JP2006127749A5 - - Google Patents
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Claims (50)
- プログラムモードおよび読み出しモードで動作可能な不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセル、複数のワードラインおよび複数のビットラインを持つメモリセルアレイと;
前記メモリセルアレイのビットラインから読み出されるデータを出力するための内部データ出力ラインと;
前記メモリセルアレイと前記内部データ出力ラインとの間に動作可能に連結されるページバッファとを備え、
前記ページバッファは、
前記ビットラインに選択的に連結されるセンシングノードと;
前記センシングノードに選択的に連結されるラッチノードを持つラッチ回路と;
前記ラッチノードの論理電圧を設定するラッチ入力パスと;
前記ラッチ入力パスから分離され、前記ラッチノードの前記論理電圧による前記内部データ出力ラインの論理電圧を設定するラッチ出力パスとを備えることを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記内部データ出力ラインは、前記ラッチノードから電気的に隔離されることを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記内部データ出力ラインは、前記ラッチノードの論理電圧によって第1基準電位に選択的に連結されることを特徴とする、請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1基準電位と前記内部データ出力ラインとの間に直列に連結される第1トランジスタをさらに備え、前記第1トランジスタのゲートは前記ラッチノードに連結されることを特徴とする、請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。
- 不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと;
前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルから読み出されるデータおよび前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルにプログラムされるデータを一時的に記憶するためのラッチ回路を含むページバッファと;
前記メモリセルアレイから読み出されて前記ページバッファに一時的に記憶されるデータを出力する内部データ出力ラインと;
前記内部データ出力ラインから分離され、データが前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルにプログラムされる時およびデータが前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルから読み出される時、前記ラッチ回路を設定するラッチ入力パスとを備えることを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記ラッチ入力パスは、前記内部データ出力ラインから電気的に隔離されることを特徴とする、請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記内部データ出力ラインは、前記ラッチノードの論理電圧によって第1基準電位に選択的に連結されることを特徴とする、請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- グローバルデータバスをさらに備え、
前記内部データ出力ラインは、アドレス信号によって前記グローバルデータバスに選択的に連結されることを特徴とする、請求項7に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセルアレイは複数のビットラインを備え、
前記アドレス信号は、ビットラインアドレス信号であることを特徴とする、請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ビットラインアドレス信号を受信し、前記グローバルデータバスの前記内部データ出力ラインへの選択的連結を制御するデコーダ回路をさらに備えることを特徴とする、請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記デコーダ回路は、外部データ入力信号をさらに受信し、内部データ入力信号を出力し、
前記ラッチ入力パスは、前記内部データ入力信号によって制御されることを特徴とする、請求項10に記載の不揮発性メモリ装置。 - 不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと;
前記メモリセルアレイの不揮発性メモリセルにプログラムされるデータを入力する入力データバスと;
前記入力データバスから分離され、前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルから読み出されるデータを出力する出力データバスと;
前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルから読み出されるデータおよび前記不揮発性メモリセルにプログラムされるデータを一時的に記憶するためのラッチ回路と;
前記出力データバスに連結される内部データ出力ラインと;
前記入力データバスに連結され、データが前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルにプログラムされる時、前記ラッチ回路を設定するラッチ入力パスと;
前記ラッチ回路に一時的に記憶された読み出しデータを前記内部データ出力ラインに伝送する出力ドライブ回路とを備えることを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記出力ドライブ回路は、前記ラッチ回路のラッチノードによってゲートされるスイチング回路を含むことを特徴とする、請求項12に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ラッチ入力パスは、内部データ入力ラインの内部データ入力信号によって制御され、
前記内部データ入力ラインは、前記内部データ出力ラインから電気的に隔離されることを特徴とする、請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。 - 不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセル、複数のワードラインおよび複数のビットラインを含むメモリセルアレイと;
内部データ出力ラインと;
前記メモリセルアレイと前記内部データ出力ラインとに連結され、複数の並置されたページバッファを定義するために順次配列される複数のページバッファとを備え、
前記ページバッファのそれぞれは、
前記メモリセルアレイから読み出されるデータを一時的に記憶するラッチ回路と;
前記ラッチ回路と前記内部データ出力ラインとの間に連結されるアドレスゲートとを含み、
前記アドレスゲートは、前記内部データ出力ラインに前記各ページバッファのラッチ回路からのデータを選択的に出力するために、アドレス信号に応答することを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記ページバッファ領域は特定方向に順次積層され、前記内部データ出力ラインは前記特定方向に長く延長されることを特徴とする、請求項15に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ビットラインは、前記特定方向に長く延長されることを特徴とする、請求項16に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレス信号は、前記ページバッファのアドレスゲートに直接印加されることを特徴とする、請求項16に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ページバッファに連結される複数の内部データ入力ラインをさらに備え、
前記内部データ入力ラインは、前記内部データ出力ラインから電気的に隔離されることを特徴とする、請求項16に記載の不揮発性メモリ装置。 - 不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセル、複数のワードラインおよび第1方向に長く延長される複数のビットラインを含むメモリセルアレイと;
前記メモリセルアレイから読み出されるデータを出力する、共有内部データ出力ラインと;
前記メモリセルアレイと前記共有内部データ出力ラインとの間にそれぞれ動作可能に連結される複数のページバッファとを備え、
前記複数のページバッファは、第1方向に並置された対応する複数のページバッファ領域を定義するために、順次配列され、前記内部データ出力ラインは、隣接した前記複数のページバッファの前記第1方向に長く延長されることを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記複数の内部データ入力ラインと前記共有内部データ出力ラインとに連結されるデコーダ回路をさらに備えることを特徴とする、請求項20に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記デコーダ回路は、
アドレス信号およびデータ入力信号を受信し、前記アドレス信号および前記データ入力信号によって、前記内部入力データを前記複数の内部データ入力ライン上に出力することを特徴とする、請求項21に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記デコーダ回路は、
前記アドレス信号によって、前記共有内部データ出力ラインをグローバル出力ラインに選択的に連結することを特徴とする、請求項22に記載の不揮発性メモリ装置。 - 不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと;
ローカルデータ入力ラインと、前記メモリセルアレイの前記不揮発性メモリセルから読み出されるデータおよび前記不揮発性メモリセルにプログラムされるデータを一時的に記憶するように、前記ローカルデータ入力ラインに応答するラッチ回路とを含むページバッファと;
前記メモリセルアレイをプログラムするためのプログラミング信号および前記メモリセルアレイを読み出すための制御信号を含む外部入力信号を供給するグローバルデータ入力ラインと;
供給されるアドレス信号によって前記ローカルデータ入力ラインに前記外部入力信号を選択的に出力するゲート回路を備えることを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記ローカルデータ入力ラインは、前記ページバッファの前記ラッチ回路のラッチ状態を制御することを特徴とする、請求項24に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記ローカルデータ入力ラインは、前記ラッチ回路の第1ラッチノードと基準電位との間に直列に連結される第1トランジスタゲートに連結される第1ローカル入力ラインと、前記ラッチ回路の第2ラッチノードと前記基準電位との間に直列に連結される第2トランジスタゲートに連結される第2ローカル入力ラインとを含むことを特徴とする、請求項25に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記基準電位と前記第1および第2トランジスタのそれぞれとの間に直列に連結される第3トランジスタをさらに備え、
前記第3トランジスタゲートは、第1アドレス信号ラインに連結されることを特徴とする、請求項26に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ゲート回路は、第2アドレス信号ラインに連結されるデコーダ回路の一部を形成することを特徴とする、請求項27に記載の不揮発性メモリ装置。
- 不揮発性メモリ装置において、
複数の不揮発性メモリセル、複数のワードラインおよび複数のビットラインを持つメモリセルアレイと;
前記メモリセルアレイから読み出されるデータを出力する内部データ出力ラインと;
前記メモリセルアレイと前記内部データ出力ラインとの間に動作可能に連結される複数のページバッファと;
前記複数のページバッファの少なくとも一つのゲート回路に動作可能に連結される複数のアドレスラインとを備えることを特徴とする、不揮発性メモリ装置。 - 前記少なくとも一つのゲート回路は、第1アドレスゲートを含み、
前記ページバッファのそれぞれは、前記メモリセルアレイから読み出されるデータを一時的に記憶するラッチ回路と、第1基準電位と前記内部データ出力ラインとの間に連結されるアドレスゲートとを含み、
それぞれのページバッファを通じて延長される前記アドレスラインは、前記それぞれのページバッファの前記第1アドレスゲートに連結されることを特徴とする、請求項29に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記少なくとも一つのゲート回路は、前記ラッチ回路と第2基準電位との間に連結された第2アドレスゲートをさらに備え、
それぞれのページバッファを通じて延長される前記アドレスラインは、前記それぞれのページバッファの前記第2アドレスゲートにさらに連結されることを特徴とする、請求項30に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ページバッファは、第1方向に並置された対応する複数のページバッファ領域に順次配列され、
前記複数のアドレスラインは、前記第1方向に垂直な第2方向に長く延長されることを特徴とする、請求項29に記載の不揮発性メモリ装置。 - 不揮発性メモリ装置のページバッファにおいて、
ラッチノードを含むラッチ回路と;
前記ラッチノードの電圧を制御する内部データ入力ラインと;
前記ラッチノードから電気的に隔離される内部データ出力ラインと;
前記ラッチノードの前記電圧によって前記内部出力ラインの電圧を制御する出力ドライブ回路とを備えることを特徴とする、不揮発性メモリ装置のページバッファ。 - 前記出力ドライブ回路は、
前記ラッチノードの電圧によって、前記内部データ出力ラインを前記第1基準電位に選択的に連結することを特徴とする、請求項33に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ。 - 前記ラッチノードと前記第2基準電位との間に直列に連結され、前記内部データ入力ラインに連結されるゲートを含む少なくとも一つのトランジスタをさらに備えることを特徴とする、請求項33に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ。
- 前記少なくとも一つのトランジスタは、前記ラッチノードと前記第2基準電位との間に直列に連結される第1および第2トランジスタを備え、
前記第1トランジスタの導電状態は前記内部入力ラインによって制御され、前記第2トランジスタの導電状態はアドレスラインによって制御されることを特徴とする、請求項35に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ。 - 不揮発性半導体メモリ装置において、
電気的にプログラムおよび消去可能な複数のメモリセル、複数のワードライン、および複数のビットラインを持つメモリセルアレイと;
複数のページバッファと内部データ出力ラインとを持つ少なくとも一つのページバッファブロックであって、前記ページバッファのそれぞれはビットラインに連結され、複数のバッファ選択信号のなかで少なくとも一つに応答してイネーブルされ、前記ページバッファのそれぞれはビットライン上のデータに対応して、自分のラッチノードに記憶し、前記内部データ出力ラインは前記複数のページバッファに共有され、イネーブルされるページバッファのラッチノード上のデータによってドライビングされ、前記内部データ出力ラインは前記ページバッファのラッチノードから電気的に隔離されるようになった、前記少なくとも一つのページバッファブロックとを備えることを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファのそれぞれは、
前記ラッチノードを持つラッチユニットと;
前記バッファ選択アドレスのなかで前記少なくとも一つに応答してイネーブルされ、前記ラッチノードに記憶されたデータに対応して前記内部データ出力ラインにドライビングする出力ドライビングユニットとを備えることを特徴とする、請求項37に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファのそれぞれは、
第1および第2内部データラインと;
前記第1および第2内部入力ラインにそれぞれゲートされる第1および第2ラッチ伝送トランジスタを含むラッチ伝送ユニットとをさらに備え、
前記第1および第2ラッチ伝送トランジスタは、前記ページバッファの前記ラッチノードおよび反転されたラッチノードのそれぞれの電圧を設定するように、前記第1および第2内部データ入力ラインにそれぞれ応答することを特徴とする、請求項38に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファのそれぞれは、
前記バッファ選択アドレスに応答してゲートされ、所定のバッファ入力パスを介して、外部から印加されるデータと独立的なラッチドライビング電圧を前記ラッチ伝送ユニットに提供するようになったラッチドライビングユニットをさらに備え、
前記バッファ入力パスは、前記内部データ出力ラインから電気的に隔離されることを特徴とする、請求項39に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファのそれぞれは、
前記ビットライン上のデータに応答して所定のセンセング応答電圧を前記ラッチ伝送ユニットに提供するセンシング応答ユニットを備え、
前記センシング応答電圧は、前記ラッチノードに記憶されるデータのフリップを誘発するのに十分な電圧であることを特徴とする、請求項40に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ラッチ伝送ユニットは、
前記第1内部データ入力ライン上の前記データに応答して、前記ラッチユニットに前記ラッチドライビング電圧または前記センシング応答電圧を選択的に提供する第1ラッチ伝送トランジスタと;
前記第2内部データ入力ライン上のデータに応答して、前記ラッチユニットに前記ラッチドライビング電圧または前記センシング応答電圧を選択的に提供する第2ラッチ伝送トランジスタとを備えることを特徴とする、請求項41に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記センシング応答ユニットは、
前記ビットライン上のデータに応答してゲートされるセンシング応答トランジスタと;
前記センシング応答トランジスタに直列に連結される出力センシングトランジスタとを備え、
前記出力センシングトランジスタは、
前記ページバッファを選択するのに使用される読み出しラッチ信号に応答して、前記ラッチノードに記憶される前記ビットライン上のデータに対応するデータを制御することを特徴とする、請求項42に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファのそれぞれは、
前記ビットライン上の前記データに対応するデータを前記センシング応答ユニットに提供する前記ビットラインに連結されるセンシングノードと;
前記センシングノードをセッティング電圧に調節するためのセンシングセッティングユニットとをさらに備えることを特徴とする、請求項42に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 同一のページバッファブロック内に含まれる前記複数のページバッファは第1方向に並置され、
前記内部データ出力ラインは前記第1方向に長く延長されることを特徴とする、請求項37に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 第1グローバル入力ラインと;
特定動作区間で、前記第1グローバル入力ラインの論理状態と反対の論理状態を持つ第2グローバル入力ラインと;
メイン選択アドレスおよびサブ選択アドレスに応答してイネーブルされるページバッファデコーダとをさらに備え、
前記ページバッファデコーダは、イネーブルされる時、前記第1および第2グローバル入力ライン上のデータに対応するデータをそれぞれ前記第1および第2内部データ入力ラインに提供する前記ページバッファデコーダをさらに備えることを特徴とする、請求項37に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファデコーダは、
前記メイン選択アドレスと前記サブ選択アドレスの論理演算を行い、前記メイン選択アドレスと前記サブ選択アドレスとがともにアクティブ状態である時、アクティブになるブロックデコーディング信号を出力する第1デコーダ論理ゲートと;
前記ブロックデコーディング信号に応答してイネーブルされ、論理演算結果を前記第1グローバル入力ラインのデータに応答して前記第1内部データ入力ラインに提供するようになった第2デコーダ論理ゲートと;
前記ブロックデコーディング信号に応答してイネーブルされ、前記第2グローバル入力ライン上のデータに応答して論理演算結果を前記第2内部データ入力ラインに提供するようになった第3デコーダ論理ゲートとを備えることを特徴とする、請求項46に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記第1デコーダ論理ゲートはNANDゲートであり、
前記第2および第3デコーダ論理ゲートはNORゲートであることを特徴とする、請求項47に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - グローバル出力ラインと;
メイン選択アドレスとサブ選択アドレスとに応答してイネーブルされるページバッファデコーダとをさらに備え、
前記ページバッファデコーダは、イネーブルされる時、前記内部データ出力ライン上のデータを前記グローバル出力ラインに提供することを特徴とする、請求項37に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記ページバッファデコーダは、
前記メイン選択アドレスと前記サブ選択アドレスの論理演算を行い、前記メイン選択アドレスと前記サブ選択アドレスとがともにアクティブ状態である時、アクティブになるブロックデコーディング信号を出力するための第1デコーダ論理ゲートと;
前記ブロックデコーディング信号に応答して前記内部出力データライン上のデータを前記グローバル出力ラインに提供するためのデコーダトランジスタとを備えることを特徴とする、請求項49に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
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