JPH10120494A - 強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
強誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH10120494A JPH10120494A JP8279514A JP27951496A JPH10120494A JP H10120494 A JPH10120494 A JP H10120494A JP 8279514 A JP8279514 A JP 8279514A JP 27951496 A JP27951496 A JP 27951496A JP H10120494 A JPH10120494 A JP H10120494A
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- ferroelectric thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶半導体基板上に高品質のエピタキシャ
ルまたは高配向のエピタキシャル薄膜を形成する。 【解決手段】 本発明の第１の特徴は、スパッタリング
装置内にＭｇＯ薄膜形成用のターゲットおよび ＡＢＯ3
型ペロブスカイト強誘電体薄膜形成用の複数のターゲッ
トを用意する工程と、前記スパッタリング装置内で、単
結晶半導体基板１上に、スパッタリング法によりバッフ
ァ層としてのＭｇＯ薄膜２を形成するバッファ層形成工
程と、スパッタリング装置を開くことなく連続してスパ
ッタリング法により、 前記バッファ層上にＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜３を形成する強誘電体薄膜形
成工程とを含むことを特徴とする。
ルまたは高配向のエピタキシャル薄膜を形成する。 【解決手段】 本発明の第１の特徴は、スパッタリング
装置内にＭｇＯ薄膜形成用のターゲットおよび ＡＢＯ3
型ペロブスカイト強誘電体薄膜形成用の複数のターゲッ
トを用意する工程と、前記スパッタリング装置内で、単
結晶半導体基板１上に、スパッタリング法によりバッフ
ァ層としてのＭｇＯ薄膜２を形成するバッファ層形成工
程と、スパッタリング装置を開くことなく連続してスパ
ッタリング法により、 前記バッファ層上にＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜３を形成する強誘電体薄膜形
成工程とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体薄膜の製
造方法に係り、特に単結晶半導体基板上にエピタキシャ
ルまたは高配向性をもつ強誘電体薄膜を形成する方法に
関する。
造方法に係り、特に単結晶半導体基板上にエピタキシャ
ルまたは高配向性をもつ強誘電体薄膜を形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物強誘電体薄膜は強誘電体の
持つ強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果など多く
の性質により不揮発性メモリーを始めとして表面弾性波
素子、赤外線焦電素子、音響光学素子など多くの応用が
期待されている。これらの応用のうち、薄膜光導波路構
造での低光損失化と単結晶並の分極特性や電気光学効果
を得るために単結晶薄膜の作成が不可欠である。 その
ため、ＢｉＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ1-XＬａX（Ｚｒ
1-YＴｉY）(1-X)/4Ｏ3（ＰＬＺＴ）、ＬｉＮｂＯ3、Ｋ
ＮｂＯ3、 Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12などのエピタキシャル強誘電
体薄膜がＲＦマグネトロンスパッタリング、イオンビー
ムスパッタリング、レーザアブレーション、有機金属化
学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）などの方法によって酸化物単結
晶基板に数多く形成されている。しかし、半導体素子と
の集積化のためには半導体基板上への強誘電体薄膜の形
成が必要である。半導体基板上への強誘電体薄膜のエピ
タキシャル成長は、成長温度が高いこと、半導体基板と
強誘電体との間で相互拡散が生じ易いこと、半導体基板
が酸化し易いことなどのために困難である。特にＧａＡ
ｓを成長させる場合は、４００℃以上では、表面のＡｓ
が減少し、 ６９０℃以上ではＡｓ4ガス雰囲気なしでは
ＡｓとＧａの１層づつの昇華が始まることが知られてい
る。また、ＧａＡｓ基板上への強誘電体薄膜の成長の報
告はきわめて数少ないがＰＬＺＴがＧａＡｓ基板上に成
長した際にはＰｂのＧａＡｓへの拡散が検出されてい
る。
持つ強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果など多く
の性質により不揮発性メモリーを始めとして表面弾性波
素子、赤外線焦電素子、音響光学素子など多くの応用が
期待されている。これらの応用のうち、薄膜光導波路構
造での低光損失化と単結晶並の分極特性や電気光学効果
を得るために単結晶薄膜の作成が不可欠である。 その
ため、ＢｉＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ1-XＬａX（Ｚｒ
1-YＴｉY）(1-X)/4Ｏ3（ＰＬＺＴ）、ＬｉＮｂＯ3、Ｋ
ＮｂＯ3、 Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12などのエピタキシャル強誘電
体薄膜がＲＦマグネトロンスパッタリング、イオンビー
ムスパッタリング、レーザアブレーション、有機金属化
学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）などの方法によって酸化物単結
晶基板に数多く形成されている。しかし、半導体素子と
の集積化のためには半導体基板上への強誘電体薄膜の形
成が必要である。半導体基板上への強誘電体薄膜のエピ
タキシャル成長は、成長温度が高いこと、半導体基板と
強誘電体との間で相互拡散が生じ易いこと、半導体基板
が酸化し易いことなどのために困難である。特にＧａＡ
ｓを成長させる場合は、４００℃以上では、表面のＡｓ
が減少し、 ６９０℃以上ではＡｓ4ガス雰囲気なしでは
ＡｓとＧａの１層づつの昇華が始まることが知られてい
る。また、ＧａＡｓ基板上への強誘電体薄膜の成長の報
告はきわめて数少ないがＰＬＺＴがＧａＡｓ基板上に成
長した際にはＰｂのＧａＡｓへの拡散が検出されてい
る。
【０００３】これらの理由のために、低温下で半導体基
板上にエピタキシャル成長し得、強誘電体薄膜のエピタ
キシャル成長を助け、かつ拡散バリアとしても働く半導
体へのキャッピング層が必要となる。さらに強誘電体と
半導体との間に絶縁体を形成したＦＥＴ素子において、
強誘電体の分極時の半導体からの電荷の注入を防ぐこと
ができ、強誘電体の分極状態を維持することが容易とな
る。また、強誘電体の屈折率は一般にＧａＡｓよりも小
さいが、強誘電体よりも小さい屈折率を持つバッファ層
を得ることができれば、半導体レーザ光を強誘電体薄膜
光導波路中に閉じこめることが可能になり、光変調素子
を半導体レーザ上に作成したり、光集積回路をシリコン
半導体集積回路上に形成したりすることが可能となる。
板上にエピタキシャル成長し得、強誘電体薄膜のエピタ
キシャル成長を助け、かつ拡散バリアとしても働く半導
体へのキャッピング層が必要となる。さらに強誘電体と
半導体との間に絶縁体を形成したＦＥＴ素子において、
強誘電体の分極時の半導体からの電荷の注入を防ぐこと
ができ、強誘電体の分極状態を維持することが容易とな
る。また、強誘電体の屈折率は一般にＧａＡｓよりも小
さいが、強誘電体よりも小さい屈折率を持つバッファ層
を得ることができれば、半導体レーザ光を強誘電体薄膜
光導波路中に閉じこめることが可能になり、光変調素子
を半導体レーザ上に作成したり、光集積回路をシリコン
半導体集積回路上に形成したりすることが可能となる。
【０００４】このような状況の中で、本発明者らは、Ｐ
ＬＤ（Pulsed Laser Deposition)法を用いて（１００）
半導体基板上に（１００）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
薄膜をエピタキシャル成長することが可能となり、さら
にそのＭｇＯをバッファ層として用いることによりその
上にＰｂＴｉＯ3やＢａＴｉＯ3などのペロブスカイト型
ＡＢＯ3薄膜（Ａ：IＡ族、IIＡ族、IIIＡ族 、IVＢ族お
よびVＢ族から選択される元素、Ｂ：IVＡ族およびVＡ族
から選択される元素）をエピタキシャル成長させること
が可能であることを発見し、種々の方法を提案している
（特開平６−１５１６０１号、特開平６−１５１６０２
号、特開平６−３４２９２０号、特開平６−１９６０１
８号）。
ＬＤ（Pulsed Laser Deposition)法を用いて（１００）
半導体基板上に（１００）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
薄膜をエピタキシャル成長することが可能となり、さら
にそのＭｇＯをバッファ層として用いることによりその
上にＰｂＴｉＯ3やＢａＴｉＯ3などのペロブスカイト型
ＡＢＯ3薄膜（Ａ：IＡ族、IIＡ族、IIIＡ族 、IVＢ族お
よびVＢ族から選択される元素、Ｂ：IVＡ族およびVＡ族
から選択される元素）をエピタキシャル成長させること
が可能であることを発見し、種々の方法を提案している
（特開平６−１５１６０１号、特開平６−１５１６０２
号、特開平６−３４２９２０号、特開平６−１９６０１
８号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＬＤ
法では、レーザ光を集光してターゲット表面を瞬間的に
パルス加熱することによって生じるブルームと呼ばれる
プラズマ領域が小さく、そのためわずか数mm角程度の面
積しか均一な膜を得ることができず、良好な光導波特性
を得ることができない、電子ビーム蒸着法では，ＰＬＤ
法と異なり、ターゲットを連続的に加熱するためにター
ゲットの温度が上昇し、 ＰｂＴｉＯ3やＢａＴｉＯ3な
どの複組成のターゲットを用いる場合には組成が変化し
、均一な組成の膜を再現性よく形成するのは困難であ
った。また、ＭｇＯは、水と反応し易く、Ｍｇ（ＯＨ）
2などの水酸化物を形成するものとして知られており、
半導体基板上にエピタキシャル成長したＭｇＯ薄膜を一
旦大気中にさらすと、吸水とそれに伴う有機汚染とがこ
の膜表面に生じ、除去することが困難となる。ＭｇＯ薄
膜の表面の汚染はその上部に成長させるペロブスカイト
型ＡＢＯ3薄膜の成長、特に結晶方位に強く影響を及ぼ
し、ミス配向結晶面の混在や、場合によっては完全に多
結晶となってしまうほど結晶性を悪化させる。
法では、レーザ光を集光してターゲット表面を瞬間的に
パルス加熱することによって生じるブルームと呼ばれる
プラズマ領域が小さく、そのためわずか数mm角程度の面
積しか均一な膜を得ることができず、良好な光導波特性
を得ることができない、電子ビーム蒸着法では，ＰＬＤ
法と異なり、ターゲットを連続的に加熱するためにター
ゲットの温度が上昇し、 ＰｂＴｉＯ3やＢａＴｉＯ3な
どの複組成のターゲットを用いる場合には組成が変化し
、均一な組成の膜を再現性よく形成するのは困難であ
った。また、ＭｇＯは、水と反応し易く、Ｍｇ（ＯＨ）
2などの水酸化物を形成するものとして知られており、
半導体基板上にエピタキシャル成長したＭｇＯ薄膜を一
旦大気中にさらすと、吸水とそれに伴う有機汚染とがこ
の膜表面に生じ、除去することが困難となる。ＭｇＯ薄
膜の表面の汚染はその上部に成長させるペロブスカイト
型ＡＢＯ3薄膜の成長、特に結晶方位に強く影響を及ぼ
し、ミス配向結晶面の混在や、場合によっては完全に多
結晶となってしまうほど結晶性を悪化させる。
【０００６】しかしながら、ＡＢＯ3型ペロブスカイト
強誘電体では、 結晶軸の方向によって屈折率、分極
率、電気光学定数などが異なるために、その結晶軸の方
向を制御することは、良好な強誘電体薄膜デバイス特性
を実現する上で必要となる。さらに光導波路構造のデバ
イスを実現するためには、低光伝搬損失特性を得るため
に単一配向のエピタキシャル薄膜の形成が不可欠とな
る。さらに光導波路構造のデバイスを実現するために
は、低光伝搬損失特性を得るために単一配向のエピタキ
シャル薄膜の形成が不可欠となる。
強誘電体では、 結晶軸の方向によって屈折率、分極
率、電気光学定数などが異なるために、その結晶軸の方
向を制御することは、良好な強誘電体薄膜デバイス特性
を実現する上で必要となる。さらに光導波路構造のデバ
イスを実現するためには、低光伝搬損失特性を得るため
に単一配向のエピタキシャル薄膜の形成が不可欠とな
る。さらに光導波路構造のデバイスを実現するために
は、低光伝搬損失特性を得るために単一配向のエピタキ
シャル薄膜の形成が不可欠となる。
【０００７】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、単結晶半導体基板上に、高品質のエピタキシャル薄
膜または高配向の薄膜を形成することを目的とする。
で、単結晶半導体基板上に、高品質のエピタキシャル薄
膜または高配向の薄膜を形成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、大面積にわた
り、エピタキシャルまたは高配向性を持ち、高品質かつ
均質な強磁性体膜を形成するに際し、スパッタリング技
術を用いて種々の実験を重ねた結果、下地の配向性、下
地表面の状態、およびチャンバー中における酸素の挙動
によって配向性が変化することを発見し、この点に着目
してなされたもので、スパッタリングガスを制御し、バ
ッファ層を配向性よく形成し、さらにこのバッファ層の
表面状態を良好に維持しつつ真空を破ることなく連続的
に強誘電体薄膜を形成する。
り、エピタキシャルまたは高配向性を持ち、高品質かつ
均質な強磁性体膜を形成するに際し、スパッタリング技
術を用いて種々の実験を重ねた結果、下地の配向性、下
地表面の状態、およびチャンバー中における酸素の挙動
によって配向性が変化することを発見し、この点に着目
してなされたもので、スパッタリングガスを制御し、バ
ッファ層を配向性よく形成し、さらにこのバッファ層の
表面状態を良好に維持しつつ真空を破ることなく連続的
に強誘電体薄膜を形成する。
【０００９】そこで本発明の第１の特徴は、スパッタリ
ング装置内にＭｇＯ薄膜形成用のターゲットおよび Ａ
ＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜形成用の複数のタ
ーゲットを用意する工程と、 前記スパッタリング装置
内で、半導体単結晶基板上に、スパッタリング法により
バッファ層としてのＭｇＯ薄膜を形成するバッファ層形
成工程と、スパッタリング装置を開くことなく連続し
て、スパッタリング法により、前記バッファ層上に、
ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜を形成する強誘
電体薄膜形成工程とを含むことにある。ここで、ペロブ
スカイト型ＡＢＯ3薄膜において（Ａ：IＡ族、IIＡ族、
IIIＡ族 、IVＢ族およびVＢ族から選択される元素、
Ｂ：IVＡ族およびVＡ族から選択される元素）である。
ング装置内にＭｇＯ薄膜形成用のターゲットおよび Ａ
ＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜形成用の複数のタ
ーゲットを用意する工程と、 前記スパッタリング装置
内で、半導体単結晶基板上に、スパッタリング法により
バッファ層としてのＭｇＯ薄膜を形成するバッファ層形
成工程と、スパッタリング装置を開くことなく連続し
て、スパッタリング法により、前記バッファ層上に、
ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜を形成する強誘
電体薄膜形成工程とを含むことにある。ここで、ペロブ
スカイト型ＡＢＯ3薄膜において（Ａ：IＡ族、IIＡ族、
IIIＡ族 、IVＢ族およびVＢ族から選択される元素、
Ｂ：IVＡ族およびVＡ族から選択される元素）である。
【００１０】望ましくは、前記バッファ層形成工程は、
不活性ガス圧力０.００１mTorrから０.１Torr、酸素圧
力０から１mTorrの間でスパッタリングを行うことによ
り、（１００）半導体単結晶基板上に（１００）ＭｇＯ
薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工程
は、 （１００）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜
を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、前記バ
ッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜
は、 面内方位が特定方位を有するエピタキシャルな関
係にあることを特徴とする。
不活性ガス圧力０.００１mTorrから０.１Torr、酸素圧
力０から１mTorrの間でスパッタリングを行うことによ
り、（１００）半導体単結晶基板上に（１００）ＭｇＯ
薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工程
は、 （１００）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜
を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、前記バ
ッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜
は、 面内方位が特定方位を有するエピタキシャルな関
係にあることを特徴とする。
【００１１】さらに望ましくは、不活性ガス圧力０.０
０１Torrから０.０１Torr、酸素圧力０でバッファ層形
成のためのスパッタリングを行うことにより、（１０
０）半導体単結晶基板上に（１００）ＭｇＯ薄膜を形成
することにより、より高品質でエピタキシャルなバッフ
ァ層の形成が可能となり、この上層に （１００）ＡＢ
Ｏ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜をエピタキシャル成
長することが可能となる。
０１Torrから０.０１Torr、酸素圧力０でバッファ層形
成のためのスパッタリングを行うことにより、（１０
０）半導体単結晶基板上に（１００）ＭｇＯ薄膜を形成
することにより、より高品質でエピタキシャルなバッフ
ァ層の形成が可能となり、この上層に （１００）ＡＢ
Ｏ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜をエピタキシャル成
長することが可能となる。
【００１２】また望ましくは、前記バッファ層形成工程
は、不活性ガス圧力０.００１mTorrから０.１Torr、酸
素圧力０から１mTorrの間でスパッタリングを行うこと
により、（１１１）半導体単結晶基板上に（１１１）Ｍ
ｇＯ薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成
工程は、 （１１１）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、前
記バッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜は 、面内方位が特定方位を有するエピタキシャル
な関係にあることを特徴とする。
は、不活性ガス圧力０.００１mTorrから０.１Torr、酸
素圧力０から１mTorrの間でスパッタリングを行うこと
により、（１１１）半導体単結晶基板上に（１１１）Ｍ
ｇＯ薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成
工程は、 （１１１）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、前
記バッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜は 、面内方位が特定方位を有するエピタキシャル
な関係にあることを特徴とする。
【００１３】また望ましくは、前記バッファ層形成工程
は、 不活性ガス圧力０から０.１Torr、酸素圧力１mTor
rから１０Torrの間でスパッタリングを行うことによ
り、 （１１１）半導体単結晶基板上に（１００）Ｍｇ
Ｏ薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工
程は、 （１００）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄
膜を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、 前
記バッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜は面内方位がランダムであるが単一配向性を有する
ことを特徴とする。
は、 不活性ガス圧力０から０.１Torr、酸素圧力１mTor
rから１０Torrの間でスパッタリングを行うことによ
り、 （１１１）半導体単結晶基板上に（１００）Ｍｇ
Ｏ薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工
程は、 （１００）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄
膜を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、 前
記バッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜は面内方位がランダムであるが単一配向性を有する
ことを特徴とする。
【００１４】また望ましくは、前記バッファ層形成工程
は、不活性ガス圧力０.１Torrから１０Torr、酸素圧力
０から１mTorrの間でスパッタリングを行うことによ
り、（１００）半導体単結晶基板上に（１１１）ＭｇＯ
薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工程
は、 （１１１）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜
を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、 前記
バッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄
膜は面内方位がランダムであるが単一配向性を有するこ
とを特徴とする。
は、不活性ガス圧力０.１Torrから１０Torr、酸素圧力
０から１mTorrの間でスパッタリングを行うことによ
り、（１００）半導体単結晶基板上に（１１１）ＭｇＯ
薄膜を形成する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工程
は、 （１１１）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜
を形成する工程であり、前記半導体単結晶基板、 前記
バッファ層およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄
膜は面内方位がランダムであるが単一配向性を有するこ
とを特徴とする。
【００１５】ここで単結晶半導体基板としては、単体半
導体であるＳｉ、Ｇｅ、ダイアモンド、III−V族半導体
である，ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｓｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、Ａｌ
ＬｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、
ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、II−IV族
化合物半導体であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃａ
Ｓｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳより選ば
れる（１００）または（１１１）単結晶半導体基板が用
いられる。そしてバッファ層としては、（１００）また
は（１１１）のエピタキシャルまたは単一配向性のＭｇ
Ｏ薄膜が用いられる。 またＡＢＯ3型ペロブスカイト強
誘電体薄膜としては、 ＬｉＮｂＯ3、ＢａＴｉＯ3、Ｓ
ｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰＺＴ、Ｐｂ1-XＬａX（Ｚｒ
1-YＴｉY）(1-X)/4Ｏ3（ＰＬＺＴ）、 ＫＮｂＯ3、Ｂｉ
4Ｔｉ3Ｏ12などのエピタキシャル強誘電体薄膜がある。
導体であるＳｉ、Ｇｅ、ダイアモンド、III−V族半導体
である，ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｓｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、Ａｌ
ＬｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、
ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、II−IV族
化合物半導体であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃａ
Ｓｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳより選ば
れる（１００）または（１１１）単結晶半導体基板が用
いられる。そしてバッファ層としては、（１００）また
は（１１１）のエピタキシャルまたは単一配向性のＭｇ
Ｏ薄膜が用いられる。 またＡＢＯ3型ペロブスカイト強
誘電体薄膜としては、 ＬｉＮｂＯ3、ＢａＴｉＯ3、Ｓ
ｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰＺＴ、Ｐｂ1-XＬａX（Ｚｒ
1-YＴｉY）(1-X)/4Ｏ3（ＰＬＺＴ）、 ＫＮｂＯ3、Ｂｉ
4Ｔｉ3Ｏ12などのエピタキシャル強誘電体薄膜がある。
【００１６】ここでＭｇＯバッファ層および ＡＢＯ3型
ペロブスカイト強誘電体薄膜は複数のターゲットを有
し、真空を破ることなく連続して作成することができる
ように構成されたＤＣグロースパッタリング、ＲＦグロ
ースパッタリング、ＲＦマグネトロンスパッタリング、
イオンビームスパッタリング、ＥＣＲスパッタリングな
どのスパッタリング装置によって形成される。通常、Ｍ
ｇＯバッファ層形成および強誘電体膜形成に際して装置
内の真空度は、ＲＦスパッタリング装置では、０．０１
Torr前後、イオンビームスパッタリング装置やＥＣＲス
パッタリング装置では、０．０００１Torrから０．００
１Torr程度で形成する。 このとき、基板に対して正ま
たは負のバイアスをかけることのできる装置を用いるよ
うにしてもよい。また、スパッタリングに用いられるガ
スとしては、酸素とアルゴンの他、窒素、ヘリウムなど
の不活性ガス、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希
ガス、水素などの還元性ガスなどを用いるようにしても
よい。 スパッタリングガスの主成分としてはアルゴン
が望ましい。ヘリウムを用いた場合、ターゲット原子に
与えるエネルギーが大きすぎ、基板表面に飛翔してきた
ターゲット原子が表面を荒らすことがあるが、アルゴン
を用いた場合、界面特性を良好に維持し、膜質の高い膜
を得ることが可能となる。
ペロブスカイト強誘電体薄膜は複数のターゲットを有
し、真空を破ることなく連続して作成することができる
ように構成されたＤＣグロースパッタリング、ＲＦグロ
ースパッタリング、ＲＦマグネトロンスパッタリング、
イオンビームスパッタリング、ＥＣＲスパッタリングな
どのスパッタリング装置によって形成される。通常、Ｍ
ｇＯバッファ層形成および強誘電体膜形成に際して装置
内の真空度は、ＲＦスパッタリング装置では、０．０１
Torr前後、イオンビームスパッタリング装置やＥＣＲス
パッタリング装置では、０．０００１Torrから０．００
１Torr程度で形成する。 このとき、基板に対して正ま
たは負のバイアスをかけることのできる装置を用いるよ
うにしてもよい。また、スパッタリングに用いられるガ
スとしては、酸素とアルゴンの他、窒素、ヘリウムなど
の不活性ガス、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希
ガス、水素などの還元性ガスなどを用いるようにしても
よい。 スパッタリングガスの主成分としてはアルゴン
が望ましい。ヘリウムを用いた場合、ターゲット原子に
与えるエネルギーが大きすぎ、基板表面に飛翔してきた
ターゲット原子が表面を荒らすことがあるが、アルゴン
を用いた場合、界面特性を良好に維持し、膜質の高い膜
を得ることが可能となる。
【００１７】さらにまた、ＭｇＯバッファ層の成膜条件
としてアルゴンガスと酸素ガス圧力を変化させたときに
生成される膜の配向性との関係を測定した結果を図１に
示す。この図から明らかなように、アルゴン圧力０.０
０１mTorrから０.１Torr、酸素圧力０から１mTorrの間
では、（１００）半導体単結晶基板上に（１００）Ｍｇ
Ｏエピタキシャル成長膜が形成され、また（１１１）半
導体単結晶基板上には、（１１１）ＭｇＯエピタキシャ
ル成長膜が形成される。 一方、アルゴン圧力０から
０.１Torr、酸素圧力 １mTorrから１０Torrの間では、
（１１１）半導体単結晶基板上に、単一配向の（１０
０）ＭｇＯバッファ層が形成される。そしてまた、アル
ゴン圧力０.１Torrから１０Torr、酸素圧力０から１mTo
rrの間では、（１００）半導体単結晶基板上に単一配向
の（１１１）ＭｇＯバッファ層が形成される。
としてアルゴンガスと酸素ガス圧力を変化させたときに
生成される膜の配向性との関係を測定した結果を図１に
示す。この図から明らかなように、アルゴン圧力０.０
０１mTorrから０.１Torr、酸素圧力０から１mTorrの間
では、（１００）半導体単結晶基板上に（１００）Ｍｇ
Ｏエピタキシャル成長膜が形成され、また（１１１）半
導体単結晶基板上には、（１１１）ＭｇＯエピタキシャ
ル成長膜が形成される。 一方、アルゴン圧力０から
０.１Torr、酸素圧力 １mTorrから１０Torrの間では、
（１１１）半導体単結晶基板上に、単一配向の（１０
０）ＭｇＯバッファ層が形成される。そしてまた、アル
ゴン圧力０.１Torrから１０Torr、酸素圧力０から１mTo
rrの間では、（１００）半導体単結晶基板上に単一配向
の（１１１）ＭｇＯバッファ層が形成される。
【００１８】ここでＲＦマグネトロンスパッタリング装
置を用いた場合には、ＲＦパワーとして０.００１から
１００Ｗ／ｃｍ2、基板温度２００℃から７００℃、基
板、ターゲット間距離は１mmから１ｍの間にするのが望
ましい。
置を用いた場合には、ＲＦパワーとして０.００１から
１００Ｗ／ｃｍ2、基板温度２００℃から７００℃、基
板、ターゲット間距離は１mmから１ｍの間にするのが望
ましい。
【００１９】またこのときのＭｇＯ薄膜の膜厚としては
１０nmから２０００nmとするのが望ましい。
１０nmから２０００nmとするのが望ましい。
【００２０】また、 ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体
薄膜は、下地となるＭｇＯバッファ層の形成工程と、ほ
ぼ同一の雰囲気中で形成されるのが望ましいが、適宜変
更可能である。望ましい範囲は基板温度３００℃から８
００℃、酸素分圧１×１０-6〜１×１０-1Torr、アルゴ
ン分圧１×１０-6〜１×１０-1Torrで成膜し、膜厚とし
ては１０nmから１０００nmとするのが望ましい。
薄膜は、下地となるＭｇＯバッファ層の形成工程と、ほ
ぼ同一の雰囲気中で形成されるのが望ましいが、適宜変
更可能である。望ましい範囲は基板温度３００℃から８
００℃、酸素分圧１×１０-6〜１×１０-1Torr、アルゴ
ン分圧１×１０-6〜１×１０-1Torrで成膜し、膜厚とし
ては１０nmから１０００nmとするのが望ましい。
【００２１】本発明の方法によれば、スパッタリングガ
スを制御し、バッファ層を配向性よく形成するととも
に、このバッファ層の表面状態を良好に維持しつつ真空
を破ることなく連続してスパッタリングを行うことによ
り、強誘電体薄膜を形成する連続スパッタリング法を用
いているため、大面積にわたって均質な膜を形成するこ
とができ、ＰＬＤ法や蒸着法に比較して原料ターゲット
の消費も少ない上、配向性が良好でかつ膜の表面性も平
坦なものを得ることが可能となる。
スを制御し、バッファ層を配向性よく形成するととも
に、このバッファ層の表面状態を良好に維持しつつ真空
を破ることなく連続してスパッタリングを行うことによ
り、強誘電体薄膜を形成する連続スパッタリング法を用
いているため、大面積にわたって均質な膜を形成するこ
とができ、ＰＬＤ法や蒸着法に比較して原料ターゲット
の消費も少ない上、配向性が良好でかつ膜の表面性も平
坦なものを得ることが可能となる。
【００２２】また、スパッタリング装置内に、ターゲッ
トを複数配置した構成にすることにより、バッファ層と
強誘電体薄膜層を連続して形成することができ、装置の
簡略化をはかることができる。
トを複数配置した構成にすることにより、バッファ層と
強誘電体薄膜層を連続して形成することができ、装置の
簡略化をはかることができる。
【００２３】ここで、本発明の方法を実現するためのス
パッタリング装置としては、ターゲットを同一円周上に
配置した基板支持台を回転可能にし、それぞれのターゲ
ット上に基板支持台を移動させて、基板とターゲットが
対向するように構成したものロードロック方式で基板を
搬送しながら順次スパッタリングを行うもの、基板を円
筒状のドラムに設置し、同一円周上の２箇所にＭｇＯタ
ーゲットと強誘電体ターゲットとを配置し、ドラムを回
転させて順次スパッタリングを行っていくもの等で実現
可能である。またこのような基板を巻き取り方式で移動
させながら順次成膜する方法も有効である。
パッタリング装置としては、ターゲットを同一円周上に
配置した基板支持台を回転可能にし、それぞれのターゲ
ット上に基板支持台を移動させて、基板とターゲットが
対向するように構成したものロードロック方式で基板を
搬送しながら順次スパッタリングを行うもの、基板を円
筒状のドラムに設置し、同一円周上の２箇所にＭｇＯタ
ーゲットと強誘電体ターゲットとを配置し、ドラムを回
転させて順次スパッタリングを行っていくもの等で実現
可能である。またこのような基板を巻き取り方式で移動
させながら順次成膜する方法も有効である。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例について、図面
を参照しつつ説明する。この方法は、（１００）ＧａＡ
ｓ基板上に（１００）ＭｇＯエピタキシャル層を、アル
ゴン圧力１０-2Torr、酸素圧力１０-5Torrでスパッタリ
ング法により、エピタキシャル成長させ、この後ＧａＡ
ｓ基板を外気にさらすことなく、同一装置内で連続的に
ＢａＴｉＯ3膜をエピタキシャル成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
を参照しつつ説明する。この方法は、（１００）ＧａＡ
ｓ基板上に（１００）ＭｇＯエピタキシャル層を、アル
ゴン圧力１０-2Torr、酸素圧力１０-5Torrでスパッタリ
ング法により、エピタキシャル成長させ、この後ＧａＡ
ｓ基板を外気にさらすことなく、同一装置内で連続的に
ＢａＴｉＯ3膜をエピタキシャル成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
【００２５】すなわちまず基板ターゲット間距離が５０
mmとなる位置に、 純度９９.９９％のストイキオメトリ
のＭｇＯターゲットと、 純度９９.９％のストイキオメ
トリのＢａＴｉＯ3ターゲットが設置され、 基板を装置
内で搬送可能なように形成されたＲＦスパッタリング装
置を用意する。そして、図２(a)に示すように、 ａ＝
０．５６５３nmの立方晶ジンクブレンド構造の（１０
０）±０．２°、６×６mmのＧａＡｓ基板１を用い、溶
剤洗浄の後、硫酸Ｈ2ＳＯ4系の溶液にてエッチングを行
った。さらにこの基板を脱イオン水とエタノールでリン
スし、最後に、窒素流下でエタノールによるスピン乾燥
を行った。エッチング後に脱イオン水リンスで形成され
たＧａＡｓ基板表面の単層酸化膜はパッシベーション層
として働き、また５８２℃で解離する。従って、スピン
乾燥後基板を直ちにＲＦスパッタリング装置に設置し、
一定温度、バックグラウンド圧力３×１０-7Torrで加熱
を行い、ＧａＡｓ表面の不動体層の昇華による脱離をは
かり、この後、このＲＦスパッタリング装置のＭｇＯタ
ーゲット位置に、ＧａＡｓ基板がくるように搬送し、ア
ルゴン圧力１０-2Torr、酸素圧力１０-5Torr、ＲＦパワ
ー５０Ｗ、 基板温度３５０℃で、スパッタリングを行
い、図２(b)に示すように、ａ＝０．４２１３nmの立方
晶、ＮａＣｌ構造の（１００）単一配向のＭｇＯエピタ
キシャル膜２を形成した。
mmとなる位置に、 純度９９.９９％のストイキオメトリ
のＭｇＯターゲットと、 純度９９.９％のストイキオメ
トリのＢａＴｉＯ3ターゲットが設置され、 基板を装置
内で搬送可能なように形成されたＲＦスパッタリング装
置を用意する。そして、図２(a)に示すように、 ａ＝
０．５６５３nmの立方晶ジンクブレンド構造の（１０
０）±０．２°、６×６mmのＧａＡｓ基板１を用い、溶
剤洗浄の後、硫酸Ｈ2ＳＯ4系の溶液にてエッチングを行
った。さらにこの基板を脱イオン水とエタノールでリン
スし、最後に、窒素流下でエタノールによるスピン乾燥
を行った。エッチング後に脱イオン水リンスで形成され
たＧａＡｓ基板表面の単層酸化膜はパッシベーション層
として働き、また５８２℃で解離する。従って、スピン
乾燥後基板を直ちにＲＦスパッタリング装置に設置し、
一定温度、バックグラウンド圧力３×１０-7Torrで加熱
を行い、ＧａＡｓ表面の不動体層の昇華による脱離をは
かり、この後、このＲＦスパッタリング装置のＭｇＯタ
ーゲット位置に、ＧａＡｓ基板がくるように搬送し、ア
ルゴン圧力１０-2Torr、酸素圧力１０-5Torr、ＲＦパワ
ー５０Ｗ、 基板温度３５０℃で、スパッタリングを行
い、図２(b)に示すように、ａ＝０．４２１３nmの立方
晶、ＮａＣｌ構造の（１００）単一配向のＭｇＯエピタ
キシャル膜２を形成した。
【００２６】この膜をＸ線回折により解析すると、きわ
めて良好な（１００）単一配向のＭｇＯエピタキシャル
膜２が形成されていることがわかる。次に、ＭｇＯとＧ
ａＡｓの面内結晶方位の関係を同定するために、Ｘ線回
折とファイ・スキャンとを行った。立方晶において（１
００）面に対して４５°の角度をもっている（２０２）
面についてのファイ・スキャンは、（１００）ＭｇＯ//
（１００）ＧａＡｓのＭｇＯに対して９０°の回転周期
を持つシャープなピークを示し、この位置はＧａＡｓの
ピーク位置に一致した。これにより、ＭｇＯとＧａＡｓ
との結晶学的関係は格子不整が２５．５％もあるにもか
かわらず、ＭｇＯとＧａＡｓの結晶方位の関係は（１０
０）ＭｇＯ//（１００）ＧａＡｓ、面内方位［００１］
ＭｇＯ//［００１］ＧａＡｓであることがわかった。
めて良好な（１００）単一配向のＭｇＯエピタキシャル
膜２が形成されていることがわかる。次に、ＭｇＯとＧ
ａＡｓの面内結晶方位の関係を同定するために、Ｘ線回
折とファイ・スキャンとを行った。立方晶において（１
００）面に対して４５°の角度をもっている（２０２）
面についてのファイ・スキャンは、（１００）ＭｇＯ//
（１００）ＧａＡｓのＭｇＯに対して９０°の回転周期
を持つシャープなピークを示し、この位置はＧａＡｓの
ピーク位置に一致した。これにより、ＭｇＯとＧａＡｓ
との結晶学的関係は格子不整が２５．５％もあるにもか
かわらず、ＭｇＯとＧａＡｓの結晶方位の関係は（１０
０）ＭｇＯ//（１００）ＧａＡｓ、面内方位［００１］
ＭｇＯ//［００１］ＧａＡｓであることがわかった。
【００２７】この後ＲＦスパッタリング装置を開けるこ
となく、連続して、このＲＦスパッタリング装置の Ｂ
ａＴｉＯ3ターゲット位置に対向するように、前記Ｍｇ
Ｏ膜の形成されたＧａＡｓ基板を装着し、アルゴン圧力
８×１０-3Torr、酸素圧力２×１０-3Torr、ＲＦパワー
５０Ｗ、基板温度６００℃で、スパッタリングを行い、
図２(ｃ）に示すように、 ａ＝０．３９０５nmの立方
晶、ペロブスカイト構造の（１００）単一配向の Ｂａ
ＴｉＯ3エピタキシャル膜３を膜厚１００nmとなるよう
に形成した。 ここでＢａＴｉＯ3ＭｇＯとの結晶学的関
係は、格子不整が０．１％あるがエピタキシャル成長
し、 ＢａＴｉＯ3とＭｇＯとＧａＡｓとの結晶方位の関
係は（００１）ＢａＴｉＯ3//（１００）ＭｇＯ//（１
００）ＧａＡｓ 、面内方位［１００］ＢａＴｉＯ3//
［００１］ＭｇＯ//［００１］ＧａＡｓであった。
となく、連続して、このＲＦスパッタリング装置の Ｂ
ａＴｉＯ3ターゲット位置に対向するように、前記Ｍｇ
Ｏ膜の形成されたＧａＡｓ基板を装着し、アルゴン圧力
８×１０-3Torr、酸素圧力２×１０-3Torr、ＲＦパワー
５０Ｗ、基板温度６００℃で、スパッタリングを行い、
図２(ｃ）に示すように、 ａ＝０．３９０５nmの立方
晶、ペロブスカイト構造の（１００）単一配向の Ｂａ
ＴｉＯ3エピタキシャル膜３を膜厚１００nmとなるよう
に形成した。 ここでＢａＴｉＯ3ＭｇＯとの結晶学的関
係は、格子不整が０．１％あるがエピタキシャル成長
し、 ＢａＴｉＯ3とＭｇＯとＧａＡｓとの結晶方位の関
係は（００１）ＢａＴｉＯ3//（１００）ＭｇＯ//（１
００）ＧａＡｓ 、面内方位［１００］ＢａＴｉＯ3//
［００１］ＭｇＯ//［００１］ＧａＡｓであった。
【００２８】また、走査型電子顕微鏡によって観察した
ＢａＴｉＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によって ＢａＴｉＯ3の表面を１×１μｍ
の範囲について観察すると、光学研磨をしたガラスと同
程度の平滑性を持っていることがわかった。このことか
らこの ＢａＴｉＯ3膜はその表面平滑性においては、光
導波路として良好な低光減衰特性につながるものである
ことがわかる。
ＢａＴｉＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によって ＢａＴｉＯ3の表面を１×１μｍ
の範囲について観察すると、光学研磨をしたガラスと同
程度の平滑性を持っていることがわかった。このことか
らこの ＢａＴｉＯ3膜はその表面平滑性においては、光
導波路として良好な低光減衰特性につながるものである
ことがわかる。
【００２９】またこのＢａＴｉＯ3膜を用いて光導波路
を形成した結果、 良好な特性を得ることができた。
を形成した結果、 良好な特性を得ることができた。
【００３０】比較例１ 実施例１と同様の条件で、ＲＦスパッタリングにより、
（１００）ＧａＡｓ基板上に、（１００）ＭｇＯ薄膜を
形成した。このとき、Ｘ線回折による解析により、Ｍｇ
ＯとＧａＡｓとの結晶学的関係は（１００）ＭｇＯ//
（１００）ＧａＡｓ、面内方位［００１］ＭｇＯ//［０
０１］ＧａＡｓであった。
（１００）ＧａＡｓ基板上に、（１００）ＭｇＯ薄膜を
形成した。このとき、Ｘ線回折による解析により、Ｍｇ
ＯとＧａＡｓとの結晶学的関係は（１００）ＭｇＯ//
（１００）ＧａＡｓ、面内方位［００１］ＭｇＯ//［０
０１］ＧａＡｓであった。
【００３１】この後、従来のように、一旦ＲＦスパッタ
リング装置から、取り出した後、続いてＢａＴｉＯ3薄
膜形成用のＲＦスパッタリング装置に装着し、 前記実
施例と同様の条件すなわち、アルゴン圧力８×１０-3To
rr、酸素圧力２×１０-3Torr、ＲＦパワー５０Ｗ、基板
温度６００℃で、スパッタリングを行い、 ＢａＴｉＯ3
エピタキシャル膜３を膜厚１００nmとなるように形成し
た。
リング装置から、取り出した後、続いてＢａＴｉＯ3薄
膜形成用のＲＦスパッタリング装置に装着し、 前記実
施例と同様の条件すなわち、アルゴン圧力８×１０-3To
rr、酸素圧力２×１０-3Torr、ＲＦパワー５０Ｗ、基板
温度６００℃で、スパッタリングを行い、 ＢａＴｉＯ3
エピタキシャル膜３を膜厚１００nmとなるように形成し
た。
【００３２】ここでＸ線回折による解析により、ミス配
向面を含み回折強度が１０％程度まで低下していること
が明らかになり、配向性が悪化していることが確認され
た。次に、ＭｇＯバッファ層表面の汚染が推定されるた
め，同様にしてＲＦスパッタリングにより、（１００）
ＧａＡｓ基板上に、（１００）ＭｇＯ薄膜を形成した
後、このＭｇＯバッファ層表面を有機溶剤によって洗浄
を行い、再度、同じ条件でＢａＴｉＯ3薄膜を形成し
た。 しかし、得られた薄膜の配向性はほとんど改善が
みられなかった。
向面を含み回折強度が１０％程度まで低下していること
が明らかになり、配向性が悪化していることが確認され
た。次に、ＭｇＯバッファ層表面の汚染が推定されるた
め，同様にしてＲＦスパッタリングにより、（１００）
ＧａＡｓ基板上に、（１００）ＭｇＯ薄膜を形成した
後、このＭｇＯバッファ層表面を有機溶剤によって洗浄
を行い、再度、同じ条件でＢａＴｉＯ3薄膜を形成し
た。 しかし、得られた薄膜の配向性はほとんど改善が
みられなかった。
【００３３】また、走査型電子顕微鏡によって観察した
ＢａＴｉＯ3の表面に、 数十nm〜１μｍの微細な凹凸が
観測された。この薄膜の光導波路特性を測定したとこ
ろ、十分な光導波を得ることができなかった。
ＢａＴｉＯ3の表面に、 数十nm〜１μｍの微細な凹凸が
観測された。この薄膜の光導波路特性を測定したとこ
ろ、十分な光導波を得ることができなかった。
【００３４】さらにまた、 Ｘ線光電子分光法を用いた
解析により、ＭｇＯ／ＢａＴｉＯ3界面から０．１〜２
０atomic％のカーボンの存在が認められ、さらにＭｇＯ
薄膜部では、０．１〜２０atomic％のＭｇ(ＯＨ)Xの存
在が基板に至るまで観察された。この汚染は、有機溶媒
によって洗浄を行った場合にも程度は小さいものの観察
され、洗浄だけでは除去が困難なことが推定された。実
施例１の薄膜ではこれらカーボンもＭｇ(ＯＨ)X も存在
が認められず、この汚染によって結晶性および表面平滑
性が低下せしめられたものと考えられる。
解析により、ＭｇＯ／ＢａＴｉＯ3界面から０．１〜２
０atomic％のカーボンの存在が認められ、さらにＭｇＯ
薄膜部では、０．１〜２０atomic％のＭｇ(ＯＨ)Xの存
在が基板に至るまで観察された。この汚染は、有機溶媒
によって洗浄を行った場合にも程度は小さいものの観察
され、洗浄だけでは除去が困難なことが推定された。実
施例１の薄膜ではこれらカーボンもＭｇ(ＯＨ)X も存在
が認められず、この汚染によって結晶性および表面平滑
性が低下せしめられたものと考えられる。
【００３５】次に、本発明の第２の実施例について説明
する 。この方法は、（１００）ＧａＡｓ基板上に（１
１１）ＭｇＯエピタキシャル層を、アルゴン圧力５×１
０-1 Torr、 酸素圧力１×１０-5Torrでスパッタリング
法により、エピタキシャル成長させ、この後ＧａＡｓ基
板を外気にさらすことなく、同一装置内で連続的に
（０００１）ＬｉＮｂＯ3膜をエピタキシャル成長させ
るようにしたことを特徴とするものである。
する 。この方法は、（１００）ＧａＡｓ基板上に（１
１１）ＭｇＯエピタキシャル層を、アルゴン圧力５×１
０-1 Torr、 酸素圧力１×１０-5Torrでスパッタリング
法により、エピタキシャル成長させ、この後ＧａＡｓ基
板を外気にさらすことなく、同一装置内で連続的に
（０００１）ＬｉＮｂＯ3膜をエピタキシャル成長させ
るようにしたことを特徴とするものである。
【００３６】ここでは前記第１の実施例と同様にまず基
板ターゲット間距離が５０mmとなる位置に、純度９９.
９９％のストイキオメトリのＭｇＯターゲットと、純度
９９.９％のストイキオメトリの ＬｉＮｂＯ3ターゲッ
トを、同心円状に設置し、基板を外部からの回動によ
り、搬送可能なように装着したＲＦスパッタリング装置
を用意する。そして、（１００）のＧａＡｓ基板を用
い、前記第１の実施例と同様の表面処理を行い、スピン
乾燥後基板を直ちにＲＦスパッタリング装置に設置し、
一定温度、バックグラウンド圧力３×１０-7Torrで加熱
を行い、ＧａＡｓ表面の不動体層の昇華による脱離をは
かり、この後、このＲＦスパッタリング装置のＭｇＯタ
ーゲット位置にＧａＡｓ基板を装着し、 アルゴン圧力
５×１０-1 Torr、酸素圧力１×１０-5、ＲＦパワー１
０Ｗ、基板温度４５０℃で、スパッタリングを行い（１
００）単一配向、膜厚１００nmのＭｇＯ膜を形成した。
この膜の面内方位はランダムであった。
板ターゲット間距離が５０mmとなる位置に、純度９９.
９９％のストイキオメトリのＭｇＯターゲットと、純度
９９.９％のストイキオメトリの ＬｉＮｂＯ3ターゲッ
トを、同心円状に設置し、基板を外部からの回動によ
り、搬送可能なように装着したＲＦスパッタリング装置
を用意する。そして、（１００）のＧａＡｓ基板を用
い、前記第１の実施例と同様の表面処理を行い、スピン
乾燥後基板を直ちにＲＦスパッタリング装置に設置し、
一定温度、バックグラウンド圧力３×１０-7Torrで加熱
を行い、ＧａＡｓ表面の不動体層の昇華による脱離をは
かり、この後、このＲＦスパッタリング装置のＭｇＯタ
ーゲット位置にＧａＡｓ基板を装着し、 アルゴン圧力
５×１０-1 Torr、酸素圧力１×１０-5、ＲＦパワー１
０Ｗ、基板温度４５０℃で、スパッタリングを行い（１
００）単一配向、膜厚１００nmのＭｇＯ膜を形成した。
この膜の面内方位はランダムであった。
【００３７】この後ＲＦスパッタリング装置を開けるこ
となく、続いてこのＲＦスパッタリング装置のＬｉＮｂ
Ｏ3ターゲット位置に基板を装着し、アルゴン圧力４×
１０- 3Torr、 酸素圧力６×１０-3Torr、ＲＦパワー１
０Ｗ、基板温度５００℃で、スパッタリングを行い、
（０００１）単一配向のＬｉＮｂＯ3膜を膜厚１５０nm
となるように形成した。ここでＸ線回折パターンとファ
イ・スキャンによって同定したＬｉＮｂＯ3とＭｇＯと
ＧａＡｓの結晶方位の関係は（０００１）ＬｉＮｂＯ3/
/（１１１）ＭｇＯ//（１００）ＧａＡｓであった。
となく、続いてこのＲＦスパッタリング装置のＬｉＮｂ
Ｏ3ターゲット位置に基板を装着し、アルゴン圧力４×
１０- 3Torr、 酸素圧力６×１０-3Torr、ＲＦパワー１
０Ｗ、基板温度５００℃で、スパッタリングを行い、
（０００１）単一配向のＬｉＮｂＯ3膜を膜厚１５０nm
となるように形成した。ここでＸ線回折パターンとファ
イ・スキャンによって同定したＬｉＮｂＯ3とＭｇＯと
ＧａＡｓの結晶方位の関係は（０００１）ＬｉＮｂＯ3/
/（１１１）ＭｇＯ//（１００）ＧａＡｓであった。
【００３８】また、走査型電子顕微鏡によって観察した
ＬｉＮｂＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によってＬｉＮｂＯ3の表面を １×１μｍ
の範囲について観察すると、前記第１の実施例の薄膜よ
りは劣るものの良好な平滑性を持っていることがわかっ
た。このことから、 このＬｉＮｂＯ3膜はその表面平滑
性においては、光導波路として良好な低光減衰特性につ
ながるものであることがわかる。
ＬｉＮｂＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によってＬｉＮｂＯ3の表面を １×１μｍ
の範囲について観察すると、前記第１の実施例の薄膜よ
りは劣るものの良好な平滑性を持っていることがわかっ
た。このことから、 このＬｉＮｂＯ3膜はその表面平滑
性においては、光導波路として良好な低光減衰特性につ
ながるものであることがわかる。
【００３９】次に、本発明の第３の実施例について説明
する 。この方法は、（１１１）ＧａＡｓ基板上に（１
００）ＭｇＯエピタキシャル層を、アルゴン圧力５×１
０-3 Torr、 酸素圧力５×１０-5Torrでスパッタリング
法により、エピタキシャル成長させ、この後ＧａＡｓ基
板を外気にさらすことなく、同一装置内で連続的に
（１００）ＢａＴｉＯ3膜をエピタキシャル成長させる
ようにしたことを特徴とするものである。
する 。この方法は、（１１１）ＧａＡｓ基板上に（１
００）ＭｇＯエピタキシャル層を、アルゴン圧力５×１
０-3 Torr、 酸素圧力５×１０-5Torrでスパッタリング
法により、エピタキシャル成長させ、この後ＧａＡｓ基
板を外気にさらすことなく、同一装置内で連続的に
（１００）ＢａＴｉＯ3膜をエピタキシャル成長させる
ようにしたことを特徴とするものである。
【００４０】ここではまず基板ターゲット間距離が８０
mmとなる位置に、前記第１の実施例と同様に純度９９.
９９％のストイキオメトリのＭｇＯターゲットと、純度
９９.９％のストイキオメトリの ＢａＴｉＯ3ターゲッ
トを外部からの回動により、着脱自在に装着したＲＦス
パッタリング装置を用意する。そして、（１１１）のＧ
ａＡｓ基板を用い、前記第１の実施例と同様の表面処理
を行い、スピン乾燥後基板を直ちにＲＦスパッタリング
装置に設置し、一定温度、バックグラウンド圧力３×１
０-7Torrで加熱を行い、ＧａＡｓ表面の不動体層の昇華
による脱離をはかり、この後、このＲＦスパッタリング
装置のターゲット位置にまずＭｇＯターゲットを装着
し、 アルゴン圧力５×１０-3 Torr、酸素圧力５×１０
-3Torr、ＲＦパワー２００Ｗ、基板温度４５０℃で、ス
パッタリングを行い、（１００）単一配向、膜厚５０nm
のＭｇＯ膜を形成した。この膜の面内方位はランダムで
あった。
mmとなる位置に、前記第１の実施例と同様に純度９９.
９９％のストイキオメトリのＭｇＯターゲットと、純度
９９.９％のストイキオメトリの ＢａＴｉＯ3ターゲッ
トを外部からの回動により、着脱自在に装着したＲＦス
パッタリング装置を用意する。そして、（１１１）のＧ
ａＡｓ基板を用い、前記第１の実施例と同様の表面処理
を行い、スピン乾燥後基板を直ちにＲＦスパッタリング
装置に設置し、一定温度、バックグラウンド圧力３×１
０-7Torrで加熱を行い、ＧａＡｓ表面の不動体層の昇華
による脱離をはかり、この後、このＲＦスパッタリング
装置のターゲット位置にまずＭｇＯターゲットを装着
し、 アルゴン圧力５×１０-3 Torr、酸素圧力５×１０
-3Torr、ＲＦパワー２００Ｗ、基板温度４５０℃で、ス
パッタリングを行い、（１００）単一配向、膜厚５０nm
のＭｇＯ膜を形成した。この膜の面内方位はランダムで
あった。
【００４１】この後ＲＦスパッタリング装置を開けるこ
となく、続いてこのＲＦスパッタリング装置のターゲッ
ト位置にＢａＴｉＯ3ターゲットを装着し、 アルゴン圧
力５×１０-3Torr、酸素圧力５×１０-3Torr、ＲＦパワ
ー２００Ｗ、基板温度４５０℃で、スパッタリングを行
い 、（１００）単一配向のＢａＴｉＯ3膜を膜厚２００
nmとなるように形成した。 ここでＸ線回折パターンと
ファイ・スキャンによって同定したＢａＴｉＯ3とＭｇ
Ｏとの結晶方位の関係は（１００）ＢａＴｉＯ3//（１
００）ＭｇＯ//（１１１）ＧａＡｓであった。
となく、続いてこのＲＦスパッタリング装置のターゲッ
ト位置にＢａＴｉＯ3ターゲットを装着し、 アルゴン圧
力５×１０-3Torr、酸素圧力５×１０-3Torr、ＲＦパワ
ー２００Ｗ、基板温度４５０℃で、スパッタリングを行
い 、（１００）単一配向のＢａＴｉＯ3膜を膜厚２００
nmとなるように形成した。 ここでＸ線回折パターンと
ファイ・スキャンによって同定したＢａＴｉＯ3とＭｇ
Ｏとの結晶方位の関係は（１００）ＢａＴｉＯ3//（１
００）ＭｇＯ//（１１１）ＧａＡｓであった。
【００４２】また、走査型電子顕微鏡によって観察した
ＢａＴｉＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によってＢａＴｉＯ3の表面を １×１μｍ
の範囲について観察すると、前記第１の実施例の薄膜よ
りは劣るものの良好な平滑性を持っていることがわかっ
た。 このことからこのＢａＴｉＯ3膜はその表面平滑性
においては、光導波路として良好な低光減衰特性につな
がるものであることがわかる。
ＢａＴｉＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によってＢａＴｉＯ3の表面を １×１μｍ
の範囲について観察すると、前記第１の実施例の薄膜よ
りは劣るものの良好な平滑性を持っていることがわかっ
た。 このことからこのＢａＴｉＯ3膜はその表面平滑性
においては、光導波路として良好な低光減衰特性につな
がるものであることがわかる。
【００４３】次に、本発明の第４の実施例について説明
する 。この方法では、基板としてシリコンＳｉ基板を
用い、前記第１の実施例とほぼ同様に（１００）ＭｇＯ
エピタキシャル層を、アルゴン圧力１×１０-2 Torr、
酸素圧力１×１０-5Torrでスパッタリング法により、エ
ピタキシャル成長させ、この後Ｓｉ基板を外気にさらす
ことなく、同一装置内で連続的に（１００）ＰｂＴｉＯ
3膜をエピタキシャル成長させるようにしたことを特徴
とするものである。 ここではまず基板ターゲット間距
離が５０mmとなる位置に、前記第１の実施例と同様に純
度９９.９９％のストイキオメトリのＭｇＯターゲット
と、純度９９.９％のストイキオメトリのＰｂＴｉＯ3タ
ーゲットを外部からの回動により、 着脱自在に装着し
たＲＦスパッタリング装置を用意する。そして、ｎ型ま
たはｐ型（１１１）、６×６mmのＳｉ基板を用い、前記
第１の実施例と同様に、有機溶剤による洗浄の後、ＨＦ
によるエッチング、乾燥を行い、基板を直ちにＲＦスパ
ッタリング装置に設置し、一定温度、バックグラウンド
圧力３×１０-7Torrで加熱を行い、Ｓｉ表面のＨ不動体
層の昇華による脱離をはかり、この後、このＲＦスパッ
タリング装置のターゲット位置にまずＭｇＯターゲット
を装着し、アルゴン圧力１×１０-2 Torr、 酸素圧力５
×１０-5Torr、ＲＦパワー３０Ｗ、基板温度４００℃
で、スパッタリングを行い、（１１１）単一配向で膜厚
５００nmのＭｇＯ膜を形成した。このＭｇＯとＳｉの結
晶方位の関係は（１１１）ＭｇＯ//（１１１）Ｓｉ、面
内方位［００１］ＭｇＯ//［００１］Ｓｉであることが
わかった。
する 。この方法では、基板としてシリコンＳｉ基板を
用い、前記第１の実施例とほぼ同様に（１００）ＭｇＯ
エピタキシャル層を、アルゴン圧力１×１０-2 Torr、
酸素圧力１×１０-5Torrでスパッタリング法により、エ
ピタキシャル成長させ、この後Ｓｉ基板を外気にさらす
ことなく、同一装置内で連続的に（１００）ＰｂＴｉＯ
3膜をエピタキシャル成長させるようにしたことを特徴
とするものである。 ここではまず基板ターゲット間距
離が５０mmとなる位置に、前記第１の実施例と同様に純
度９９.９９％のストイキオメトリのＭｇＯターゲット
と、純度９９.９％のストイキオメトリのＰｂＴｉＯ3タ
ーゲットを外部からの回動により、 着脱自在に装着し
たＲＦスパッタリング装置を用意する。そして、ｎ型ま
たはｐ型（１１１）、６×６mmのＳｉ基板を用い、前記
第１の実施例と同様に、有機溶剤による洗浄の後、ＨＦ
によるエッチング、乾燥を行い、基板を直ちにＲＦスパ
ッタリング装置に設置し、一定温度、バックグラウンド
圧力３×１０-7Torrで加熱を行い、Ｓｉ表面のＨ不動体
層の昇華による脱離をはかり、この後、このＲＦスパッ
タリング装置のターゲット位置にまずＭｇＯターゲット
を装着し、アルゴン圧力１×１０-2 Torr、 酸素圧力５
×１０-5Torr、ＲＦパワー３０Ｗ、基板温度４００℃
で、スパッタリングを行い、（１１１）単一配向で膜厚
５００nmのＭｇＯ膜を形成した。このＭｇＯとＳｉの結
晶方位の関係は（１１１）ＭｇＯ//（１１１）Ｓｉ、面
内方位［００１］ＭｇＯ//［００１］Ｓｉであることが
わかった。
【００４４】この後ＲＦスパッタリング装置を開けるこ
となく、続いてこのＲＦスパッタリング装置のターゲッ
ト位置に ＰｂＴｉＯ3ターゲットを装着し、アルゴン圧
力４×１０-3Torr、酸素圧力６×１０-3Torr、ＲＦパワ
ー３０Ｗ、基板温度７００℃でスパッタリングを行い、
ｃ軸配向のＰｂＴｉＯ3膜を膜厚２００nmとなるように
形成した。ここでＸ線回折パターンとファイ・スキャン
によって同定したＰｂＴｉＯ3とＭｇＯとＳｉとの結晶
方位の関係は、 （１１１）ＰｂＴｉＯ3//（１１１）
ＭｇＯ//（１１１）Ｓｉ、 面内方位［１００］ＰｂＴ
ｉＯ3//［００１］ＭｇＯ//［００１］Ｓｉであった。
となく、続いてこのＲＦスパッタリング装置のターゲッ
ト位置に ＰｂＴｉＯ3ターゲットを装着し、アルゴン圧
力４×１０-3Torr、酸素圧力６×１０-3Torr、ＲＦパワ
ー３０Ｗ、基板温度７００℃でスパッタリングを行い、
ｃ軸配向のＰｂＴｉＯ3膜を膜厚２００nmとなるように
形成した。ここでＸ線回折パターンとファイ・スキャン
によって同定したＰｂＴｉＯ3とＭｇＯとＳｉとの結晶
方位の関係は、 （１１１）ＰｂＴｉＯ3//（１１１）
ＭｇＯ//（１１１）Ｓｉ、 面内方位［１００］ＰｂＴ
ｉＯ3//［００１］ＭｇＯ//［００１］Ｓｉであった。
【００４５】また、走査型電子顕微鏡によって観察した
ＰｂＴｉＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によって ＰｂＴｉＯ3の表面を１×１μｍ
の範囲について観察すると、前記第１の実施例の薄膜よ
りは劣るものの良好な平滑性を持っていることがわかっ
た。このことから、 このＢａＴｉＯ3膜はその表面平滑
性においては、光導波路として良好な低光減衰特性につ
ながるものであることがわかる。
ＰｂＴｉＯ3の表面はきわめて平滑であった。さらに原
子間力顕微鏡によって ＰｂＴｉＯ3の表面を１×１μｍ
の範囲について観察すると、前記第１の実施例の薄膜よ
りは劣るものの良好な平滑性を持っていることがわかっ
た。このことから、 このＢａＴｉＯ3膜はその表面平滑
性においては、光導波路として良好な低光減衰特性につ
ながるものであることがわかる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、単結晶半導体基板上に、スパッタリング法によりバ
ッファ層としてのＭｇＯ薄膜を配向性を制御しつつ形成
し、スパッタリング装置を開くことなく連続して強誘電
体薄膜を形成することにより、均一な組成の膜を再現性
よく、配向性を良好に維持しつつ強誘電体薄膜を形成す
ることができる。
ば、単結晶半導体基板上に、スパッタリング法によりバ
ッファ層としてのＭｇＯ薄膜を配向性を制御しつつ形成
し、スパッタリング装置を開くことなく連続して強誘電
体薄膜を形成することにより、均一な組成の膜を再現性
よく、配向性を良好に維持しつつ強誘電体薄膜を形成す
ることができる。
【００４７】また、強誘電体薄膜の配向性を良好に制御
することができるため、大きな残留分極値や大きな電気
光学定数などを得ることができ、強誘電体と半導体との
間に絶縁体を形成したＦＥＴを形成した場合は、強誘電
体の分極時の半導体からの電荷の注入を防ぐことがで
き、強誘電体の分極状態を維持することが容易となる。
さらにまた、強誘電体の屈折率は一般に半導体よりも小
さいが、強誘電体よりも小さい屈折率を持つＭｇＯ層に
よって半導体レーザ光を強誘電体薄膜光導波路中に閉じ
こめることが可能になり、光変調素子のＧａＡｓ系半導
体レーザ上への形成や光集積回路をシリコン半導体集積
回路上に形成することが可能となる。
することができるため、大きな残留分極値や大きな電気
光学定数などを得ることができ、強誘電体と半導体との
間に絶縁体を形成したＦＥＴを形成した場合は、強誘電
体の分極時の半導体からの電荷の注入を防ぐことがで
き、強誘電体の分極状態を維持することが容易となる。
さらにまた、強誘電体の屈折率は一般に半導体よりも小
さいが、強誘電体よりも小さい屈折率を持つＭｇＯ層に
よって半導体レーザ光を強誘電体薄膜光導波路中に閉じ
こめることが可能になり、光変調素子のＧａＡｓ系半導
体レーザ上への形成や光集積回路をシリコン半導体集積
回路上に形成することが可能となる。
【図１】本発明の方法におけるガス圧と結晶条件との関
係を示す図
係を示す図
【図２】本発明実施例の薄膜形成工程を示す図
１ ガリウムひ素（ＧａＡｓ）基板 ２ ＭｇＯ薄膜 ３ ＢａＴｉＯ3薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/10 ４５１ Ｈ０１Ｌ 27/10 ４５１ 27/108 37/02 21/8242 Ｈ０１Ｓ 3/18 37/02 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ 41/08 41/08 Ｄ 41/18 41/18 １０１Ｚ Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタリング装置内に ＭｇＯ薄膜形成
用のターゲットおよびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電
体薄膜 (Ａ：IＡ族、IIＡ族、IIIＡ族 、IVＢ族およびV
Ｂ族から選択される元素、Ｂ：IVＡ族およびVＡ族から
選択される元素）形成用の 複数のターゲットを用意す
る工程と、 前記スパッタリング装置内で、半導体単結晶基板上に、
スパッタリング法によりバッファ層としてのＭｇＯ薄膜
を形成するバッファ層形成工程と、 スパッタリング装置を開くことなく連続して、スパッタ
リング法により、前記バッファ層上に ＡＢＯ3型ペロブ
スカイト強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程
とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記バッファ層形成工程は、不活性ガス
圧力０.００１mTorrから０.１Torr、酸素圧力０から１m
Torrの間でスパッタリングを行うことにより、（１０
０）半導体単結晶基板上に（１００）ＭｇＯ薄膜を形成
する工程であり、前記強誘電体薄膜形成工程は、 （１
００）ＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜を形成す
る工程であり、前記半導体単結晶基板、前記バッファ層
およびＡＢＯ3型ペロブスカイト強誘電体薄膜は、 面内
方位が特定方位を有するエピタキシャルな関係にあるこ
とを特徴とする請求項１記載の強誘電体薄膜の製造方
法。 - 【請求項３】 前記バッファ層形成工程は、 不活性ガス
圧力０.００１mTorrから０.１Torr、酸素圧力０から１m
Torrの間でスパッタリングを行うことにより、（１１
１）半導体単結晶基板上に（１１１）ＭｇＯ薄膜を形成
する工程であり、 前記強誘電体薄膜形成工程は、 （１１１）ＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜を形成する工程であり、前記
半導体単結晶基板、前記バッファ層およびＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜は、 面内方位が特定方位を
有するエピタキシャルな関係にあることを特徴とする請
求項１記載の強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記バッファ層形成工程は、不活性ガス
圧力 ０から０.１Torr、酸素圧力 １mTorrから１０Torr
の間でスパッタリングを行うことにより、（１１１）半
導体単結晶基板上に（１００）ＭｇＯ薄膜を形成する工
程であり、 前記強誘電体薄膜形成工程は、 （１００）ＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜を形成する工程であり、前記
半導体単結晶基板、前記バッファ層およびＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜は面内方位がランダムである
が 単一配向性を有することを特徴とする請求項１記載
の強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 前記バッファ層形成工程は、不活性ガス
圧力０.１Torrから１０Torr、酸素圧力０から１mTorrの
間でスパッタリングを行うことにより、 （１００）半
導体単結晶基板上に（１１１）ＭｇＯ薄膜を形成する工
程であり、 前記強誘電体薄膜形成工程は、 （１１１）ＡＢＯ3型ペ
ロブスカイト強誘電体薄膜を形成する工程であり、 前
記半導体単結晶基板、 前記バッファ層およびＡＢＯ3型
ペロブスカイト強誘電体薄膜は面内方位がランダムであ
るが 単一配向性を有することを特徴とする請求項１記
載の強誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279514A JPH10120494A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279514A JPH10120494A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10120494A true JPH10120494A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17612103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8279514A Pending JPH10120494A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10120494A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075985A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Fujitsu Limited | Actionneur piezoelectrique, son procede de fabrication et tete a jet d'encre dotee de cet actionneur |
| JP2006245247A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 |
| US7339219B2 (en) | 2003-03-04 | 2008-03-04 | Fujitsu Limited | Capacitance device including a perovskite film having (001) orientation |
| CN100418196C (zh) * | 2005-06-24 | 2008-09-10 | 电子科技大学 | 以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法 |
| JP2010016127A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Tohoku Univ | 強誘電体膜、強誘電体膜を有する半導体装置、及びそれらの製造方法 |
| JP2010053024A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Canon Inc | 金属酸化物および圧電材料 |
| JP2011071150A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜付基板、圧電薄膜素子、アクチュエータ、及びセンサ |
| WO2011086645A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電素子の製造方法及びその製造方法により製造された圧電素子 |
| CN104733292A (zh) * | 2015-03-06 | 2015-06-24 | 西安电子科技大学 | 超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法 |
-
1996
- 1996-10-22 JP JP8279514A patent/JPH10120494A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075985A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Fujitsu Limited | Actionneur piezoelectrique, son procede de fabrication et tete a jet d'encre dotee de cet actionneur |
| US6781290B2 (en) | 2000-03-30 | 2004-08-24 | Fujitsu Limited | Piezoelectric actuator, method of manufacturing the same, ink-jet head using the same, and ink-jet printer |
| US7339219B2 (en) | 2003-03-04 | 2008-03-04 | Fujitsu Limited | Capacitance device including a perovskite film having (001) orientation |
| JP2006245247A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 |
| CN100418196C (zh) * | 2005-06-24 | 2008-09-10 | 电子科技大学 | 以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法 |
| JP2010016127A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Tohoku Univ | 強誘電体膜、強誘電体膜を有する半導体装置、及びそれらの製造方法 |
| JP2010053024A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Canon Inc | 金属酸化物および圧電材料 |
| JP2011071150A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜付基板、圧電薄膜素子、アクチュエータ、及びセンサ |
| WO2011086645A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電素子の製造方法及びその製造方法により製造された圧電素子 |
| US9157378B2 (en) | 2010-01-12 | 2015-10-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method for manufacturing piezoelectric element and piezoelectric element manufactured using same |
| CN104733292A (zh) * | 2015-03-06 | 2015-06-24 | 西安电子科技大学 | 超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法 |
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