RU2599948C2 - Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой - Google Patents

Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой Download PDF

Info

Publication number
RU2599948C2
RU2599948C2 RU2012153710/08A RU2012153710A RU2599948C2 RU 2599948 C2 RU2599948 C2 RU 2599948C2 RU 2012153710/08 A RU2012153710/08 A RU 2012153710/08A RU 2012153710 A RU2012153710 A RU 2012153710A RU 2599948 C2 RU2599948 C2 RU 2599948C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetization
storage
layer
magnetic
temperature
Prior art date
Application number
RU2012153710/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012153710A (ru
Inventor
Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ
Люсьен ЛОМБАР
Квентин СТЕЙНЕР
Кеннет МАККЕЙ
Original Assignee
Крокус Текнолоджи Са
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Крокус Текнолоджи Са filed Critical Крокус Текнолоджи Са
Publication of RU2012153710A publication Critical patent/RU2012153710A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2599948C2 publication Critical patent/RU2599948C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
    • H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении низкого потребления питания и увеличенной скорости при записи и чтении ячейки памяти. Элемент оперативной памяти (MRAM) содержит магнитный туннельный переход, содержащий: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания; второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои так, что первая намагниченность запоминания, по существу, антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что при температуре чтения первая намагниченность запоминания, по существу, равна второй намагниченности запоминания; и при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

Область техники
[0001] Настоящее раскрытие относится к элементу магнитной оперативной памяти (MRAM), содержащему магнитный туннельный переход, имеющий синтетический запоминающий слой с намагниченностью, которую можно без труда отрегулировать, когда магнитный туннельный переход нагревается до высокой температуры, при этом, когда магнитный туннельный переход охлаждается до низкой температуры, порождается слабое поле рассеяния. Настоящее раскрытие также имеет отношение к термическому способу записи в элемент MRAM.
Описание предшествующего уровня техники
[0001] Ячейки MRAM, использующие так называемую операцию самоотносимого чтения, типично содержат магнитный туннельный переход, образованный из магнитного запоминающего слоя, имеющего намагниченность, направление которой может быть изменено с первого устойчивого направления на второе устойчивое направление, тонкого изолирующего слоя и слоя считывания, имеющего обратимое направление. Самоотносимые ячейки MRAM позволяют выполнять операцию записи и чтения с более низким потреблением питания и с увеличенной скоростью.
[0002] Однако в течение операции чтения из-за локального магнитного поля рассеяния возникает дипольное взаимодействие между запоминающим слоем и слоем считывания в конфигурации замкнутого магнитного потока. Для переключения намагниченности слоя считывания в течение операции чтения будет требоваться применение достаточно сильного магнитного поля, чтобы превзойти дипольное взаимодействие. Дипольное взаимодействие приводит к сдвигу (или смещению) петли гистерезиса, когда применяется цикл поля для измерения петли гистерезиса слоя считывания. Дипольное взаимодействие зависит от толщины и намагниченности запоминающего слоя и слоя считывания, а также от размера магнитного туннельного перехода. В частности дипольное взаимодействие усиливается при уменьшении диаметра магнитного туннельного перехода, что, следовательно, становится основной проблемой при уменьшении размеров ячейки MRAM.
Сущность изобретения
[0003] Настоящее раскрытие имеет отношение к элементу магнитной оперативной памяти (MRAM), содержащему магнитный туннельный переход, содержащий: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит: первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания; второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои таким образом, что первая намагниченность запоминания по существу антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что: при температуре чтения первая намагниченность запоминания по существу равна второй намагниченности запоминания; и при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания.
[0004] В варианте осуществления первый магнитный слой может содержать первый ферромагнитный слой, имеющий первую температуру Кюри, а второй магнитный слой может содержать второй ферромагнитный слой, имеющий вторую температуру Кюри, которая выше, чем первая температура Кюри.
[0005] В другом варианте осуществления температура записи может находиться ниже первой и второй температуры Кюри.
[0006] В еще одном варианте осуществления температура записи может находиться выше первой температуры Кюри и ниже второй температуры Кюри.
[0007] В еще одном варианте осуществления первый магнитный запоминающий слой может содержать ферримагнитный аморфный сплав, содержащий подрешетку атомов переходных металлов, обеспечивающую 3d намагниченность запоминания, и подрешетку атомов редкоземельного элемента, обеспечивающую 4f намагниченность запоминания, являющуюся антипараллельной 3d намагниченности запоминания; причем первая намагниченность запоминания соответствует векторной сумме 3d намагниченности запоминания и 4f намагниченности запоминания.
[0008] В еще одном варианте осуществления подрешетка редкоземельного элемента может иметь первую температуру Кюри, а подрешетка атомов переходного металла может иметь вторую температуру Кюри, которая выше, чем первая температура Кюри.
[0009] В еще одном варианте осуществления температура записи может по существу соответствовать температуре компенсации ферримагнитного запоминающего слоя, когда первая намагниченность запоминания становится по существу нулевой.
[0010] В еще одном варианте осуществления температура записи может по существу соответствовать первой температуре Кюри подрешетки редкоземельного элемента ферримагнитного запоминающего слоя.
[0011] Настоящее изобретение также относится к способу записи в элемент MRAM, содержащему:
нагревание магнитного туннельного перехода до температуры записи;
регулирование первой и второй намагниченностей запоминания; и
охлаждение магнитного туннельного перехода до температуры чтения.
[0012] В варианте осуществления регулирование первой и второй намагниченностей запоминания может быть выполнено посредством приложения магнитного поля записи.
[0013] В другом варианте осуществления элемент MRAM может дополнительно содержать линию тока в электрическом контакте с одним концом магнитного туннельного перехода; при этом нагревание магнитного туннельного перехода может содержать пропускание тока нагрева в магнитном туннельном переходе по линии тока.
[0014] Первая и вторая намагниченности запоминания раскрытого элемента MRAM могут быть без труда отрегулированы при нагреве магнитного туннельного перехода до высокой температуры, при этом, когда магнитный туннельный переход охлажден до низкой температуры, генерируется слабое поле рассеяния.
Краткое описание чертежей
[0015] Изобретение будет лучше понятно при помощи описания варианта осуществления, изложенного в качестве примера и проиллюстрированного на фигурах, на которых:
На Фиг.1 проиллюстрирован самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий первую намагниченность запоминания и вторую намагниченность запоминания согласно варианту осуществления;
На Фиг.2 предоставлена температурная зависимость намагниченности для первой намагниченности запоминания и второй намагниченности запоминания;
На Фиг. 3а-3d представлен вид сверху запоминающего слоя, иллюстрирующий конфигурации первой и второй намагниченностей запоминания согласно варианту осуществления;
На Фиг.4 представлена кривая намагничивания запоминания согласно варианту осуществления Фиг. 3а-3d;
На Фиг. 5а-5d проиллюстрированы конфигурации первой и второй намагниченностей запоминания согласно другому варианту осуществления;
На Фиг.6 представлена кривая намагничивания запоминающего слоя согласно варианту осуществления Фиг. 5а-5d;
На Фиг. 7а-7b проиллюстрированы конфигурации первой и второй намагниченностей запоминания согласно еще одному варианту осуществления;
На Фиг.8 представлена кривая намагничивания запоминающего слоя согласно варианту осуществления Фиг. 7а-7b;
На Фиг.9 проиллюстрирован элемент MRAM согласно другому варианту осуществления; и
На Фиг.10 представлена температурная зависимость намагниченности для первой и второй намагниченности запоминания элемента MRAM согласно варианту осуществления Фиг.9.
Подробное описание возможных вариантов осуществления
[0016] На Фиг.1 проиллюстрирован самоотносимый элемент 1 магнитной оперативной памяти согласно варианту осуществления. Ячейка 1 MRAM содержит магнитный туннельный переход 2, содержащий запоминающий слой 23; слой 21 считывания; и туннельный барьерный слой 22, заключенный между запоминающим слоем 23 и слоем 21 считывания.
[0017] В варианте осуществления Фиг.1 запоминающий слой 23 содержит синтетическую антиферромагнитную (SAF) структуру, содержащую первый магнитный слой 231, являющийся ферромагнетиком и имеющий первую намагниченность 234 запоминания, и второй магнитный слой 232, являющийся ферромагнетиком и имеющий вторую намагниченность 235 запоминания, и немагнитный связующий слой 233, отделяющий первый и второй ферромагнитные слои 231, 232. Ферромагнитные слои 231 и 232 могут быть выполнены из такого материала, как кобальт-железо (CoFe), кобальт-железо-бор (CoFeB), никель-железо (NiFe), кобальт (Co) и т.д. Толщина первого и второго ферромагнитных слоев 231, 232, может находиться, например, между 1 нм и 10 нм, но предпочтительно между около 1,5 нм и около 4 нм.
[0018] Связующий слой 233 может состоять из материала, выбранного из группы, содержащей рутений (Ru), рений (Re), родий (Rh), теллур (Te), иттрий (Y), хром (Cr), иридий (Ir), серебро (Ag), медь (Cu) и т.д. Предпочтительно связующий слой 233 выполняется из рутения. Размеры (например, толщина) связующего слоя 233 могут быть выбраны так, чтобы добиться магнитного взаимодействия первого и второго ферромагнитных слоев 231 и 232 таким образом, чтобы первая намагниченность 234 запоминания была направлена антипараллельно второй намагниченности 235. Толщина может зависеть от материала, из которого образован связующий слой 233. Толщина типично находится между около 0,2 нм и около 3 нм, предпочтительно между около 0,6 нм и около 2 нм, или между около 0,6 нм и около 0,9 нм, или между около 1,6 нм и около 2 нм. Для соединения двух ферромагнитных слоев 231 и 232 могут также подходить другие толщины.
[0019] Магнитный туннельный переход 2 дополнительно содержит слой 21 считывания, имеющий намагниченность 211 считывания, которая является обратимой, и туннельный барьерный слой 22, отделяющий слой 21 считывания от запоминающего слоя 23. Слой 21 считывания может быть выполнен из сплавов на основе NiFe, вместо сплавов на основе CoFeB для того, чтобы получить более слабое переключающее поле. Предпочтительно слой 21 считывания не является обменно-смещенным, и его намагниченность имеет направление, которое может свободно изменяться, например, в результате теплового возмущения, и таким образом, его намагниченность может свободно выравниваться в магнитном поле. Туннельный барьерный слой 22 является тонким слоем, типично из нанометрического диапазона, и может быть образован, например, из подходящего изолирующего материала, такого как окись алюминия Al2O3 или окись магния (MgO).
[0020] В варианте осуществления запоминающий слой 23 может быть обменно-связанным с антиферромагнитным слоем 24, например, как представлено в примерной конфигурации Фиг.1. Антиферромагнитный слой 24 выполнен с возможностью удержания первой намагниченности 234 запоминания первого ферромагнитного слоя 231 ниже критической температуры и высвобождения ее у или выше критической температуры. Антиферромагнитный слой 24 может быть выполнен из сплава на основе марганца, такого как IrMn, PtMn или FeMn, или любых других подходящих материалов.
[0021] В предпочтительном варианте осуществления первый ферромагнитный слой 231 имеет первую температуру TC1 Кюри, которая ниже, чем вторая температура TC2 Кюри второго ферромагнитного слоя 232.
[0022] На Фиг.2 представлена температурная зависимость намагниченности насыщения Ms первой намагниченности 234 запоминания и второй намагниченности 235 запоминания согласно варианту осуществления. Значения первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания уменьшаются, когда температура повышается соответственно по направлению к температурам TC1 и TC2 Кюри. У или выше температур TC1, TC2 Кюри тепловые флуктуации являются такими, что результирующая намагниченность соответственно первой и второй намагниченностей запоминания становится нулевой, при этом материал является парамагнетиком. Представленное на Фиг.2 также является температурной зависимостью эффективной намагниченности 236 запоминания запоминающего слоя 23. Эффективная намагниченность 236 запоминания соответствует векторной сумме первой намагниченности 234 запоминания и второй намагниченности 235 запоминания. При температуре T1 чтения меньшей, чем температура TS, которая является значительно меньшей, чем первая и вторая температуры TC1, TC2 Кюри, первая и вторая намагниченности 234, 235 запоминания по существу равны, а эффективная намагниченность 236 запоминания по существу равна нулю. Здесь выражения "по существу равны" и "по существу равны нулю" соответственно включают полное равенство и ноль. Результирующее запоминающее магнитное поле рассеяния (не представлено), которое порождается эффективной намагниченностью 236 запоминания, таким образом по существу равно нулю, и между запоминающим слоем 23 и слоем 21 считывания не возникнет дипольного взаимодействия. Следовательно, при температуре T1 чтения намагниченность 211 считывания может быть легко переключена, например, используя слабое внешнее магнитное поле. Таким образом, когда выполняется операция чтения элемента 1 MRAM, регулировка магнитного туннельного перехода 2 при температуре T1 чтения является предпочтительной. Температура T1 чтения может соответствовать рабочей температуре элемента 1 MRAM, например, температуре окружающей среды ячейки MRAM.
[0023] На Фиг. 3а-3d представлен вид сверху запоминающего слоя 23, иллюстрирующий конфигурации первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания согласно варианту осуществления, где магнитный туннельный переход 2 имеет температуру T1 чтения. На Фиг.4 представлена кривая намагничивания запоминающего слоя 23 SAF для случая, когда магнитный туннельный переход 2 имеет температуру T1 чтения. Символ В означает величину внешнего магнитного поля 42 записи, а символ М означает значения намагниченности для первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания. На Фиг.4 показано, что когда магнитное поле 42 записи прикладывается со значением, которое ниже значения BSF поля переориентации спина (плоский участок, обозначенный символом
Figure 00000001
на Фиг.4), переключения для первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания не происходит. В это время первая и вторая намагниченности 234, 235 запоминания сориентированы антипараллельно (см. Фиг. 3b и 3с), благодаря эффекту взаимосвязи связующего слоя 233. Когда величина магнитного поля 42 записи вырастает выше значения BSF поля переориентации спина (участки, отмеченные символами
Figure 00000002
и
Figure 00000003
Фиг.4), первая намагниченность 234 запоминания больше не является антипараллельной второй намагниченности 235 запоминания, а образует заранее заданный угол со второй намагниченностью запоминания (см. Фиг. 3а и 3d). Первая намагниченность 234 запоминания может стать ориентированной по существу параллельно второй намагниченности 235 запоминания (не представлено на Фиг.3) посредством дополнительного усиления магнитного поля 42 записи до значения поля насыщения BSAT.
[0024] Таким образом, при температуре Т1 чтения магнитного туннельного перехода переключение первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания требует приложения поля 42 записи с намагниченностью выше значения BSF поля переориентации спина. Поскольку типичные значения BSF поля переориентации спина находятся между около 400 эрстед и 600 эрстед, переключение первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания при температуре Т1 чтения магнитного туннельного перехода 2 требует магнитного поля 42 записи, имеющего величину, которая по меньшей мере выше 400 эрстед.
[0025] На Фиг. 5а-5d проиллюстрированы конфигурации первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания в случае, когда магнитный туннельный переход 2 находится при температуре Т2 записи, которая больше, чем пороговая температура (TS), и таким образом, выше, чем температура Т1 чтения. В настоящем примере температура T2 записи находится ниже первой и второй температур ТС1, TC2 Кюри, но находится в окрестности первой температуры TC1 Кюри таким образом, что вторая намагниченность 235 запоминания становится больше, чем первая намагниченность 234 запоминания (см. Фиг.2), при этом эффективная намагниченность 236 запоминания является ненулевой. На Фиг. 5а-5d большая величина вторых намагниченностей 235 запоминания представлена более толстой стрелкой 235.
[0026] На Фиг.6 представлена кривая намагничивания запоминающего слоя 23 SAF для случая, когда магнитное поле 42 записи применено к магнитному туннельному переходу 2, находящемуся при температуре T2 записи. В этом случае кривая намагничивания показывает гистерезис на участке кривой, обозначенном символами
Figure 00000001
и
Figure 00000003
на Фиг.6. В этот момент первая и вторая намагниченности 234, 235 запоминания могут быть переключены из первой ориентации, показанной на Фиг.5b, в другую ориентацию, показанную на Фиг.5с, когда магнитное поле 42 записи прикладывается с величиной, равной или большей значения BS поля переключения. В качестве иллюстрации, значение BS поля переключения может быть меньше 80 эрстед. На Фиг.5b и 5с первая и вторая намагниченности 234, 235 запоминания сориентированы антипараллельно, благодаря эффекту взаимосвязи связующего слоя 233. Подобно кривой намагничивания Фиг.4, участки
Figure 00000001
и
Figure 00000004
на Фиг.6 соответствуют магнитному полю 42 записи, приложенному с величиной равной или большей значения BSF поля переориентации спина, что приводит к конфигурациям, показанным на Фиг. 5а и 5d, где первая и вторая намагниченности запоминания 233, 234 образуют заранее заданный угол относительно друг друга.
[0027] На Фиг. 7а и 7b проиллюстрированы конфигурации первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания в случае, когда магнитный туннельный переход 2 находится при температуре T3 записи, которая выше, чем первая температура TC1 Кюри, но ниже, чем вторая температура TC2 Кюри (см. Фиг.2). Поскольку магнитный туннельный переход 2 имеет температуру большую, чем первая температура TC1 Кюри, первая намагниченность 234 запоминания становится по существу нулевой. Следовательно, эффективная намагниченность 236 запоминания определяется лишь второй намагниченностью 235 запоминания. На Фиг. 7а и 7b это представлено посредством отображения лишь второй намагниченности 235 запоминания. В этой конфигурации, запоминающий слой 23 SAF имеет такое поведение, как будто он содержит лишь второй ферромагнитный слой 232.
[0028] На Фиг.8 представлена кривая намагничивания запоминающего слоя 23 SAF для случая, когда магнитное поле 42 записи прикладывается к магнитному туннельному переходу 2, находящемуся при температуре T3. Кривая намагничивания Фиг.8 показывает гистерезис на участке кривой, отмеченном символами
Figure 00000002
и
Figure 00000001
. Вторая намагниченность 235 запоминания может быть переключена, например, из первой ориентации, показанной на Фиг.7а, во вторую ориентацию, показанную на Фиг.7b, когда магнитное поле 42 записи прикладывается с величиной равной или большей, чем значение BS поля переключения. Здесь значение BS поля переключения может быть меньше 40 эрстед, поскольку должна быть переключена лишь вторая намагниченность 235 запоминания.
[0029] Согласно варианту осуществления, термическая операция записи в элемент 1 MRAM может содержать:
нагревание магнитного туннельного перехода 2 до температуры T2, T3, T4 записи;
регулирование первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания; и
охлаждение магнитного туннельного перехода 2 до температуры Т1 чтения.
[0030] Регулирование первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания может быть выполнено посредством приложения магнитного поля 42 записи. Только в качестве примера, магнитное поле 42 записи может быть порождено посредством пропускания тока 41 поля в линии 4 поля (см. Фиг.1). В качестве альтернативы магнитное поле 42 записи может быть порождено током 41 поля по линии 5 тока при электрическом контакте с одним концом магнитного туннельного перехода 2. Величина магнитного поля 42 записи адаптируется таким образом, чтобы располагаться на одной линии с первой и второй намагниченностями 234, 235 запоминания в соответствии с ориентацией магнитного поля 42 записи или с величиной и полярностью тока 41 поля. Более точно, на Фиг.1 показан ток 41 поля, указывающий вглубь страницы, при этом стрелкой, показывающей влево, представлено магнитное поле 42. В качестве альтернативы первая и вторая намагниченности 234, 235 запоминания могут быть отрегулированы посредством пропускания в магнитном туннельном переходе 2 спин-поляризованного тока (не показан), например, по линии 5 тока.
[0031] Нагревание магнитного туннельного перехода 2 может быть выполнено, например, посредством пропускания тока 31 нагрева в магнитном туннельном переходе 2 по линии 5 тока, как, например, проиллюстрировано на Фиг.1. Предпочтительно чтобы магнитный туннельный переход 2 нагревался до температуры T3 записи, при которой первая намагниченность 234 запоминания становится по существу нулевой, причем регулирование первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания является более простым, например, требует самого слабого магнитного поля 42 записи. В этом варианте осуществления температура Т3 записи соответствует эффективной намагниченности 236 запоминания, являющейся по существу максимальной. В примере Фиг.2 максимум эффективной намагниченности 236 запоминания соответствует первой температуре TC1 Кюри, когда первая намагниченность 234 запоминания становится нулевой, а вторая намагниченность 235 запоминания находится ниже второй температуры TC2 Кюри. Таким образом, при T3 магнитное поле 42 записи, требуемое для переключения единственной второй намагниченности 235 запоминания, является самым слабым. Например, значение BS поля переключения может быть меньше, чем 40 эрстед.
[0032] Магнитный туннельный переход 2 предпочтительно охлаждается до температуры Т1 чтения, когда первая и вторая намагниченности 234, 235 запоминания по существу равны, при этом эффективная намагниченность 236 запоминания по существу является нулевой (см. Фиг.2). Таким образом, при температуре Т1 чтения запоминающим слоем по существу не порождается запоминающего магнитного поля рассеяния, а между запоминающим слоем 23 и слоем 21 считывания по существу не возникает дипольного взаимодействия. При температуре Т1 чтения намагниченность 211 считывания может быть без труда переключена, например, используя слабое внешнее магнитное поле (ниже 40 эрстед). Таким образом, когда выполняется операция чтения элемента 1 MRAM, регулировка магнитного туннельного перехода 2 при температуре T1 чтения является предпочтительной.
[0033] Второй вариант осуществления.
[0034] На Фиг.9 проиллюстрирован элемент 1 MRAM согласно другому варианту осуществления, где первый магнитный слой запоминающего слоя SAF является ферримагнетиком. Предпочтительно ферримагнитный запоминающий слой 231 содержит ферримагнитный аморфный сплав. Ферримагнитный аморфный сплав может быть обеспечен посредством выбора отвечающих требованиям элементов и связанных с ними составов среди переходных металлов и редкоземельных материалов. Более точно, ферримагнитный запоминающий слой 231 содержит подрешетку атомов редкоземельного элемента, обеспечивающую 4f намагниченность 2342 запоминания, и подрешетку атомов переходного металла, обеспечивающую 3d намагниченность 2341 запоминания, сориентированную по существу антипараллельно 4f намагниченности запоминания. Первая намагниченность 234 запоминания ферримагнитного запоминающего слоя 231 соответствует векторной сумме 3d намагниченности 2341 запоминания и 4f намагниченности 2342 запоминания. Толщина связующего слоя 233 может быть выбрана таким образом, чтобы вторая намагниченность 235 запоминания соединялась параллельно 3d намагниченности 2341 запоминания, как представлено в примере на Фиг. 9 и 10.
[0035] На Фиг.10 представлена температурная зависимость 4f и 3d намагниченностей 2342, 2341 запоминания и второй намагниченности 235 запоминания элемента 1 MRAM согласно варианту осуществления Фиг.9. Также на Фиг.10 представлена температурная зависимость первой намагниченности 234 запоминания и эффективной намагниченности 236 запоминания запоминающего слоя 23. В примере Фиг.10 первая температура TC1 Кюри подрешетки редкоземельного элемента ферримагнитного запоминающего слоя 231 является более низкой, чем вторая температура TC2 Кюри подрешетки переходного металла ферримагнитного запоминающего слоя 231 и второй намагниченности 235 запоминания.
[0036] При температуре Т1 чтения магнитного туннельного перехода (см. Фиг.10) ферримагнитный аморфный сплав может быть обеспечен таким образом, чтобы векторная сумма 4f и 3d намагниченностей 2342, 2341 запоминания, выдающих в результате первую намагниченность 234 запоминания, имела по существу ту же самую величину как у второй намагниченности 235 запоминания. Благодаря магнитному взаимодействию связующего слоя 233, первая намагниченность 234 запоминания сориентирована по существу антипараллельно второй намагниченности 235 запоминания, выдавая эффективную намагниченность 236 запоминания, являющуюся по существу нулевой. В такой конфигурации переключение первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания в течение операции записи требует сильного магнитного поля записи 42. Однако в такой конфигурации между запоминающим слоем 23 и слоем 21 считывания по существу не возникает дипольного взаимодействия, а намагниченность 211 считывания может быть без труда переключена. Посредством регулирования толщины ферримагнитного запоминающего слоя 231 и слоя для второй намагниченности 235 запоминания можно получить первую и вторую намагниченности 234, 235 запоминания, являющиеся по существу равными при температуре Т1 чтения.
[0037] Нагревание магнитного туннельного перехода 2 при температуре Т2 записи приводит к уменьшению 4f намагниченности 2342 запоминания при том, что 3d намагниченность 2341 запоминания по существу остается неизменной. Таким образом, первая намагниченность 234 запоминания уменьшается по сравнению со случаем температуры Т1 чтения. Поскольку при температуре Т2 записи вторая намагниченность 235 запоминания также практически остается неизменной по сравнению со случаем температуры Т1 чтения, эффективная намагниченность 236 запоминания увеличивается, дополнительно уменьшая магнитное поле 42 записи, требуемое для переключения первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания.
[0038] Кроме того, магнитный туннельный переход 2 может быть нагрет до температуры T3 записи, когда первая намагниченность 234 запоминания становится по существу нулевой. В примере Фиг.10 температура Т3 записи по существу соответствует температуре компенсации Tcomp ферримагнитного запоминающего слоя 231, причем 4f намагниченность 2342 запоминания по существу равна 3d намагниченности 2341 запоминания, сориентированной в противоположном направлении. При температуре Т3 записи лишь вторая намагниченность 235 запоминания незначительно уменьшается по сравнению со случаем температуры Т2 записи таким образом, что эффективная намагниченность 236 запоминания дополнительно уменьшается. Таким образом, можно ослабить магнитное поле 42 записи, требуемое для переключения первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания.
[0039] Нагревание магнитного туннельного перехода 2 до температуры Т4 записи, по существу соответствующей первой температуре TC1 Кюри подрешетки редкоземельного элемента ферримагнитного запоминающего слоя 231, приводит в результате к тому, что 4f намагниченность 2342 запоминания становится по существу нулевой. Таким образом, при температуре Т4 записи векторная сумма первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания является максимальной. Таким образом, магнитное поле 42 записи, требуемое для переключения первой и второй намагниченностей 234, 235 запоминания, является минимальным.
Ссылочные позиции
1 ячейка магнитной оперативной памяти
2 магнитный туннельный переход
21 слой считывания
211 намагниченность считывания
22 туннельный барьерный слой
23 синтетический запоминающий слой
231 первый магнитный слой
232 второй магнитный слой
233 связующий слой
234 первая намагниченность запоминания
2341 3d намагниченность запоминания
2342 4f намагниченность запоминания
235 вторая намагниченность запоминания
236 эффективная намагниченность запоминания
24 антиферромагнитный слой
31 ток нагрева
4 линия поля
41 ток записи
42 магнитное поле записи
5 линия тока
Bs переключающее поле
BSAT поле насыщения
BSF поле переориентации спина
T1 температура чтения
T2, T3, T4 температура записи
TC1 первая температура Кюри
TC2 вторая температура Кюри

Claims (11)

1. Элемент оперативной памяти (MRAM), содержащий магнитный туннельный переход, содержащий: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит:
первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания;
второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и
немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои так, что первая намагниченность запоминания, по существу, антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что:
при температуре чтения первая намагниченность запоминания, по существу, равна второй намагниченности запоминания; и
при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания.
2. Элемент MRAM по п. 1, в котором первый магнитный слой содержит первый ферромагнитный слой, имеющий первую температуру Кюри, а второй магнитный слой содержит второй ферромагнитный слой, имеющий вторую температуру Кюри, которая выше, чем первая температура Кюри.
3. Элемент MRAM по п. 2, в котором температура записи находится ниже первой и второй температуры Кюри.
4. Элемент MRAM по п. 2, в котором температура записи находится выше первой температуры Кюри и ниже второй температуры Кюри.
5. Элемент MRAM по п. 1, в котором
первый магнитный запоминающий слой содержит ферримагнитный аморфный сплав, содержащий подрешетку атомов переходных металлов, обеспечивающую 3d намагниченность запоминания, и подрешетку атомов редкоземельного элемента, обеспечивающую 4f намагниченность запоминания, являющуюся антипараллельной 3d намагниченности запоминания; и причем
первая намагниченность запоминания соответствует векторной сумме 3d намагниченности запоминания и 4f намагниченности запоминания.
6. Элемент MRAM по п. 5, в котором подрешетка редкоземельного элемента имеет первую температуру Кюри, а подрешетка атомов переходного металла имеет вторую температуру Кюри, которая выше, чем первая температура Кюри.
7. Элемент MRAM по п. 6, в котором температура записи соответствует, по существу, температуре компенсации ферримагнитного запоминающего слоя, когда первая намагниченность запоминания становится, по существу, нулевой.
8. Элемент MRAM по п. 6, в котором температура записи соответствует, по существу, первой температуре Кюри подрешетки редкоземельного элемента ферримагнитного запоминающего слоя.
9. Способ записи в элемент MRAM, содержащий магнитный туннельный переход, включающий в себя: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит: первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания; второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои так, что первая намагниченность запоминания, по существу, антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что: при температуре чтения первая намагниченность запоминания, по существу, равна второй намагниченности запоминания; и при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания; причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
нагревают магнитный туннельный переход до температуры записи;
регулируют первую и вторую намагниченности запоминания; и
охлаждают магнитный туннельный переход до температуры чтения.
10. Способ по п. 9, в котором регулирование первой и второй намагниченностей запоминания выполняют посредством приложения магнитного поля записи.
11. Способ по п. 9, в котором элемент MRAM дополнительно содержит линию тока в электрическом контакте с одним концом магнитного туннельного перехода; и в котором нагревание магнитного туннельного перехода содержит пропускание тока нагрева в магнитном туннельном переходе по линии тока.
RU2012153710/08A 2011-12-12 2012-12-12 Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой RU2599948C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11290572.4A EP2605246B1 (en) 2011-12-12 2011-12-12 Self-referenced magnetic random access memory element comprising a synthetic storage layer
EP11290572.4 2011-12-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012153710A RU2012153710A (ru) 2014-06-20
RU2599948C2 true RU2599948C2 (ru) 2016-10-20

Family

ID=45623031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012153710/08A RU2599948C2 (ru) 2011-12-12 2012-12-12 Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8743597B2 (ru)
EP (1) EP2605246B1 (ru)
JP (1) JP2013123058A (ru)
KR (1) KR20130066552A (ru)
CN (1) CN103165171B (ru)
RU (1) RU2599948C2 (ru)
TW (1) TW201342374A (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2608208B1 (en) * 2011-12-22 2015-02-11 Crocus Technology S.A. Self-referenced MRAM cell and method for writing the cell using a spin transfer torque write operation
EP2615610B1 (en) * 2012-01-16 2016-11-02 Crocus Technology S.A. Mram cell and method for writing to the mram cell using a thermally assisted write operation with a reduced field current
EP2741296B1 (en) * 2012-12-07 2019-01-30 Crocus Technology S.A. Self-referenced magnetic random access memory (MRAM) and method for writing to the MRAM cell with increased reliability and reduced power consumption
EP2775480B1 (en) * 2013-03-07 2018-11-14 Crocus Technology S.A. Self-referenced TAS-MRAM cell that can be read with reduced power consumption
US9460397B2 (en) 2013-10-04 2016-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum computing device spin transfer torque magnetic memory
US20150129946A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 International Business Machines Corporation Self reference thermally assisted mram with low moment ferromagnet storage layer
US9490000B2 (en) 2014-04-10 2016-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing thermally assisted magnetic junctions having a multi-phase operation
KR102335104B1 (ko) 2014-05-23 2021-12-03 삼성전자 주식회사 자기 소자
EP2958108B1 (en) * 2014-06-17 2019-08-28 CROCUS Technology Self-referenced multibit MRAM cell having a synthetic antiferromagnetic storage layer
KR20170064018A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치
EP3217446B1 (en) * 2016-03-10 2022-02-23 Crocus Technology Magnetoresistive element having an adjustable magnetostriction and magnetic device comprising the magnetoresistive element
CN114335329B (zh) * 2022-03-16 2022-06-17 波平方科技(杭州)有限公司 一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2310928C2 (ru) * 2004-10-27 2007-11-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства
US7630232B2 (en) * 2006-02-08 2009-12-08 Magic Technologies, Inc. Synthetic anti-ferromagnetic structure with non-magnetic spacer for MRAM applications

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6385082B1 (en) * 2000-11-08 2002-05-07 International Business Machines Corp. Thermally-assisted magnetic random access memory (MRAM)
US6713830B2 (en) * 2001-03-19 2004-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Magnetoresistive element, memory element using the magnetoresistive element, and recording/reproduction method for the memory element
US6667897B1 (en) * 2002-06-28 2003-12-23 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction containing a ferrimagnetic layer and anti-parallel layer
US7436700B2 (en) * 2004-02-06 2008-10-14 Infineon Technologies Ag MRAM memory cell having a weak intrinsic anisotropic storage layer and method of producing the same
KR100669363B1 (ko) * 2004-10-26 2007-01-16 삼성전자주식회사 메모리 장치의 읽기 방법
FR2892231B1 (fr) * 2005-10-14 2008-06-27 Commissariat Energie Atomique Dispositif magnetique a jonction tunnel magnetoresistive et memoire magnetique a acces aleatoire
TWI304586B (en) * 2006-03-20 2008-12-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech System for reducing critical current of magnetic random access memory
WO2009074411A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Crocus Technology Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure
FR2925747B1 (fr) * 2007-12-21 2010-04-09 Commissariat Energie Atomique Memoire magnetique a ecriture assistee thermiquement
JP2010093091A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Hitachi Ltd 磁気メモリ、磁気メモリアレイおよび磁気メモリアレイへの情報書込み方法
EP2575136B1 (en) * 2011-09-30 2014-12-24 Crocus Technology S.A. Self-reference magnetic random access memory (MRAM) cell comprising ferromagnetic layers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2310928C2 (ru) * 2004-10-27 2007-11-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства
US7630232B2 (en) * 2006-02-08 2009-12-08 Magic Technologies, Inc. Synthetic anti-ferromagnetic structure with non-magnetic spacer for MRAM applications

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130066552A (ko) 2013-06-20
US20130148419A1 (en) 2013-06-13
TW201342374A (zh) 2013-10-16
EP2605246B1 (en) 2015-02-11
US8743597B2 (en) 2014-06-03
CN103165171A (zh) 2013-06-19
CN103165171B (zh) 2017-05-10
RU2012153710A (ru) 2014-06-20
EP2605246A1 (en) 2013-06-19
JP2013123058A (ja) 2013-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2599948C2 (ru) Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой
EP2232495B1 (en) Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure
EP2575135B1 (en) Magnetic random access memory (MRAM) cell and method for reading the MRAM cell using a self-referenced read operation
JP2009514193A (ja) フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ
US20190189908A1 (en) Heterostructures for Electric Field Controlled Magnetic Tunnel Junctions
RU2599939C2 (ru) Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои
EP2608208B1 (en) Self-referenced MRAM cell and method for writing the cell using a spin transfer torque write operation
KR20130071402A (ko) 열적 스위칭을 이용한 자기터널접합 제공 방법 및 시스템
JP2018093059A (ja) スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
US20190189912A1 (en) Structures Enabling Voltage Control of Oxidation Within Magnetic Heterostructures
US8503225B2 (en) Multibit cell with synthetic storage layer
KR20100131967A (ko) 강자성 터널 접합 소자 및 강자성 터널 접합 소자의 구동 방법
CN103137853A (zh) 存储元件和存储设备
US9679624B2 (en) Magnetic random access memory (MRAM) cell with low power consumption
CN107209233B (zh) 磁性逻辑部件单元和用于操作磁性逻辑部件单元的方法
EP2741296A1 (en) Self-referenced magnetic random access memory (MRAM) and method for writing to the MRAM cell with increased reliability and reduced power consumption
US9336846B2 (en) MRAM element with low writing temperature
JP5562946B2 (ja) トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
KR20160085218A (ko) 기판 상에 배치되고 자기 소자에 사용할 수 있는 자기 접합 및 이를 포함하는 자기 메모리 및 이를 제공하는 방법
TW201322513A (zh) 包括亞鐵磁層之自我參照磁性隨機存取記憶體(mram)單元
KR20120130737A (ko) 합성 저장층을 갖는 멀티비트 셀

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20171213