JP2011523506A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ２つ以上の参照層方向を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサの製造方法であって、
   基板を提供すること、
   前記基板の上に第１の絶縁層を形成すること、
   前記第１の絶縁層の上にセンサ層スタックを形成することであって、前記センサ層スタックは前記第１の絶縁層の上に形成された参照層構造と、前記参照層構造の上に形成された非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に形成された検知層とを含む、前記センサ層スタックを形成すること、
   前記センサ層スタックを選択的にエッチングして第１の電極スタックおよび第２の電極スタックを形成することであって、前記第１の電極スタックは第１の参照方向を設定するための第１の形状異方性を有し、前記第２の電極スタックは第２の参照方向を設定するための第２の形状異方性を有する、前記第１の電極スタックおよび第２の電極スタックを形成すること、
   前記第１および第２の電極スタックの各参照層構造が飽和磁場と実質的に整列する磁化を有するまで前記第１および第２の参照方向間に配向される前記基板に実質的に平行な飽和磁場を印加すること、
   前記飽和磁場を除去して、前記第１の形状異方性が前記第１の電極スタックの前記参照層構造の磁化を設定可能とし、前記第２の形状異方性が前記第２の電極スタックの前記参照層構造の磁化を設定可能とすること
   を含む方法。
2. 前記第１および第２の電極スタックを冷却する前に、前記飽和磁場を除去した後、それぞれ前記第１および第２の電極スタックにおいて形成された第１および第２の反磁性層の反磁性結晶相形成温度で、または該反磁性結晶相形成温度よりも高い温度で、前記第１および第２の電極スタックを加熱することにより、第１の形状定義された軸に沿って前記第１の電極スタックにおけるピン止め層の磁化をピン止めし、第２の形状定義された軸に沿って前記第２の電極スタックにおけるピン止め層の磁化をピン止めすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記参照層構造はスペーサ層によって分離された第１および第２の強磁性体層で形成される不平衡合成反強磁性体を備え、第１および第２の強磁性層は異なる磁気モーメントを有する、請求項１に記載の方法。
4. ２つ以上の参照層磁化方向を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサであって、
   基板と、
   前記基板の上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層の上の第１のセンサ層スタックであって、前記第１の絶縁層の上に第１の参照層構造を備える前記第１のセンサ層スタックと、
   前記第１の絶縁層の上の第２のセンサ層スタックであって、前記第１の絶縁層の上に第２の参照層構造を備える前記第２のセンサ層スタックと
   を備え、
   第１の電極スタックは前記第１の参照層構造に対して第１の参照方向を定める第１の形状異方性を有し、第２の電極スタックは前記第２の参照層構造に対して第１の参照方向とは異なる第２の参照方向を定める第２の形状異方性を有する、強磁性薄膜ベースの磁場センサ。
5. 前記第１および第２の参照層構造は、スペーサ層によって分離された第１および第２の強磁性体層で形成される不平衡合成反強磁性体をそれぞれ備え、第１および第２の強磁性層は異なる磁気モーメントを有する、請求項４に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサ。
6. 第１の参照層の上の第１の中間層と、
   第１の参照層上の第１の検知層と、
   第２の参照層上の第２の中間層と、
   第２の参照層上の第２の検知層と
   をさらに備える、請求項４に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサ。