JP3873331B2 - バンプ検査装置及びバンプ検査方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップに形成されたI/Oピン(入出力ピン)をなすバンプの高さ及び径を検査するバンプ検査装置及びバンプ検査方法に関する。
【0002】
近年、半導体チップにおいては、その大規模化により、I/Oピンの多ピン化及び小ピッチ化が進められており、例えば、I/Oピンとしてバンプを形成してなる半導体チップでは、バンプ径を100μm以下、ピッチを200μm以下として、数千個のバンプを形成してなるものが開発されている。
【0003】
このため、バンプの形成後に実行すべきバンプの高さ及び径の検査を検査員の目視で行うことが非常に困難となっており、バンプの高さ及び径の検査の自動化が種々試みられている。
【0004】
【従来の技術】
図14及び図15は、I/Oピンとしてバンプを形成してなる半導体チップの一例を概略的に示す平面図及び部分斜視図である。
【0005】
これら図14及び図15において、1は半導体チップのバンプ形成面、2はバンプ形成面1に形成されたアルミニウムからなる電極、3は電極2に接合されている半田からなる球状のバンプである。
【0006】
このように構成された半導体チップは、バンプ3を基板(図示せず)上の電極に接合させることにより、基板に実装し、半導体チップの内部回路と基板の電極との電気的接続を図ることができる。
【0007】
ここに、バンプ3の高さや径に差があると、基板の電極との接合を図る場合に、接合不足や、接合されない場合が発生してしまうため、バンプ3の高さ及び径を検査する必要がある。
【0008】
図16は、バンプ3の高さH及びバンプ配列の縦横方向の径DA、DBを検査する従来のバンプ検査装置の一例を示す概念図である。
【0009】
図16中、5はレーザ光、6はレーザ光5の反射光を受光する側に配置された受光レンズ、7は受光レンズ6を通過したレーザ光5の反射光を検出する1次元画像センサ、いわゆるラインセンサ、8はバンプ3をバンプ形成面1の上方から撮像するカメラ、9はカメラ8から出力される画像信号を処理する画像処理装置である。
【0010】
このバンプ検査装置においては、半導体チップは、例えば、レーザ光5の照射方向の水平方向成分がバンプ配列の横方向と一致するように所定のステージ(図示せず)に保持される。
【0011】
そして、バンプ3の高さHは、受光レンズ6及びラインセンサ7からなる光学系と、ラインセンサ7から得られる信号を処理する信号処理系(図示せず)を使用して、いわゆる三角測量の原理に基づいて算出される。
【0012】
具体的には、レーザ光5をバンプ配列の縦方向に走査し、バンプ3の頂点10からの反射光11とバンプ形成面1からの反射光12とをラインセンサ7で検出することにより、バンプ3の頂点10と、バンプ3の頂点を照射したレーザ光5の軌跡をバンプ3の頂点10から照射方向に延長させた場合におけるレーザ光5の軌跡とバンプ形成面1との交点13との間の距離Lを算出し、H=L×sinθなる演算を行うことにより算出される。但し、θはレーザ光5がバンプ形成面1となす角度である。
【0013】
また、バンプ3のバンプ配列の縦横方向の径DA、DBは、カメラ8から出力される画像信号を処理することにより得られるバンプ像14に基づいて画像処理装置9において算出される。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
このように、図16に示す従来のバンプ検査装置を使用する場合には、バンプ3の高さH及びバンプ配列の縦横方向の径DA、DBを測定できるが、受光レンズ6及びラインセンサ7からなる光学系及びその信号処理系と、カメラ8からなる光学系及びその信号処理系(画像処理装置9)の2系統の光学系及び信号処理系を必要とするため、構成が複雑になってしまうという問題点があった。
【0015】
本発明は、かかる点に鑑み、バンプの高さ及び径の測定を1系統の光学系を介して行い、構成を簡略化することができるようにしたバンプ検査装置及びバンプ検査方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明中、第1の発明は、バンプ検査装置であって、レーザ光を半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方から照射するレーザ光照射手段と、バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を利用して三角測量によりバンプの高さを測定すると共に、バンプ形成面に生じるバンプの影を利用してバンプの径を測定するバンプ高・バンプ径測定手段を備えるというものである。
【0017】
この第1の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段は、バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を利用して三角測量によりバンプの高さを測定すると共に、バンプ形成面に生じるバンプの影を利用してバンプの径を測定するというものであるから、このバンプ高・バンプ径測定手段には、1系統の光学系を設ければ足りる。
【0018】
本発明中、第2の発明は、第1の発明において、バンプ高・バンプ径測定手段により測定されるバンプの高さ及び径からバンプの寸法が正常であるか否かを検査するバンプ寸法検査手段を備えるというものである。
【0019】
この第2の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段により測定されるバンプの高さ及び径からバンプの寸法が正常であるか否かを検査することができる。
【0020】
本発明中、第3の発明は、第1又は第2の発明において、レーザ光照射手段は、レーザ光を偏向により走査する走査手段を備えるというものである。
【0021】
この第3の発明によれば、バンプ及びバンプ形成面に照射するレーザ光の走査を容易に行うことができる。
【0022】
本発明中、第4の発明は、第1、第2又は第3の発明において、レーザ光照射手段は、レーザ光をバンプ及びバンプ形成面に斜め上方の2方向から照射する第1レーザ光と第2レーザ光とに分岐するレーザ光分岐手段と、第1レーザ光及び第2レーザ光のバンプ及びバンプ形成面からの反射光のうち、バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を重畳させないように合流させるレーザ光合流手段を備えるというものである。
【0023】
この第4の発明によれば、バンプ検査の対象である半導体チップを水平方向に回転させることなく、バンプの2方向の径を測定することができる。
【0024】
本発明中、第5の発明は、第1、第2、第3又は第4の発明において、バンプ高・バンプ径測定手段は、バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を検出し、バンプ及びバンプ形成面の明暗像データを取得する明暗像データ取得手段を備え、明暗像データに基づいてバンプの高さとバンプの径とを算出するというものである。
【0025】
この第5の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段を合理的に構成することができる。
【0026】
本発明中、第6の発明は、第1、第2、第3、第4又は第5の発明において、反射光を検出する1次元画像センサを備えるというものである。
【0027】
この第6の発明によれば、明暗像データ取得手段の構成を簡略化することができる。
【0028】
本発明中、第7の発明は、バンプ検査方法であって、半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方からレーザ光を照射し、レーザ光を第1の方向に走査すると共に、半導体チップを第2の方向に移動させて、バンプ及びバンプ形成面からの反射光を検出し、半導体チップを約90度回転させて、レーザ光を第1の方向に走査すると共に、半導体チップを第2の方向に移動させて、バンプ及びバンプ形成面からの反射光を検出し、検出された反射光に基づいてバンプの高さと径とを測定するというものである。
【0029】
この第7の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段として、1系統の光学系を設ければ足りる。
【0030】
本発明中、第8の発明は、バンプ検査方法であって、レーザ光を半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方から照射し、バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を利用して三角測量によりバンプの高さを測定すると共に、バンプ形成面に生じるバンプの影を利用してバンプの径を測定するというものである。
【0031】
この第8の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段として、1系統の光学系を設ければ足りる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図13を参照して、本発明のバンプ検査装置及びバンプ検査方法の第1実施形態及び第2実施形態について説明する。
【0033】
(第1実施形態・・図1〜図4)
図1は本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の概念図である。図1中、20はバンプ検査の対象である半導体チップ、21は半導体チップ20を保持する水平方向に回転可能とされたステージ、22は装置全体の制御を行う制御回路である。
【0034】
また、23はレーザ光を出力するレーザ光源、24はレーザ光源23から出力されたレーザ光、25は制御回路22により制御されてレーザ光源23から出力されるレーザ光24の強度を制御するレーザ光源制御回路である。
【0035】
また、26はレーザ光源23から出力されるレーザ光24を入力して1次回折光であるレーザ光27を出力すると共に、このレーザ光27を偏向により走査する音響光学式光偏向器(以下、AOD[Acousto-Optic Deflector]という)である。
【0036】
また、28は制御回路22により制御されてレーザ光27の走査を制御するAOD制御回路、29はAOD26から出力されるレーザ光27を半導体チップ20に向けて照射する照射レンズである。
【0037】
ここに、レーザ光源23と、レーザ光源制御回路25と、AOD26と、AOD制御回路28と、照射レンズ29とで、レーザ光照射手段の要部が構成されている。
【0038】
また、30は半導体チップ20のバンプ及びバンプ形成面からの反射光のうち、半導体チップ20のバンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、レーザ光27の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光である。
【0039】
また、31は反射光30に対応して設けられている受光レンズ、32は受光レンズ31を通過した反射光30が検出されるラインセンサ、33はラインセンサ32から出力されるアナログ画像信号を増幅する増幅回路、34は増幅回路33から出力されるアナログ画像信号をデジタル画像信号に変換するA/D(アナログ・デジタル)変換回路である。
【0040】
また、35はA/D変換回路34から出力されるデジタル画像信号から半導体チップ20のバンプ及びバンプ形成面の明暗像データを取得する明暗像データ取得回路、36は明暗像データ取得回路35から出力される明暗像データを記憶する明暗像データ記憶回路である。
【0041】
また、37は明暗像データ記憶回路36に記憶された明暗像データからバンプの高さ及び径を算出するバンプ高・バンプ径算出回路、38はバンプ高・バンプ径算出回路37から出力されるバンプの高さデータ及び径データを記憶するバンプ高・バンプ径データ記憶回路である。
【0042】
また、39はバンプ高・バンプ径データ記憶回路38に記憶されたバンプの高さデータ及び径データからバンプの寸法が正常か否かを判断するバンプ寸法検査回路である。
【0043】
ここに、受光レンズ31と、ラインセンサ32と、増幅回路33と、A/D変換回路34と、明暗像データ取得回路35と、明暗像データ記憶回路36とで、明暗像データ取得手段が構成され、この明暗像データ取得手段と、バンプ高・バンプ径算出回路37とで、バンプ高・バンプ径測定手段が構成されている。
【0044】
図2は本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の動作(本発明のバンプ検査方法の第1実施形態)を説明するための概略的斜視図であり、図2中、41は半導体チップ20のバンプ形成面、42はバンプ形成面41に行列状に形成された球状のバンプの1個である。
【0045】
また、43はバンプ配列方向の縦方向に平行するバンプ形成面41の二辺のうちの一辺、44はバンプ配列方向の横方向に平行するバンプ形成面41の二辺のうちの一辺である。
【0046】
なお、この例では、バンプ42のバンプ形成面41に対する配列は、図15に示す半導体チップの場合と同様とされている。
【0047】
このように構成された本発明のバンプ検査装置の第1実施形態においては、レーザ光27の半導体チップ20への照射方向の水平方向成分がバンプ配列方向のうち、例えば、縦方向と一致するようにステージ21を水平方向に回転移動させて停止させる。
【0048】
そして、レーザ光27を、例えば、矢印Xで示すようにバンプ42の配列方向の横方向に走査し、このようなレーザ光27の走査をステージ21を縦方向に断続的に移動させて繰り返すようにする。
【0049】
このようにすると、バンプ形成面41及びバンプ42からの反射光30は、ラインセンサ32により検出され、ラインセンサ32から出力されるアナログ画像信号は増幅回路33で増幅され、増幅回路33から出力されるアナログ画像信号はA/D変換回路34によりデジタル画像信号とされ、このデジタル画像信号は明暗像データ取得回路35に供給される。
【0050】
ここに、明暗像データ取得回路35においては、バンプ形成面41及びバンプ42の明暗像データが取得され、この明暗像データは明暗像データ記憶回路36に記憶される。
【0051】
なお、ステージ21を停止させた状態で、図2に矢印Xで示すようなレーザ光27の1回の走査が終了し、この走査による明暗像データが明暗像データ記憶回路36に記憶されると、制御回路22はステージ21を移動させて次の走査を行うことができるように動作する。
【0052】
ここに、レーザ光27を矢印Xで示すようにバンプ42の配列の横方向に走査し、このようなレーザ光27の走査をステージ21を縦方向に断続的に移動させて繰り返し、バンプ形成面41及びバンプ42を含む一定の領域の明暗像データが明暗像データ記憶回路36に記憶されると、バンプ高・バンプ径算出回路37においては、三角測量の原理に基づいて、バンプ42の高さHが算出されることになる。
【0053】
具体的には、図3に示すように、明暗像データ記憶回路36に記憶された明暗像データから、バンプ42の頂点46からの反射光30Aのデータと、この場合の走査におけるバンプ形成面41からの反射光30Bのデータとを確認し、バンプ42の頂点46と、バンプ42の頂点46を照射したレーザ光27の軌跡をバンプ42の頂点46から照射方向に延長させた場合におけるレーザ光27の軌跡とバンプ形成面41との交点47との間の距離Lを算出し、H=L×sinθなる演算を行うことにより算出される。但し、θはレーザ光27がバンプ形成面41となす角度である。
【0054】
また、このようなステージ21の移動及びレーザ光27の走査を行うと、バンプ形成面41に、図2に示すようにバンプ配列方向の縦方向に伸びるバンプ42の影49を生じさせることができ、この影49に対応する明暗像データを得ることができるので、バンプ高・バンプ径算出回路37においては、影49に対応する明暗像データから、バンプ42の径のうち、バンプ配列の縦方向の径DAが算出される。
【0055】
このようにしてバンプ高・バンプ径算出回路37により算出されたバンプ42の高さHのデータ及びバンプ配列の縦方向の径DAのデータは、バンプ高・バンプ径データ記憶回路38に記憶される。
【0056】
次に、ステージ21を水平方向に90°回転させて停止し、図4に示すように、レーザ光27の照射方向の水平方向成分がバンプ42の配列の横方向と一致するようにし、レーザ光27を、例えば、矢印Xで示すように、バンプ配列方向の縦方向に走査し、このようなレーザ光27の走査をステージ21を横方向に断続的に移動させて繰り返すようにする。
【0057】
このような走査を行うと、バンプ形成面41に、バンプ配列方向の横方向に伸びるバンプ42の影51を生じさせることができ、この影51に対応する明暗像データを得ることができるので、バンプ高・バンプ径算出回路37においては、影51に対応する明暗像データから、バンプ42の、バンプ配列の横方向の径DBが算出され、これがバンプ高・バンプ径データ記憶回路38に記憶される。
【0058】
このようにして、バンプ42の高さH及びバンプ配列方向の縦横方向の径DA、DBのデータがバンプ高・バンプ径データ記憶回路38に記憶されると、バンプ寸法検査回路39においては、これらバンプ42の高さH及びバンプ配列方向の縦横方向の径DA、DBのデータからバンプ42の寸法が正常か否かが判断され、その結果が出力される。
【0059】
このように、本発明のバンプ検査装置の第1実施形態によれば、受光レンズ31及びラインセンサ32からなる1系統の光学系を介してバンプ42の高さH及び縦横方向の径DA、DBの測定を行うことができ、図16に示す従来のバンプ検査装置が設けるカメラ8からなる光学系を不要とすることができるので、構成の簡略化を図ることができる。
【0060】
なお、バンプ42の影が隣のバンプと重なり合ってしまい、バンプ配列方向の縦横方向の径DA、DBを測定することができない場合には、レーザ光27の入射角を小さくするか、又は、半導体チップ20を水平方向に、例えば、45°回転させることにより、バンプ42の影が隣のバンプと重ならないようにすることができ、このようにする場合には、直交する2方向からのバンプ42の径を測定することができる。
【0061】
(第2実施形態・・図5〜図13)
図5は本発明のバンプ検査装置の第2実施形態の概念図である。本発明のバンプ検査装置の第2実施形態は、照射レンズ29を通過したレーザ光27を2系列のレーザ光53、54に分岐するレーザ光分岐手段55を設けると共に、レーザ光53、54の受光側への反射光56、57を重畳させないように合流させるレーザ光合流手段58を設け、その他については、図1に示す本発明のバンプ検査装置の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0062】
図6、図7及び図8は、レーザ光分岐手段55の構成を示す概略的斜視図、概略的正面図及び概略的平面図である。
【0063】
これら図6、図7及び図8において、60〜63はミラーであり、60Aはミラー60の反射面、60Bはミラー60の裏面、61Aはミラー61の反射面、61Bはミラー61の裏面、62Aはミラー62の反射面、62Bはミラー62の裏面、63Aはミラー63の反射面、63Bはミラー63の裏面である。
【0064】
このレーザ光分岐手段55は、ミラー60、61によりレーザ光27を2系列のレーザ光53、54に分岐し、更に、レーザ光53、54をミラー62、63で反射し、ミラー62、63で反射されたレーザ光53、54の水平方向成分が直交するようにして、レーザ光53、54をバンプ形成面41及びバンプ42に斜め上方から照射するというものである。
【0065】
また、図9、図10及び図11は、レーザ光合流手段58の構成を示す概略的斜視図、概略的正面図及び概略的平面図である。
【0066】
これら図9、図10及び図11において、65〜68はミラーであり、65Aはミラー65の反射面、65Bはミラー65の裏面、66Aはミラー66の反射面、66Bはミラー66の裏面、67Aはミラー67の反射面、67Bはミラー67の裏面、68Aはミラー68の反射面、68Bはミラー68の裏面である。
【0067】
このレーザ光合流手段58は、レーザ光53、54の反射光のうち、バンプ形成面41の法線方向を対称軸方向として、レーザ光53、54の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光56、57をミラー65、66で反射してミラー67、68に照射し、反射光56、57を重畳させないように合流してなるレーザ光30とするものである。
【0068】
図12及び図13は本発明のバンプ検査装置の第2実施形態の動作(本発明のバンプ検査方法の第2実施形態)を説明するための概略的斜視図である。
【0069】
本発明のバンプ検査装置の第2実施形態においては、レーザ光53の半導体チップ20への照射方向の水平方向成分が、例えば、バンプ配列方向の縦方向と一致し、レーザ光54の半導体チップ20への照射方向の水平方向成分が、例えば、バンプ配列方向の横方向と一致するようにステージ21を水平方向に回転移動させる。
【0070】
そして、レーザ光27を矢印Xで示すように走査し、このようなレーザ光27の走査をステージ21を図13に矢印付きの破線Yで示すようにジクザグに断続的に移動させて繰り返すようにする。
【0071】
このようにすると、バンプ形成面41及びバンプ42からの反射光30は、ラインセンサ32により検出され、ラインセンサ32から出力されるアナログ画像信号は増幅回路33で増幅され、増幅回路33から出力されるアナログ画像信号はA/D変換回路34によりデジタル画像信号とされ、このデジタル画像信号は明暗像データ取得回路35に供給される。
【0072】
そして、明暗像データ取得回路35においては、バンプ形成面41及びバンプ42の明暗像データが取得され、この明暗像データは明暗像データ記憶回路36に記憶される。
【0073】
なお、ステージ21を停止させた状態で、図12に矢印Xで示すようなレーザ光27の1回の走査が終了し、この走査による明暗像データが明暗像データ記憶回路36に記憶されると、制御回路22はステージ21を移動させて次の走査を行うことができるように動作する。
【0074】
ここに、レーザ光27を矢印Xで示すように走査し、このようなレーザ光27の走査をステージ21を図13に破線Yで示すように断続的に移動させて繰り返すと、バンプ形成面41及びバンプ42を含む一定の領域の明暗像データが明暗像データ記憶回路36に記憶され、バンプ高・バンプ径算出回路37において、三角測量の原理に基づいて、バンプ42の高さHが算出されることになる。
【0075】
このバンプ42の高さHは、レーザ光53の反射光56又はレーザ光54の反射光57を検出することにより、図3に示した場合と同様にして測定することができる。
【0076】
なお、この場合、レーザ光53の反射光56により得られる明暗像データ及びレーザ光54の反射光57により得られる明暗像データのうち、明るさ強度の大きい方の明暗像データを使用する方が、バンプ42の高さHを高い精度で測定することができる。
【0077】
また、このようなレーザ光27の走査を行うと、バンプ形成面41には図12に示すように、バンプ配列方向の縦方向に伸びるバンプ42の影49と、横方向に伸びるバンプ42の影51を生じさせることができ、これら影49、51に対応する明暗像データを得ることができるので、バンプ高・バンプ径算出回路37においては、影49、51に対応する明暗像データからバンプ配列の縦横方向の径DA、DBが算出される。
【0078】
このようにしてバンプ高・バンプ径算出回路37により算出されたバンプ42の高さHのデータ及びバンプ配列の縦横方向の径DA、DBのデータは、バンプ高・バンプ径データ記憶回路38に記憶される。
【0079】
このようにして、バンプ42の高さH及びバンプ配列方向の縦横方向の径DA、DBのデータがバンプ高・バンプ径データ記憶回路38に記憶されると、バンプ寸法検査回路39においては、これらバンプ42の高さH及びバンプ配列方向の縦横方向の径DA、DBのデータからバンプ42の寸法が正常か否かが判断され、その結果が出力される。
【0080】
このように、本発明のバンプ検査装置の第2実施形態によれば、本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の場合と異なり、レーザ光分岐手段55及びレーザ光合流手段58を設けているので、本発明のバンプ検査装置の第1実施形態よりは構成が複雑となってしまうが、図16に示す従来のバンプ検査装置が設けるカメラ8からなる光学系を不要とすることができるので、図16に示す従来のバンプ検査装置よりも構成の簡略化を図ることができると共に、縦横方向の径DA、DBの測定を行うために、ステージ21を水平方向に90°回転させる必要がないので、検査の高速化を図ることができる。
【0081】
なお、バンプ42の影が隣のバンプと重なり合ってしまい、縦横方向の径DA、DBを測定することができない場合には、レーザ光53、54の入射角を小さくするか、又は、半導体チップ20を水平方向に、例えば、45°回転させることにより、バンプ42の影が隣のバンプの影と重ならないようにすることができ、2方向からのバンプ42の径を測定することができる。
【0082】
【発明の効果】
以上のように、本発明中、第1の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段に1系統の光学系を設けることにより、バンプの高さ及び径を算出することができるので、構成を簡略化することができる。
【0083】
また、第2の発明によれば、第1の発明と同様の効果を得ることができると共に、バンプ高・バンプ径測定手段により測定されるバンプの高さ及び径からバンプの寸法が正常であるか否かを検査することができる。
【0084】
また、第3の発明によれば、第1又は第2の発明と同様の効果を得ることができると共に、バンプ及びバンプ形成面に照射するレーザ光の走査を容易に行うことができる。
【0085】
また、第4の発明によれば、第1、第2又は第3の発明と同様の効果を得ることができると共に、バンプ検査の対象である半導体チップを回転させることなく、バンプの2方向の径を測定することができるので、バンプ検査の高速化を図ることができる。
【0086】
また、第5の発明によれば、第1、第2、第3又は第4の発明と同様の効果を得ることができると共に、バンプ検査の対象である半導体チップを回転させることなく、バンプの直交する2方向の径を測定することができる。
【0087】
また、第6の発明によれば、第1、第2、第3、第4又は第5の発明と同様の効果を得ることができると共に、明暗像データ取得手段の構成を簡略化することができる。
【0088】
また、第7の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段として、1系統の光学系を設ければ足りるので、装置の構成を簡略化することができる。
【0089】
また、第8の発明によれば、バンプ高・バンプ径測定手段として、1系統の光学系を設ければ足りるので、装置の構成を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の概念図である。
【図2】 本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の動作を説明するための概略的斜視図である。
【図3】 本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の動作を説明するための概略的斜視図である。
【図4】 本発明のバンプ検査装置の第1実施形態の動作を説明するための概略的斜視図である。
【図5】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態の概念図である。
【図6】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態が備えるレーザ光分岐手段の構成を示す概略的斜視図である。
【図7】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態が備えるレーザ光分岐手段の構成を示す概略的正面図である。
【図8】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態が備えるレーザ光分岐手段の構成を示す概略的平面図である。
【図9】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態が備えるレーザ光合流手段の構成を示す概略的斜視図である。
【図10】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態が備えるレーザ光合流手段の構成を示す概略的正面図である。
【図11】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態が備えるレーザ光合流手段の構成を示す概略的平面図である。
【図12】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態の動作を説明するための概略的斜視図である。
【図13】 本発明のバンプ検査装置の第2実施形態の動作を説明するための概略的斜視図である。
【図14】 I/Oピンとしてバンプを形成してなる半導体チップの一例を概略的に示す平面図である。
【図15】 I/Oピンとしてバンプを形成してなる半導体チップの一例を概略的に示す部分斜視図である。
【図16】 従来のバンプ検査装置の一例を示す概念図である。
【符号の説明】
41 バンプ形成面
42 バンプ
Claims (8)
- レーザ光を半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方から照射するレーザ光照射手段と、
前記バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、前記レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を利用して三角測量により前記バンプの高さを測定すると共に、前記バンプ形成面に生じる前記バンプの影を利用して前記バンプの径を測定するバンプ高・バンプ径測定手段を備えること
を特徴とするバンプ検査装置。 - 前記バンプ高・バンプ径測定手段により測定される前記バンプの高さ及び径から前記バンプの寸法が正常であるか否かを検査するバンプ寸法検査手段を備えること
を特徴とする請求項1に記載のバンプ検査装置。 - 前記レーザ光照射手段は、
前記レーザ光を偏向により走査する走査手段を備えること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載のバンプ検査装置。 - 前記レーザ光照射手段は、
前記レーザ光を前記バンプ及び前記バンプ形成面に斜め上方の2方向から照射する第1レーザ光と第2レーザ光とに分岐するレーザ光分岐手段と、
前記第1レーザ光及び前記第2レーザ光の前記バンプ及び前記バンプ形成面からの反射光のうち、前記バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、前記レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を重畳させないように合流させるレーザ光合流手段を備えること
を特徴とする請求項1、請求項2又は請求項3に記載のバンプ検査装置。 - 前記バンプ高・バンプ径測定手段は、
前記バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、前記レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を検出し、前記バンプ及び前記バンプ形成面の明暗像データを取得する明暗像データ取得手段を備え、
前記明暗像データに基づいて前記バンプの高さと前記バンプの径とを算出すること
を特徴とする請求項1、請求項2、請求項3又は請求項4に記載のバンプ検査装置。 - 前記反射光を検出する1次元画像センサを備えること
を特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、請求項4又は請求項5に記載のバンプ検査装置。 - 半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方からレーザ光を照射し、
前記レーザ光を第1の方向に走査すると共に、前記半導体チップを第2の方向に移動させて、前記バンプ及び前記バンプ形成面からの反射光を検出し、
前記半導体チップを約90度回転させて、前記レーザ光を前記第1の方向に走査すると共に、前記半導体チップを前記第2の方向に移動させて、前記バンプ及び前記バンプ形成面からの反射光を検出し、
前記検出された反射光に基づいて前記バンプの高さと径とを測定すること
を特徴とするバンプ検査方法。 - レーザ光を半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方から照射し、
前記バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、前記レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を利用して三角測量により前記バンプの高さを測定すると共に、前記バンプ形成面に生じる前記バンプの影を利用して前記バンプの径を測定すること
を特徴とするバンプ検査方法。
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