JP2010093091A - 磁気メモリ、磁気メモリアレイおよび磁気メモリアレイへの情報書込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 強磁性体からなる固定層、非磁性障壁層、強磁性体からなる記録層、記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層が順次積層されたメモリ素子を備え、前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングする磁気メモリにおいて、前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行とし、前記強磁性付加層の磁化の大きさが、150℃から250℃の温度範囲で消失する材料で、前記強磁性付加層を構成する。
【選択図】 図6
Description
一方、熱安定性を特徴づけるエネルギー障壁、すなわち二つの安定な磁化方向の間で磁化反転をするために必要なエネルギーEは、(数2)で与えられる。
あるいはまた、前記磁気メモリにおいて、前記固定層が、非磁性の中間層を挟んだ2層の強磁性層で構成され、2層の強磁性層が互いに反平行に交換結合しているようにする。
さらに、前記磁気メモリにおいて、前記強磁性付加層を、GdCo、GdFeCo、GdFe、GdDyFe、GdDyCo、GdDyFeCoのいずかで構成する。これらの材料を強磁性付加層に用い、かつ、強磁性付加層を150℃から250℃の温度範囲とすると、強磁性付加層の磁化の大きさを実質的に0とすることができる。つまり、強磁性付加層の磁化を実質的に消失させることが可能である。
さらに、例えば、図6に示すように、前記メモリ素子の強磁性付加層側に発熱体が設け、前記メモリ素子の強磁性付加層と反対側の端部に、磁気メモリに電流を通電するためのトランジスタを接続する。
(1)メモリ素子の膜構造の例
以下、具体的な膜構造に即したメモリ素子の構造を述べる。
第一の膜構成:図6において、反強磁性層35としてMnIr、固定層4としてはCoFeB、絶縁障壁層3としてMgO、記録層2としてCoFeB、強磁性付加層としてGdCoを用いる。このうち、CoFeB、MgO、CoFeBの3層膜は、高いトンネル磁気抵抗(TMR)効果と高いスピントルク磁化反転効率gを実現するのに必須な構成である。固定層4を、さらにMnIr側からCoFe、Ru、CoFeBの3層構造とし、CoFeとCoFeB層がRuを介して互いに磁化の向きが反対方向に交換結合している積層フェリ構造とすることもできる。固定層を積層フェリ構造とすると、反強磁性層MnIrと、その上に形成されたCoFe層を面心立方格子構造として、CoFe層へのMnIr層からの交換結合力を強め、かつRu層上のCoFeBを、製膜時にアモルファス構造とすることで、その上に形成するMgO層を(001)面方向に優先配向させ、製膜後に250℃から400℃の温度で磁界中熱処理することにより、固定層側のCoFeB層および記録層2として用いるCoFeB層を、体心立方構造の(001)方向に結晶化することで、さらに容易に高いTMR効果と高いスピントルク磁化反転効率gを実現することができる。記録層として用いるCoFeB上に製膜されるGdCoはアモルファス膜であり、CoFeBの結晶化になんら影響を与えない点も、前記磁界中熱処理によるCoFeB/MgO/CoFeBの高TMR化処理と両立する優れた膜である。強磁性付加層としては、GdCoの他、GdFeCo、GdFe、GdDyFe、GdDyCo、GdDyFeCo等が好ましく用いられる。記録層2のCoFeBの組成をCo:Fe:B=2:6:2とした場合、300℃で熱処理した後の室温での飽和磁化m0Ms1(T)は1.4Tであり、強磁性付加層61としてGdCoを用いた場合の飽和磁化m0Ms2(T)は、0.36Tであった。膜厚t1を1.5nm、膜厚t2を10nmと設計した。GdCo層の磁化は200℃でほぼ消失し、記録温度を220℃とした場合、Jc0の値は、室温の場合の0.7倍になった。一方、室温でのEの値は、強磁性付加層61の効果により2倍以上に高められるので、本実施例が、高いEと低いJc0の値を両立する構成であることがわかる。
(2)強磁性付加層の再着磁
本発明のように、過熱して磁化が消滅する強磁性付加層を持ち場合には、冷却時に所定の方向を向いた磁化を持つように、アシスト磁界を印加することが、メモリとしての信頼性を高めるために重要である。図10はその方法を示したものである。図10にちおいて、102はトランジスタ(図には示されていない)とTMR膜を接続するために用いられt金属膜、105は反強磁性層35を成長させるための下地金属膜、35は反強磁性層、4は固定層、3は障壁層、2は記録層、61は強磁性付加層、21は発熱体層、101は発熱体層とビット線1を接続する金属膜、103はビット線の中を流れる電流、104はビット線を流れる電流103がビット線のまわりに作る電流磁界である。図10は、図6で開示された本発明の第1の実施例に即して描かれているが、基本的な構造、および着磁の方法は、図8で開示された実施例2、図9で開示された実施例3でも同様である。
(3)メモリアレイ構造
次に、図12を用いて本発明のメモリ回路の一例を示す。図12において1はビット線、121は本発明の実施例1から3のいずれかの構造を有するTMR素子であり、7ばソース線、6はセル選択トランジスタ、122はワード線、127は一つのメモリセルを表す。122125はビット線に流す電流103の大きさを制御する抵抗変化素子(この例の場合はトランジスタ)、124と126は抵抗変化素子122125の伝導状態を制御する抵抗制御用のワード線である。本構成の場合の書込みは、例えばセル127への書き込みを行う場合、まず、電流を流したいビット線1に接続された書き込みドライバーにライトイネーブル信号を送って昇圧し、次に抵抗制御ドライバの電圧を制御して、ビット線1に所定の電流を流す。電流の向きに応じ、抵抗変化素子123に接続されている書き込みドライバーないし、抵抗変化素子125に接続されている書き込みドライバーのいずれかをグランドに落として、電位差を調節して電流方向を制御する。次に所定時間経過後、ワード線に接続された書き込みドライバーにライトイネーブル信号を送り、書き込みドライバーを昇圧して、トランジスタ6をオンにする。これによりTMR素子に電流が流れ、スピントルク磁化反転が行われる。予定の時間、トランジスタ6をオンにしたのち、書込みドライバーへの信号を切断し、トランジスタ6をオフにする。読出しの際は、読出したいメモリセルにつながったビット線1のみを読出し電圧Vに昇圧し、選択トランジスタ6につながっているソース線のみを他方の書込みドライバーで選択してトランジスタ6をオンにして電流を流して、読出しを行う。この場合、読出し時の電流方向は、つねにソース線7からビット線1の方向になるようにする。これによって読出し電流による誤書込みを減らし、より大きな読出し電流を流すことが可能として、高速の読み出しが可能とする。この構造は最も単純な1トランジスタ+1メモリセルの配置なので、単位セルの占める面積は2F×4F=8F2と高集積なものにすることができる。
Claims (19)
- 強磁性体からなる固定層と、前記固定層上に設けた非磁性障壁層と、前記非磁性障壁層上に設けた強磁性体からなる記録層と、前記記録層上に設けた前記記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層とを有する磁気記録部を有し、
前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングする磁気メモリにおいて、
前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行であり、
前記強磁性付加層の磁化は、前記強磁性付加層の温度範囲を150℃から250℃とすることにより、消失することを特徴とする磁気メモリ。 - 前記固定層の前記非磁性障壁層が設けられている面に対向する面に反強磁性層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
- 前記固定層は、第1の強磁性層、非磁性の中間層および第2の強磁性層を積層したものであり、その2層の強磁性層が互いに反平行に交換結合していることを特徴する請求項1記載の磁気メモリ。
- 前記強磁性付加層は、GdCo、GdFeCo、GdFe、GdDyFe、GdDyCoまたはGdDyFeCoのいずかで構成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
- 前記磁気記録部の前記強磁性付加層の前記記録層のある側と反対側の面に発熱体が設けられ、前記磁気記録部の前記発熱体が設けられている面の反対側には、前記磁気記録部に通電するためのトランジスタが接続されていることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
- 前記記録層と前記強磁性付加層との間には、非磁性層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
- 前記固定層の前記非磁性障壁層が設けられている面に対向する面に反強磁性層が設けられていることを特徴とする請求項6記載の磁気メモリ。
- 前記固定層は、第1の強磁性層、非磁性の中間層および第2の強磁性層を積層したものであり、その2層の強磁性層が互いに反平行に交換結合していることを特徴する請求項6記載の磁気メモリ。
- 前記強磁性付加層は、GdCo、GdFeCo、GdFe、GdDyFe、GdDyCoまたはGdDyFeCoのいずかで構成されていることを特徴とする請求項6記載の磁気メモリ。
- 前記磁気記録部の前記強磁性付加層の前記記録層のある側と反対側の面に発熱体が設けられ、前記磁気記録部の前記発熱体が設けられている面の反対側には、前記磁気記録部に通電するためのトランジスタが接続されていることを特徴とする請求項6記載の磁気メモリ。
- 前記記録層と前記強磁性付加層との間には、非磁性層と強磁性層が設けられ、前記記録層上に前記非磁性層が設けられ、前記非磁性層と前記強磁性層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
- 前記固定層の前記非磁性障壁層が設けられている面に対向する面に反強磁性層が設けられていることを特徴とする請求項11記載の磁気メモリ。
- 前記固定層は、第1の強磁性層、非磁性の中間層および第2の強磁性層を積層したものであり、その2層の強磁性層が互いに反平行に交換結合していることを特徴する請求項11記載の磁気メモリ。
- 前記強磁性付加層は、GdCo、GdFeCo、GdFe、GdDyFe、GdDyCoまたはGdDyFeCoのいずかで構成されていることを特徴とする請求項11記載の磁気メモリ。
- 前記固定層はCoFeBであり、前記障壁層はMgOであり、前記記録層はCoFeBであり、前記非磁性層はRuであり、前記強磁性層はCoであるか、又はCoおよびNi,Feを含む合金であり、前記強磁性付加層はGdCo、GdFeCo、GdFe、GdDyFe、GdDyCoまたはGdDyFeCoのいずかでることを特徴とする請求項11記載の磁気メモリ。
- 前記磁気記録部の前記強磁性付加層の前記記録層のある側と反対側の面に発熱体が設けられ、前記磁気記録部の前記発熱体が設けられている面の反対側には、前記磁気記録部に通電するためのトランジスタが接続されていることを特徴とする請求項11記載の磁気メモリ。
- 強磁性体からなる固定層と、前記固定層上に設けた非磁性障壁層と、前記非磁性障壁層上に設けた強磁性体からなる記録層と、前記記録層上に設けた前記記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層とを有する磁気記録部を有し、
前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングする磁気メモリアレイにおいて、
前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行であり、
前記強磁性付加層の磁化は、前記強磁性付加層の温度範囲を150℃から250℃とすることにより、消失するものであり、
前記磁気記録部の前記強磁性付加層の前記記録層のある側と反対側の面に発熱体が設けられ、前記磁気記録部の前記発熱体が設けられている面の反対側には、前記磁気記録部に通電するためのトランジスタが接続され、
前記トランジスタの一端が第一の書込みドライバー回路に接続されたソース線に電気的に接続され、前記発熱体の一端が、第二の書込みドライバーと読出し信号を増幅するアンプに接続されたビット線に接続され、前記トランジスタの抵抗を制御するワード線を備え、前記ワード線が第三の書込みドライバーに接続されていることを特徴とする磁気メモリアレイ。 - 前記ビット線の一端に接続された第一の可変抵抗素子と、
前記ビット線の他端に接続された第二の可変抵抗素子と、
前記第一の可変抵抗素子の抵抗を変化せしめるために用いられる第一の電圧印加手段と、
前記第二の可変抵抗素子の抵抗を変化せしめるために用いられる第二の電圧印加手段と、を備え、
書込み動作時には、前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に電流を流し、前記ビット線と前記ソース線との間にスピン偏極した電流を流すことで生じるスピントルクを用いて記録層の磁化を反転させることを特徴とする請求項17記載の磁気メモリアレイ。 - 強磁性体からなる固定層と、前記固定層上に設けた非磁性障壁層と、前記非磁性障壁層上に設けた強磁性体からなる記録層と、前記記録層上に設けた前記記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層とを有する磁気記録部を有し、
前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングするものであって、
前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行であり、
前記強磁性付加層の磁化は、前記強磁性付加層の温度範囲を150℃から250℃とすることにより、消失するものであり、
前記磁気記録部の前記強磁性付加層の前記記録層のある側と反対側の面に発熱体が設けられ、前記磁気記録部の前記発熱体が設けられている面の反対側には、前記磁気記録部に通電するためのトランジスタが接続され、
前記トランジスタの一端が第一の書込みドライバー回路に接続されたソース線に電気的に接続され、前記発熱体の一端が、第二の書込みドライバーと読出し信号を増幅するアンプに接続されたビット線に接続され、前記トランジスタの抵抗を制御するワード線を備え、前記ワード線が第三の書込みドライバーに接続されている磁気メモリアレイを準備し、
前記ビット線の一端に接続された第一の可変抵抗素子と、
前記ビット線の他端に接続された第二の可変抵抗素子と、
前記第一の可変抵抗素子の抵抗を変化せしめるために用いられる第一の電圧印加手段と、
前記第二の可変抵抗素子の抵抗を変化せしめるために用いられる第二の電圧印加手段とを準備し、
書込み動作時には、前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に電流を流し、前記ビット線と前記ソース線との間にスピン偏極した電流を流すことで生じるスピントルクを用いて記録層の磁化を反転させるものであり、
前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に流す電流を最初に流しはじめ、次に、前記ビット線と前記ソース線との間にスピン偏極した電流を流しはじめ、次に、前記ビット線と前記ソース線との間にスピン偏極した電流を切り、最後に前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に流す電流を切ることを特徴とする磁気メモリアレイへの情報書込み方法。
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