JPH10335903A

JPH10335903A - 電圧制御通過帯域可変フィルタ、電圧制御共振周波数可変共振器およびそれらを用いる高周波回路モジュール

Info

Publication number: JPH10335903A
Application number: JP9138812A
Authority: JP
Inventors: Masakazu Ikeda; 雅和池田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-05-28
Filing date: 1997-05-28
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【課題】無線通信機器の高周波回路などに使用され、
非線形誘電体材料から成る絶縁層３２上にパターン形成
される電圧制御通過帯域可変フィルタ３１において、層
数を削減する。【解決手段】前記絶縁層３２の上面に形成する導体パ
ターン３３において、λ／４共振器４１，４２の開放端
部４１ｂ，４２ｂ側に可変容量形成部４５，４６を形成
し、基端部４１ａ，４２ａ側を大面積の高周波接地用容
量形成部４７，４８に接続する。これによって、可変容
量形成部４５，４６の領域の絶縁層３２は可変容量コン
デンサとして機能する。また、高周波接地用容量形成部
４７，４８は大面積であるので、高周波的に接地されて
いることになり、それから延設される制御電圧印加端子
４９への高周波信号の流込みおよび妨害信号の流入を防
止して、フィルタ動作を実現することができる。こうし
て地板３４を含めた３層構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信機器に使
用される高周波フィルタおよび電圧制御発振回路の共振
器としてそれぞれ好適に実施され、複数の無線通信シス
テムに対応可能なように、直流の制御電圧を変化するこ
とによってフィルタ特性および共振周波数特性の切換え
を行うことができる電圧制御通過帯域可変フィルタおよ
び電圧制御共振周波数可変共振器に関し、またこれらを
備えて構成される高周波回路モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の無線通信機器の高性能化に対し
て、さらなる高機能化として、複数の無線通信システム
に対応可能な無線通信機器が要望されている。たとえ
ば、通話エリアが広く、かつ高速移動中にも通話が可能
なＰＤＣ（パーソナルデジタルセルラー：いわゆる通常
の携帯電話）と、通話料金が安く、かつ高速データ伝送
が可能なＰＨＳ（パーソナルハンディフォンシステム）
とを一体化し、適宜使い分けることが考えられる。

【０００３】このようなＰＤＣおよびＰＨＳ共用の携帯
電話の端末装置を実現しようとした場合、周波数帯域の
全く異なるそれら２つの通信方式のそれぞれに、端末装
置側から基地局側へのいわゆる上りチャネルと基地局側
から端末装置側へのいわゆる下りチャネルとのそれぞれ
に対応したフィルタが必要となり、合計４つ、ないしそ
れ以上のフィルタおよびそれらを切換えるスイッチが必
要となる。また、電圧制御発振回路にも、発振周波数の
大きな変化が要求される。

【０００４】図１６および図１７に、そのような要求に
対応することができ、さらに前記端末装置に適した小型
化および軽量化を図ることができる典型的な従来技術の
電圧制御通過帯域可変フィルタ１の構造を示す。図１６
は該電圧制御通過帯域可変フィルタ１の斜視図であり、
図１７は分解斜視図である。

【０００５】この電圧制御通過帯域可変フィルタ１は、
大略的に、絶縁層２と、該絶縁層２の一方表面に形成さ
れる容量電極３，４と、他方表面に形成される導体パタ
ーン５とを備えて構成されている。絶縁層２は、印加さ
れる電界の強度に対応して非線形に誘電率が変化する誘
電体材料から成り、また容量電極３，４は制御電圧印加
電極を兼用しており、該容量電極３，４から直流の制御
電圧が印加される。

【０００６】前記導体パターン５は、λ／４共振器１
１，１２および結合ライン１３，１４を構成している。
結合ライン１３，１４は、λ／４共振器１１，１２に隣
接して形成され、前記λ／４共振器１１，１２から離反
するように形成される一端部は、高周波入出力端子１３
ａ，１４ａとなる。λ／４共振器１１，１２の基端部１
１ａ，１２ａは、グランドパターン１５を介して高周波
信号グランドと電気的に接続されている。これに対し
て、前記λ／４共振器１１，１２の開放端部１１ｂ，１
２ｂと前記グランドパターン１５との間には、前記容量
電極３，４がそれぞれ対向配置されている。これら開放
端部１１ｂ，１２ｂおよびグランドパターン１５と、容
量電極３，４と、それらに挟まれた領域の絶縁層２とに
よって、可変容量コンデンサが形成される。

【０００７】図１８は、上述のように構成された電圧制
御通過帯域可変フィルタ１の等価回路図である。この図
１８において、前述の図１６および図１７に対応する部
分には、同一の参照符号を付して示す。隣接して配置さ
れる一対のλ／４共振器１１，１２の基端部１１ａ，１
２ａは、前記グランドパターン１５に接続されて、高周
波的に接地されている。

【０００８】これに対して、開放端部１１ｂと容量電極
３との対向する領域の絶縁層２は可変容量コンデンサｖ
ｃ１を形成し、また容量電極３とグランドパターン１５
との対向する領域の絶縁層２は可変容量コンデンサｖｃ
２を形成する。また、λ／４共振器１１と結合ライン１
３とは、入出力結合容量ｃ１を形成する。同様に、λ／
４共振器１２の開放端部１２ｂと容量電極４との対向す
る領域の絶縁層２は可変容量コンデンサｖｃ３を形成
し、容量電極４とグランドパターン１５との対向する領
域の絶縁層２は可変容量コンデンサｖｃ４を形成する。
λ／４共振器１２と結合ライン１４とは、入出力結合容
量ｃ２を形成する。

【０００９】前述のように、制御電圧印加端子を兼ねる
容量電極３，４には、それぞれ制御電圧発生回路２１か
ら制御電圧が印加される。この制御電圧発生回路２１
は、たとえば直流電圧源２２と、ＬやＲなどの高周波遮
断素子２３，２４とを備えて構成されている。

【００１０】前述のように接地電位である導体パターン
５と容量電極３，４との間の電圧を変化することによっ
て、それらに挟まれている絶縁層２の誘電率が変化し、
該可変容量コンデンサｖｃ１，ｖｃ２；ｖｃ３，ｖｃ４
の容量が変化することになる。すなわち、前記制御電圧
と該可変容量コンデンサｖｃ１，ｖｃ２；ｖｃ３，ｖｃ
４の容量との関係を示すと、図１９で示すように、印加
電圧の絶対値が大きい程、容量は小さくなる。

【００１１】したがって、前記容量電極３，４へ印加す
る制御電圧を変化することによって、該電圧制御通過帯
域可変フィルタ１の通過帯域が変化し、前記ＰＤＣとＰ
ＨＳと異なる通信方式の送受信それぞれに適応したフィ
ルタ特性を、小型軽量な構成で実現することができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述のように構成され
る従来技術の電圧制御通過帯域可変フィルタ１では、該
電圧制御通過帯域可変フィルタ１を高周波回路モジュー
ルに組込むにあたって、集積回路基板上に積層化するた
めには、他の層との干渉を防ぐために、図２０および図
２１で示すように、地板１６およびセラミック層１７を
介して積層した５層構造とする必要がある。なお、図２
０は前記高周波回路モジュールにおける該電圧制御通過
帯域可変フィルタ１部分の分解斜視図であり、図２１は
図１６において参照符XXI −XXI で示す切断面の断面図
である。

【００１３】また、制御電圧印加端子は容量電極３，４
と兼用であり、したがって両者は直接接続されることに
なり、このため該電圧制御通過帯域可変フィルタ１に入
力された高周波信号が、前記制御電圧印加端子から漏出
して信号損失を招くとともに、該制御電圧印加端子から
妨害信号がフィルタ内に流れ込んでフィルタ特性を悪化
するという問題もある。

【００１４】さらにまた、前述のように制御電圧印加端
子が共振回路を構成しているコンデンサに直接に接続さ
れるので、該端子のインピーダンスが非常に高くなる。
したがって、該端子に接続する前記制御電圧発生回路２
１が低インピーダンスであると、フィルタ特性にそのイ
ンピーダンス値に従ってダンピングがかかる。このため
急峻なフィルタ特性を得ることができず、また挿入損失
も増加し、フィルタ特性が悪化するという問題がある。

【００１５】すなわち、前記制御電圧発生回路２１のイ
ンピーダンスが高い場合には、図２２において参照符α
１で示すようなフィルタ特性が得られるのに対して、前
記インピーダンスが低くなると、参照符α２で示すよう
にフィルタ特性が劣化してしまう。このため、前述のよ
うに制御電圧発生回路２１内には、高周波遮断素子２
３、２４を設ける必要があり、部品点数が増加し、コス
トや実装面積の増加をともなうという問題がある。

【００１６】本発明の目的は、構成を簡略化することが
できる電圧制御通過帯域可変フィルタ、電圧制御共振周
波数可変共振器およびそれらを用いる高周波回路モジュ
ールを提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る電
圧制御通過帯域可変フィルタは、制御電圧を変化するこ
とによって通過帯域を変化させることができる電圧制御
通過帯域可変フィルタにおいて、印加される電界の強度
に対応して非線形に比誘電率が変化する非線形誘電体材
料から成る絶縁層と、前記絶縁層の一方表面に形成され
る導体パターンであって、λ／４共振器と、前記λ／４
共振器に隣接して形成され、高周波信号の入出力端子と
なる結合ラインと、前記λ／４共振器の開放端側に形成
され、制御電圧が印加される容量形成部と、前記λ／４
共振器の基端側に形成される大面積の高周波接地用容量
形成部とを備える、そのような導体パターンと、前記絶
縁層の他方表面に形成される地板とを含み、前記容量形
成部と、前記地板の該容量形成部に対向する領域と、そ
れらに挟まれる絶縁層とによって可変容量コンデンサを
形成することを特徴とする。

【００１８】上記の構成によれば、制御電圧に対応して
容量が変化する可変容量コンデンサを用いて電圧制御通
過帯域可変フィルタを構成するにあたって、λ／４共振
器の開放端側に容量形成部を形成し、この容量形成部と
地板との間の電圧を変化することによって可変容量コン
デンサを実現し、一方、前記制御電圧を、大面積の高周
波接地用容量形成部を備える導体パターンに与える。

【００１９】したがって、導体パターンを高周波信号グ
ランドから電気的に遮断することができ、絶縁層と導体
パターンと地板との３層構造でフィルタ回路を実現し、
構成を簡略化することができる。

【００２０】また、請求項２の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタは、制御電圧印加端子を、前記高周波
接地用容量形成部から延設形成することを特徴とする。

【００２１】上記の構成によれば、制御電圧印加端子が
容量電極である容量形成部と直接接続されず、前記高周
波接地用容量形成部を介して接続されるので、高周波信
号の漏出や妨害信号の流入を防止することができる。ま
た、該端子に接続すべき制御電圧源のインピーダンスが
低くてもフィルタの通過特性を損なうことなく、したが
って、高周波遮断素子が不要となり、部品点数を削減
し、コストおよび実装面積を低減することができる。

【００２２】さらにまた、請求項３の発明に係る電圧制
御通過帯域可変フィルタは、複数のλ／４共振器を有
し、それぞれに対応する高周波接地用容量形成部が相互
に接続されており、前記制御電圧印加端子を共用するこ
とを特徴とする。

【００２３】上記の構成によれば、複数の各λ／４共振
器に対応する可変容量コンデンサの容量を、共通の制御
電圧で一括して制御することができる。

【００２４】また、請求項４の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタは、複数のλ／４共振器を有し、それ
ぞれに対応する容量形成部に個別的に制御電圧を印加す
ることを特徴とする。

【００２５】上記の構成によれば、複数の各λ／４共振
器に個別的に対応する可変容量コンデンサの容量を個別
に調整することができ、各λ／４共振器の共振周波数を
独立して制御することができる。また、λ／４共振器の
共振器の作成精度のばらつきによる共振周波数の不揃い
も、制御電圧を個別に調整することによって吸収して、
該λ／４共振器の特性を揃えることもできる。

【００２６】さらにまた、請求項５の発明に係る電圧制
御通過帯域可変フィルタは、制御電圧印加端子を、前記
高周波接地用容量形成部から延設形成することを特徴と
する。

【００２７】上記の構成によれば、制御電圧印加端子が
容量電極である容量形成部と直接接続されず、前記高周
波接地用容量形成部を介して接続されるので、高周波信
号の漏出や妨害信号の流入を防止することができる。ま
た、該端子に接続すべき制御電圧源のインピーダンスが
低くても、フィルタの通過特性を損なうことはなく、し
たがって高周波遮断素子が不要となり、部品点数を削減
し、コストおよび実装面積を低減することができる。

【００２８】また、請求項６の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタでは、前記絶縁層はセラミック系材料
から成り、前記電圧制御通過帯域可変フィルタはセラミ
ック系材料から成る基板内に一体形成され、制御電圧印
加手段を実現する集積回路が該基板上に実装されて一体
化されることを特徴とする。

【００２９】上記の構成によれば、フィルタを構成する
回路のうち、調整不要な部分を多層セラミック基板内に
作り込み、前記制御電圧を制御する制御電圧印加手段を
集積回路で実現して、この基板上に実装する。

【００３０】したがって、実装部品が減り、小型軽量化
が可能であるとともに、完成したフィルタ回路の特性に
対応して集積回路の特性を調整することによって、容易
に所望とするフィルタ特性を実現することができる。

【００３１】さらにまた、請求項７の発明に係る電圧制
御通過帯域可変フィルタでは、前記集積回路は、前記制
御電圧の切換制御のためのソフトウエアを記憶可能であ
ることを特徴とする。

【００３２】上記の構成によれば、基板内に一体形成さ
れたフィルタ回路の特性に対応して、集積回路のソフト
ウェアを書換えるだけで所望とする特性を得ることがで
き、特性調整を自動的に行うことができ、また所望とす
る特性が得られるまで何度でも特性調整を行うことがで
き、しかも周囲温度等に対する微調整も能動的に行うこ
とができるので、要求される特性を緩やかに設定するこ
とができる。

【００３３】また、請求項８の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタでは、前記集積回路は、受信信号強度
を監視し、該受信信号強度が最適となるように前記制御
電圧を切換えることを特徴とする。

【００３４】上記の構成によれば、常に最も急峻なフィ
ルタ特性を確保していることができ、受信帯域の広帯域
化を図ることができるとともに、該電圧制御通過帯域可
変フィルタを高周波回路モジュールに実装する場合の周
波数調整作業を無くすことができる。

【００３５】さらにまた、請求項９の発明に係る高周波
回路モジュールは、多層基板の内部の一部または全部の
領域に、前記請求項６〜８のいずれかに記載の電圧制御
通過帯域可変フィルタの前記集積回路を除く構成を作り
込んだ高周波回路基板を用いることを特徴とする。

【００３６】上記の構成によれば、フィルタ回路を内部
に作り込んだ高周波回路基板に、前記集積回路ととも
に、電圧制御発振回路や水晶発振子などの高周波回路に
必要な残余の外付部品を実装して高周波回路モジュール
を作成する。

【００３７】したがって、高周波回路モジュールに占め
る電圧制御通過帯域可変フィルタのための外付部品のス
ペースを縮小し、該モジュールを小型化することができ
る。

【００３８】また、請求項１０の発明に係る電圧制御共
振周波数可変共振器は、制御電圧を変化することによっ
て共振周波数を変化させることができる電圧制御共振周
波数可変共振器において、印加される電界の強度に対応
して非線形に比誘電率が変化する非線形誘電体材料から
成る絶縁層と、前記絶縁層の一方表面に形成される導体
パターンであって、λ／４共振器と、前記λ／４共振器
に隣接して形成され、高周波信号の入出力端子となる結
合ラインと、前記λ／４共振器の開放端側に形成され、
制御電圧が印加される容量形成部と、前記λ／４共振器
の基端側に形成される大面積の高周波接地用容量形成部
とを備える、そのような導体パターンと、前記絶縁層の
他方表面に形成される地板とを含み、前記容量形成部
と、前記地板の該容量形成部に対向する領域と、それら
に挟まれる絶縁層とによって可変容量コンデンサを形成
することを特徴とする。

【００３９】上記の構成によれば、制御電圧に対応して
容量が変化する可変容量コンデンサを用いて電圧制御共
振周波数可変共振器を構成するにあたって、λ／４共振
器の開放端側に容量形成部を形成し、この容量形成部と
地板との間の電圧を変化することによって可変容量コン
デンサを実現し、一方、前記制御電圧を、大面積の高周
波接地用容量形成部を備える導体パターンに与える。

【００４０】したがって、導体パターンを高周波信号グ
ランドから電気的に遮断することができ、絶縁層と導体
パターンと地板との３層構造で共振器を実現し、構成を
簡略化することができる。

【００４１】さらにまた、請求項１１の発明に係る電圧
制御共振周波数可変共振器は、制御電圧印加端子を、前
記高周波接地用容量形成部から延設形成することを特徴
とする。

【００４２】上記の構成によれば、制御電圧印加端子が
容量電極である容量形成部と直接接続されず、前記高周
波接地用容量形成部を介して接続されるので、高周波信
号の漏出や妨害信号の流入を防止することができる。ま
た、該端子に接続すべき制御電圧源のインピーダンスが
低くてもフィルタの通過特性を損なうことはなく、した
がって高周波遮断素子が不要となり、部品点数を削減
し、コストおよび実装面積を低減することができる。

【００４３】また、請求項１２の発明に係る電圧制御共
振周波数可変共振器では、前記絶縁層はセラミック系材
料から成り、前記電圧制御共振周波数可変共振器はセラ
ミック系材料から成る基板内に一体形成され、制御電圧
印加手段を実現する集積回路が該基板上に実装されて一
体化されることを特徴とする。

【００４４】上記の構成によれば、共振器を構成する回
路のうち、調整不要な部分を多層セラミック基板内に作
り込み、前記制御電圧を制御する制御電圧印加手段を集
積回路で実現して、この基板上に実装する。

【００４５】したがって、実装部品が減り、小型軽量化
が可能であるとともに、完成した共振器の特性に対応し
て集積回路の特性を調整することによって、容易に所望
とする共振特性を実現することができる。

【００４６】さらにまた、請求項１３の発明に係る電圧
制御共振周波数可変共振器では、前記集積回路は、前記
制御電圧の切換制御のためのソフトウエアを記憶可能で
あることを特徴とする。

【００４７】上記の構成によれば、基板内に一体形成さ
れた共振器の特性に対応して、集積回路のソフトウェア
を書換えるだけで所望とする特性を得ることができ、特
性調整を自動的に行うことができ、また所望とする特性
が得られるまで何度でも特性調整を行うことができ、し
かも周囲温度等に対する微調整も能動的に行うことがで
きるので、要求される特性を緩やかに設定することがで
きる。

【００４８】また、請求項１４の発明に係る高周波回路
モジュールは、多層基板の一部または全部の領域に、前
記請求項１２または１３に記載の電圧制御共振周波数可
変共振器を用いる電圧制御発振回路の前記集積回路を除
く構成を作り込んだ高周波回路基板を用いることを特徴
とする。

【００４９】上記の構成によれば、共振器を用いる電圧
制御発振回路を内部に作り込んだ高周波回路基板に、前
記集積回路とともに、水晶発振子などの高周波回路に必
要な残余の外付部品を実装して高周波回路モジュールを
作成する。

【００５０】したがって、高周波回路モジュールに占め
る電圧制御共振周波数可変共振器のための外付部品のス
ペースを縮小し、該モジュールを小型化することができ
る。

【００５１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の第１の形態につい
て、図１〜図５に基づいて説明すれば以下のとおりであ
る。

【００５２】図１は本発明の実施の第１の形態の電圧制
御通過帯域可変フィルタ３１の斜視図であり、図２はそ
の分解斜視図であり、図３は図１の切断面線III −III
から見た断面図である。この電圧制御通過帯域可変フィ
ルタ３１は、大略的に、絶縁層３２の一方表面に導体パ
ターン３３が形成され、他方表面に地板３４が形成され
て構成されている。

【００５３】前記絶縁層３２は、たとえばＢａＴｉ
Ｏ₃、ＳｒＴｉＯ₃、Ｂａ_XＳｒ_1-xＴｉＯ₃、ＰｂＬ
ａＴｉＯ₃、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂、ＰＺＴおよびＰｂＴｉ
Ｏ₃等のセラミック系材料から成り、印加される電界の
強度に対応して、すなわち該絶縁層３２の一方表面側の
導体パターン３３と他方表面側の地板３４との間に印加
される電圧に対応して、非線形に比誘電率が変化する非
線形誘電体材料によって形成されている導体パターン３
３は、マイクロストリップラインなどで形成され、一対
のλ／４共振器４１，４２と、このλ／４共振器４１，
４２のそれぞれに平行に形成される結合ライン４３，４
４と、λ／４共振器４１，４２のそれぞれの開放端部４
１ｂ，４２ｂ側に形成される容量形成部４５，４６と、
λ／４共振器４１，４２の基端部４１ａ，４２ａ側に接
続される大面積の高周波接地用容量形成部４７，４８
と、高周波接地用容量形成部４７，４８のいずれか（こ
の図１の例では４７）から延設される制御電圧印加端子
４９とを備えて構成されている。前記結合ライン４３，
４４において，λ／４共振器４１，４２からそれぞれ離
反する方向に延設される一端部は、高周波入出力端子４
３ａ，４４ａとなる。

【００５４】図４は、上述のように構成される電圧制御
通過帯域可変フィルタ３１の等価回路図である。λ／４
共振器４１，４２の開放端部４１ｂ，４２ｂは、それぞ
れ容量形成部４５，４６と、該容量形成部４５，４６に
対向する領域の地板３４と、それらに挟まれた絶縁層３
２とによって形成される可変容量コンデンサＶＣ１，Ｖ
Ｃ２を介して接地される。これに対して、λ／４共振器
４１の基端部４１ａ，４２ａは、高周波接地用容量形成
部４７，４８によって形成される容量Ｃ３を介して接地
されるとともに、制御電圧印加端子４９に接続される直
流の制御電圧源５０と接続される。また、λ／４共振器
４１，４２は、それぞれ結合ライン４３，４４との間に
形成される入出力結合容量Ｃ１，Ｃ２を介して、高周波
入出力端子４３ａ，４４ａと接続される。

【００５５】したがって、制御電圧印加端子４９から導
体パターン３３に印加される直流の制御電圧に対応し
て、該導体パターン３３と地板３４との間に挟まれる絶
縁層３２の比誘電率が変化する。特に、大面積である高
周波接地用容量形成部４７，４８や、容量形成部４５，
４６の領域では比較的容量が大きいので、前記比誘電率
の変化に対する容量変化量が顕著に現れる。しかしなが
ら、前記制御電圧によって非線形比誘電体材料から成る
絶縁層３２の比誘電率が変化しても、Ｚ＝１／ｊωＣか
ら、高周波接地用容量形成部４７，４８の領域での容量
を高周波的に接地とみなすことができる充分大きな面積
に形成しておくことによって、前記λ／４共振器４１，
４２は基端部４１ａ，４２ａで常に接地されているもの
と考えることができ、この状態での等価回路を図５に示
す。

【００５６】このように形成された電圧制御通過帯域可
変フィルタ３１は、前記制御電圧の変化に追従した可変
容量コンデンサＶＣ１，ＶＣ２の容量変化によって、こ
れらの可変容量コンデンサＶＣ１，ＶＣ２とλ／４共振
器４１，４２とでそれぞれ構成される共振回路の共振周
波数を変化させ、通過帯域を変化することができる。し
たがって、電圧制御通過帯域可変フィルタを簡単な構成
の３層構造で実現することができる。これによって、積
層基板技術に容易に応用することができ、たとえば、高
周波回路モジュールのセラミック系基板内部に内蔵が容
易となり、実装面積の低減および薄型化に大きな効果を
奏することができる。

【００５７】また、制御電圧印加端子４９を、導体パタ
ーン３３のうち、高周波接地用容量形成部４７，４８か
ら引出すことによって、制御電圧印加端子４９が可変容
量コンデンサＶＣ１，ＶＣ２を構成している容量形成部
４５，４６に直接に接続されないので、該制御電圧印加
端子４９への高周波信号の漏出がなく、また該制御電圧
印加端子４９からの妨害信号の流入もなく、さらに該制
御電圧印加端子４９に接続される制御電圧源５０のイン
ピーダンスが低くても、急峻なフィルタ特性を維持する
ことができる。

【００５８】本発明の実施の第２の形態について、図６
に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００５９】図６は、本発明の実施の第２の形態の電圧
制御通過帯域可変フィルタ５１の斜視図である。この電
圧制御通過帯域可変フィルタ５１は、前述の電圧制御通
過帯域可変フィルタ３１に類似し、対応する部分には同
一の参照符号を付して、その説明を省略する。

【００６０】注目すべきは、この電圧制御通過帯域可変
フィルタ５１では、導体パターン５２において、一対の
λ／４共振器４１，４２は個別に形成されており、基端
部４１ａ，４２ａ側にそれぞれ高周波接地用容量形成部
５７，５８を有し、また各容量形成部４５，４６から
は、それぞれ制御電圧印加端子５９，６０が延設されて
いることである。なお、共振器および容量に関連しない
領域には、グランドパターン５５が形成されいる。

【００６１】したがって、２つのλ／４共振器４１，４
２の共振周波数を個別に制御することが可能となり、該
λ／４共振器４１，４２のパターンの作成精度のばらつ
きによる周波数の不揃いを、制御電圧を調整することに
よって補償することができる。

【００６２】本発明の実施の第３の形態について、図７
に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００６３】図７は、本発明の実施の第３の形態の電圧
制御通過帯域可変フィルタ６１の斜視図である。前述の
電圧制御通過帯域可変フィルタ５１に類似し、対応する
部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略す
る。

【００６４】注目すべきは、この電圧制御通過帯域可変
フィルタ６１では、前述の電圧制御通過帯域可変フィル
タ３１と同様に、導体パターン６２のうち、制御電圧印
加端子６９，７０が高周波接地用容量形成部５７，５８
に接続されていることである。

【００６５】したがって、回路パターン形成上の制約に
よることなく、このように制御電圧印加端子６９，７０
を高周波接地用容量形成部５７，５８から形成すること
が可能である場合には、λ／４共振器４１，４２の共振
周波数を個別に制御することができるとともに、前述の
可変容量コンデンサＶＣ１，ＶＣ２の容量電極である容
量形成部４５，４６に直接に制御電圧源が接続されない
ので、該制御電圧源に高周波遮断回路を設ける必要はな
い。

【００６６】本発明の実施の第４の形態について、図８
に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００６７】図８は、本発明の実施の第４の形態の電圧
制御通過帯域可変フィルタ７１の斜視図である。前述の
電圧制御通過帯域可変フィルタ３１に類似し、対応する
部分には同一の参照符号を付して示す。

【００６８】この電圧制御通過帯域可変フィルタ７１で
は、導体パターン７２には、多段（図８の例では４段）
のλ／４共振器７３，７４，７５，７６が形成されてい
ることである。各λ／４共振器７３，７４，７５，７６
の開放端部７３ｂ，７４ｂ，７５ｂ，７６ｂには、それ
ぞれ可変容量形成部７７，７８，７９，８０が形成され
ており、これに対して基端部７３ａ，７４ａ，７５ａ，
７６ａは、共通に高周波接地用容量形成部４７，４８に
接続されて制御電圧が印加される。

【００６９】このように構成することによって、多段の
共振器の共振周波数を、単一の制御電圧で一括して制御
することができる。

【００７０】本発明の実施の第５および第６の形態につ
いて、それぞれ図９および図１０に基づいて説明すれば
以下のとおりである。

【００７１】図９は、本発明の実施の第５の形態の電圧
制御共振周波数可変共振器８１の斜視図である。この電
圧制御共振周波数可変共振器８１は、本発明を適用した
共振器の基本的構成を示すものであり、したがって導体
パターン８２には、λ／４共振器８３と、その開放端部
８３ｂ側に形成される可変容量形成部８４と、基端部８
３ａ側に形成される高周波接地用容量形成部８５と、前
記可変容量形成部８４から延設される制御電圧印加端子
８６とが備えられている。

【００７２】これに対して、図１０で示す本発明の実施
の第６の形態の電圧制御共振周波数可変共振器９１で
は、導体パターン９２において、前記制御電圧印加端子
８６が高周波接地用容量形成部８５から延設されてい
る。

【００７３】このように構成された電圧制御共振周波数
可変共振器８１，９１は、前述の電圧制御通過帯域可変
フィルタ３１，５１などと同様の３層構造で、制御電圧
に対応して共振周波数を変化することができる共振器を
実現することができる。制御電圧印加端子８６は、前記
回路パターン形成上の制約などに対応して、図９で示す
ように可変容量形成部８４から延設されてもよく、また
図１０で示すように高周波接地用容量形成部８５から延
設されてもよい。ただし、高周波接地用容量形成部８５
から延設することによって、前述のように、制御電圧源
側に高周波遮断回路を不要とすることができる。

【００７４】本発明の実施の第７の形態について、図１
１に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００７５】図１１は、本発明の実施の第７の形態の電
圧制御発振回路１０１の斜視図である。前述の図９およ
び図１０でそれぞれ示す電圧制御共振周波数可変共振器
８１，９１は基本的構成であり、たとえばこの電圧制御
発振回路１０１で示すようにして用いられる。この電圧
制御発振回路１０１では、導体パターン１０２によっ
て、前述のλ／４共振器８３、可変容量形成部８４、高
周波接地用容量形成部８５および制御電圧印加端子８６
が形成されるとともに、発振回路１０３の回路パターン
および、その発振回路１０３とλ／４共振器８３とを接
続する結合ライン１０４などが形成されている。

【００７６】このように、前記電圧制御共振周波数可変
共振器８１，９１を用いて、コンパクトにモジュール化
された電圧制御発振回路１０１を実現することができ
る。

【００７７】本発明の実施の第８の形態について、図１
２〜図１５に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００７８】図１２は、本発明の実施の第８の形態の高
周波回路モジュール１１１の斜視図である。前述の電圧
制御通過帯域可変フィルタ３１，５１，６１，７１、電
圧制御共振周波数可変共振器８１，９１および電圧制御
発振回路１０１は、セラミック基板である絶縁層３２の
表裏両面にパターンを形成して構成されている。したが
って、この図１２で示すように、多層積層基板１１２を
用いる高周波回路モジュール１１１に好適に適用するこ
とができる。なおこの図１２では、代表として、電圧制
御通過帯域可変フィルタ３１を用いた例を示している。
多層積層基板１１２は、ガラス系およびセラミック系材
料の複合された基板の内部に、導体配線や、Ｒ，Ｌおよ
びＣなどの回路部品が形成されて構成されている。

【００７９】この高周波回路モジュール１１１は、前述
のような複数の通信方式に対応可能な送受信回路として
用いられる。したがって、多層積層基板１１２上には、
前記電圧制御通過帯域可変フィルタ３１が形成されると
ともに、送受信切換えスイッチ、送信電力増幅回路、受
信信号増幅回路、受信信号復調回路、発振回路、送信信
号変調回路を、それぞれ内蔵または多層積層基板１１２
内の回路と共働動作を行うことによって実現する各種の
集積回路が、参照符１１３，１１４，１１５，１１６，
１１７，１１８で示すように実装されている。

【００８０】また、多層積層基板１１２上には、前記電
圧制御通過帯域可変フィルタ３１に制御電圧を印加する
集積回路１１９も実装されている。さらにまた、受信信
号の復調のための前記集積回路１１６は、受信信号強度
検出機能（ＲＳＳＩ：Received Signal Strength Indic
ater) を有しており、前記集積回路１１９は、この集積
回路１１６のＲＳＳＩ端子から出力される受信信号強度
を常時監視し、該受信信号強度が最大となるように前記
制御電圧を、すなわちフィルタ周波数を制御している。

【００８１】具体的には、集積回路１１９は、前記制御
電圧を掃引して集積回路１１６のＲＳＳＩ端子から出力
される受信信号強度レベルを表す出力のピーク値、した
がって該出力が上昇から低下に変化するときの制御電圧
に維持する。これによって、前述のような複数の通信方
式に対応した広帯域に対応することができる回路であっ
ても、急峻なフィルタ特性を維持することができる。

【００８２】また、集積回路１１９は、制御プログラム
の書込みが可能に構成されており、図１３で示すように
作成が行われる。すなわち、ステップＱ１で基板形成や
部品実装などの組立てが行われた後、ステップＱ２で特
性検査が行われ、その検査結果に対応した制御プログラ
ムが、ステップＱ３において該集積回路１１９に書込ま
れる。その後、ステップＱ４において再び特性検査が行
われ、所望とする特性が得られるまでこのステップＱ３
およびＱ４を繰返した後、ステップＱ５で出荷となる。

【００８３】図１４は、前記ステップＱ２，Ｑ４におけ
る検査工程を詳細に説明するためのフローチャートであ
る。ステップＱ１１では、電圧制御通過帯域可変フィル
タ３１の前記制御電圧印加端子４９から制御電圧が印加
され、ステップＱ１２では、その直流の制御電圧に対応
したモジュールの動作特性、たとえば感度、スプリアス
反射、イメージ妨害比および不要輻射などが、前記ＰＤ
Ｃの仕様に関して測定される。ステップＱ１３では、そ
の測定結果が仕様を満足しているか否かが判断され、そ
うでないときにはステップＱ１１に戻り、こうして制御
電圧が可変されてＰＤＣの仕様に適応した制御電圧が求
められ、仕様を満足すると、ステップＱ１４で決定され
る。

【００８４】続いて、ステップＱ１５では再び制御電圧
が印加され、ステップＱ１６でその制御電圧に対応した
動作特性が測定され、ステップＱ１７では、測定結果が
ＰＨＳの仕様に適応した値であるか否かが判断されて、
そうでないときには前記ステップＱ１５に戻り、こうし
てＰＨＳの仕様に満足する測定結果が得られると、ステ
ップＱ１８に移って、そのときの制御電圧がＰＨＳ用に
決定され、前記ステップＱ３に移る。

【００８５】したがって、特性の調整は、集積回路１１
９に制御プログラムを書込むだけでよく、一旦調整し
て、調整過多となってもやり直すことができ、所望とす
る特性を高精度に、かつ短時間で得ることができる。ま
た、歩留りを向上することもできる。さらに、自動調整
が可能であるとともに、所望とする特性が得られるま
で、何度でも調整作業をやり直すことができ、しかも周
囲温度等に応じた特性調整も能動的に行うことができる
ので、要求される特性も緩やかに設定することができ
る。

【００８６】図１５は、高周波回路モジュール１１１の
実使用時における集積回路１１９の動作を説明するため
のフローチャートである。集積回路１１９は、前記集積
回路１１３などから、ステップＱ２１で示すように、前
記ＰＤＣとＰＨＳとの切換えを表すシステム切換信号お
よび、送受信の切換えを表すタイミング信号を受信し、
ステップＱ２２では、そのシステム切換信号およびタイ
ミング信号に対応した制御電圧を読出す。ステップＱ２
３では、読出された制御電圧に対応した電圧が該集積回
路１１９の出力回路で作成され、前記制御電圧印加端子
４９に印加された後、ステップＱ２１に戻る。

【００８７】したがって、該集積回路１１９は、各シス
テム切換信号およびタイミング信号に対応した制御電圧
を記憶しておくことができるメモリ、および該システム
切換信号およびタイミング信号を受信してデコードする
回路を備えていればよく、低級なマイクロコンピュータ
などで実現することができる。

【００８８】

【発明の効果】請求項１の発明に係る電圧制御通過帯域
可変フィルタは、以上のように、制御電圧に対応して容
量が変化する可変容量コンデンサを用いて電圧制御通過
帯域可変フィルタを構成するにあたって、導体パターン
において、λ／４共振器の開放端側に可変容量形成部を
形成し、この可変容量形成部と地板との間の電圧を変化
することによって可変容量コンデンサを実現し、一方、
前記制御電圧を、大面積の高周波接地用容量形成部に与
える。

【００８９】それゆえ、導体パターンを高周波信号グラ
ンドから電気的に遮断することができ、絶縁層と導体パ
ターンと地板との３層構造でフィルタ回路を実現し、構
成を簡略化することができる。

【００９０】また、請求項２の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタは、以上のように、制御電圧印加端子
を前記高周波接地用容量形成部から延設形成し、該制御
電圧印加端子が容量電極である可変容量形成部と直接接
続されないようにする。

【００９１】それゆえ、高周波信号の漏出や妨害信号の
流入を防止することができる。また、該制御電圧印加端
子に接続すべき制御電圧源のインピーダンスが低くても
フィルタの通過特性を損なうことなく、したがって高周
波遮断素子が不要となり、部品点数を減少し、コストお
よび実装面積を低減することができる。

【００９２】さらにまた、請求項３の発明に係る電圧制
御通過帯域可変フィルタは、以上のように、複数のλ／
４共振器のそれぞれに対応する高周波接地用容量形成部
を相互に接続し、制御電圧印加端子を共用する。

【００９３】それゆえ、複数のλ／４共振器の対応する
可変容量コンデンサの容量を、共通の制御電圧で一括し
て制御することができる。

【００９４】また、請求項４の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタは、以上のように、複数のλ／４共振
器のそれぞれに対応する可変容量形成部に個別的に制御
電圧を印加する。

【００９５】それゆえ、各λ／４共振器に対応する可変
容量コンデンサの容量を個別に調整することができ、各
λ／４共振器の共振周波数を独立して制御することがで
きる。また、λ／４共振器の作成精度のばらつきによる
共振周波数の不揃いも、制御電圧を個別に調整すること
によって吸収して、該λ／４共振器の特性を揃えること
もできる。

【００９６】さらにまた、請求項５の発明に係る電圧制
御通過帯域可変フィルタは、以上のように、制御電圧印
加端子を前記高周波接地用容量形成部から延設形成し、
該制御電圧印加端子が容量電極である可変容量形成部と
直接接続されないようにする。

【００９７】それゆえ、高周波信号の漏出や妨害信号の
流入を防止することができる。また、該制御電圧印加端
子に接続すべき制御電圧源のインピーダンスが低くても
フィルタの通過特性を損なうことなく、したがって高周
波遮断素子が不要となり、部品点数を減少し、コストお
よび実装面積を低減することができる。

【００９８】また、請求項６の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタでは、以上のように、前記絶縁層はセ
ラミック系材料から成り、フィルタを構成する回路のう
ち、調整不要な部分を多層セラミック基板内に作り込
み、前記制御電圧を制御する制御電圧印加手段を集積回
路で実現して、この基板上に実装する。

【００９９】それゆえ、実装部品が減り、小型軽量化が
可能であるとともに、完成したフィルタ回路の特性に対
応して集積回路の特性を調整することによって、容易に
所望とするフィルタ特性を実現することができる。

【０１００】さらにまた、請求項７の発明に係る電圧制
御通過帯域可変フィルタは、以上のように、前記集積回
路を、前記制御電圧の切換制御のためのソフトウエアを
記憶可能とする。

【０１０１】それゆえ、基板内に一体形成されたフィル
タ回路の特性に対応して、集積回路のソフトウェアを書
換えるだけで所望とする特性を得ることができ、特性調
整を自動的に行うことができ、また所望とする特性が得
られるまで何度でも特性調整を行うことができ、しかも
周囲温度等に対する微調整も能動的に行うことができる
ので、要求される特性を緩やかに設定することができ
る。

【０１０２】また、請求項８の発明に係る電圧制御通過
帯域可変フィルタでは、以上のように、前記集積回路
は、受信信号強度を監視し、該受信信号強度が最適とな
るように前記制御電圧を切換える。

【０１０３】それゆえ、常に最も急峻なフィルタ特性を
確保していることができ、受信帯域の広帯域化を図るこ
とができるとともに、該電圧制御通過帯域可変フィルタ
を高周波回路モジュールに実装する場合の周波数調整作
業を無くすことができる。

【０１０４】さらにまた、請求項９の発明に係る高周波
回路モジュールは、以上のように、フィルタ回路を内部
に作り込んだ高周波回路基板に、前記集積回路ととも
に、電圧制御発振回路や水晶発振子などの高周波回路に
必要な残余の外付部品を実装して高周波回路モジュール
を作成する。

【０１０５】それゆえ、高周波回路モジュールに占める
電圧制御通過帯域可変フィルタのための外付部品のスペ
ースを縮小し、該モジュールを小型化することができ
る。

【０１０６】また、請求項１０の発明に係る電圧制御共
振周波数可変共振器は、以上のように、制御電圧に対応
して容量が変化する可変容量コンデンサを用いて電圧制
御共振周波数可変共振器を構成するにあたって、導体パ
ターンにおいて、λ／４共振器の開放端側に可変容量形
成部を形成し、この可変容量形成部と地板との間の電圧
を変化することによって可変容量コンデンサを実現し、
一方、前記制御電圧を、大面積の高周波接地用容量形成
部に与える。

【０１０７】それゆえ、導体パターンを高周波信号グラ
ンドから電気的に遮断することができ、絶縁層と導体パ
ターンと地板との３層構造で共振器を実現し、構成を簡
略化することができる。

【０１０８】さらにまた、請求項１１の発明に係る電圧
制御共振周波数可変共振器は、以上のように、制御電圧
印加端子を前記高周波接地用容量形成部から延設形成
し、該制御電圧印加端子が容量電極である可変容量形成
部と直接接続されないようにする。

【０１０９】それゆえ、高周波信号の漏出や妨害信号の
流入を防止することができる。また、該制御電圧印加端
子に接続すべき制御電圧源のインピーダンスが低くても
フィルタの通過特性を損なうことなく、したがって高周
波遮断素子が不要となり、部品点数を減少し、コストお
よび実装面積を低減することができる。

【０１１０】また、請求項１２の発明に係る電圧制御共
振周波数可変共振器では、以上のように、前記絶縁層は
セラミック系材料から成り、共振器を構成する回路のう
ち、調整不要な部分を多層セラミック基板内に作り込
み、前記制御電圧を制御する制御電圧印加手段を集積回
路で実現して、この基板上に実装する。

【０１１１】それゆえ、実装部品が減り、小型軽量化が
可能であるとともに、完成した共振器の特性に対応して
集積回路の特性を調整することによって、容易に所望と
する共振特性を実現することができる。

【０１１２】さらにまた、請求項１３の発明に係る電圧
制御共振周波数可変共振器は、以上のように、前記集積
回路を、前記制御電圧の切換制御のためのソフトウエア
を記憶可能とする。

【０１１３】それゆえ、基板内に一体形成された共振器
の特性に対応して、集積回路のソフトウェアを書換える
だけで所望とする特性を得ることができ、特性調整を自
動的に行うことができ、また所望とする特性が得られる
まで何度でも特性調整を行うことができ、しかも周囲温
度等に対する微調整も能動的に行うことができるので、
要求される特性を緩やかに設定することができる。

【０１１４】また、請求項１４の発明に係る高周波回路
モジュールは、以上のように、電圧制御共振周波数可変
共振器を用いる電圧制御発振回路を内部に作り込んだ高
周波回路基板に、前記集積回路とともに、水晶発振子な
どの高周波回路に必要な残余の外付部品を実装して高周
波回路モジュールを作成する。

【０１１５】それゆえ、高周波回路モジュールに占める
電圧制御共振周波数可変共振器のための外付部品のスペ
ースを縮小し、該モジュールを小型化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の第１の形態の電圧制御通過帯域
可変フィルタの斜視図である。

【図２】図１で示す電圧制御通過帯域可変フィルタの分
解斜視図である。

【図３】図１の切断面線III −III から見た断面図であ
る。

【図４】図１で示す電圧制御通過帯域可変フィルタの等
価回路図である。

【図５】前記図１で示す電圧制御通過帯域可変フィルタ
を高周波的に見た場合の等価回路図である。

【図６】本発明の実施の第２の形態の電圧制御通過帯域
可変フィルタの斜視図である。

【図７】本発明の実施の第３の形態の電圧制御通過帯域
可変フィルタの斜視図である。

【図８】本発明の実施の第４の形態の電圧制御通過帯域
可変フィルタの斜視図である。

【図９】本発明の実施の第５の形態の電圧制御共振周波
数可変共振器の斜視図である。

【図１０】本発明の実施の第６の形態の電圧制御共振周
波数可変共振器の斜視図である。

【図１１】本発明の実施の第７の形態の電圧制御発振回
路の斜視図である。

【図１２】本発明の実施の第８の形態の高周波回路モジ
ュールの斜視図である。

【図１３】図１２で示す高周波回路モジュールの製造工
程を説明するためのフローチャートである。

【図１４】図１３で示す製造工程における検査工程を詳
細に説明するためのフローチャートである。

【図１５】電圧制御通過帯域可変フィルタにおける集積
回路の動作を説明するためのフローチャートである。

【図１６】典型的な従来技術の電圧制御通過帯域可変フ
ィルタの斜視図である。

【図１７】図１６で示す電圧制御通過帯域可変フィルタ
の分解斜視図である。

【図１８】図１６および図１７で示す電圧制御通過帯域
可変フィルタの等価回路図である。

【図１９】電圧制御通過帯域可変フィルタの制御電圧変
化に対する容量変化を示すグラフである。

【図２０】図１６および図１７で示す電圧制御通過帯域
可変フィルタを高周波回路モジュールに搭載する場合の
構造を示す分解斜視図である。

【図２１】図１６および図１７で示す電圧制御通過帯域
可変フィルタを高周波回路モジュールに搭載する場合の
構造を説明するための図１６の切断面線XXI −XXI から
見た断面図である。

【図２２】図１６および図１７で示す電圧制御通過帯域
可変フィルタの特性劣化を説明するためのグラフであ
る。

【符号の説明】

３１，５１，６１，７１電圧制御通過帯域可変フィ
ルタ３２絶縁層３３，５２，６２，７２，８２，９２，１０２導体
パターン３４地板４１，４２；７３，７４，７５，７６；８３ λ／４
共振器４１ａ，４２ａ；７３ａ，７４ａ，７５ａ，７６ａ；８
３ａ基端部４１ｂ，４２ｂ；７３ｂ，７４ｂ，７５ｂ，７６ｂ；８
３ｂ開放端部４３，４４；１０４結合ライン４３ａ，４４ａ高周波入出力端子４５，４６；７７，７８，７９，８０可変容量形成
部４７，４８；５７，５８；８５高周波接地用
容量形成部４９；５９，６０；６９，７０；８６制御電圧印加
端子５０制御電圧源５５グランドパターン８１，９１電圧制御共振周波数可変共
振器１０１電圧制御発振回路１０３発振回路１１１高周波回路モジュール１１２多層積層基板１１３〜１１９集積回路Ｃ１，Ｃ２入出力結合容量Ｃ３容量ＶＣ１，ＶＣ２可変容量コンデンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】制御電圧を変化することによって通過帯域
を変化させることができる電圧制御通過帯域可変フィル
タにおいて、印加される電界の強度に対応して非線形に比誘電率が変
化する非線形誘電体材料から成る絶縁層と、前記絶縁層の一方表面に形成される導体パターンであっ
て、 λ／４共振器と、前記λ／４共振器に隣接して形成され、高周波信号の入
出力端子となる結合ラインと、前記λ／４共振器の開放端側に形成され、制御電圧が印
加される容量形成部と、前記λ／４共振器の基端側に形成される大面積の高周波
接地用容量形成部とを備える、そのような導体パターン
と、前記絶縁層の他方表面に形成される地板とを含み、前記容量形成部と、前記地板の該容量形成部に対向する
領域と、それらに挟まれる絶縁層とによって可変容量コ
ンデンサを形成することを特徴とする電圧制御通過帯域
可変フィルタ。
【請求項２】制御電圧印加端子を、前記高周波接地用容
量形成部から延設形成することを特徴とする請求項１記
載の電圧制御通過帯域可変フィルタ。
【請求項３】複数のλ／４共振器を有し、それぞれに対
応する高周波接地用容量形成部が相互に接続されてお
り、前記制御電圧印加端子を共用することを特徴とする
請求項２記載の電圧制御通過帯域可変フィルタ。
【請求項４】複数のλ／４共振器を有し、それぞれに対
応する容量形成部に個別的に制御電圧を印加することを
特徴とする請求項１記載の電圧制御通過帯域可変フィル
タ。
【請求項５】制御電圧印加端子を、前記高周波接地用容
量形成部から延設形成することを特徴とする請求項４記
載の電圧制御通過帯域可変フィルタ。
【請求項６】前記絶縁層はセラミック系材料から成り、
前記電圧制御通過帯域可変フィルタはセラミック系材料
から成る基板内に一体形成され、制御電圧印加手段を実
現する集積回路が該基板上に実装されて一体化されるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電圧制
御通過帯可変フィルタ。
【請求項７】前記集積回路は、前記制御電圧の切換制御
のためのソフトウエアを記憶可能であることを特徴とす
る請求項６記載の電圧制御通過帯域可変フィルタ。
【請求項８】前記集積回路は、受信信号強度を監視し、
該受信信号強度が最適となるように前記制御電圧を切換
えることを特徴とする請求項６記載の電圧制御通過帯域
可変フィルタ。
【請求項９】多層基板の内部の一部または全部の領域
に、前記請求項６〜８のいずれかに記載の電圧制御通過
帯域可変フィルタの前記集積回路を除く構成を作り込ん
だ高周波回路基板を用いることを特徴とする高周波回路
モジュール。
【請求項１０】制御電圧を変化することによって共振周
波数を変化させることができる電圧制御共振周波数可変
共振器において、印加される電界の強度に対応して非線形に比誘電率が変
化する非線形誘電体材料から成る絶縁層と、前記絶縁層の一方表面に形成される導体パターンであっ
て、 λ／４共振器と、前記λ／４共振器に隣接して形成され、高周波信号の入
出力端子となる結合ラインと、前記λ／４共振器の開放端側に形成され、制御電圧が印
加される容量形成部と、前記λ／４共振器の基端側に形成される大面積の高周波
接地用容量形成部とを備える、そのような導体パターン
と、前記絶縁層の他方表面に形成される地板とを含み、前記容量形成部と、前記地板の該容量形成部に対向する
領域と、それらに挟まれる絶縁層とによって可変容量コ
ンデンサを形成することを特徴とする電圧制御共振周波
数可変共振器。
【請求項１１】制御電圧印加端子を、前記高周波接地用
容量形成部から延設形成することを特徴とする請求項１
０記載の電圧制御共振周波数可変共振器。
【請求項１２】前記絶縁層はセラミック系材料から成
り、前記電圧制御共振周波数可変共振器はセラミック系
材料から成る基板内に一体形成され、制御電圧印加手段
を実現する集積回路が該基板上に実装されて一体化され
ることを特徴とする請求項１０または１１記載の電圧制
御共振周波数可変共振器。
【請求項１３】前記集積回路は、前記制御電圧の切換制
御のためのソフトウエアを記憶可能であることを特徴と
する請求項１２記載の電圧制御共振周波数可変共振器。
【請求項１４】多層基板の一部または全部の領域に、前
記請求項１２または１３記載の電圧制御共振周波数可変
共振器を用いる電圧制御発振回路の前記集積回路を除く
構成を作り込んだ高周波回路基板を用いることを特徴と
する高周波回路モジュール。