JP2009065040A - 磁性材料及びそれを用いた磁気抵抗素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X(CrまたはV)を添加した(Co-Fe)aXbBc (CoとFeの組成比は任意でa=45-80%、b=5-25%、c=15-30%)の組成を持つ磁性材料である。
【選択図】なし
Description
超高真空スパッタ法により熱酸化膜付きシリコン基板上にTa/Co-Fe-B-X/Taを順次堆積させ、Ta 10 nm/Co-Fe-B-X 10 nm/Ta 5 nm薄膜を作製した。ここでは、XとしてCrおよびVを選び、それらの濃度を0から20%まで変化させ、薄膜作製後、真空中で熱処理を行った。熱処理温度はCrの場合400℃、Vの場合は350℃とした。
本発明に係る磁性材料を用いたMgO-TMR素子が、大きな磁気抵抗を保っていることから、本発明に係る磁性材料が、素子全体の結晶構造をそれほど大きく乱していないことの傍証とすることが出来る。
上記非特許文献1および上記特許文献4に示されているように、スピン注入磁化反転を誘起する反転電流密度(Jco)は、下記の2つの式で示すことができる。
Claims (6)
- Co-Fe-B合金に元素X(Xは、CrまたはV)を添加した(Co-Fe)aXbBc (CoとFeの組成比は任意で、a=45〜80%、b=5〜25%、c=15〜30%)の組成を持つことを特徴とする磁性材料。
- 強磁性金属磁化固定層と中間層と強磁性金属磁化自由層との積層構造からなり、磁化固定層と磁化自由層との磁化の相対角度により抵抗を変化させる磁気抵抗素子において、
請求項1に記載の磁性材料を前記磁化自由層又は前記磁化固定層の少なくともいずれか一方に用いたことを特徴とする磁気抵抗素子。 - 請求項2に記載の磁気抵抗素子において、前記中間層として酸化マグネシウムを用い、前記磁化自由層又は前記磁化固定層の少なくともいずれか一方を構成する磁性材料として請求項1に記載の磁性材料を用いることを特徴とする磁気抵抗素子。
- 前記磁気抵抗素子を構成する薄膜をスパッタリング法により作成し、かつ、前記薄膜の製膜後に、270℃以上の温度でアニール処理を行うことによって、前記中間層と前記磁化自由層又は前記磁化固定層のうち少なくともいずれか一方を結晶化させ、かつ、その結晶方向を体心立方格子(bcc)の(001)面に配向させることを特徴とする請求項3に記載の磁気抵抗素子。
- 磁化反転の手段として、電流による磁化反転(スピン注入磁化反転)を用いることを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗素子。
- 請求項2から4までのいずれか1項に記載の磁気抵抗素子を用いることを特徴とする磁気メモリ装置又は磁気センサー装置。
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