JPH04304651A - 半導体ウエハ搬送装置 - Google Patents

半導体ウエハ搬送装置

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Publication number
JPH04304651A
JPH04304651A JP3068556A JP6855691A JPH04304651A JP H04304651 A JPH04304651 A JP H04304651A JP 3068556 A JP3068556 A JP 3068556A JP 6855691 A JP6855691 A JP 6855691A JP H04304651 A JPH04304651 A JP H04304651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
light
light receiving
wafer
light emitting
Prior art date
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Pending
Application number
JP3068556A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Sumino
裕 角野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP3068556A priority Critical patent/JPH04304651A/ja
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの搬送状
態を判定することができる半導体ウェハ搬送装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体ウェハ搬送装置は、半導体
ウェハの検査を行うフルオートウェハプローバの搬送系
などに用いられている。フルオートウェハプローバでは
、半導体ウェハの検査後に検査用ステージから収納用キ
ャリアまで搬送する必要があるので、この搬送のために
半導体ウェハ搬送装置が備え付けられている。そして、
この半導体ウェハ搬送装置には、半導体ウェハが所定の
地点に到達したことを検出するセンサが備えられている
。このセンサからの検出信号により、次に検査を行う半
導体ウェハを検査用ステージに設置するのである。
【0003】センサは、発光素子と、発光素子から放射
された光ビームが入射する受光素子とで構成され、半導
体ウェハが所定の地点に到達した際に、この半導体ウェ
ハによって、光ビームの光路が遮断されるように設置さ
れている。そして、この光路遮断が受光素子で検出され
、検出信号が発生するのである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体ウェハ搬送装置での半導体ウェハの検出では、外乱ノ
イズなどの影響でセンサが誤動作して、光路遮断の検出
信号を発生させることがあった。このために、次の半導
体ウェハが、検査済の半導体ウェハの上に重なって乗っ
てしまい、搬送時に半導体ウェハが半導体ウェハ搬送装
置から落下・破損してしまうことがあった。また、発光
素子の劣化によって発光量が少なくなってくると、受光
素子で光ビームを受光することができずに、誤って検出
信号を発生させることがあった。さらに、受光素子が劣
化しても同様の問題があった。
【0005】本発明は、このような問題を解決して、正
確に半導体ウェハの搬送状態を検出することができる半
導体ウェハ搬送装置を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体ウェハ搬送装置には、半導体ウェハ
を移動させる搬送手段と、搬送手段を移動中の半導体ウ
ェハが所定の地点に到達した場合に、この半導体ウェハ
によって光ビームの光路が遮断されるように備えられた
第1および第2発光手段と、第1発光手段から放射され
た光ビームの光路上で、この光ビームが入射するように
備えられ、光の入射を検出する第1受光手段と、第2発
光手段から放射された光ビームの半導体ウェハによる反
射光ビームが入射するように備えられ、光の入射を検出
する第2受光手段と、第1受光手段で光の入射が検出さ
れず、かつ第2受光手段で光の入射が検出された場合に
、半導体ウェハが所定の地点に到達したと判定する判定
手段とが具備されている。
【0007】
【作用】本発明の半導体ウェハ搬送装置によれば、搬送
手段を移動中の半導体ウェハが所定の地点に到達したか
どうかは、第1受光手段での光の入射の検出と、第2受
光手段での光の入射の検出との両方の検出情報から判定
手段で判定される。つまり、搬送手段を移動中の半導体
ウェハが所定の地点に到達した場合には、第1発光手段
から放射された光ビームはこの半導体ウェハによって遮
断され、第1受光手段では光の入射は検出されない。ま
た、第2発光手段から放射された光ビームはこの半導体
ウェハによって反射され、この反射光ビームが第2受光
手段で検出される。したがって、判定手段では、第1受
光手段で光の入射が検出されず、かつ第2受光手段で光
の入射が検出された場合に、半導体ウェハが所定の地点
に到達したと判定する。
【0008】このように、本発明の半導体ウェハ搬送装
置では、半導体ウェハが所定の地点に到達したかどうか
は第1受光手段および第2受光手段の両方の検出信号に
基づいて判定されるので、第1発光手段や第2発光手段
などの素子の劣化や外乱ノイズなどの影響によって誤っ
て判定されることはない。つまり、半導体ウェハが所定
の地点に到達したことは、第1受光手段においては、入
射されていた光が遮断されて光が検出されなくなったこ
とから判断されるのに対して、第2受光手段においては
、光の入射が検出されたことから判断されるのである。 この違いから、素子の劣化により第1受光手段および第
2受光手段で光ビームの入射が検出できなくなった場合
においても、判定手段は半導体ウェハが所定の地点に到
達したことを正しく判定できる。これは、光が検出でき
ないために、第1受光手段で誤って半導体ウェハが所定
の地点に到達したと判断されても、第2受光手段で半導
体ウェハが所定の地点に到達したと判断されることがな
いからである。また、外乱ビームが発生して第1受光手
段および第2受光手段にこの外乱ビームが入射された場
合においても、判定手段は半導体ウェハが所定の地点に
到達したことを正しく判定できる。これは、外乱ビーム
が検出されたために、第2受光手段で誤って半導体ウェ
ハが所定の地点に到達したと判断されても、第1受光手
段で半導体ウェハが所定の地点に到達したと判断される
ことがないからである。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図1から
図3を用いて説明する。図1から図3は、本実施例の半
導体ウェハ搬送装置を備えたフルオートウェハプローバ
の構成図である。まず図1は前工程で製造された半導体
ウェハ10の検査を検査用ステージ20上で行っている
状態を示している。ここで行う検査には、図示していな
い触針を半導体ウェハ上のLSIの電極に接触させて行
う電気的特性の検査などがある。この場合は、まだ半導
体ウェハ10は検査用ステージ20上にあり、搬送手段
である移動用ベルト30上には何も乗っていないので、
所定の地点への半導体ウェハ10の到達を検出する第1
発光手段である発光素子40から放射された光ビームは
そのまま第1受光手段である受光素子41に入射される
。これに対して、第2発光手段である発光素子50から
放射された光ビームは直進するので、第2受光手段であ
る受光素子51には入射されない。このように、半導体
ウェハ10が検査用ステージ20に装着された状態では
、受光素子41のみで光ビームの入射が検出される。 この検出信号を受けて、判定手段である判定部60では
、半導体ウェハ10はまだ所定の地点には到達していな
いと判定する。
【0010】次に、図2について説明すると、同図は半
導体ウェハ10が検査用ステージ20から移動用ベルト
30に移動する状態を示している。この移動は、検査用
ステージ20の表面の小穴からエアーが吹き出し、さら
に移動用ベルト30に向けて水平方向にエアーが吹き付
けられることによって無接触に行われる。このような状
態では図1の状態と同様に、受光素子41のみで光ビー
ムの入射が検出されるので、判定部60では、半導体ウ
ェハ10が所定の地点には到達していないと判定する。
【0011】次に、図3について説明すると、同図は半
導体ウェハ10が移動用ベルト30上の所定の地点に到
達した状態を示している。この状態では、発光素子40
および発光素子50から放射された光ビームが共に遮断
される。したがって、受光素子41には光ビームが入射
されず、受光素子51には半導体ウェハ10による反射
光ビームが入射される。このように、半導体ウェハ10
が所定の地点に到達した状態では、受光素子51のみで
光ビームの入射が検出されるので、判定部は、半導体ウ
ェハ10が所定の地点に到達したと判定する。この判定
部60からの判定を受けて、検査用ステージでは、図示
していない供給用キャリアから次に検査を行う半導体ウ
ェハ10を取り出して上部に装着させる。
【0012】本実施例で特徴的なのは、従来は、一組の
発光素子・受光素子からなるセンサを用いて、半導体ウ
ェハ10が所定の地点に到達したことを検出して、この
検出信号だけで判定していたのを、二組のセンサの検出
結果から総合的に判定するようにしたことである。つま
り、外乱ノイズや素子の劣化による影響で一方のセンサ
が誤動作しても、もう一方のセンサが正しく動作する限
り、正確な判定が行えるのである。さらに、二組のセン
サには、受光素子に光ビームが入射された状態を検出す
るセンサと、逆に受光素子への光ビームの入射が遮断さ
れた状態を検出するセンサとを用いているので、外乱ノ
イズの影響を受けにくくなった。これは、一方のセンサ
が外乱ノイズの影響で、誤って光ビームの入射が遮断さ
れた状態を検出しても、もう一方のセンサが正しく動作
するからである。
【0013】次に、本発明の応用例を図4と図5を用い
て説明する。図4と図5の応用例が図1から図3で説明
した実施例と異なるのは、発光素子50と受光素子51
の代りに発光素子70と受光素子71を用いていること
である。この発光素子70と受光素子71および発光素
子40と受光素子41の二組のセンサを用いて、半導体
ウェハが移動用ベルト30上の所定の地点に到達したか
どうかを判定する。
【0014】
【発明の効果】本発明の半導体ウェハ搬送装置であれば
、外乱ノイズの影響や素子の劣化によっても、正確に半
導体ウェハの搬送状態を判定できるようになる。したが
って、本発明の半導体ウェハ搬送装置を備えたフルオー
トウェハフローバでは、誤動作によって発生する半導体
ウェハの落下・破損等の不具合が解消される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の構成図である。
【図2】本発明の実施例の構成図である。
【図3】本発明の実施例の構成図である。
【図4】本発明の応用例の構成図である。
【図5】本発明の応用例の構成図である。
【符号の説明】
10…半導体ウェハ 20…検査用ステージ 30…移動用ベルト 40…発光素子 41…受光素子 50…発光素子 51…受光素子 60…判定部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体ウェハを移動させる搬送手段と
    、前記搬送手段を移動中の半導体ウェハが所定の地点に
    到達した場合に、この半導体ウェハによって光ビームの
    光路が遮断されるように備えられた第1および第2発光
    手段と、前記第1発光手段から放射された光ビームの光
    路上で、この光ビームが入射するように備えられ、光の
    入射を検出する第1受光手段と、前記第2発光手段から
    放射された光ビームの半導体ウェハによる反射光ビーム
    が入射するように備えられ、光の入射を検出する第2受
    光手段と、前記第1受光手段で光の入射が検出されず、
    かつ前記第2受光手段で光の入射が検出された場合に、
    半導体ウェハが所定の地点に到達したと判定する判定手
    段を具備することを特徴とする半導体ウェハ搬送装置。
JP3068556A 1991-04-01 1991-04-01 半導体ウエハ搬送装置 Pending JPH04304651A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001233452A (ja) * 2000-02-24 2001-08-28 Toray Eng Co Ltd 薄板状材の定点搬送装置
WO2003027652A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Olympus Corporation Dispositif d'inspection de defauts

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