JP2006080116A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の強磁性層、第２の強磁性層、及び該第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に位置するバリア層を有する積層構造、並びに、該第１の強磁性層の側に位置する基板を含む磁気抵抗効果素子であって、
   前記バリア層は、該層の厚さ方向において、（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムを有し、
   前記第１の強磁性層は、ＣｏＦｅＢを含有する、ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
2. 前記第１の強磁性層は、前記バリア層の成膜時にアモルファスである、ことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
3. 前記バリア層は、酸化マグネシウムターゲットを用いたスパッタリング法で成膜された層である、ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
4. 第１の多結晶強磁性層、
   第２の多結晶強磁性層、
   前記第１の多結晶強磁性層と第２の多結晶強磁性層との間に位置し、層の厚さ方向において、（００１）面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を有する積層構造、並びに
   前記第１の多結晶強磁性層の側に位置する基板
   を有する、ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
5. 第１の強磁性層、第２の強磁性層、及び該第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に位置するバリア層を有する積層構造を含む磁気抵抗効果素子であって、
   少なくとも表面がアモルファス状態の第１の強磁性層を形成する第１工程と、その上に酸化マグネシウム層を形成する第２工程と、少なくとも前記第２工程後に、アニーリング処理を施す第３工程と、を含む製造工程を経て形成されたものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
6. ワード線、
   前記ワード線と交差配置したビット線、並びに、
   前記ワード線と前記ビット線との間を接続するように配置した磁気抵抗効果素子及びトランジスタを有するＭＲＡＭであって、
   前記磁気抵抗効果素子は、第１の多結晶強磁性層、第２の多結晶強磁性層及び前記第１の多結晶強磁性層と第２の多結晶強磁性層との間に位置し、層の厚さ方向において、（００１）面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を有する積層構造を有する、ことを特徴とするＭＲＡＭ。
7. 強磁性層と該強磁性層上のバリア層とから成る積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
   少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜し、スパッタリング法を用いて、該強磁性層との界面から該強磁性層とは反対側の界面まで厚さ方向において、（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムを有するバリア層を成膜する工程を有する、ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
8. 前記強磁性層は、ＣｏＦｅＢを含有する、ことを特徴とする請求項７に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
9. 前記バリア層を成膜する工程は、スパッタリング法を用いて酸化マグネシウム層を成膜する工程と、アニーリング処理を行う工程と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
10. ロボット搬送装置を備えた搬送チャンバ、
    前記搬送チャンバとゲートバルブを介して接続配置し、強磁性体ターゲットを用いたスパッタリング法により、アモルファス又は多結晶の強磁性体層を成膜するように為した第１の成膜チャンバ、
    前記搬送チャンバとゲートバルブを介して接続配置し、反強磁性体ターゲットを用いたスパッタリング法により、反強磁性体層を成膜するように為した第２の成膜チャンバ、
    前記搬送チャンバとゲートバルブを介して接続配置し、スパッタリング法により、成膜層の厚さ方向において、（００１）面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を成膜するように為した第３の成膜チャンバ、並びに、
    基板の上に、前記反強磁性層、前記酸化マグネシウム層及び前記アモルファス又は多結晶の強磁性層を積層するように為した搬送機構を有する、ことを特徴とする磁性多層膜作製装置。