JP2005502227A - 強誘電体アンテナおよびそれを調整するための方法 - Google Patents

Abstract

ＦＥ誘電体調整アンテナおよび無線通信アンテナを調整する周波数のための方法が提供される。本方法は、放射体（１０６）を形成するステップと、放射体（１０４）に近接する強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと、強誘電体材料に電圧を印加するステップと、電圧の印加に応答して誘電率を発生させるステップと、誘電率に応じて共振周波数で電磁場に伝達するステップとを含む。本方法のいくつかの局面は、印加された電圧を変化させ、そして印加された電圧の変化に応答する共振周波数を修正するステップをさらに含む。共振周波数を修正するステップは、印加された電圧に応答して種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップを含む。代替的に説明すると、種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップは、共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有するアンテナを形成するステップを含む。

Description

【技術分野】
【０００１】
（関連出願）
本出願は、２００１年４月１１日米国仮出願６０／２８３，０９３の利益を主張し、この出願は、本明細書中で参考として援用される。さらに、本出願は、以下の米国出願に関連する。本明細書中で参考として援用されるこれらの出願は、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００１年７月１３日に出願され、「Ｆｅｒｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｔｕｎａｂｌｅ Ｆｉｌｔｅｒ」と題された、０９／９０４，６３１号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００１年７月２４日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ｆｅｒｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ」と題された、０９／９１２，７５３号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００１年８月８日に出願され、「Ｌｏｗ Ｌｏｓｓ Ｔｕｎａｂｌｅ Ｆｅｒｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ」と題された、０９／９２７，７３２号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００１年８月１０日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ」と題された、０９／９２７，１３６号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００２年１月１１日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ｐｌａｎａｒ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ」と題された、１０／０４４，５２２号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００２年２月１４日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ｉｓｏｌａｔｏｒ Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ」と題された、１０／０７７，６５４号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００２年２月１２日に出願され、「Ａｎｔｅｎｎａ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｕｎｉｔ」と題された、１０／０７６，１７１号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００２年１月１２日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ａｎｔｅｎｎａ Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ」と題された、１０／０７５，８９６号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．ＴｏｎｃｉｃｈおよびＴｉｍ Ｆｏｒｒｅｓｔｅｒによって２００２年２月１２日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ」と題された、１０／０７５，７２７号と、Ｓｔａｎｌｅｙ Ｓ．Ｔｏｎｃｉｃｈによって２００２年２月１２日に出願され、「Ｔｕｎａｂｌｅ Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ」と題された、１０／０７５，５０７号とである。
【背景技術】
【０００２】
（１．発明の分野）
本発明は、概して無線通信アンテナに関し、より詳細には、強誘電体材料の支援によってアンテナを調整するためのシステムおよび方法に関する。
【０００３】
（２．関連技術の説明）
誘電体材料の使用を組み込むいくつかのタイプの従来のアンテナ設計が存在する。一般的に説明すると、アンテナによって生成されるフィールドの部分は、誘電体を介して放射体から接地部（ｃｏｕｎｔｅｒｐｏｉｓｅ）（グランド）に戻る。アンテナは、放射体の周波数および波長において共振するように調整され、誘電体は、共振周波数の最適な関係を有する。最も一般的な誘電体は、誘電率１を有する空気である。他の材料の誘電率は、空気に対して定義される。
【０００４】
誘電材料は、印加された電圧に応答して変化する誘電率を有する。これらの種々の誘電率のために、強誘電体材料は、調整可能なコンポーネントを作製するための良好な候補である。しかし、現在使用されている計測および特徴化技術の下で、調整可能な強誘電体コンポーネントは、損失特性を改良するために使用された処理、ドーピング、または他の製造技術である処理にもかかわらず、一貫してそして実質的に誘電損失する評価を獲得してきた。従って、調整可能な強誘電コンポーネントが広く使用されてきた。ＲＦまたはマイクロ波領域で動作する強誘電体調整可能なコンポーネントは、特に損失しているものとして認識される。この観測は、レーダ用途における経験によって支援される（特に最大調整が望まれる場合、例えば、バルク（約１．０ｍｍより大きい厚さ）ＦＥ（強誘電体）材料に対する高無線周波数（ＲＦ）またはマイクロ波損失は従来の法則である）。一般的には、その損失を改善（低減）するために選択されない限り、ほとんどのＦＥ材料が損失する。このようなステップは、以下に限定されないが、（１）Ｏ２空孔を補償するための前堆積アニーリングおよび後堆積アニーリング、あるいはその両方、（２）表面応力を低減するためのバッファ層の使用、（３）他の材料との合金またはバッファリング、および（４）選択的なドーピングを含む。
【０００５】
より低いパワーコンポーネントの制限された範囲の調整に対する要求が近年増加するにつれて、強誘電体材料の関心は、バルク材料よりも薄膜の使用に変化してきた。しかし、高い誘電体損失を想定すると、同様に薄膜技術にももたらされる。従来のブロードバンド測定技術は、バルクまたは薄膜であろうとも、調整可能な強誘電体コンポーネントが実質的な損失を有する仮定を支持してきた。例えば、無線通信では、８０よりも大きいＱ、および好ましくは、１８０よりも大きいＱ、およびより好ましくは３５０よりも大きいＱが、約２ＧＨｚの周波数で必要となる。これらの同じ仮定をアンテナの設計に適用する。
【０００６】
調整可能な強誘電体コンポーネント（特に薄膜を用いて）が広範囲の種々の周波数走査（ａｇｉｌｅ）回路に利用され得る。調整可能なコンポーネントが望ましい。なぜなら、調整可能なコンポーネントは、より小さいコンポーネントのサイズおよび高さ、より小さい挿入損失またはより同じ挿入損失に対する良好な拒否、より低いコスト、ならびに１周波数帯域よりも高い帯域にわたって調整する能力を提供し得るためである。複数の帯域をカバーし得る調整可能なコンポーネントの能力は、必要なコンポーネント（例えば、離散的な帯域間で選択するために必要であるスイッチ）の数を潜在的に低減し、この必要なコンポーネントは、使用された複数の固定された周波数コンポーネントであった。これらの利点は、無線ハンドセットの設計において特に重要であり、増加された機能性およびより低いコストおよびサイズに対する必要性は、一見して矛盾した要求である。符号分割多重アクセス（ＣＤＭＡ）ハンドセットを用いると、例えば、個々のコンポーネントの性能が高度に強調される。
【０００７】
周波数調整アンテナのために強誘電体材料を使用することが公知である。しかし、ＦＥ誘電材料の使用は、特にＦＥ材料が最も大きい電磁場強度の領域に配置されない場合、常に効率的であるとは限らない。従来のパッチアンテナの場合では、最大電磁場の領域は、放射体と接地部（グラウンド）との間にある。効率的ではないＦＥ誘電体配置の結果、誘電率の変化は、アンテナの共振周波数の有用な変化に対して最小の影響を有する。共振周波数の有用な変化を達成するためには、これらの従来のＦＥ誘電体アンテナは、複数の放射体に依存する必要があった。
【０００８】
アンテナの共振周波数が使用の間に選択可能になり得る場合、有利である。
【０００９】
ＦＥ材料がアンテナの共振周波数を制御するために使用され得る場合、有利である。
【００１０】
ＦＥ材料アンテナの共振周波数が電圧のＦＥ材料への適用に応答して変化し得る場合、有利である。
【００１１】
ＦＥ材料アンテナが単一の放射体を有する従来の設計のアンテナの共振周波数を効率的に変化させるために使用され得る場合、有利である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（発明の要旨）
本発明は、誘電体としてＦＥ材料を用いて製造されたアンテナを説明する。ＦＥ材料の誘電率は、印加された電圧によって制御され得る。誘電率と共振周波数との間に固定された関係が存在するために、アンテナの共振周波数が印加された電圧を用いて制御され得る。
【００１３】
従って、単一の帯域の無線通信アンテナを周波数調整するための方法が提供される。本方法は、放射体を形成するステップと、放射体に隣接する強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと、電圧を強誘電体材料に印加するステップと、電圧の印加に応答して誘電率を発生させるステップと、誘電率に応答して共振周波数で電磁場に伝達するステップとを包含する。本方法のいくつかの局面は、印加された電圧を変化させるステップと、印加された電圧の変化に応答して共振周波数を修正するステップとをさらに包含する。
【００１４】
共振周波数を修正するステップは、印加された電圧に応答する種々の動作周波数を用いてアンテナを形成するステップを包含する。代替的に説明されたように、種々の動作周波数を用いてアンテナを形成するステップは、共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを用いてアンテナを形成するステップを包含する。
【００１５】
本方法のいくつかの局面では、放射体を形成するステップは、単一の放射体を形成するステップである。
【００１６】
本方法のいくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、固定された誘電率を有する第１の材料から強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと、種々の誘電率を有する強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを含む。次いで、共振周波数を修正するステップは、強誘電体材料の誘電率の変更に応答して共振周波数を修正するステップを包含する。
【００１７】
他の局面では、強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、複数の誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを包含し、誘電体材料の各々は、固定された誘電率を有する材料を形成する。あるいはまたはさらに、強誘電体材料を用いて誘電体を形成するステップは、複数の強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを包含し、各強誘電体材料は、種々の誘電率を有する。
【００１８】
上記方法のさらなる詳細およびＦＥ材料の誘電体を用いて製造されたアンテナの群は、以下に説明される。
【００１９】
（好適な実施形態の詳細な説明）
本発明は、選択可能な動作周波数を有するアンテナの群を説明する。一般的には、各アンテナは、種々の誘電率を有する放射体に近接する強誘電体材料を有する放射体および誘電体を含む。放射体は、強誘電体材料の誘電率に応答する周波数で共振する。いくつかのアンテナは、放射体に対して接地部を含む。他のアンテナ設計は、任意に設計された接地武および放射体を含む。さらなる他の設計は、互いに明瞭に区別できない接地部および放射体を含む。
【００２０】
本発明の一局面では、以下に提示されたアンテナの群は、任意の明らかな帯域幅または共振周波数変化を達成するための複数の放射体に依存する従来のアンテナとは異なり、単一の放射体アンテナの共振周波数を効率的に調整するように含まれたＦＥ誘電体層を有する。本発明は、そのアンテナの各々が、単一の放射体に対応する共振の１つの基本周波数（基本周波数の高調波の考慮を除く）を有する点において単一の帯域として本明細書中で定義される。アンテナの群の本発明の別の局面では、ＦＥ誘電体は、放射体と接地部（垂直接地部）との間の最高密度の電磁場の領域に配置される。その結果、ＦＥ材料の誘電率の変化は、アンテナの共振周波数の著しい変化を生成する。
【００２１】
図１ａ〜図１ｃは、選択可能な動作周波数を有する本発明のパッチアンテナの図である。図１ａは、半波長の放射体の寸法を有し得る単一帯域のパッチアンテナの概略図である。パッチアンテナ１００は、接地部１０２および接地部の上にある強誘電体材料を有する強誘電体１０４を含む。この誘電体は、強誘電体材料に印加された電圧に応答する種々の誘電率を有する。少なくとも１つの放射体１０６は、誘電率に応答する共振周波数を有する誘電体１０４の上にある。パッチアンテナ１００のいくつかの局面では、誘電体１０４は、全体的にＦＥ材料からなる層である。パッチアンテナの原理および設計は、当業者によって十分に理解され、簡略化の点で本明細書では繰り返されない。ＦＥ材料の使用は、パッチアンテナに広範囲の選択可能な動作周波数を与えるが、設計の一般的な原理は、本発明のＦＥ材料によって変更されない。同軸供給線１０８は、放射体１０６に接続された中心導電体１１０を有し、接地部１０２に接続されたグランドを有する。
【００２２】
図１ｂは、図１ａのパッチアンテナ１００の平面図である。典型的には、ＦＥ材料を有する誘電体は、放射体１０６の近傍に配置されるだけである。領域１１２は、固定された定数を有する誘電体であり得る。示されない代替の実施形態では、ＦＥ誘電体１０４は、放電体１０６を全ての面上で取り囲んでもよいし、誘電体領域１０４および１１２が放射体１０６の周りに対称的に形成されてもよい。
【００２３】
図１ｃは、１／４波長の放射体の寸法を有するのに適切であり得るような逆Ｆ状平面アンテナの断面図である。ＦＥ誘電体１０４は、単一の放射体１０６と接地部１０２との間に配置されたＦＥ誘電体１０４が示されるが、他のＦＥ誘電体パターンおよび分布もまた実用的である。
【００２４】
アンテナ１００は、共振周波数に依存しない所定の固定された特性を有する。すなわち、例えば、入力インピーダンスは、選択された動作周波数であるにもかかわらず、例えば５０オームのままである。あるいは、アンテナ１００は、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有すると説明することができる。
【００２５】
図２は、図１ａのパッチアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、誘電体１０４は、固定された誘電率を有する誘電体２００に隣接する、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層２００および可変誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体２０２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料２０２を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体２００の上にある。典型的には、電圧は、所望の誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層２０２の近傍の導電体に印加される。「＋」および「−」符号によって表された電圧は、電圧発生器２０３によって供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示されない）は、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁するために、層２０２と導電放射体１０６との間に配置され得る。しかし、導電体のシートは、通常、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体２０２上にバイアス電圧を均一に分散することが必要とされる。従って、ｄｃ電圧は、典型的には、放射体によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられ、基準グランドは、接地部１０２に供給される。あるいは、示されないが、固定された誘電率で形成された誘電体２００は、強誘電体材料２０２を有する誘電体の上にある。再度、絶縁体は、ＦＥ誘電体層２０２と導電性接地部との間に配置され得、接地部における電圧とは異なる供給された基準電圧が供給される。しかし、示されたように、ＦＥ誘電体層は、典型的には、接地部に供給された基準電圧にバイアスされる。アンテナのいくつかの局面において、バイアス電圧極性は、示された極性から反転されることに留意すること。
【００２６】
図３は、複数の固定された誘電率層を有する図１ａのパッチアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電率を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体２０２の下にある第１の層２００ａ、および強誘電体材料２０２を有する誘電体の上にある第２の層２００ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率を有する必要はない。さらに、固定された誘電体の３つ以上の層の使用もまた可能である。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体の層の周辺で形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。複数のＦＥ誘電体層は、異なるＦＥ材料から作製され異なる厚さを有してもよいし、他の場合では、同じ電圧に関して異なる誘電率を有する。
【００２７】
図４は、ＦＥ材料の内部層を有する図１ａのパッチアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体２０２は、固定された誘電率を有する誘電体２００の内部に形成される。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体は、ＦＥ誘電体２０２の内部に形成される。さらに、複数の内部ＦＥ誘電体領域が使用され得る。
【００２８】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体２０２は、バリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図２に戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体２０２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ２０６を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体２０２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜２０６で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料２００から形成された誘電体および強誘電体材料２０２から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００２９】
ＦＥ材料の誘電率は、ドーピングおよびキューリー温度（Ｔｃ）の制御によって操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆａｌｌｉｎｇ）を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００３０】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００３１】
図５ａ〜図９ｅは、本発明のスロットアンテナの群を示す。一般的には、各単一帯域幅のスロットアンテナは、接地部および接地部の上にある強誘電体材料を有する誘電体を含む。しかし、いくつかのスロットは、単に放射体を有するか、または仮想放射体または仮想接地部を有するものとして理解され得る。接地部または放射体のいずれかにおいて形成されたスロットは、誘電率に応答する電気的長さを有し、そして誘電率は、強誘電体材料に印加された電圧に応答して誘電率変化を有する。放射体は、誘電体の上にあり、誘電体に隣接する。
【００３２】
スロット設計の各々における放射体が共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有することもまた一般的に真実である。すなわち、１つ以上のスロットの電気的長さは、共振周波数に対して一定である。あるいは、レーダは、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有する。１つ以上のスロットが誘電体に対して共振周波数の約半波長かまたは誘電体に対して共振周波数の約１／４波長のいずれかである１つ以上の誘電率に応答して変化する電気的長さを有することが一般的に真実である。スロットアンテナの原理および設計は、当業者によって十分理解され、そして簡略化の目的ため本明細書中で繰り返されない。ＦＥ材料の使用はスロットアンテナに選択可能な動作周波数のより広い範囲を与えるが、設計の一般的原理は、本発明のＦＥ材料によって変更されない。
【００３３】
図５ａは、本発明のマイクロストリップスロットアンテナ５００の概略図である。接地部５０２、放射体５０４、および強誘電体材料５０６を有する誘電体は、マイクロストリップを形成する。典型的には、強誘電体材料を有する誘電体５０６は、示されるようにスロット近接して配置される。スロットから離れた異なる誘電体５０７（固定された誘電率を有する）が使用され得る。スロット５０８は、接地部５０２において形成される。示されたように、スロット５０８は放射体５０４を横切るが、必ずしもスロット５０８は放射体５０４を横切る必要はない。マイクロストリップスロット５００の他の局面では、複数のスロット（図示されない）が使用される。
【００３４】
図５ｂは、図５ａのマイクロストリップアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されたように、誘電体５０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層５１０および固定された誘電率を有する誘電体５１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体５１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体５１２は、固定された誘電率５１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層５１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層５１２と導電放射体５０４との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体５１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、通常ｄｃ電圧は、放射体によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられ、そして基準グランドは、接地部５０２に供給される。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体５１０は、強誘電体材料を有する誘電体５１２の上にある。再度、絶縁体は、ＦＥ誘電体層５１２と導電性接地部との間に配置され得、接地部における電圧とは異なる基準グラウンドが供給される。しかし、示されたように、ＦＥ誘電体層は、典型的には接地部に供給された基準グランドによってバイアスされる。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００３５】
図５ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図５ａのマイクロストリップスロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体５１２の下にある第１の層５１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体５１２の上にある２の層５１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層に近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用され得る。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００３６】
図５ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図５ａのマイクロストリップスロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体５１２は、固定された誘電率を有する誘電体５１０の内部に形成される。いくつかの局面では、複数のＦＥ内部領域が形成され得る。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体５１０は、ＦＥ誘電体５１２の内部に形成される。再度、さらなる電気絶縁体が、接地部５０２から絶縁され、そして放射体５０４がＦＥ層５１２から絶縁されるために使用され得る。
【００３７】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体５１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図５ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体５１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ５１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体５１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜５１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００３８】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００３９】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００４０】
図６ａは、本発明の同軸スロットアンテナ６００の概略図である。接地部６０２、放射体６０４、ＦＥ材料を有する誘電体６０６は、接地部６０２においてスロット６０８を有する同軸線を形成する。ＦＥ誘電体６０６は、スロット６０８に近接している。スロットから離れた固定された誘電率を有する異なる誘電体６０７が使用され得る。示されたように、スロット６０８は放射体６０４を横切るが、必ずしもスロット６０８は放射体６０４を横切る必要はない。同軸スロットアンテナ６００の他の局面では、複数のスロット（図示されない）が使用される。
【００４１】
図６ｂは、図６ａの同軸スロットアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体６０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層６１０および固定された誘電率を有する誘電体６１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体６１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体６１２は、固定された誘電率６１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層６１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層６１２と導電放射体６０４との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体６１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、通常ｄｃ電圧は、放射体によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられ、そして基準グランドは、接地部６０２に供給される。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体６１０は、強誘電体材料を有する誘電体６１２の上にある。再度、絶縁体は、ＦＥ誘電体層６１２と導電性接地部との間に配置され得、接地部における電圧とは異なる基準グラウンドが供給される。しかし、示されたように、ＦＥ誘電体層は、典型的には接地部に供給された基準グランドによってバイアスされる。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００４２】
図６ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図６ａの同軸スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体６１２の下にある第１の層６１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体６１２の上にある第２の層６１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００４３】
図６ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図６ａの同軸スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体６１２は、固定された誘電率を有する誘電体６１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみの内部領域が示されることに留意すること。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体６１０は、ＦＥ誘電体６１２の内部に形成される。再度、さらなる電気絶縁体が、接地部６０２から絶縁され、そして放射体６０４がＦＥ層６１２から絶縁されるために使用される。
【００４４】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体６１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図６ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体６１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ６１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体６１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜６１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００４５】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００４６】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００４７】
図７ａ〜図７ｆは、本発明の円形導波管スロットアンテナ７００の図である。周知であるように、図７ａでは、接地部および放射体は、明確に区別できず、従って円形導波管アンテナは、放射体７０４および誘電体７０６を含むものとして説明される。示されたようにスロット７０８は放射体７０４を横切るが、必ずしもスロット７０８は放射体７０４を横切る必要はない。ＦＥ誘電体７０６は、スロット７０８近接して配置される。他の場合では、固定された誘電材料７０７がスロット７０８と離れて使用され得る。円形導波管スロットアンテナ７００の他の局面では、複数のスロット（図示されない）が使用される。
【００４８】
図７ｂは、図７ａの円形導波管スロットアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体７０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層７１０および固定された誘電率を有する誘電体７１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体７１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体７１２は、固定された誘電率７１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層７１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層７１２と導電放射体７０４との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体７１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、スリット７０９は、２つのバイアス電圧極性を分離するために放射体７０４に形成され得る。通常ｄｃ電圧は、半分の放射体（ｒａｄｉａｔｏｒ ｈａｌｖｅｓ）によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられる。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体７１０は、強誘電体材料を有する誘電体７１２の上にある。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００４９】
図７ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図７ａの円形導波管スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体７１２の下にある第１の層７１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体７１２の上にある第２の層７１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００５０】
図７ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図７ａの円形導波管スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体７１２は、固定された誘電率を有する誘電体７１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみの内部領域が示されることに留意すること。いくつかの局面では、複数のＦＥ内部領域が形成され得る。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体７１０は、ＦＥ誘電体７１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。
【００５１】
図７ｅおよび図７ｆは、円形導波管スロットアンテナ７００の代替の局面である。このスリットは必ずしも必要ではない。なぜなら放射体７０４は、バイアス電圧を運ぶ必要がないためである。その代わりに、バイアス電圧がパネル７１４および７１６によって供給される。このバイアスパネル７１４／７１６は、ＦＥ誘電体の一方の側状の種々の位置で配置され得る。１つのパネルは、スロット内で均一に配置され得る。
【００５２】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体７１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図７ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体７１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ７１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体７１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜７１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００５３】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００５４】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００５５】
図８ａは、本発明の矩形導波管アンテナ８００の概略図である。矩形導波管アンテナは、放射体８０４および誘電体８０６を含むものとして説明される。しかし、放射体および接地部の指定が任意である。示されたように、スロット８０８は放射体８０４を横切るが、必ずしもスロット８０８は放射体７０４を横切る必要はない。ＦＥ誘電体８０６は、スロット８０８近接して配置される。他の場合では、固定された誘電材料８０７がスロット８０８と離れて使用され得る。矩形導波管スロットアンテナ８００の他の局面では、複数のスロット（図示されない）が使用される。
【００５６】
図８ｂは、図８ａの矩形導波管スロットアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体８０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層８１０および固定された誘電率を有する誘電体８１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体８１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体８１２は、固定された誘電率８１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層８１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層８１２と導電放射体８０４との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体８１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、スリット８０９（電気的に絶縁している）は、２つのバイアス電圧極性を分離するために放射体８０４に形成され得る。典型的にはｄｃ電圧は、半分の放射体によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられる。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体８１０は、強誘電体材料を有する誘電体８１２の上にある。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００５７】
図８ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図８ａの矩形導波管スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体８１２の下にある第１の層８１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体８１２の上にある第２の層８１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００５８】
図８ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図８ａの矩形導波管スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体８１２は、固定された誘電率を有する誘電体８１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみの内部領域が示されることに留意すること。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体８１０は、ＦＥ誘電体８１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。図７ｅおよび図７ｆに等しい示されない別のバージョンでは、ｄｃバイアス電圧が放射体８０４の内部のパネルによって供給され、その結果スリット８０９が形成される必要がない。
【００５９】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体８１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図８ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体８１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ８１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体８１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜８１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００６０】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００６１】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００６２】
図９ａおよび図９ｂは、それぞれ本発明のフレアノッチアンテナの部分断面図および平面図である。フレアノッチアンテナ９００は、接地部９０２、放射体９０４、および誘電体９０６ａおよび９０６ａを含み、それらの内の少なくとも１つはＦＥ材料を含む。接地部および放射体の指定は任意であると考えられ得る。スロットまたはノッチ９０７が示される。ＦＥ誘電体９０６ａおよび９０６ｂは、ノッチ９０７に隣接して配置される。あるいは、中心導電体９０８およびグランド９０９を有する供給部（ｆｅｅｄ）が示される。
【００６３】
図９ｃは、図９ｂのフレアノッチアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、誘電体９０６ａおよび９０６ｂは、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層９１０および固定された誘電率を有する誘電体９１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体９１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体９１２は、固定された誘電率９１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層９１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層９１２と放射体／接地部９０４／９０２との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体９１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、ｄｃ電圧は、典型的には、放射体／接地部９０４／９０２によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられ、そして基準グランドは、導電パネル９１４に供給される。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体９１０は、強誘電体材料を有する誘電体９１２の上にある。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００６４】
図９ｄは、複数の固定された誘電率層を有する図９ｂのフレアノッチアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体９１２の下にある第１の層９１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体９１２の上にある第２の層９１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用されてもよい。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００６５】
図９ｅは、ＦＥ材料の内部層を有する図９ｂのフレアノッチマイクアンテナの代替的な局面を示す平面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体９１２は、固定された誘電率を有する誘電体９１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみが示される。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体９１０は、ＦＥ誘電体９１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。示されない別のバージョンでは、ＦＥ材料は、放射体の１つのみの面上に内部領域を形成する（例えば、誘電体９０６ａ）。
【００６６】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体９１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図９ｃに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体９１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ９１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体９１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜９１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００６７】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００６８】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００６９】
図１０ａ〜図１０ｄは、本発明の開口端導波管アンテナ１０００の図である。図１０ａは、選択された動作周波数を有する本発明の開口端導波管アンテナの部分断面図である。開口端導波管アンテナ１０００は、放射体１００２に近接して配置された強誘電体材料を有する放射体１００２および誘電体１００６を含む。誘電体１００６は、強誘電体材料に印加された電圧に応答する種々の誘電率を有する。接地部および放射体の指定は任意である。典型的には、開口端１００７が接地される。開口端１０７から離れた一定の誘電材料１００５が使用され得る。開口端アンテナの原理および設計は、当業者によって十分に理解され、簡略化を意図して本明細書中で繰り返されない。ＦＥ材料の使用は、開口端アンテナに選択可能な動作周波数のより広い範囲を提供し、設計の一般的な原理は、本発明のＦＥ材料によって変更されない。
【００７０】
アンテナ１０００は、共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有する。代替的に説明されたように、アンテナ１０００は、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有する。
【００７１】
図１０ｂは、図１０ａの開口端導波管スロットアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体１００６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層１０１０および固定された誘電率を有する誘電体１０１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体１０１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体１０１２は、固定された誘電率１０１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層１０１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層１０１２と導電放射体１００４との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体１０１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、電気的に絶縁しているスリット１００９は、２つのバイアス電圧極性を分離するために放射体１００２に形成され得る。通常ｄｃ電圧は、半分の放射体によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられる。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体１０１０は、強誘電体材料を有する誘電体１０１２の上にある。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００７２】
図１０ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図１０ａの開口端導波管スロットアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体１０１２の下にある第１の層１０１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体１０１２の上にある第２の層１０１０ｂ。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００７３】
図１０ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図１０ａの開口端導波管スロットアンテナの代替的な局面を示す平面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体１０１２は、固定された誘電率を有する誘電体１０１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみが示される。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体１０１０は、ＦＥ誘電体１０１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。図７ｅおよび図７ｆに等しい示されない別のバージョンでは、ｄｃバイアス電圧が放射体１００２の内部のパネルによって供給され、その結果スリット１００９が形成される必要がない。
【００７４】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体１０１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図１０ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体１０１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ１０１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体１０１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜１０１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００７５】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００７６】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００７７】
図１０ａ〜図１０ｂを参照すると、開口端矩形導波管が示されてきたが、上記解析および説明を開口端円形導波管および開口端プレートアンテナに適用する。さらに、開口端導波管アンテナ１０００が、同軸ケーブル、平行板、または任意の種類の導波管である選択された信号供給を有し得る。
【００７８】
図１１ａ〜図１１ｅは、選択可能な動作周波数を有する本発明ホーンアンテナの図である。図１１ａに見られるように、ホーンアンテナ１１００は、放射体ホーン１１０２および放射体ホーンに隣接して配置された強誘電体材料を有する誘電体１１０６を含む。誘電体１００６は、強誘電体材料に印加された電圧に応答する種々の誘電率を有する。中央導電体１００５を有する同軸供給線１００４が示される。ホーン１００２は、誘電率に応答する電気的長さ１１０９を有する。電気的長さは、共振周波数に応答する電気的長さ１１０９を有する。ホーンは、接地されてもよいし、開いていてもよい。再度接地部および放射体の指定が任意である。ホーンアンテナの原理および設計が当業者によって理解され、簡便さのために本発明で繰り返されない。ＦＥ材料の使用は、ホーンアンテナに選択可能な動作周波数の広い範囲を与えるが、設計の一般的な原理は、本発明のＦＥ材料によって変更されない。
【００７９】
ホーンアンテナ１１００は、共振周波数から独立して所定の固定された特性インピーダンスを有する、あるいは、ホーンアンテナ１１００は、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定の定数を有する。
【００８０】
図１１ｂは、図１１ａのホーンアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体１１０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層１１１０および固定された誘電率を有する誘電体１１１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体１１１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体１１１２は、固定された誘電率１１１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層１１１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層１１１２と放射体ホーン１１０２との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体１１１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、電気的に絶縁しているスリット１１０８は、２つのバイアス電圧極性を分離するために放射体１１０２に形成され得る。通常ｄｃ電圧は、半分の放射体によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられる。あるいは、示されないが、固定された誘電率によって形成された誘電体１１１０は、強誘電体材料を有する誘電体１１１２の上にある。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が示された極性から反転されることに留意すること。
【００８１】
図１１ｃおよび１１ｄは、複数の固定された誘電率層を有する図１１ａのホーンアンテナの代替的な局面を示す断面図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体１１１２の下にある第１の層１１１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体１１１２の上にある第２の層１１１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００８２】
図１１ｅは、ＦＥ材料の内部層を有する図１１ａのホーンアンテナの代替的な局面を示す断面図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体１１１２は、固定された誘電率を有する誘電体１１１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみが示されることに留意すること。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体１１１０は、ＦＥ誘電体１１１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。図７ｅおよび図７ｆに等しい示されない別のバージョンでは、ｄｃバイアス電圧が放射体１００２の内部のパネルによって供給され、その結果スリット１１０８が形成される必要がない。
【００８３】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体１１１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図１１ｄに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体１１１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ１１１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体１１１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜１１１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００８４】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００８５】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００８６】
図１１ａを参照すると、同軸ケーブル、円形導波管、矩形導波管からの信号供給または平行板信号供給を用いる平行板ホーンアンテナに上記説明を同様に適用する。
【００８７】
図１２ａ〜図１２ｆは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの描写を表す。図１２では、モノポールアンテナ１２００は、少なくとも部分的に放射体１２０２を取り囲んでいる、放射体１２０２、接地部１２０４、および誘電体１２０６を含む。誘電体は、強誘電体材料に印加された電圧に応答する種々の誘電率を有する。放射体１２０２は、誘電率に応答する電気的長さ１２０８を有する。あるいは、示されないが、放射体１２０２は、螺旋形状で形成され得る。モノポールアンテナの原理および設計が当業者によって十分に理解され、簡略化の点で本明細書では繰り返されない。ＦＥ材料の使用は、モノポールアンテナに広範囲の選択可能な周波数を与えるが、設計の一般的な原理は、本発明のＦＥ材料によって変更されない。
【００８８】
アンテナ１２００は、共振周波数に依存しない所定の固定された特性を有する。すなわち、放射体の電気的な長さは、共振周波数に対して一定である、あるいは、アンテナ１２００は、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有する。
【００８９】
図１２ｂは、図１２ａのモノポールアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体１２０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層１２１０および固定された誘電率を有する誘電体１２１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体１２１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体１２１２は、固定された誘電率１２１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層１２１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層１２１２と放射体１２０２との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体１２１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、典型的にはｄｃ電圧は、放射体１２０２によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられ、そして基準グランドが導電パネル１２１４に供給される。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が反転される。他の局面では、放射体１２０２は、ｄｃバイアスを運ばず、その代わりに、２つのバイアス極性は、パネル１２１４によって運ばれる。
【００９０】
図１２ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図１２ａのモノポールアンテナの代替的な局面を示す図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体１２１２の下にある第１の層１２１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体１２１２の上にある第２の層１２１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【００９１】
図１２ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図１２ａのモノポールアンテナの代替的な局面を示す図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体１２１２は、固定された誘電率を有する誘電体１２１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみが示されることに留意すること。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体１２１０は、ＦＥ誘電体１２１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。
【００９２】
図１２ｅおよび図１２ｆは、本発明のモノポールアンテナのいくつかの代替的な局面を示す。
【００９３】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体１２１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図１２ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体１２１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ１２１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体１２１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜１２１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【００９４】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【００９５】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【００９６】
図１３ａ〜図１３ｆは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの描写を表す。図１３ａでは、ダイポールアンテナ１３００は、少なくとも部分的に放射体１３０２を取り囲んでいる、放射体１３０２、接地部１３０４、および誘電体１３０６を含む。誘電体１３０６は、強誘電体材料に印加された電圧に応答する種々の誘電率を有する強誘電体材料を含む。放射体および接地部は、種々の誘電率に応答する電気的長さ１３０８を有する。あるいは、示されないが、放射体１３０２、接地部１３０４、またはその両方が螺旋形状で形成され得る。ダイポールアンテナの原理および設計が当業者によって十分に理解され、簡略化の点で本明細書では繰り返されない。ＦＥ材料の使用は、パッチアンテナに広範囲の選択可能な周波数を与えるが、設計の一般的な原理は、本発明のＦＥ材料によって変更されない。
【００９７】
アンテナ１３００は、共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有する。すなわち、放射体および接地部の電気的な長さは、共振周波数に対して一定である、典型的には、放射体１３０２および接地部１３０４の電気的な長さは、誘電体に対する共振周波数の１／２または１／４のいずれかである。あるいは、アンテナは、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有する。
【００９８】
図１３ｂは、図１３ａのモノポールアンテナの代替の局面を示す断面図である。示されるように、誘電体１３０６は、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体層１３１０および固定された誘電率を有する誘電体１３１０に隣接する種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体１３１２の内の少なくとも１つを含む。示されたように、ＦＥ材料を有する誘電体１３１２は、固定された誘電率１３１０を有する誘電体の上にある。典型的には、電圧は、所望された誘電率を生成するためにＦＥ誘電体層１３１２に近接する導電体に印加される。「＋」および「−」の符号によって示された電圧が供給され得る。いくつかの局面では、電気絶縁体（図示せず）が層１３１２と放射体１３０２との間に挿入され得、ａｃ信号電圧からバイアス電圧を絶縁する。しかし、通常導電体のシートは、アンテナ調整を妨害するＦＥ誘電体１３１２上にバイアス電圧を均一に分布させることが必要とされる。従って、典型的にはｄｃ電圧は、放射体１３０２によって導かれたａｃ信号上に重ね合わせられ、そして基準グランドが導電パネル１３１４に供給される。アンテナのいくつかの局面では、バイアス電圧極性が反転される。他の局面では、放射体１３０２は、ｄｃバイアスを運ばず、その代わりに、２つのバイアス極性は、パネル１３１４によって運ばれる。
【００９９】
図１３ｃは、複数の固定された誘電率層を有する図１３ａのモノポールアンテナ１３００の代替的な局面を示す図である。固定された誘電体を有する誘電体は、固定された誘電率を有する誘電体１３１２の下にある第１の層１３１０ａ、および強誘電体材料を有する誘電体１３１２の上にある第２の層１３１０ｂを形成する。２つの固定された誘電体層は、必ずしも同じ誘電率または厚さを有する必要はない。さらに、３つ以上の固定された誘電体層が使用され得る。あるいは、示されないが、複数のＦＥ層が固定された誘電体層近接して形成されてもよいし、固定された誘電体およびＦＥ層の両方の複数の層が使用されてもよい。異なるＦＥ材料から作製された複数のＦＥ誘電体層が異なる厚さを有してもよいし、あるいは他の場合では、同じ電圧に対して異なる誘電率を有してもよい。
【０１００】
図１３ｄは、ＦＥ材料の内部層を有する図１３ａのモノポールアンテナの代替的な局面を示す図である。示されたように、強誘電体材料を有する誘電体１３１２は、固定された誘電率を有する誘電体１３１０の内部に形成される。複数の内部領域が形成され得るが、１つのみが示されることに留意すること。あるいは、示されないが、固定された誘電率を有する誘電体１３１０は、ＦＥ誘電体１３１２の内部に形成される。内部領域が矩形形状として示されるが、円形、円筒、および楕円形状等の他の形状が同様に実用的であることに留意されるべきである。
【０１０１】
図１３ｅおよび図１３ｆは、本発明のモノポールアンテナのいくつかの代替的な局面を示す。
【０１０２】
いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体１２１２がバリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される。しかし、代替のＦＥ材料は、周知であり、等価に実行され得る。図１２ｂに戻ると、例えば、強誘電体材料を有する誘電体１２１２は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さ１２１４を有する薄膜層で形成され得る。あるいは、強誘電体材料を有する誘電体１１１２は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜１２１４で形成される。いくつかの局面では、強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する。他の局面では、固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および強誘電体材料から形成された誘電体は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する。
【０１０３】
ＦＥ材料の誘電率は、キューリー温度（Ｔｃ）のドーピングおよび制御を介して操作され得る。いくつかの一般的なドーパント材料は、酸化物として導入された、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）である。しかし、周期表の同じ列の他の等価な元素もまた実用的であり得る。ＦＥ材料は、いずれかの方向における温度の変化によって急速な誘電降下を有するＴｃにおいて最大誘電率を有する。しかし、典型的にはＴｃより高い温度の誘電率のわずかな変化がある。従って、ＦＥ材料のＴｃは、典型的には、誘電材料によって観測される動作温度未満であるように選択される。
【０１０４】
誘電率１（空気）を用いて構成されたアンテナは、より高い誘電率材料を用いて構成されたアンテナよりも小さい損失を有する。しかし、より高い誘電率材料は、しばしば、アンテナの大きさ（有効波長）を低減する際に有用である。一般的に、アンテナ設計者は、１００未満の誘電率を有する誘電材料を探求する。ＦＥ材料の誘電率は、可変性を犠牲にしてドーパントを加えることによって低減され得る（バイアスボルト当たりの誘電率の変化は少ない）。Ｔｃとドーピングとの間の適切なトレードオフは、バイアス電圧のボルト変化未満のＦＥ材料における２：１変化よりも大きい変化を実用的にし得る。
【０１０５】
図１４は、単一帯域無線通信アンテナを周波数調整するための本発明の方法を示すフローチャートである。この方法は、明瞭にするために一連の番号が付けられたステップとして示されるが、順序は、明示的に記載されない限り、番号付けから推論されるべきではない。これらのいくつかのステップがスキップされ、並列で実行され、または配列の厳密な順序を維持する要求なしで実行されることが理解されるべきである。本方法はステップ１４００で開始する。ステップ１４０２は、単一の放射体を形成する。いくつかの局面では、ステップ１４０４は、放射体に対する接地部を形成する。ステップ１４０６は、放射体に近接する強誘電体材料を有する誘電体を形成する。ステップ１４０８は、電圧を強誘電体材料に印加する。電圧の印加に応答して、ステップ１４１０は、誘電率を生成する。ステップ１４１２は、誘電率に応じて共振周波数で電磁場に伝達する。
【０１０６】
本方法のいくつかの局面では、ステップ１４１４は、印加された電圧を変化させる。次いで、ステップ１４１６は、印加された電圧の変化に応答して共振周波数を修正する。いくつかの局面では、共振周波数を改変するステップは、印加された電圧に応答する種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップを含む。
【０１０７】
種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップは、共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有するアンテナを形成するステップを含む。他の局面では、種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップは、共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有するアンテナを形成するステップを含む。
【０１０８】
いくつかの局面では、ステップ１４０６において強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、サブステップを含む。ステップ１４０６ａは、固定された誘電率を有する第１の材料から誘電材料を有する誘電体を形成する。次いで、ステップ１４１６において誘電率を変化させることに応答して強誘電体材料を修正するステップは、強誘電体材料の誘電率を変化させることに応答して共振周波数を修正するステップを含む。
【０１０９】
他の局面では、ステップ１４０６において強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、複数の誘電材料を有する誘電体を形成するステップを含み、その誘電材料の各々は、固定された誘電率を有する材料から形成される。あるいは、ステップ１４０６は、複数の強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを含み、各強誘電体材料は、種々の誘電率を有する。
【０１１０】
一局面では、ステップ１４０６は、強誘電体材料を有する誘電体に隣接する固定された誘電率を有する誘電体を形成するステップを含む。本方法の一局面では、ステップ１４０６ａは、放射体に隣接する固定された誘電率を有する誘電体を形成するステップを含む、さらに、ステップ１４０６ｂは、放射体に隣接する強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを含む。
【０１１１】
別の局面では、ステップ１４０６ａにおいて固定された誘電率を有する誘電体を形成するステップは、フォーム、空気、ＦＲ４、アルミナ、およびＴＭＭを含む群から選択された材料から誘電体を形成するステップを含む。ステップ１４０６ｂは、バリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを含む。
【０１１２】
いくつかの局面では、ステップ１４０６は、強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを含むステップ１４０６は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さを有する薄膜層に強誘電体材料を形成するステップを含む。あるいは、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜が形成され得る。いくつかの局面では、ステップ１４０６は、０ボルトにおいて１００〜５０００の間の範囲の誘電率を有する誘電体を形成するステップを含む。他の局面では、強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、０ボルトにおいて２〜１００の間の範囲において複合誘電率を有するＦＥ誘電体層（ステップ１４０６ｂ）および固定された一定の誘電体層（ステップ１４０６ａ）を形成するステップを含む。
【０１１３】
いくつかの局面では、ステップ１４１２では、共振周波数で電磁場に伝達するステップは、８２４および８９４ＭＨｚ、ならびに１８５０および１９９０ＭＨｚ等の共振周波数で伝達するステップを含む。
【０１１４】
いくつかの局面では、ステップ１４１０では、強誘電体材料に電圧を印加することは、０〜３．３ボルトの範囲の相対的なｄｃ電圧を印加することを含む。
【０１１５】
図１５は、図１４に示された方法の代替的な局面を示すフローチャートである。本方法は、ステップ１５００で開始する。ステップ１５０２は、強誘電体材料を有する誘電体に近接する単一の放射体を提供する。ステップ１５０４は、電圧を強誘電体材料に印加する。印加している電圧に応答して、ステップ１５０６は、強誘電体材料の誘電率を変化させる。強誘電体材料の誘電率を変化させることに応答して、ステップ１５０８は、放射体の共振周波数を修正する。
【０１１６】
ＦＥ誘電体材料を用いて製造されたアンテナの群が提供されてきた。２〜３のアンテナスタイルが基礎的な概念を説明するために与えられてきた。しかし、本発明は、単にこれらのアンテナ設計に限定されない。実際には、本発明のＦＥ誘電体材料は、誘電体を用いて任意のアンテナに適用可能であるが、再度本発明がこれらの例に限定されないだけである。本発明の他の改変および実施形態が当業者に想起される。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１ａ】図１ａは、選択可能な動作周波数を有する本発明のパッチアンテナの図である。
【図１ｂ】図１ｂは、選択可能な動作周波数を有する本発明のパッチアンテナの図である。
【図１ｃ】図１ｃは、選択可能な動作周波数を有する本発明のパッチアンテナの図である。
【図２】図２は、図１ａのパッチアンテナの代替の局面を示す断面図である。
【図３】図３は、図１ａのパッチアンテナの代替の局面を複数の固定された誘電率の層と共に示す断面図である。
【図４】図４は、図１ａのパッチアンテナの代替の局面をＦＥ材料の内部層と共に示す断面図である。
【図５ａ】図５ａは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図５ｂ】図５ｂは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図５ｃ】図５ｃは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図５ｄ】図５ｄは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図６ａ】図６ａは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図６ｂ】図６ｂは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図６ｃ】図６ｃは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図６ｄ】図６ｄは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図７ａ】図７ａは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図７ｂ】図７ｂは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図７ｃ】図７ｃは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図７ｄ】図７ｄは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図７ｅ】図７ｅは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図７ｆ】図７ｆは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図８ａ】図８ａは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図８ｂ】図８ｂは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図８ｃ】図８ｃは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図８ｄ】図８ｄは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図９ａ】図９ａは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図９ｂ】図９ｂは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図９ｃ】図９ｃは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図９ｄ】図９ｄは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図９ｅ】図９ｅは、本発明のスロットアンテナの群を示す。
【図１０ａ】図１０ａは、本発明の開口端導波管アンテナの図である。
【図１０ｂ】図１０ｂは、本発明の開口端導波管アンテナの図である。
【図１０ｃ】図１０ｃは、本発明の開口端導波管アンテナの図である。
【図１０ｄ】図１０ｄは、本発明の開口端導波管アンテナの図である。
【図１１ａ】図１１ａは、選択可能な動作周波数を有する本発明のホーンアンテナの図である。
【図１１ｂ】図１１ｂは、選択可能な動作周波数を有する本発明のホーンアンテナの図である。
【図１１ｃ】図１１ｃは、選択可能な動作周波数を有する本発明のホーンアンテナの図である。
【図１１ｄ】図１１ｄは、選択可能な動作周波数を有する本発明のホーンアンテナの図である。
【図１１ｅ】図１１ｅは、選択可能な動作周波数を有する本発明のホーンアンテナの図である。
【図１２ａ】図１２ａは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの図である。
【図１２ｂ】図１２ｂは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの図である。
【図１２ｃ】図１２ｃは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの図である。
【図１２ｄ】図１２ｄは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの図である。
【図１２ｅ】図１２ｅは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの図である。
【図１２ｆ】図１２ｆは、選択可能な動作周波数を有する本発明のモノポールアンテナの図である。
【図１３ａ】図１３ａは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの図である。
【図１３ｂ】図１３ｂは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの図である。
【図１３ｃ】図１３ｃは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの図である。
【図１３ｄ】図１３ｄは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの図である。
【図１３ｅ】図１３ｅは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの図である。
【図１３ｆ】図１３ｆは、選択可能な動作周波数を有する本発明のダイポールアンテナの図である。
【図１４】図１４は、単一帯域無線周波数アンテナを周波数調整するための本発明の方法を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、図１４に示された方法の代替の局面を示すフローチャートである。

Claims (49)

1. 単一の放射体を形成するステップと、
   該放射体に近接する強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと、
   該強誘電体材料に電圧を印加するステップと、
   該電圧の印加に応答して、誘電率を生成するステップと、
   該誘電率に応じて、共振周波数で電磁場に伝達するステップと
   を包含する、単一帯域の無線通信アンテナを調整するための方法。
2. 前記印加された電圧を変化させるステップと、
   該印加された電圧の変化に応答して前記共振周波数を修正するステップと
   をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
3. 前記共振周波数を修正するステップは、前記印加された電圧に応答する種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
4. 種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップは、前記共振周波数に依存しない、所定の固定された特性インピーダンスを有するアンテナを形成するステップを包含する、請求項３に記載の方法。
5. 種々の動作周波数を有するアンテナを形成するステップは、前記共振周波数に依存しない、所定のほぼ一定のゲインを有するアンテナを形成するステップを包含する、請求項３に記載の方法。
6. 強誘電体材料を有する強誘電体を形成するステップは、
   固定された誘電率を有する第１の材料から誘電材料を有する誘電体を形成するステップと、
   種々の誘電率を有する該強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと
   を包含し、
   該種々の誘電率に応答する前記共振周波数を修正するステップは、該強誘電体材料の誘電率の変更に応答して該共振周波数を修正するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
7. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、固定された誘電率を有する複数の誘電材料を有する誘電体を形成するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
8. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、複数の強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと包含し、各強誘電体材料は種々の誘電率を有する、請求項６に記載の方法。
9. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、該強誘電体材料を有する誘電体に隣接して前記固定された誘電率を有する誘電体を形成するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
10. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、前記放射体に隣接して前記固定された誘電率を有する誘電体を形成するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
11. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、前記放射体に隣接する該強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
12. 固定された誘電率を有する誘電体を形成するステップは、フォーム、空気、ＦＲ４、アルミナ、およびＴＭＭを含む群から選択された材料から誘電体を形成するステップを包含する、請求項６に記載の方法。
13. 強誘電体材料を有する強誘電体を形成するステップは、バリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
14. 前記強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さを有する薄膜に強誘電体材料を形成するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
15. 前記強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜に強誘電体材料を形成するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
16. 共振周波数で電磁場に伝達するステップは、８２４および８９４ＭＨｚ、ならびに１８５０および１９９０ＭＨｚを含む群から選択された共振周波数で伝達するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
17. 放射体に対して接地部を形成するステップをさらに包含する、請求項２に記載の方法。
18. 前記強誘電体材料を電圧に印加するステップは、０〜３．３ボルトの範囲で相対的なｄｃ電圧を印加するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
19. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、０ボルトにおいて、１００〜５０００の間の範囲で誘電率を有するＦＥ誘電体層を形成するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
20. 強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップは、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有するＦＥ誘電体層および固定された誘電体層を形成するステップを包含する、請求項２に記載の方法。
21. 強誘電体材料を有する誘電体に近接する単一の放射体を提供するステップと、
    電圧を該強誘電体材料に印加するステップと、
    該印加している電圧に応答して、該強誘電体材料の誘電率を変化させるステップと、
    該強誘電体材料の誘電率を変化させるステップに応答して、該放射体の共振周波数を修正するステップと
    を包含する、単一帯域無線通信アンテナを周波数調整するための方法。
22. 単一の放射体と、
    前記種々の誘電率を有する放射体に近接する強誘電体材料を有する誘電体と
    を含み、
    該放射体は、該強誘電体材料の誘電率に応答する周波数において共振する、選択可能な動作周波数を有する単一帯域アンテナ。
23. 前記放射体は、前記共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有する、請求項２２に記載のアンテナ。
24. 前記放射体は、前記共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有する、請求項２２に記載のアンテナ。
25. 前記誘電体は、
    固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体と、
    種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体と
    を含み、
    該放射体は、該強誘電体材料の種々の誘電率に応答する共振周波数を有する、請求項２２に記載のアンテナ。
26. 前記強誘電体材料を有する誘電体に電圧を印加するための手段をさらに含み、
    該強誘電体材料を有する誘電体は、該印加された電圧に応じて変化する誘電率を有する、請求項２５に記載のアンテナ。
27. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する、請求項２６に記載のアンテナ。
28. 前記固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および前記強誘電体材料から形成された誘電率は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する、請求項２６に記載のアンテナ。
29. 前記放射体に対する接地部をさらに含む、請求項２２に記載のアンテナ。
30. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、バリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される、請求項２２に記載のアンテナ。
31. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さを有する薄膜に形成される、請求項２２に記載のアンテナ。
32. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜に形成される、請求項２２に記載のアンテナ。
33. 接地部と、
    該接地部の上にある強誘電体材料を有する誘電体であって、該誘電体は、該強誘電体材料に印加された電圧に応答して種々の誘電率を有する、誘電体と、
    該誘電率に応答する共振周波数を有する誘電体の上にある少なくとも１つの放射体と
    を含む、選択可能な動作周波数を有する単一帯域パッチアンテナ。
34. 前記アンテナは、前記共振周波数に依存しない所定の固定された特性インピーダンスを有する、請求項３３に記載のパッチアンテナ。
35. 前記アンテナは、前記共振周波数に依存しない所定のほぼ一定のゲインを有する、請求項３３に記載のパッチアンテナ。
36. 前記誘電体は、
    固定された誘電率を有する第１の材料から形成された少なくとも１つの誘電体層と、
    該固定された誘電率を有する誘電体に隣接する、種々の誘電率を有する強誘電体材料から形成された誘電体と
    を含む、請求項３３に記載のパッチアンテナ。
37. 前記強誘電体材料から形成された誘電体は、前記固定された誘電率を有する誘電体の上にある、請求項３６に記載のパッチアンテナ。
38. 前記固定された誘電率を有する誘電体は、前記強誘電体材料を有する誘電体の上にある、請求項３６に記載のパッチアンテナ。
39. 前記固定された誘電率を有する誘電体は、前記強誘電体材料を有する誘電体の下にある第１の層、および該強誘電体材料を有する誘電体の上にある第２の層を形成する、請求項３６に記載のパッチアンテナ。
40. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、前記固定された誘電率を有する誘電体内部に形成される、請求項３６に記載のパッチアンテナ。
41. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、前記固定された誘電率を有する誘電体外部に形成される、請求項３６に記載のパッチアンテナ。
42. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、バリウムストロンチウムチタネートＢａ_ｘＳｒ_１−ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）から形成される、請求項３３に記載のパッチアンテナ。
43. 前記ＢＳＴＯ強誘電体材料は、タングステン、マンガン、およびマグネシウムを含む群から選択された酸化物のドーパントを含む、請求項４２に記載のパッチアンテナ。
44. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、バイアス電圧の１Ｖ未満の変化に応答して倍加する誘電率を有する、請求項４２に記載のパッチアンテナ。
45. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、０ボルトにおいて１００〜５０００の範囲の誘電率を有する、請求項４２に記載のパッチアンテナ。
46. 前記固定された誘電率を有する第１の材料から形成された誘電体および前記強誘電体材料から形成された誘電率は、０ボルトにおいて２〜１００の範囲の複合誘電率を有する、請求項３６に記載のパッチアンテナ。
47. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、０．１５〜２ミクロンの範囲の厚さを有する薄膜層に形成される、請求項３３に記載のパッチアンテナ。
48. 前記強誘電体材料を有する誘電体は、１．５〜１０００ミクロンの範囲の厚さを有する厚膜に形成される、請求項３３に記載のパッチアンテナ。
49. 前記放射体は、１／４波長および１／２波長を含む群から選択された有効波長を有する、請求項３３に記載のパッチアンテナ。

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