP15186384A patent/JPS6129744A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7295299B2 (en) | 2001-10-22 | 2007-11-13 | Jenoptik Surface Inspection Gmbh | Device for optically measuring surface properties |
| DE10151332B4 (de) * | 2001-10-22 | 2007-12-06 | Jenoptik Surface Inspection Gmbh | Vorrichtung zur optischen Messung von Oberflächeneigenschaften |
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