JPH06196648A - 配向性強誘電体薄膜素子 - Google Patents

配向性強誘電体薄膜素子

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JPH06196648A
JPH06196648A JP4358050A JP35805092A JPH06196648A JP H06196648 A JPH06196648 A JP H06196648A JP 4358050 A JP4358050 A JP 4358050A JP 35805092 A JP35805092 A JP 35805092A JP H06196648 A JPH06196648 A JP H06196648A
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mgo
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substrate
oriented
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Keiichi Nashimoto
恵一 梨本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板上に、金属薄膜を設けた配向性強
電体薄膜素子を提供することを目的とし、本発明により
高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変
調素子などの素子を半導体基板上に作製することができ
る。 【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶基
板上にエピタキシャルまたは配向性のバッファ薄膜が形
成され、その上にエピタルシャルまたは配向性の金属薄
膜が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配
向性の強誘電体薄膜が形成された構造を有する。半導体
単結晶基板にはＳｉまたはＧａＡｓが使用でき、バッフ
ア薄膜にはＭｇＯまたはＭｇＡｌ2 Ｏ4 が使用でき、金
属薄膜にはＰｄ、Ｐｔ、Ａｌ、ＡｕまたはＡｇが使用で
き、強誘電体薄膜にはＡＢＯ3 型ペロブスカイトが使用
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の技術分野】この発明は、エピタキシャルまた
は配向性のバッファ層と金属層を用い、半導体単結晶基
板上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形
成したものであって、不揮発性メモリーやキャパシタ
ー、または光変調素子などを半導体基板上に作製する場
合に使用することができる配向性強誘電体薄膜素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物強誘電体薄膜は、強誘電体
のもつ強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果などの
多くの性質により不揮発性メモリーを始めとして、表面
弾性波素子、赤外線焦電素子、音響光学素子、電気光学
素子など多くの応用が期待されている。これらの応用の
うち、薄膜光導波路構造での低光損失化と単結晶並みの
分極特性や電気光学効果を得るために単結晶薄膜の作製
が不可欠である。それゆえ、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ
3 、Ｐｂ1-x Ｌａx （Ｚｒy Ｔｉ1-y ）1-x/4 Ｏ3 （Ｐ
ＬＺＴ）、ＬｉＮｂＯ3 、ＫＮｂＯ3 、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ
12などのエピタキシャル強誘電体薄膜が、Ｒｆ−マグネ
トロン・スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタリ
ング、レーザー・アブレーション、有機金属化学蒸着
（ＭＯＣＶＤ）などの方法によって酸化物単結晶基板に
形成することが数多く試みられている。
【０００３】ところが、半導体素子との集積化のために
は、半導体基板上に強誘電体薄膜を作製することが必要
である。半導体基板上に強誘電体薄膜をエピタキシャル
成長させることは、高成長温度、半導体と強誘電体との
間の相互拡散、半導体の酸化などの為に難しい。さら
に、ＧａＡｓ基板上に強誘電体薄膜をエピタキシャル成
長させることは、次のような理由で難しい。すなわち、
ＧａＡｓは４００℃以上では表面のＡｓが減少し、６９
０℃以上ではＡｓ4 雰囲気なしではＡｓとＧａの一層ず
つの昇華が始まることが知られている。また、ＧａＡｓ
基板上への強誘電体薄膜作製の報告は極めて数少なく、
ＰＬＺＴをＧａＡｓ基板上に成長させた際には、Ｐｂの
ＧａＡｓへの拡散が検出されている。これらの理由のた
め、低温で半導体基板上でエピタキシャル成長し、強誘
電体薄膜のエピタキシャル成長を助け、かつ拡散バリア
としても働くキャッピング層をバッファ層として半導体
基板上に形成することが必要である。
【０００４】これに対して、特開昭６１−１８５８０８
号公報には、Ｓｉ（１００）単結晶上にスピネルＭｇＡ
ｌ2 Ｏ4 （１００）または酸化マグネシウムＭｇＯ（１
００）をバッファ層としてエピタキシャル成長した基板
上に、強誘電体化合物をエピタキシャル成長させること
が開示されている。しかしながら、この場合には、強誘
電体薄膜とＭｇＡｌ2 Ｏ4 またはＭｇＯとの間に電極が
存在しないために、素子への応用が限られていた。ま
た、特開平３−２６２１７３号公報には、半導体単結晶
基板の（１１１）面上に（１１１）配向性の貴金属薄膜
を形成し、その上に（１１１）配向性の強誘電体薄膜を
形成することが記載されているが、この場合、半導体と
金属の反応を避けることが困難であるという問題があっ
た。
【０００５】一方、白金（Ｐｔ）はＭｇＯ単結晶基板に
エピタキシャル成長できることが知られており、例え
ば、Ｋ．Ｉｉｊｉｍａ他；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６
０（１９８６）ｐ３６１には、（１００）配向性のＰｔ
をＭｇＯ（１００）単結晶基板にエピタキシャル成長さ
せることが記載されている。また、本発明者等は、先
に、化学的に極めて安定なＭｇＯを半導体基板上にエピ
タキシャル成長させることを提案した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来、
半導体単結晶を基板とし、金属薄膜を設けた配向性強電
体薄膜素子は知られていなく、その作製が困難であって
未だ実現しておらず、その実現が求められていた。本発
明は、従来の技術における上記のような実情に鑑みてな
されたものである。したがって、本発明の目的は、半導
体基板上に、金属薄膜を設けた配向性強電体薄膜素子を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等はさらに検討
を続けた結果、半導体単結晶基板上に、エピタキシャル
または配向性のＭｇＯまたはＭｇＡｌ2 Ｏ4 よりなるバ
ッファ薄膜を形成すると、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ等の金属がエピタキシャルまたは配向性をもって形成
することを見出だし、本発明を完成した。したがって、
本発明の配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶基板
上にエピタキシャルまたは配向性のバッファ薄膜が形成
され、その上にエピタルシャルまたは配向性の金属薄膜
が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向
性の強誘電体薄膜が形成されてなることを特徴とする。
【０００８】以下、本発明について詳記する。本発明に
おいて、半導体単結晶基板としては、単体半導体または
化合物半導体よりなるものが使用される。単体半導体と
しては、Ｓｉ、Ｇｅ、ダイアモンド等があげられ、化合
物半導体としては、III −Ｖ系の化合物半導体であるＡ
ｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＬｎＰ、Ａ
ｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡ
ｓ、ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ等、お
よびII−VI系の化合物半導体であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ、
ＺｎＴｅ、ＣａＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、
ＣｄＳ等があげられる。
【０００９】上記半導体単結晶基板上に形成されるエピ
タキシャルまたは配向性のバッファ薄膜としては、Ｍｇ
ＯまたはＭｇＡｌ2 Ｏ4 が好ましいものとして使用され
る。このバッファ薄膜は、電子ビーム蒸着、フラッシュ
蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ−マグネトロン・
スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタリング、レ
ーザー・アブレーション、モレキュラー・ビーム・エピ
タキシー（ＭＢＥ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣ
ＶＤ、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）等より選ばれる
気相成長法およびゾルゲル法等のウエット・プロセスに
よって作製することができる。
【００１０】上記バッファ薄膜上に形成されるエピタキ
シャルまたは配向性の金属薄膜は、電子ビーム蒸着、フ
ラッシュ蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ−マグネ
トロン・スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタリ
ング、レーザー・アブレーション、モレキュラー・ビー
ム・エピタキシー（ＭＢＥ）等より選ばれる気相成長法
によって作製することができる。
【００１１】使用される金属としては、バッファ薄膜お
よび強誘電体に格子定数が近いものが好ましい。例え
ば、バッファ薄膜がＭｇＯまたはＭｇＡｌ2 Ｏ4 よりな
り、強誘電体がＢａＴｉＯ3 またはＰｂＴｉＯ3 の場合
には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇが好ましいものと
して使用される。（後記表１参照）
【００１２】金属薄膜の上には、エピタキシャルまたは
配向性の強誘電体薄膜が形成されるが、強誘電体として
はＡＢＯ3 型ペロブスカイト構造を有するものが使用さ
れる。具体的には、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ
1-x Ｌａx （Ｚｒy Ｔｉ1-y）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺ
Ｔ）、ＬｉＮｂＯ3 、ＫＮｂＯ3 、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12な
どがあげられる。この強誘電体薄膜は、電子ビーム蒸
着、フラッシュ蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ−
マグネトロン・スパッタリング、イオン・ビーム・スパ
ッタリング、レーザー・アブレーション、モレキュラー
・ビーム・エピタキシー（ＭＢＥ）、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤ、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶ
Ｄ）等より選ばれる気相成長法およびゾルゲル法等のウ
エット・プロセスによって作製することができる。
【００１３】なお、本発明において、好ましく使用でき
る材料の結晶構造および格子定数を表１に示す。
【表１】
【００１４】本発明における好ましい強誘電体薄膜素子
としては、半導体単結晶基板上にエピタキシャルまたは
配向性のＭｇＯバッファ層が形成され、その上にエピタ
キシャルまたは配向性の金属層が形成され、さらにその
上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトＡＢ
Ｏ3 型強誘電体薄膜が形成されたものをあげることがで
きる。
【００１５】本発明の配向性強誘電体薄膜素子は、上記
の構成を有するから、半導体単結晶基板上におけるバッ
ファ層および金属薄膜よりなる二重層が、強誘電体薄膜
のエピタキシャル成長を助け、かつ拡散バリアとしても
働き、かつ金属薄膜が、強誘電体薄膜を使用した素子に
おける下部電極としても作用する。
【００１６】
【実施例】実施例１ ＧａＡｓ基板へのエピタキシャル層の形成を、ターゲッ
ト表面をＵＶレーザー・パルスにより瞬間的に加熱し蒸
着を行うエキシマ・レーザー・デポジション法によって
行った。レーザーはＸｅＣｌエキシマ・レーザー（波長
３０８ｎｍ）を用い、パルス周期４Ｈｚ、パルス長１７
ｎｓ、エネルギー１３０ｍＪ（ターゲット表面でのエネ
ルギー密度１．３Ｊ／ｃｍ2 ）の条件とした。ターゲッ
トと基板の距離は５０ｍｍであった。ターゲットとして
は、ＰｂＴｉＯ3 、ＰｔおよびＭｇＯは、波長３０８ｎ
ｍに吸収を持たないために金属Ｍｇを用いた。ＭｇＯは
１０ｅＶ以上の高い結合エネルギーを持っているため、
Ｏ2 を成膜中に導入し、それによってＭｇは容易に酸化
された。基板はハロゲン・ランプによって加熱した。Ｇ
ａＡｓ基板としては、ｎ型、（１００）±０．２°、６
×６ｍｍのウエハーを用いた。これらの基板は溶剤洗浄
の後、Ｈ2 ＳＯ4 系の溶液にてエッチングを行った。さ
らにこの基板を脱イオン水とエタノールでリンスし、最
後に窒素流下でエタノールによるスピン乾燥を行った。
エッチング後に脱イオン水リンスで形成されたＧａＡｓ
基板表面の単層酸化膜は、パッシベーション層として働
き、また５８２℃で解離するという報告がある。したが
って、スピン乾燥後に基板を直ちにデポジション・チャ
ンバーに導入し、一定温度、バックグラウンド圧力３×
１０-7Ｔｏｒｒにて加熱を行ってＧａＡｓ表面の不動体
層の脱離（昇華）をはかり、続いて１００〜１０００オ
ングストロームの厚さにＭｇＯの成膜を行った。
【００１７】Ｘ線回折によって解析すると、成膜したＭ
ｇＯは広い範囲の条件にて（１００）面単一配向のエピ
タキシャル膜となったが、特に２５０〜４５０℃、５×
１０-6〜１×１０-4Ｔｏｒｒ Ｏ2 の条件で良質な薄膜
になった。ＭｇＯとＧａＡｓの面内結晶方位の関係を同
定するために、Ｘ線回折ファイ・スキャンを行った。立
方晶において（１００）面に対して４５°の角度をもつ
（２０２）面についてのファイ・スキャンは、ＭｇＯ
（１００）／ＧａＡｓ（１００）のＭｇＯに対して９０
°の回転周期をもつシャープなピークを示し、この位置
はＧａＡｓのピーク位置に一致した。これらのことか
ら、ＭｇＯとＧａＡｓとの結晶学的関係は、格子不整が
２５．５％となるにもかかわらず、ＭｇＯとＧａＡｓの
結晶方位の関係は、ＭｇＯ（１００）//ＧａＡｓ（１０
０）、面内方位ＭｇＯ［００１］//ＧａＡｓ［００１］
であることが分かった。
【００１８】ＭｇＯとＧａＡｓ基板の界面を高分解能透
過型電子顕微鏡にて観察すると、ＭｇＯ−ＧａＡｓ界面
ではＭｇＯ：ＧａＡｓ＝４：３の格子整合による二次元
超格子が形成されており、界面には二次層などの生成は
なく急峻な界面であった。４：３の格子整合を考える
と、ＭｇＯ：ＧａＡｓ＝４：３では０．７％となり、大
きな格子不整合を持つにもかかわらず、膜内応力が緩和
されてＭｇＯ［００１］//ＧａＡｓ［００１］のエピタ
キシャル成長が実現されたと考えられる。
【００１９】次に、５００〜７００℃、バックグラウン
ド圧力３×１０-7Ｔｏｒｒの条件で、Ｐｔ結晶をＭｇＯ
薄膜に対してエピタキシャル成長させた。ＭｇＯバッフ
ァ層上にその場成長した膜厚５００〜２０００オングス
トロームのＰｔ薄膜は、Ｘ線回折によると、結晶方位の
関係が、Ｐｔ（１００）//ＭｇＯ（１００）//ＧａＡｓ
（１００）、面内方位Ｐｔ［００１］//ＭｇＯ［００
１］//ＧａＡｓ［００１］であった。さらに、６００〜
８００℃、１×１０-4〜１×１０-2Ｔｏｒｒ Ｏ2 の条
件で、ＰｂＴｉＯ3 結晶をエピタキシャルまたは配向性
成長させて、Ｐｔ薄膜上にその場成長した膜厚５００〜
５０００オングストロームのＰｂＴｉＯ3 薄膜を形成し
た。Ｘ線回折パターンを解析すると、ＰｂＴｉＯ3 はほ
ぼ完全なｃ軸配向性であり、結晶方位の関係は、ＰｂＴ
ｉＯ3 （００１）//Ｐｔ（１００）//ＭｇＯ（１００）
//ＧａＡｓ（１００）およびＰｂＴｉＯ3 ［０１０］//
Ｐｔ［００１］//ＭｇＯ［００１］//ＧａＡｓ［００
１］であった。
【００２０】得られた強誘電体薄膜素子について、図１
にその模式的断面図を示す。なお、図において、１はＧ
ａＡｓ単結晶基板（ジンク・ブレンド構造）、２はＭｇ
Ｏ薄膜（ＮａＣｌ構造）、３はＰｔ薄膜（面心立方構
造）、４はＰｂＴｉＯ3 薄膜（ペロブスカイト構造）で
ある。
【００２１】走査型電子顕微鏡によって観察したＰｂＴ
ｉＯ3 の表面は、極めて平滑であった。このことから、
このＰｂＴｉＯ3 膜は、その表面平滑性においては、光
導波路として良好な低光減衰特性を示すことを意味す
る。また、１０００オングストローム−Ｐｔ／３０００
オングストローム−ＰｂＴｉＯ3 ／１０００オングスト
ローム−Ｐｔ／１０００オングストローム−ＭｇＯ／Ｇ
ａＡｓのキャパシター構造において、Ｐｔ間に電圧を印
加することにより、ＰｂＴｉＯ3 の分極特性を測定する
と、この構造によるＰ−Ｅ特性はヒステリシス・ループ
を示し、ＰｂＴｉＯ3 は構造解析によって推定したよう
に、分極軸が単結晶ＧａＡｓ基板に垂直に配向した強誘
電相（正方晶）であることが分かった。
【００２２】実施例２ ＳｉへのエピタキシャルＭｇＯバッファ層の形成を上記
実施例１とほぼ同様に行った。Ｓｉ基板として、ｎ型ま
たはｐ型、（１００）面、６×６ｍｍのウエハーを用い
た。ＭｇＯバッファ層が形成された基板を、先の実施例
１とほぼ同様に溶剤洗浄した後、ＨＦによるエッチン
グ、乾燥を行い、基板を直ちにデポジション・チャンバ
ーに導入し、一定温度、バックグラウンド圧力３×１０
-7Ｔｏｒｒ、５００℃以上にて加熱を行ってＳｉ表面の
Ｈ不動体層の脱離（昇華）をはかった。続いてＭｇＯを
２００〜６００℃、１×１０-6〜１×１０-3Ｔｏｒｒ
Ｏ2の条件にて約５００オングストロームの厚さにＭｇ
Ｏを成膜し、ＭｇＯとＳｉの面内結晶方位の関係が、Ｍ
ｇＯ（１００）//Ｓｉ（１００）、ＭｇＯ［００１］//
Ｓｉ［００１］であるエピタキシャル薄膜を得た。次
に、５００〜７００℃、バックグラウンド圧力３×１０
-7の条件でＭｇＯバッファー層上に膜厚１０００〜２０
００オングストロームのＰｔ薄膜をその場エピタキシャ
ル成長させ、Ｐｔ（１００）//ＭｇＯ（１００）//Ｓｉ
（１００）、Ｐｔ［００１］//ＭｇＯ［００１］//Ｓｉ
［００１］の結晶方位の関係を得た。
【００２３】続いて、６００〜８００℃、１×１０-4〜
１×１０-2Ｔｏｒｒ Ｏ2 の条件でＰｂＴｉＯ3 をｃ軸
配向成長させ、Ｐｔ薄膜上にその場成長した膜厚１００
０〜３０００オングストロームのＰｂＴｉＯ3 膜を形成
した。Ｘ線回折パターンによって同定したＰｂＴｉＯ3
とＰｔ／ＭｇＯ／Ｓｉの結晶方位の関係は、ＰｂＴｉＯ
3 （００１）//Ｐｔ（１００）//ＭｇＯ（１００）//Ｓ
ｉ（１００）、ＰｂＴｉＯ3 ［１００］//Ｐｔ［００
１］//ＭｇＯ［００１］//Ｓｉ［００１］であった。
【００２４】また、同様にしてＰｂ1-x Ｔｉx Ｏ3 （Ｐ
ＺＴ）およびＰｂ1-x Ｌａx （Ｚｒy Ｔｉ1-y ）1-x/4
Ｏ3 （ＰＬＺＴ）についても、Ｓｉ基板上に、エピタキ
シャルＭｇＯバッファ層およびＰｔ薄膜を介してエピタ
キシャル成長させることができた。なお、この実施例に
おいては結晶方位の関係としてＰｂＴｉＯ3 （００１）
//Ｐｔ（１００）//ＭｇＯ（１００）//Ｓｉ（１０
０）、ＰｂＴｉＯ3 ［００１］//Ｐｔ［１００］//Ｍｇ
Ｏ［１００］//Ｓｉ［１００］が得られたが、結晶方位
の関係はこれに限定されるものではなく、例えば、結晶
方位の関係がＡＢＯ3 （１１１）//金属（１１１）//Ｍ
ｇＯ（１１１）//半導体（１１１）のエピタキシャルま
たは配向性の関係も可能である。
【００２５】なお、上記実施例では、成膜にはエキシマ
・レーザー・デポジション法を用いたが、成膜プロセス
はこれに限定されるものではなく、Ｒｆ−マグネトロン
・スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタリング、
電子ビーム蒸着、フラッシュ蒸着、イオン・プレーティ
ング、モレキュラー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）、
イオン化クラスター・ビーム・エピタキシ、化学気相成
長法（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤなどの気相成長法およびゾルゲル
法などのウエット・プロセスが同様に有効に使用でき
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明においては、半導体単結晶基板上
に、バッファ薄膜および金属薄膜よりなる二層構造が形
成され、これが強誘電体薄膜のエピタキシャル成長を助
け、かつ拡散バリアとしても働くので、半導体単結晶基
板上で強誘電体薄膜の配向成長が可能になる。また、金
属薄膜が形成されているので、強誘電体薄膜を使用した
素子において、金属薄膜が下部電極として働き、高機能
の不揮発性メモリーやキャパシターとして使用できる。
さらに、本発明の配向性強誘電体薄膜素子は、配向が制
御できるので、大きな残留分極値や大きな電気光学定数
等を得ることができ、また、強誘電体スイッチング素子
と半導体集積回路とを組み合わせた三次元素子の作製が
可能になる。また、強誘電体の屈折率は、一般に半導体
よりも小さいが、強誘電体と半導体間の金属薄膜によっ
て、半導体レーザー光を強誘電体薄膜光導波路中に閉じ
込めることが可能になり、本発明の配向性強誘電体薄膜
素子を利用して光変調素子をＧａＡｓ系半導体基板レー
ザー素子上に作製したり、光集積回路をＳｉ半導体集積
回路上に作製することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１の配向性強誘電体薄膜素子の模式的
断面図である。
【符号の説明】
１…ＧｓＡｓ単結晶基板、２…ＭｇＯ薄膜、３…Ｐｔ薄
膜、４…ＰｂＴｉＯ3薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/108

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体単結晶基板上にエピタキシャルま
    たは配向性のバッファ薄膜が形成され、その上にエピタ
    ルシャルまたは配向性の金属薄膜が形成され、さらにそ
    の上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜が形
    成されてなることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素
    子。
  2. 【請求項２】 前記半導体単結晶基板が、単体半導体ま
    たは化合物半導体である請求項１記載の配向性強誘電体
    薄膜素子。
  3. 【請求項３】 前記半導体単結晶基板が、ＳｉまたはＧ
    ａＡｓである請求項１記載の配向性強誘電体薄膜素子。
  4. 【請求項４】 前記バッフア薄膜素子がＭｇＯまたはＭ
    ｇＡｌ2 Ｏ4 である請求項１記載の配向性強誘電体薄膜
    素子。
  5. 【請求項５】 前記金属薄膜が、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａ
    ｕおよびＡｇよりなる群から選ばれる請求項１記載の配
    向性強誘電体薄膜素子。
  6. 【請求項６】 前記強誘電体薄膜がＡＢＯ3 型ペロブス
    カイトである請求項１記載の配向性強誘電体薄膜素子。
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