JPS60154634A - パタ−ン欠陥検査装置 - Google Patents

パタ−ン欠陥検査装置

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JPS60154634A
JPS60154634A JP1003084A JP1003084A JPS60154634A JP S60154634 A JPS60154634 A JP S60154634A JP 1003084 A JP1003084 A JP 1003084A JP 1003084 A JP1003084 A JP 1003084A JP S60154634 A JPS60154634 A JP S60154634A
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JP
Japan
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pattern
directions
abnormal
circuit
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP1003084A
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English (en)
Inventor
Shigeji Kimura
茂治 木村
Tadashi Suda
須田 匡
Shinobu Hase
長谷 忍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to JP1003084A priority Critical patent/JPS60154634A/ja
Publication of JPS60154634A publication Critical patent/JPS60154634A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体製造プロセスにおいて形成されたパタ
ーンの欠陥検査装置に係り、特に、リソグラフィの限界
のために生じた丸みが問題となる微細なパターンの検査
に好適なパターン欠陥検査装置に関する。
〔発明の背景〕
微細なパターンの検査方法には、パターンの映像信号の
画像処理をして欠陥を発見する方法等があるが、この発
明において対象とするのは、レーザ光をパターンの形成
された基鈑に照射したとき発生する反射回折光を利用す
る方法である。
上記方法の原理について説明する。
一般に半導体パターンのエッチの方向には規則性がある
。第1図は、エッチの方向が0度方向と定義したパター
ンlを示している。半導体パターンに使用されるエッチ
の他の方向は、第」図に示したように、45度、90度
、135度方向のみである。
いま、0度方向のエッチを有するパターンに、第2図の
ように、レーザ光2を照射した場合を考える。このとき
、0度方向のエッチによる反射回折光の方向は90度方
向で強くなる。ここでいう90度方向とは対向方向であ
る270度方向も含んでおり、以下、他の方向でも同様
である。パターンのエッチの方向は限られているため、
反射回折光の強くなる方向は0度、45度、90度。
135度方向(正常方向)だけである。
第3図に示したパターンには欠陥がある。このときには
、正常方向の中間方向である、22.5度、67.5度
、112.5度、1.57.5度方向(異常方向)への
反射回折光が強くなる。これらの異常方向への反射回折
光が入射するように対向する8個の光検出器をLノーザ
照射部の周辺に配置し、レーザ光を走査しながら、対向
方向の出力が加え合わされたこれら光検出器の出力の変
化を観測すれば、パターン欠陥の有無がわかる。
パターンのサイズが大きく、かつ、走査しているレーザ
光のスポットサイズが大きいときはパターンに欠陥があ
ると、異常方向に配置された光検出器からの出力にパル
スが発生し、これがパターンの欠陥の存在を示していた
。しかし、近年、半導体パターンの微細化が進み、雫に
パルスの検出だけでは欠陥と判定できなくなってきた。
半導体パターンの微細化に伴っC、レーザ光をより細く
絞って、微細な欠陥を検出する必要性が高まってくる。
このどき問題どなるのは、リソグラフィの限界のために
生じるパターンの丸みである。第4図に示した例では、
直角部分をもつパターン3に、半径約1μmの丸みが生
じている。丸みがあってもパターンは正常である。しか
し、パターンが正常であるにもがかわらず、第4図に示
したように、レーザ光を照射したとき、この丸みのため
に、22.5度および67.5度の異常方向に反射回折
光が発生してしまう。したがって、このような丸みの上
をレーザ光が走査したならば、異常方向に設置された光
検出器の出力にパルスが発生して、パターンに欠陥があ
るがごとき誤信号となる。
〔発明の目的〕
本発明は、上記の点に着目してなされたものであり、v
Il細なパターンの欠陥を検査1゛るとき、リングラフ
ィの限界のために発生した丸みによる誤信号に対処可能
なパターン欠陥検査装置を提供することを目的とするも
のである。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明では、パターンが形
成された半導体基板上を収束したコヒーレント光で走李
し、該パターンからの反射回折光が該パターンの規則性
が乱れたとき発生する複数の方向に光検出器を配置した
パターン欠陥検査装置において、該方向すべての信号を
加算し、この加算結果と設定されたしきい値とを比較し
、加算結果が大きいとき、該パターンに欠陥があると判
定する回路と、前記加算結果がしきい値より小さいとき
、該パターンの規則性により反射回折光が強くなる複数
の方向の信号のなかから所望の大きさの順番の信号を選
択する回路と、該パターンからの反射回折光が該パター
ンの規則性が乱れたとき発生′する複数の方向の信号の
なかから所望の大きさのM番の信号を選択する回路と、
これら二つの選択さハた信号に数値処理を施し、この二
S、っの信号の大小関係により欠陥の有無を判定する回
路とを具備づる如く構成した:bのである。
〔発明の実施例〕
最初に、本発明の基本的考え方について、以−ト詳述す
る。
第一の方法とじて以ゴ〜のことを行なう。リソグラフィ
の限界のために発生した丸み(以ト、95.に「丸み」
と呼ぶ)による異常方向I\の反射回折光の大きさけ限
ら九でいるので、外部から考えた適当な大きさのしきい
値より、異常方向の信号を全部加え合わせたものが大き
いとき、欠陥があると判定する。
加え合わせた信号がしきい値により小さいときは、次の
第2の判定方法を採用する。丸みが発生したことによっ
て、異常方向だけでなく、正常方向にも同程度の強度の
反射回折光を出すことに気付き、この第二の判定方法が
提案された。第5図。
第6回は、エッチが直角部分をもつパターン3と45度
に交わっているパターンを示している。そ、#tぞれ角
に丸みが存在する。この丸みが生じたことによつC1新
たに発生する反射回折光は、本来のエッヂの反射回折光
以外に、異常方向(第5図では22.5度、157.5
 度方向、第6図では67.5度、112.5 度、1
57.5 度方向)だけでなく、正常方向(第5図では
45度方向。
第6@では90度、135度方向)にもある。これらの
方向l\の反射回折光は、エッチの長さに比例するため
、はぼ同程度の強度である。
従来方法では異常方向だけに注目して、正常方向の信号
は使用しなかった。両者の信号を使用した判定方法によ
り、丸みによる誤検出をなくすることが可能である。た
とえば、第5図における丸みが発生して、異常方向であ
る67.5 度方向に反射回折光が発生しても、67.
5度方向と同等な大きさの45度方向があれば、正常パ
ターンと判定する。
一般に、丸みが存在しない場合でも、正常なパターンで
あれば、本来のパターンのエッチによらない正常方向か
ら適当に一つ選択し、かつ異常方向からも適当に一つ選
択したとき、同等な大きさのものを選択することができ
る。丸みによらない、異常方向に大きい反射回折光を発
生する異常パターンが存在するならば、正常パターンの
場合と同様な選択方法を使ったとしても、同等な大きさ
のものは選択できなくなる。このように、正常パターン
であれば、同等なものが選択できる選択方向が、同等な
ものを選択できないとき、異常パターンがあると判定す
る。
丸みによって新たに発生した正常方向は異常方向の反射
回折光を利用する上記の方法は、第7図のように、エッ
チが直角に交わった線状のパターン5やエッチが45度
に交わった線状のパターン6においても同様に使用でき
る。また、第5図。
第6図、第7図において、パターンの付着している部分
と付着していない部分とが反転しても事情は変わらない
十脅鳴か0噴→1例寺 以下、本発明を実施例によって詳しく説明する。
第8図は本発明の一実施例における検出系を表わしてい
る。微細パターンの形成された基板7上を収束レーザ光
8で走査する。基板7は移動可能な試料台の上に乗せら
れている。微細パターじによる反射回折光9は光検出器
10〜25で検出する。第8図においては光検出器10
,11.18だけしか書いていない。
第9図は第8図の上面図である。光検出器10〜25は
22.5度間隔で基板7の周囲に配置されている。パタ
ーンのエッヂの方向の−っは、検出器10と検出器18
の方向に一致しているものとする。
第10図は信号処理回路を示している。光検出器からの
信号は必要に応じて増幅しておく。対向する光検出器の
信号(たとえば、光検出器1oと18)は加算回路26
により加えられた後、それぞれ、AD変換器27により
デジタル化される。
収束レーザ光8を余香しているので一パターンL−欠陥
があった場合、あるいは丸みがあった場合には、異常方
向に設置している光検出器にパルスが生じる。このパル
ス信号の検出をパルス検出器28で行なう。
パルスが検出器28でパルスが検出されても、前述した
ように、丸みによる可能性があり、これを除外する必要
がある。
丸みによる異常方向への反射回折光の強度には限度があ
り、異常方向の信号を全部加えた値が外部から設定した
しきい値Vthより大きいならば、必らず丸みによらな
いパターンの欠陥が存在する。
この実現のためには、加算回路29により、異常方向の
四信号を加え合わせ、その結果がしきい値Vよより大き
いならば、パルス検出器28で検出したパルスは欠陥で
あると論理判定回路3oで判定する。
異常方向の四信号を加え合わせたものがしきい値Vih
より小さいときは以下の判定を行なう。
信号選択回路31により、2番目に大きい信号を四つの
異常方向の信号から選び出し、また、信号選択回路32
により、2番目に小さい信号を四つの正常方向の信号か
ら選び出す。そして、選び出された正常方向に適当な1
以上のある定数を掛け、その値が異常方向で選択された
信号より大きいか否かを大小判定回路33で判定する。
異常方向の選択された信号の方が大きいとき、欠陥パタ
ーンが有ると判定し、小さければなしと判定する。
この結果は、パルスがパルス検出器28で検出され、か
つ、異常方向の信号の合計がしきい値Vthより小さい
とき、論理判定回路30より出力される。上記の異常方
向あるいは正常方向の信号の選択方法により、可能性の
あるすべてのエッチに対して対応が可能となった。
ここで、異常方法では2番目に大きい信号、正常方向で
は2番目に小さい信号を選択した理由を述べる。
第5図において、正常方向である45度方向の反射回折
光と、異常方向である67.5 度。
22.5度方向の反射回折光の大きさはほとんど同じで
ある。第5図には書いていないが、強度の強い0度、9
0度方向の反射回折光と、強度の弱い135度方向の反
射回折光とが存在するため、目的とする45度方向は、
2番目に小さいものとなる。異常方向では、67.5度
あるいは22.5度方向(他の二方向は小さい)のどち
らかを採用してもよいが、エッチが135度で交わるパ
ターンを考慮して、2番目に大きいものを選ぶことにす
る。第6図においても、4個の正常方向(強度の強い0
度、45度方向は明示せず)の2番目に小さいものを選
べば、丸みによって発生した正′J1(方向を得ること
ができる。そして、異常方向の2番目に小さいものを選
べば、丸みによる反射回折光を得ることができる。
さらに、エッチが135度で交わるパターン34につい
ても、上記の信号の選択方法が有効か否か調べる。第1
1図に示しているように、丸みによる異常方向への反射
回折光は67.5 度方向だけであり、メしみによる正
常方向への反射回折光は発生しない。したがって、この
場合、丸みによって発生した異常方向と正常方向への反
射回折光を比べることはできない。
ところが、上記の選択方法を使用すれば、丸みによる反
射回折光は選択しないが、正常方向、異常方向とも微弱
で、はぼ同等な大きさの信号を得ることができる。この
二つの方向を比較すれば欠陥パターン判定が可能である
。したがって、135度のパターンも同じ回路で処理で
きる。同様のことは単なるストライプパターンについて
も云える。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明によれば1反射回折光を使
用したパターン欠陥検査装置が、リソグラフィの限界の
ために生じたパターンの丸みを欠陥として誤検出してい
たのを除去できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はパターンのエッチの方向を示す図、第2図〜第
6図は反射回折光の方向を示す図、第7図は線状のパタ
ーンの図、第8図は本発明の一実施例における検出系の
一部を示した概観図、第9図はその検出系の上面図、第
10図は信号処理部の概略図、第11図は反射回折光の
方向を示す図である。 ■・・・0度方向と定義したパターン、2・・・レーザ
光。 3・・・直角部分をもつパターン、4・・・エッヂが4
5度に交わっているパターン、5・・・エッチが直角に
交わった線状のパターン、6・・・エッチが45度に交
わった線状のパターン、7・・・基板、8・・−収束レ
ーザ光、9・・・反射回折光、10〜25・・・光検出
器、26・・・加算回路、27・・・AD変換器、28
・・・パルス検出器、29・・・加算回路、30・・論
理判定回路、31・・・信号選択回路、32・・・信号
選択回路、33・・・大小判定回路、34・・・エッチ
が135度で交わるパターン。 第5図 箭6図 廼 7 図 ′fJ8図 Y q 図 ¥) tI 図 妃 11 図 メツ5゜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. パターンが形成された半導体基板上を、収束したコヒー
    レン1−・光で走査し、該パターンからの反射回折光が
    該パターンの規則性が乱れたとき発生する複数の方向に
    光検出器を配置したパターン欠陥検査装置において、該
    方向すべての信号を加算し、この加算効果と設定された
    しきい値とを比較し、加算結果が大きいとき、該パター
    ンに欠陥があると判定する回路と、前記加算結果がしき
    い値より小さいとき、該パターンの規則性により反射回
    折光が強くなる複数の方向の信号のなかから所望の大き
    さの順番の信号を選択する回路と、該パターンからの反
    射折光が該パターンの規則性が乱れたとき発生する複数
    の方向の信号のなから所望の大きさの順番の信号を選択
    する回路と、これら二つの選択された信号に数値処理を
    施し、この二つの信号の大小関係により欠陥の有無を判
    定する回路とを備えたことを特徴とするパターン欠陥検
    査装置。
JP1003084A 1984-01-25 1984-01-25 パタ−ン欠陥検査装置 Pending JPS60154634A (ja)

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JP1003084A Pending JPS60154634A (ja) 1984-01-25 1984-01-25 パタ−ン欠陥検査装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410400A (en) * 1991-06-26 1995-04-25 Hitachi, Ltd. Foreign particle inspection apparatus
US6064477A (en) * 1993-02-26 2000-05-16 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for inspecting reticle for defects

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5410400A (en) * 1991-06-26 1995-04-25 Hitachi, Ltd. Foreign particle inspection apparatus
US6084664A (en) * 1992-11-30 2000-07-04 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for inspecting reticle for defects
US6064477A (en) * 1993-02-26 2000-05-16 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for inspecting reticle for defects

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