KR20010089308A - 전압 튜닝 가능 버랙터 및 그러한 버랙터를 포함하는 튜닝가능 장치 - Google Patents

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Abstract

전압 튜닝 가능 유전 버랙터는 낮은 유전 상수를 가지며 일반적으로 평평한 표면을 가지는 기판과, 기판의 일반적으로 평평한 표면상에 배치된 튜닝 가능 강유전층과, 기판의 일반적으로 평평한 표면의 반대쪽 튜닝 가능 강유전층의 표면상에 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극은 분리되어 그 사이에 갭을 형성한다. 버랙터는 라디오 주파수 신호를 수신하기 위한 입력과 라디오 주파수 신호를 전달하기 위한 출력을 포함한다. 전극에 인가된 바이어스 전압은 그 입력 및 출력 사이에서 버랙터의 커패시턴스를 변화시킨다. 버랙터를 포함하는 위상 시프터 및 필터가 또한 설명된다.

Description

전압 튜닝 가능 버랙터 및 그러한 버랙터를 포함하는 튜닝 가능 장치{VOLTAGE TUNABLE VARACTORS AND TUNABLE DEVICES INCLUDING SUCH VARACTORS}
위상 단열 레이더의 안테나(phased array antenna)는 라디오 빔을 형성하도록 위상 제어된 신호를 발생기키는 많은 수의 구성 요소로 구성된다. 라디오 신호는 개별 안테나 요소의 상대적 위상에 대한 능동 조작에 의하여 전자적으로 조정된다. 이러한 전자 빔 조정 개념은 송신기 및 수신기 양자 모두에 적용된다. 위상 단열 레이더의 안테나는 그 속도, 정확성, 및 신뢰성에 있어서 그 기계적 경쟁자와 비교하여 유익하다. 짐벌 스캐닝형 안테나(gimbal scanned antenna)를 전기적 스캐닝형의 경쟁 안테나로써 대체하는 것은 보다 신속하고 정확한 타겟 식별이 가능하게 한다. 복잡한 추적 연습이 또한 위상 단열 레이더의 안테나에서 신속하고 정확하게 수행될 수 있다.
조절 가능한 위상 시프터가 위상 단열 레이더의 안테나에서 빔을 조정하는데 이용되곤 한다. 미국 특허 제 5,307,033호, 제 5,032,805호 및 제 5,561,407호에서와 같이 당해 분야에서의 이전의 특허들은 강유전(ferroelectric) 위상 시프터를 포함한다. 이들 위상 시프터는 강유전 기판상에 하나이상의 마이크로 스트라이프 선을 위상 변조 요소로서 포함한다. 강유전 기판의 유전율은 기판상의 전기장의 세기가 변화함에 따라서 변화될 수 있다. 기판의 유전율의 변화는 RF 신호가 그 마이크로 스트라이프 선을 통과할 때 위상 시프팅을 일으킨다. 앞서의 특허에 포함되는 마이크로 스트라이프 강유전 위상 시프터는 높은 도전체 손실(conductor loss) 및 그 강유전 기판의 높은 유전 상수에 기인하는 임프던스 매칭의 문제점을 갖는다.
미래 통신은 광대역 주파수 호핑 기법을 이용할 것이므로, 많은 양의 디지털 데이터가 그 대역폭을 통하여 송신될 수 있을 것이다. 이러한 애플리케이션에서 불가결한 소자는 낮은 비용 및 고속 동작의 튜닝 가능 필터이다. 디지털 데이터는 튜닝 가능 필터의 회로를 제어함으로써 결정된 시퀀스에서 주파수 일대역폭 상에 분배되고 인코딩될 수 있다. 이는 다수의 사용자가 공통 범위의 주파수상에서 송신하고 수신할 수 있게 한다.
버랙터는 독립적으로 이용될 수 있고 또는 낮은 비용 튜닝 가능 필터로 통합될 수 있다. 많은 상업 및 군용 애플리케이션에서, 이러한 버랙터 및 필터는 L-대역폭 이상의 주파수를 포함하는 광범위한 주파수 범위에서 이용될 수 있다. 이러한 애플리케이션은 (a)무선 LAN 시스템, 개인 통신 시스템 및 위성 통신 시스템을 위한 L-대역폭(1-2GHz) 튜닝 가능 필터, (b)위성 통신 및 레이더 시스템을 위한 주파수 호핑 C-대역폭(4-6GHz) 버랙터 및 튜닝 가능 필터, (c)레이다 시스템에서 이용되는 X-대역폭(9-12GHz) 버랙터 및 필터, (d)위성 텔레비전 시스템에서 이용될 Ku 대역폭(12-18GHz) 및 (e)위성 통신에서 이용될 KA대역폭 튜닝 가능 필터를 포함한다.
오늘날 이용되는 공통 버랙터는 실리콘 및 GaAs 기반 다이오드이다. 이들 버랙터의 성능은 커패시턴스 비율 Cmax/Cmin, 주파수 범위 및 특정 주파수 범위에서의 양호도 혹은 Q 인수(1/tanδ)에 의하여 정의된다. 이러한 2GHz까지의 주파수에 대한 이들 반도체 버랙터의 Q 인수는 대개 매우 좋다. 그러나, 2GHz 이상의 주파수에서, 이러한 버랙터의 Q 인수는 급격히 감소된다. 사실, 10GHz에서 이러한 버랙터의 Q 인수는 보통 약 30정도이다.
초전도 요소와 함께 전압 튜닝 가능 요소로서 얇은 막 강유전 세라믹을 이용하는 버랙터가 존재한다. 예컨대, 미국 특허 제 5,640,042호는 캐리어 기판층, 그 기판상에 증착된 고온 초전도층, 금속층 상에 증착된 얇은 막 강유전층, 얇은 막 강유전층 상에 배치된 다수의 금속 도전(conductive) 수단을 가지는 얇은 막 강유전 버랙터를 보여주고 있는데, 튜닝 장치에서 RF 송신선과 전기적으로 접촉되고 있다. 초전도 요소와 함께 강유전 요소를 이용하는 또 다른 튜닝 가능 커패시터가 미국 특허 제 5,721,194호에 포함된다.
높은 Q 인수를 유지하면서, 초전도을 위하여 필요한 온도 이상의 온도 및10GHz까지 및 이를 넘어서는 주파수에서 동작할 수 있는 버랙터에 대한 필요성이 있다. 더하여, 그러한 버랙터를 포함하는 마이크로파 장치에 대한 필요가 있다.
발명의 개요
전압 튜닝 가능 유전 버랙터는 제 1 유전 상수 및 일반적으로 평평한 표면을 갖는 기판, 그 기판의 일반적으로 평평한 표면상에 배치된 튜닝 가능 강유전층(튜닝 가능 강유전층은 제 1 유전 상수보다 더 큰 제 2 유전 상수를 가짐), 기판의 일반적으로 평평한 표면 반대쪽에 있는 튜닝 가능 강유전층의 표면상에 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극은 분리되어 그 사이에 갭을 형성한다. 전극에 인가된 바이어스 전압은 그 입력 및 출력사이의 버랙터 커패시턴스를 변화시킨다.
본 발명은 또한 이상의 버랙터를 포함하는 위상 시프터를 포함한다. 그러한 위상 시프터의 일실시예는 RF 입력 및 RF 출력을 갖는 랫 레이스 결합기(rat race coupler), 랫 레이스 결합기상에 배치된 제 1 및 제 2 마이크로 스트라이프, 제 1 마이크로 스트라이프의 한쪽 끝에 인접하여 배치된 제 1 반사 종단, 제 2 마이크로 스트라이프의 한쪽 끝에 인접하여 배치된 제 2 반사 종단을 포함하되 제 1 및 제 2 반사 종단은 각각 하나의 튜닝 가능 버랙터를 포함한다.
그러한 위상 시프터의 또 다른 실시예는 RF 입력 및 RF 출력을 갖는 마이크로 스트라이프, 마이크로 스트라이프로부터 이어지는 제 1 및 제 2 방사상 스터브(radial stub), 제 1 방사상 스터브내에 배치된 제 1 버랙터, 제 2 방사상스터브내에 배치된 제 2 버랙터를 포함하는데 제 1 및 제 2 버랙터는 이상의 튜닝 가능 버랙터중 하나이다.
본 발명의 평면 강유전 버랙터는 마이크로파 장치 및 튜닝 가능 필터등 기타 장치에서 위상 시프터를 생산하는데 이용될 수 있다. 본 명세서에서의 장치는 설계의 측면에서 고유한 것이며, 10GHz보다 더 큰 주파수에서도 낮은 삽입 손실을 보인다. 장치는 낮은 손실 튜닝 가능 벌크 또는 막 유전 요소를 이용한다.
첨부 도면을 참조하여 다음의 바람직한 실시예에 의하여 본 발명에 대한 충분한 이해를 얻을 수 있다.
본 출원은 1998년 10월 16일에 출원된 미국 가특허 출원 제 60/104,504호에의 이익을 청구한다.
본 발명은 일반적으로 실온(room temperature) 전압 튜닝 가능(tunable) 버랙터(varactor) 및 그러한 버랙터를 포함하는 튜닝 가능 장치에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명에 따라 구성된 평면 전압 튜닝 가능 유전 버랙터의 평면도,
도 2 는 선2-2를 따라서 얻어진 도 1 의 버랙터 단면도,
도 3a,3b, 및 3c 는 본 발명에 따라 구성된 전압 튜닝 가능 버랙터의 커패시턴스 및 손실 탄젠트를 다양한 동작 주파수 및 갭 폭에서 보여주는 그래프를 도시하는 도면,
도 4 는 본 발명에 따라 구성된 버랙터를 포함하는 랫 레이스 하이브리드 결합기를 갖는 아날로그 반사 종단 위상 시프터의 평면도,
도 5 는 도 4 의 위상 시프터에 의하여 생성된 위상 시프트를 다양한 주파수 및 바이어스 전압에서 보여주는 그래프를 도시하는 도면,
도 6 은 본 발명에 따라 구성된 평면 버랙터를 가지는 부하선 회로 위상 시프터의 평면도,
도 7 은 도 7 의 위상 시프터와 등가 회로를 도시하는 도면,
도 8a, 8b, 및 8c 는 도 6 의 부하선 위상 시프터에 대한 모의 성능 데이터를 설명하는 그래프를 도시하는 도면,
도 9 는 본 발명에 따라 구성된 평면 버랙터를 가지는 핀 라인(fin line) 도파관 튜닝 가능 필터의 평면도,
도 10 은 도 9 의 핀 라인 튜닝 가능 필터에 대한 측정 데이터를 보여주는 그래프를 도시하는 도면.
도면을 참조하면, 도 1 및 도 2 는 본 발명에 따라 구성된 버랙터(10)의 평면도 및 단면도이다. 버랙터(10)는 일반적으로 평평한 위 표면(14)를 갖는 기판(12)을 포함한다. 튜닝 가능 강유전층(16)은 기판의 위 표면에 인접하여 배치된다. 한 쌍의 금속 전극(18,20)이 강유전층 위에 배치된다. 기판(12)은 MgO, Alumina, LaAlO3, Sapphire, 또는 세라믹과 같은 비교적 낮은 유전율을 갖는 금속으로 구성된다. 본 발명에 있어서, 낮은 유전율이란 약 30 보다 적은 유전율을 말한다. 튜닝 가능 강유전층(16)은 약 20 부터 약 200 까지의 범위내의 유전율을 가지며, 약 10V/㎛의 바이어스 전압에서 약 10%부터 약 80%까지의 범위내의 튜닝 가능율(tunability)을 갖는 금속으로 구성된다. 바람직한 실시예에서 본 층은 바람직하게 Barium-Strontium Titanate, BaλSr1-XTiO3(BSTO)(x는 0에서 1까지의 범위에 있을 수 있음) 또는 BSTO 화합 세라믹으로 구성된다. 그러한 BSTO 화합물의 예는 BSTO-MgO, BSTO-MgAl2O4, BSTO-CaTiO3, BSTO-MgTiO3, BSTO-MgSrZrTiO6, 및 그 복합물을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직한 일 실시예에서 튜닝 가능층은 전형적 DC 바이어스 전압이 주어질 때(예컨대, 전압이 약 5볼트로부터 약 300볼트의 범위에 있는 경우), 100보다 더 큰 유전율을 갖는다. 폭 g의 갭(22)은 전극(18,20) 사이에 형성된다. 갭 폭은 최대 커패시턴스 Cmax의 최소 커패시턴스 Cmin에 대한 비율(Cmax/Cmin)을 증가시키고 장치의 양호도(Q)를 증가시키도록 최적화되어야만 한다. 이런 갭의 폭은 버랙터 파라미터에 대부분의 영향을 미친다. 최적폭, g는 장치에서 Cmax/Cmin가 최대이고 손실 탄젠트는 최소인 때 그 폭에 의하여 결정될 것이다.
제어 가능한 전압 소스(24)는 라인(26,28)에 의하여 전극(18,20)으로 연결된다. 이런 전압 소스는 DC 바이어스 전압을 강유전층에 제공하는데 이용되고, 그에 의하여 그 층의 유전율을 제어한다. 버랙터는 또한 RF 입력(30) 및 RF 출력(32)를 포함한다. RF 입력 및 출력은 전극(18,20)에 솔더링(soldering) 연결 또는 본딩(bonding) 연결에 의하여 각각 연결된다.
바람직한 실시예에서, 버랙터는 5-50㎛보다 더 적은 갭 폭을 이용할 수 있다. 강유전층의 두께는 약 0.1㎛로부터 약 20㎛까지의 범위에 있다. 밀봉제(34)는갭 사이에 배치되며 갭을 지나는 호를 이루지 않고 높은 전압의 인가를 허용하도록 높은 유전 항복 강도를 갖는 임의의 비도전성 물질일 수 있다. 바람직한 실시예에서, 밀봉제는 에폭시(epoxy) 또는 폴리우레탄(polyurethane)일 수 있다.
버랙터의 설계에 크게 영향을 미치는 기타 치수는 도 1에 도시된 갭의 길이, L이다. 갭의 길이 L은 전극(36,38)의 말단의 길이를 변화시킴으로써 조절될 수 있다. 길이의 변화는 버랙터의 커패시턴스 상에 강한 효과를 가져온다. 갭 길이는 이러한 파라미터에 대하여 최적화될 수 있다. 일단 갭 폭이 선택되면, 커패시턴스는 길이 L의 선형 함수가 된다. 바람직한 커패시턴스를 위하여, 길이 L은 경험적으로, 또는 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 결정될 수 있다.
튜닝 가능 강유전층의 두께는 또한 Cmax/Cmin에 대하여 크게 영향을 미친다. 강유전층의 최적 두께는 최대 Cmax/Cmin가 발생하는 경우 그 두께에 의하여 결정될 것이다. 도 1 및 2 의 버랙터의 강유전층은 얇은 막, 두꺼운 막, 또는 Barium-Strontium Titanate, BaλSr1-XTiO3(BSTO), BSTO 및 다양한 산화물 또는 다양한 도펀트(dopant) 물질이 부가된 BSTO 화합물과 같은 벌크 강유전 물질로 구성될 수 있다. 이러한 물질은 모두 낮은 손실 탄젠트를 보인다. 본 발명을 위하여, 약 1.0GHz로부터 약 10GHz까지 범위의 주파수에서 동작하는 경우, 손실 탄젠트는 약 0.0001로부터 약 0.001까지의 범위일 것이다. 약 20GHz부터 약 30GHz까지의 범위에 있는 주파수에서 동작하는 경우, 손실 탄젠트는 약 0.001로부터 약 0.01까지의 범위에 있을 것이다. 약 20GHz부터 약 30GHz까지의 범위에 있는 주파수에서 동작하는 경우, 손실 탄젠트는 약 0.005로부터 약 0.02까지의 범위에 있을 것이다.
전극은 사전 결정된 폭의 갭을 포함하는 임의의 기하학적 형태로 제조될 수 있다. 본 발명에 포함되는 버랙터의 커패시턴스를 조작하기 위하여 요구되는 전류는 전형적으로 1㎂보다 더 적다. 바람직한 실시예에서, 전극 물질은 금이다. 그러나, 구리, 은, 또는 알루미늄과 같은 기타 도전체도 이용될 수 있다. 금은 부식이 잘 되지 않고 쉽게 RF 입력 및 출력으로 본딩될 수 있다. 구리는 높은 도전성을 제공하며, 전형적으로 본딩을 위하여는 금으로 코팅되고 솔더링을 위하여는 니켈로 코팅된다.
도 1 및 도 2 는 단일 층 튜닝 가능 벌크, 얇은 절연 막 또는 두꺼운 절연 막상에 사전 결정된 갭 거리를 갖는 평면 전극을 갖는 전압 튜닝 가능 평면 버랙터를 도시한다. 인가된 전압은 버랙터의 커패시턴스를 전체적으로 변화시키는 튜닝 가능 유전체의 갭에 대하여 전기장을 생성한다. 갭 폭은 그 성능 요건에 따라서 5㎛에서부터 50㎛까지의 범위일 수 있다. 버랙터는 반도체 버랙터와 함께 공통으로 이용되는 다수의 튜닝 가능 장치들로 번갈아 통합될 수 있다.
본 발명의 전압 튜닝 가능 유전 버랙터의 바람직한 실시예는 약 1GHz에서부터 약 40GHz까지의 범위에 있는 주파수에서 동작하는 약 50에서부터 약 10,000의 범위의 Q 인수를 갖는다. 10 및 20㎛의 갭 거리에 대하여 3, 10 및 20GHz에서 측정된 버랙터의 커패시턴스(pF에서) 및 손실 인수(tan δ)가 도 3a, 3b 및 3c에 도시되어 있다. 도 3a 및 3b 및 3c에 도시된 데이터에 기초하여, 버랙터를 위한 Q는 대략 3GHz에서 200, 10GHz에서 80, 20GHz에서 45-55와 같다. 비교하여, GaAs 반도체다이오드 버랙터는 다음과 같이 2GHz에서 175, 10GHz에서 35 및 더 높은 주파수에서는 더 적은 값이다. 그러므로 10GHz 이상의 주파수에서 본 발명의 버랙터는 더 나은 Q 인수를 갖는다.
도 4 는 본 발명에 따라서 구성된 1.8GHz에서 1.9GHz의 동작 범위로 이용될 버랙터를 갖는 위상 시프터(40)의 평면도를 도시한다. 위상 시프터(40)는 랫 레이스 결합기(42), 두 개의 반사 종단(44,46) 및 도 1에 도시된(그러나 도 4 에는 도시되지 않음) 버랙터에 연결된 바이어스 회로를 포함한다. 반사 종단 각각은 도 1 및 도 2에서의 강유전 버랙터의 직렬 결합 및 인덕터(inductor)(48,50)를 포함한다. 두 개의 DC 블록(52,54)은 랫 레이스 결합기의 입력(56) 및 출력(58)의 암(arm) 위에 각각 마운팅된다. DC 블록은 분배 통과 대역(passband) 필터 또는 높은 커패시턴스를 갖는 표면 실장형 커패시터를 이용하는 것과 같이 알려진 기법에 따라서 구성될 수 있다.
도 4 의 위상 시프터에 대한 경험적 결과는 버랙터에 바이어스 전압 0 내지 300 볼트 DC가 인가되는 범위에서, 도 5에서 도시된 바와 같이 얻어진다. 1.8GHz 내지 1.9GHz 범위의 주파수에서 주파수 범위 3%보다 더 적은 상대 위상 시프터 에러를 가지는 경우 약 110이다. 위상 시프터의 삽입 손실은 약 1.0dB인데, 이 때 0.5dB는 금속 막에서의 미스매칭과 손실에 관련된다. 장치의 동작 온도는 300。K이다.
도 6은 부하선(62) 마이크로 스트라이프 회로에 기초하는 10GHz 위상시프터(60)의 평면도를 도시한다. 두 개의 평면 강유전 버랙터(10)는 선(62)의 갭(64,66)에 통합된다. RF 신호는 50-ohm 마이크로 스트라이프(68,70) 각각에 의하여 입력되고 출력된다. 중심 마이크로 스트라이프는 본 예에서 40-ohm 임피던스를 갖는다. 4분파 방사상 스터브(72,74,76,78)가 임피던스 매칭을 위하여 이용된다. 버랙터는 접촉 패드(80) 및 와이어(82)를 통하여 인가된 DC 바이어스에 의하여 튜닝된다. 두 개의 DC 블록(84,86)은 도 4에서 도시된 바와 유사하다. DC 블록을 가지지 않는 도 6의 위상 시프터와 등가의 회로가 도 7에 도시된다. 0.4pF로부터 0.8pF까지의 범위에 있는 버랙터 커패시턴스를 위한 장치의 계산된 삽입 손실 값(S21), 반사 계수(S11) 및 장치의 위상 시프트(Δφ)가 도 8a, 8b, 및 8c에 도시된다. 도 6의 위상 시프터에 대한 양호도는 약 0.5GHz의 주파수 범위에 대하여 180deg/dB이다. 본 장치는 위상 시프트 요청이 100도 보다 적은 경우의 애플리케이션에 대하여 적절하다.
도 9는 직사각형 도파관에서 대칭의 핀 라인에 기초하는 네 개의 강유전 버랙터를 갖춘 튜닝 가능 필터(88)의 평면도이다. 본 발명의 이러한 실시예에서, 전기적 튜닝 가능 필터는 핀 라인 도파관상에 다수의 강유전 버랙터를 마운팅함으로써 실온에서 얻어진다. 핀 라인 구조는 그 세로 축을 따라 도파관(96)의 중앙에 배치된 0.2mm의 두께의 세 개의 얇은 구리 플레이트(90,92,94)로 구성된다. 단축된 말단 핀 라인 공진기(98,100)를 가지는 두 개의 측면 플레이트는 도파관의 접촉에 의하여 접지된다. 중앙 플레이트(92)는 운모(102,104)에 의하여 도파관으로부터 DC 전압에 있어서 절연되고 튜닝 가능 유전 버랙터(106,108,110,112)에 대하여 제어전압(Ub)을 인가하는데 이용된다. 튜닝 가능 강유전 버랙터는 플레이트(90,92) 사이 및 플레이트(94,92) 사이의 핀 라인 공진기의 말단에서 솔더링된다. 플랜지(114,116)가 플레이트를 지지한다. 도 9의 필터의 주파수 응답이 도 10에 도시되어 있다. 튜닝 ΔF~0.8GHz(~4%) 범위의 주파수에서, 필터는 0.9dB를 넘지 않는 삽입 손실(L0) 및 L0의 수준에서 Δf/f~2.0%의 대역폭을 보인다. 중심 주파수에 대한 반사 계수는 튜닝 범위의 어느 점에서도 20dB를 넘지 않는다. 튜닝 ΔF의 주파수 범위에서 포함되는 필터의 대역폭 Δf의 수는 약 ΔF/Δf=2 였다. 더 높은 바이어스 전압에 있어서 필터의 더 많은 튜닝이 가능하다는 점에 주목하기 바란다.
사전 결정된 치수의 낮은 손실(tan δ < 0.02) 유전체의 고유 애플리케이션을 이용함으로써, 본 발명은 반도체 버랙터의 높은 주파수 (> 3 GHZ) 성능을 능가하는 높은 주파수 높은 전력 버랙터를 제공한다. 튜닝 가능 장치에 대하여 이러한 버랙터를 이용하는 것이 본 발명에서 실현된다. 위상 시프터 및 튜닝 가능 필터에서의 버랙터의 특정 애플리케이션에 대한 다수 예가 설명되어 있다. 본 발명은 여기서 설명된 장치에 대한 많은 실용적인 애플리케이션을 포함하며 또한 많은 기타 변형이 본 발명의 청구 범위를 벗어나지 않고 있을 수 있음이 당업자에게 있어 명백하다. 게다가, 본 발명의 튜닝 가능 유전 버랙터는 RF 전력 처리 능력을 증가시키고 전력 소비 및 비용을 줄인다.
본 발명은 필터, 위상 시프터, 전압 제어형 발진기, 지연 선, 및 튜닝 가능 공진기 또는 그 조합과 같은 실온의 전압 튜닝 가능 가능한 장치에서 이용될 수 있는 전압 튜닝 가능 벌크, 두꺼운 막, 및 얇은 막 버랙터를 제공한다. 버랙터, 핀 라인 튜닝 가능 필터 및 위상 시프터에 대한 예가 제공된다. 핀 라인 필터는 두 개 이상의 버랙터로 구성되며, 사각형 도파관에서의 대칭 핀 라인에 기반한다. 예시적 위상 시프터는 하이브리드 결합기 및 부하선 회로의 평면 버랙터와의 결합을 가지는 반사 종단을 포함한다. 예시적 위상 시프터는 2, 10, 20, 및 30GHz의 주파수에서 동작할 수 있다.
현재 바람직한 실시예가 무엇인지의 관점에서 본 발명이 설명되고 있지만, 그러한 실시예의 다양한 변형이 본 발명의 청구 범위를 벗어나지 않는 범위에서 이루어질 수 있다.

Claims (19)

  1. 전압 튜닝 가능 유전 버랙터(a voltage tunable dielectric varactor)로서,
    제 1 유전 상수(dielectric constant)를 가지며 일반적으로 평평한 표면을 가지는 기판과,
    상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면위에 배치된 튜닝 가능 강유전층(ferroeletric layer)-상기 튜닝 가능 강유전층은 상기 제 1 유전 상수보다 더 큰 제 2 유전 상수를 가짐-과,
    상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면의 반대쪽 상기 튜닝 가능 강유전층의 표면상에 배치된 제 1 및 제 2 전극-상기 제 1 및 제 2 전극은 서로 분리되어 그 사이에 갭을 형성함-을 포함하는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭에 절연 물질을 더 포함하는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층이 약 100보다 더 큰 유전율(permittivity)을 가지는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이 약 30보다 더 적은 유전율을 가지는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층은 약 20으로부터 약 2000에 이르는 범위의 유전율을 가지되 상기 튜닝 가능도(a tunability)는 약 10V/㎛의 바이어스 전압에서 약 10%부터 약 80%까지의 범위에 있는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이 MgO, Alumina, LaAlO3. Sapphire, 및 세라믹의 그룹중 하나를포함하는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층은 튜닝 가능 강유전 두꺼운 막, 튜닝 가능 강유전 벌크 세라믹, 및 튜닝 가능 강유전 얇은 막중 하나로 구성되는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층은 RF 신호를 제 1 방향으로 상기 튜닝 가능 강유전층을 통과하게 하기 위한 RF 입력 및 RF 출력을 포함하고, 상기 갭이 상기 제 1 방향에 실제적으로 수직한 제 2 방향으로 확장되는
    전압 튜닝 가능 유전 버랙터.
  9. 반사 종단 위상 시프터(a reflective termination phase shifter)로서,
    RF 입력 및 RF 출력을 가지는 랫 레이스 결합기(a rat race coupler)와,
    상기 랫 레이스 결합기상에 배치된 제 1 및 제 2 스터브(stubs)와,
    상기 제 1 스터브의 말단에 인접하여 배치된 제 1 반사 종단과,
    상기 제 2 스터브의 말단에 인접하여 배치된 제 2 반사 종단을 포함하되
    상기 제 1 및 제 2 반사 종단 각각은 제 1 유전 상수를 가지며 일반적으로 평평한 표면을 가지는 기판과, 상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면상에 배치된 튜닝 가능 강유전층-상기 튜닝 가능 강유전층은 상기 제 1 유전 상수보다 더 큰 제 2 유전 상수를 가짐-과, 상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면 반대쪽 상기 튜닝 가능 강유전층의 표면에 배치된 제 1 및 제 2 전극--상기 제 1 및 제 2 전극은 분리되어 그 사이에 갭을 형성함-을 포함하는 튜닝 가능 버랙터를 포함하는
    반사 종단 위상 시프터.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층은 약 100보다 더 큰 유전율을 가지는
    반사 종단 위상 시프터.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판이 약 30보다 더 적은 유전율을 가지는
    반사 종단 위상 시프터.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 종단 및 상기 제 2 반사 종단 각각은 연속하여 상기 버랙터와 전기적으로 연결된 인덕터(an inductor)를 포함하는
    반사 종단 위상 시프터.
  13. 제 9 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 DC 블록을 더 포함하되 상기 제 1 DC 블록은 상기 RF 입력에 배치되고 상기 제 2 DC 블록은 상기 RF 출력에 배치되는
    반사 종단 위상 시프터.
  14. 부하선 위상 시프터(a loaded line phase shifter)로서,
    RF 입력 및 RF 출력을 가지는 마이크로 스트라이프(a microstripe)와,
    상기 마이크로 스트라이프로부터 이어지는 제 1 및 제 2 방사상 스터브와,
    상기 제 1 방사상 스터브내에 배치된 제 1 버랙터와,
    상기 제 2 방사상 스터브내에 배치된 제 2 버랙터를 포함하되
    상기 제 1 및 제 2 버랙터 각각은 제 1 유전 상수를 가지며 일반적으로 평평한 표면을 가지는 기판과, 상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면상에 배치된튜닝 가능 강유전층-상기 튜닝 가능 강유전층은 상기 제 1 유전 상수보다 더 큰 제 2 전 상수를 가짐-과, 상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면의 반대쪽 상기 튜닝 가능 강유전층의 표면상에 배치된 제 1 및 제 2 전극-상기 제 1 및 제 2 전극은 분리되어 그 사이에 갭을 형성함-을 포함하는
    부하선 위상 시프터.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층이 약 100보다 더 큰 유전율을 가지는
    부하선 위상 시프터.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 기판이 약 30보다 더 적은 유전율을 가지는
    부하선 위상 시프터.
  17. 튜닝 가능 핀 라인 필터(a tunable fin line filter)로서,
    사각형 도파관(waveguide)과,
    상기 도파관의 세로 축을 따라서 배치된 세 개의 도전성 플레이트-상기 도전송 플레이트중 하나는 상기 도파관으로부터 절연됨-와,
    단축된 말단 핀 라인 공진기를 가지며 상기 도파관으로 접지된 두 개의 측면 플레이트와,
    다수의 버랙터-상기 버랙터중 하나는 핀 라인 공진기 각각에 대하여 전기적으로 결합됨-를 포함하되
    상기 튜닝 가능 버랙터는 제 1 유전 상수를 가지며 일반적으로 평평한 표면을 가지는 기판과, 상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면상에 배치된 튜닝 가능 강유전층-상기 튜닝 가능 강유전층은 상기 제 1 유전 상수보다 더 큰 제 2 유전 상수를 가짐-과, 상기 기판의 상기 일반적으로 평평한 표면의 반대쪽 상기 튜닝 가능 강유전층의 표면상에 배치된 제 1 및 제 2 전극-상기 제 1 및 제 2 전극은 분리되어 그 사이에 갭을 형성함-을 포함하는
    튜닝 가능 핀 라인 필터.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 튜닝 가능 강유전층은 약 100보다 더 큰 유전율을 가지는
    튜닝 가능 핀 라인 필터.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판은 약 30보다 더 적은 유전율을 가지는
    튜닝 가능 핀 라인 필터.
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Families Citing this family (158)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646522B1 (en) * 1999-08-24 2003-11-11 Paratek Microwave, Inc. Voltage tunable coplanar waveguide phase shifters
AU2001257358A1 (en) 2000-05-02 2001-11-12 Paratek Microwave, Inc. Voltage tuned dielectric varactors with bottom electrodes
DE60104304T2 (de) * 2000-05-02 2005-08-04 Paratek Microwave, Inc. Mikrostreifenleiter-phasenschieber
US7865154B2 (en) * 2000-07-20 2011-01-04 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8744384B2 (en) 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US6590468B2 (en) 2000-07-20 2003-07-08 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8064188B2 (en) 2000-07-20 2011-11-22 Paratek Microwave, Inc. Optimized thin film capacitors
US6683513B2 (en) * 2000-10-26 2004-01-27 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable RF diplexers tuned by tunable capacitors
US6993107B2 (en) * 2001-01-16 2006-01-31 International Business Machines Corporation Analog unidirectional serial link architecture
US7154440B2 (en) * 2001-04-11 2006-12-26 Kyocera Wireless Corp. Phase array antenna using a constant-gain phase shifter
CN100557738C (zh) * 2001-04-11 2009-11-04 京瓷无线公司 可调谐铁电滤波器
US7164329B2 (en) * 2001-04-11 2007-01-16 Kyocera Wireless Corp. Tunable phase shifer with a control signal generator responsive to DC offset in a mixed signal
US7746292B2 (en) * 2001-04-11 2010-06-29 Kyocera Wireless Corp. Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US6690251B2 (en) 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US7394430B2 (en) * 2001-04-11 2008-07-01 Kyocera Wireless Corp. Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US7174147B2 (en) * 2001-04-11 2007-02-06 Kyocera Wireless Corp. Bandpass filter with tunable resonator
US7221243B2 (en) * 2001-04-11 2007-05-22 Kyocera Wireless Corp. Apparatus and method for combining electrical signals
US6617062B2 (en) * 2001-04-13 2003-09-09 Paratek Microwave, Inc. Strain-relieved tunable dielectric thin films
SE520018C2 (sv) * 2001-05-09 2003-05-06 Ericsson Telefon Ab L M Ferroelektriska anordningar och förfarande relaterande därtill
US6535076B2 (en) 2001-05-15 2003-03-18 Silicon Valley Bank Switched charge voltage driver and method for applying voltage to tunable dielectric devices
US6710679B2 (en) * 2001-08-16 2004-03-23 Paratek Microwave, Inc. Analog rat-race phase shifters tuned by dielectric varactors
US6801160B2 (en) * 2001-08-27 2004-10-05 Herbert Jefferson Henderson Dynamic multi-beam antenna using dielectrically tunable phase shifters
US20050200422A1 (en) * 2001-09-20 2005-09-15 Khosro Shamsaifar Tunable filters having variable bandwidth and variable delay
EP1428289A1 (en) * 2001-09-20 2004-06-16 Paratek Microwave, Inc. Tunable filters having variable bandwidth and variable delay
US7176845B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-13 Kyocera Wireless Corp. System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band
US7180467B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-20 Kyocera Wireless Corp. System and method for dual-band antenna matching
US7184727B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-27 Kyocera Wireless Corp. Full-duplex antenna system and method
US20050113138A1 (en) * 2002-03-18 2005-05-26 Greg Mendolia RF ID tag reader utlizing a scanning antenna system and method
US20030176179A1 (en) * 2002-03-18 2003-09-18 Ken Hersey Wireless local area network and antenna used therein
US7183922B2 (en) * 2002-03-18 2007-02-27 Paratek Microwave, Inc. Tracking apparatus, system and method
US7496329B2 (en) * 2002-03-18 2009-02-24 Paratek Microwave, Inc. RF ID tag reader utilizing a scanning antenna system and method
US20050159187A1 (en) * 2002-03-18 2005-07-21 Greg Mendolia Antenna system and method
US7187288B2 (en) * 2002-03-18 2007-03-06 Paratek Microwave, Inc. RFID tag reading system and method
US6987493B2 (en) * 2002-04-15 2006-01-17 Paratek Microwave, Inc. Electronically steerable passive array antenna
US7107033B2 (en) * 2002-04-17 2006-09-12 Paratek Microwave, Inc. Smart radio incorporating Parascan® varactors embodied within an intelligent adaptive RF front end
US6864843B2 (en) * 2002-08-15 2005-03-08 Paratek Microwave, Inc. Conformal frequency-agile tunable patch antenna
US7111520B2 (en) * 2002-08-26 2006-09-26 Gilbarco Inc. Increased sensitivity for liquid meter
US6854342B2 (en) 2002-08-26 2005-02-15 Gilbarco, Inc. Increased sensitivity for turbine flow meter
US6960546B2 (en) 2002-09-27 2005-11-01 Paratek Microwave, Inc. Dielectric composite materials including an electronically tunable dielectric phase and a calcium and oxygen-containing compound phase
US7048992B2 (en) * 2003-02-05 2006-05-23 Paratek Microwave, Inc. Fabrication of Parascan tunable dielectric chips
US7369828B2 (en) * 2003-02-05 2008-05-06 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable quad-band antennas for handset applications
WO2004073099A2 (en) * 2003-02-05 2004-08-26 Mohammed Mahbubur Rahman Electronically tunable comb-ring type rf filter
US20050116797A1 (en) * 2003-02-05 2005-06-02 Khosro Shamsaifar Electronically tunable block filter
US20040227592A1 (en) * 2003-02-05 2004-11-18 Chiu Luna H. Method of applying patterned metallization to block filter resonators
US20040183626A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Qinghua Kang Electronically tunable block filter with tunable transmission zeros
US20040185795A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF Front End Module
US20040224649A1 (en) * 2003-02-05 2004-11-11 Khosro Shamsaifar Electronically tunable power amplifier tuner
US20040178867A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-16 Rahman Mohammed Mahbubur LTCC based electronically tunable multilayer microstrip-stripline combline filter
US6949982B2 (en) * 2003-03-06 2005-09-27 Paratek Microwave, Inc. Voltage controlled oscillators incorporating parascan R varactors
US6967540B2 (en) * 2003-03-06 2005-11-22 Paratek Microwave, Inc. Synthesizers incorporating parascan TM varactors
US8204438B2 (en) * 2003-03-14 2012-06-19 Paratek Microwave, Inc. RF ID tag reader utilizing a scanning antenna system and method
US20040229025A1 (en) * 2003-04-11 2004-11-18 Chen Zhang Voltage tunable photodefinable dielectric and method of manufacture therefore
US20040232523A1 (en) * 2003-04-30 2004-11-25 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF chip packages
US7042316B2 (en) * 2003-05-01 2006-05-09 Paratek Microwave, Inc. Waveguide dielectric resonator electrically tunable filter
WO2004107499A2 (en) * 2003-05-22 2004-12-09 Paratek Microwave Inc. Wireless local area network antenna system and method of use therefore
US7720443B2 (en) 2003-06-02 2010-05-18 Kyocera Wireless Corp. System and method for filtering time division multiple access telephone communications
US20060035023A1 (en) * 2003-08-07 2006-02-16 Wontae Chang Method for making a strain-relieved tunable dielectric thin film
WO2005015679A2 (en) * 2003-08-08 2005-02-17 Paratek Microwave Inc. Loaded line phase shifter
US7109926B2 (en) * 2003-08-08 2006-09-19 Paratek Microwave, Inc. Stacked patch antenna
KR100546759B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 한국전자통신연구원 식각된 강유전체 박막을 이용한 분포 정수형 아날로그위상 변위기 및 그 제조방법
US7142072B2 (en) 2003-09-22 2006-11-28 Kyocera Corporation Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor
US6992638B2 (en) * 2003-09-27 2006-01-31 Paratek Microwave, Inc. High gain, steerable multiple beam antenna system
US7030463B1 (en) 2003-10-01 2006-04-18 University Of Dayton Tuneable electromagnetic bandgap structures based on high resistivity silicon substrates
US20050164744A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Du Toit Nicolaas D. Apparatus and method operable in a wireless local area network incorporating tunable dielectric capacitors embodied within an inteligent adaptive antenna
US20050164647A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Khosro Shamsaifar Apparatus and method capable of utilizing a tunable antenna-duplexer combination
US7268643B2 (en) * 2004-01-28 2007-09-11 Paratek Microwave, Inc. Apparatus, system and method capable of radio frequency switching using tunable dielectric capacitors
US7145509B2 (en) 2004-02-17 2006-12-05 Kyocera Corporation Array antenna and radio communication apparatus using the same
US20050206482A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Dutoit Nicolaas Electronically tunable switched-resonator filter bank
US7151411B2 (en) * 2004-03-17 2006-12-19 Paratek Microwave, Inc. Amplifier system and method
US20060006961A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Sengupta L Tunable dielectric phase shifters capable of operating in a digital-analog regime
US20060006966A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Qinghua Kang Electronically tunable ridged waveguide cavity filter and method of manufacture therefore
US20060009185A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Khosro Shamsaifar Method and apparatus capable of interference cancellation
US20060006962A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Du Toit Cornelis F Phase shifters and method of manufacture therefore
US7248845B2 (en) * 2004-07-09 2007-07-24 Kyocera Wireless Corp. Variable-loss transmitter and method of operation
US7519340B2 (en) * 2004-07-30 2009-04-14 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus capable of mitigating third order inter-modulation distortion in electronic circuits
US7379711B2 (en) * 2004-07-30 2008-05-27 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus capable of mitigating third order inter-modulation distortion in electronic circuits
US20060033593A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Qinghua Kang Method and apparatus with improved varactor quality factor
US20060044204A1 (en) * 2004-08-14 2006-03-02 Jeffrey Kruth Phased array antenna with steerable null
US7557055B2 (en) * 2004-09-20 2009-07-07 Paratek Microwave, Inc. Tunable low loss material composition
US20060065916A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Xubai Zhang Varactors and methods of manufacture and use
US7397329B2 (en) * 2004-11-02 2008-07-08 Du Toit Nicolaas D Compact tunable filter and method of operation and manufacture therefore
KR100582548B1 (ko) * 2004-12-20 2006-05-22 한국전자통신연구원 강유전체 박막을 이용한 ｐｂｇ 구조의 위상 변위기
US20060267174A1 (en) * 2005-02-09 2006-11-30 William Macropoulos Apparatus and method using stackable substrates
US8283723B2 (en) * 2005-02-11 2012-10-09 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with low injection diode
US8093651B2 (en) 2005-02-11 2012-01-10 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with integrated schottky diode in active region contact trench
US7285822B2 (en) 2005-02-11 2007-10-23 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Power MOS device
US8362547B2 (en) * 2005-02-11 2013-01-29 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with Schottky barrier controlling layer
US7948029B2 (en) 2005-02-11 2011-05-24 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated MOS device with varying trench depth
US7471146B2 (en) * 2005-02-15 2008-12-30 Paratek Microwave, Inc. Optimized circuits for three dimensional packaging and methods of manufacture therefore
US7786820B2 (en) * 2005-03-21 2010-08-31 Ngimat Co. Tunable dielectric radio frequency microelectromechanical system capacitive switch
US7884703B2 (en) * 2005-03-23 2011-02-08 Crest Electronics, Inc. Pillow speaker remote control
US20070007853A1 (en) 2005-07-09 2007-01-11 Toit Nicolaas D Apparatus and method capable of a high fundamental acoustic resonance frequency and a wide resonance-free frequency range
US20070007854A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 James Oakes Ripple free tunable capacitor and method of operation and manufacture therefore
US20070007850A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 Toit Nicolaas D Apparatus and method capable of a high fundamental acoustic resonance frequency and a wide resonance-free frequency range
WO2007058910A2 (en) * 2005-11-10 2007-05-24 Kathleen Lowe Melde Apparatus and method of selecting components for a reconfigurable impedance match circuit
US9406444B2 (en) 2005-11-14 2016-08-02 Blackberry Limited Thin film capacitors
US7548762B2 (en) * 2005-11-30 2009-06-16 Kyocera Corporation Method for tuning a GPS antenna matching network
US7711337B2 (en) * 2006-01-14 2010-05-04 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching module (AIMM) control architectures
US8125399B2 (en) * 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
US8325097B2 (en) * 2006-01-14 2012-12-04 Research In Motion Rf, Inc. Adaptively tunable antennas and method of operation therefore
US20070279159A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Heinz Georg Bachmann Techniques to reduce circuit non-linear distortion
KR100747657B1 (ko) * 2006-10-26 2007-08-08 삼성전자주식회사 매크로 및 마이크로 주파수 튜닝이 가능한 반도체 소자 및이를 갖는 안테나와 주파수 튜닝 회로
US8299867B2 (en) * 2006-11-08 2012-10-30 Research In Motion Rf, Inc. Adaptive impedance matching module
US7714676B2 (en) 2006-11-08 2010-05-11 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method
US9201556B2 (en) * 2006-11-08 2015-12-01 3M Innovative Properties Company Touch location sensing system and method employing sensor data fitting to a predefined curve
US7535312B2 (en) * 2006-11-08 2009-05-19 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method with improved dynamic range
US7813777B2 (en) * 2006-12-12 2010-10-12 Paratek Microwave, Inc. Antenna tuner with zero volts impedance fold back
US8207944B2 (en) * 2006-12-19 2012-06-26 3M Innovative Properties Company Capacitance measuring circuit and method
US7956851B2 (en) * 2006-12-20 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Self-tuning drive source employing input impedance phase detection
US8243049B2 (en) 2006-12-20 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Untethered stylus employing low current power converter
US8134542B2 (en) * 2006-12-20 2012-03-13 3M Innovative Properties Company Untethered stylus employing separate communication and power channels
US8040329B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-18 3M Innovative Properties Company Frequency control circuit for tuning a resonant circuit of an untethered device
US8040330B2 (en) 2006-12-28 2011-10-18 3M Innovative Properties Company Untethered stylus empolying multiple reference frequency communication
US7787259B2 (en) * 2006-12-28 2010-08-31 3M Innovative Properties Company Magnetic shield for use in a location sensing system
US8089474B2 (en) 2006-12-28 2012-01-03 3M Innovative Properties Company Location sensing system and method employing adaptive drive signal adjustment
KR100813937B1 (ko) * 2007-02-22 2008-03-17 한국원자력연구원 가변 결합 계수를 갖는 도파관 어레이 커플러
US8467169B2 (en) 2007-03-22 2013-06-18 Research In Motion Rf, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
US7936553B2 (en) * 2007-03-22 2011-05-03 Paratek Microwave, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
US7917104B2 (en) 2007-04-23 2011-03-29 Paratek Microwave, Inc. Techniques for improved adaptive impedance matching
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
US7991363B2 (en) 2007-11-14 2011-08-02 Paratek Microwave, Inc. Tuning matching circuits for transmitter and receiver bands as a function of transmitter metrics
US8112852B2 (en) * 2008-05-14 2012-02-14 Paratek Microwave, Inc. Radio frequency tunable capacitors and method of manufacturing using a sacrificial carrier substrate
US7922975B2 (en) * 2008-07-14 2011-04-12 University Of Dayton Resonant sensor capable of wireless interrogation
US8072285B2 (en) 2008-09-24 2011-12-06 Paratek Microwave, Inc. Methods for tuning an adaptive impedance matching network with a look-up table
US8067858B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-29 Paratek Microwave, Inc. Low-distortion voltage variable capacitor assemblies
US20100096678A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 University Of Dayton Nanostructured barium strontium titanate (bst) thin-film varactors on sapphire
US8194387B2 (en) 2009-03-20 2012-06-05 Paratek Microwave, Inc. Electrostrictive resonance suppression for tunable capacitors
US8472888B2 (en) * 2009-08-25 2013-06-25 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for calibrating a communication device
US9026062B2 (en) 2009-10-10 2015-05-05 Blackberry Limited Method and apparatus for managing operations of a communication device
US9142870B2 (en) 2010-01-21 2015-09-22 Northeastern University Voltage tuning of microwave magnetic devices using magnetoelectric transducers
US8803631B2 (en) 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
JP5901612B2 (ja) 2010-04-20 2016-04-13 ブラックベリー リミテッド 通信デバイスにおける干渉を管理するための方法および装置
CN102457242B (zh) * 2010-10-14 2014-12-31 重庆融海超声医学工程研究中心有限公司 一种阻抗匹配网络及其设计方法
US9379454B2 (en) 2010-11-08 2016-06-28 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning antennas in a communication device
US8712340B2 (en) 2011-02-18 2014-04-29 Blackberry Limited Method and apparatus for radio antenna frequency tuning
US8655286B2 (en) 2011-02-25 2014-02-18 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8626083B2 (en) 2011-05-16 2014-01-07 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8594584B2 (en) 2011-05-16 2013-11-26 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US9769826B2 (en) 2011-08-05 2017-09-19 Blackberry Limited Method and apparatus for band tuning in a communication device
US8948889B2 (en) 2012-06-01 2015-02-03 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device
US9000866B2 (en) 2012-06-26 2015-04-07 University Of Dayton Varactor shunt switches with parallel capacitor architecture
US9853363B2 (en) 2012-07-06 2017-12-26 Blackberry Limited Methods and apparatus to control mutual coupling between antennas
US9246223B2 (en) 2012-07-17 2016-01-26 Blackberry Limited Antenna tuning for multiband operation
US9350405B2 (en) 2012-07-19 2016-05-24 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna tuning and power consumption management in a communication device
US9413066B2 (en) 2012-07-19 2016-08-09 Blackberry Limited Method and apparatus for beam forming and antenna tuning in a communication device
US9362891B2 (en) 2012-07-26 2016-06-07 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning a communication device
WO2014033572A2 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Koninklijke Philips N.V. Electrical breakdown protection for a capacitive wireless powering system
US10404295B2 (en) 2012-12-21 2019-09-03 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9374113B2 (en) 2012-12-21 2016-06-21 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9219877B2 (en) 2013-03-07 2015-12-22 Holland Electronics, Llc Impedance compensation circuit
DE102014210747B4 (de) 2014-02-12 2023-11-16 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Phasenregelschleife mit Varaktor in Mikrosystemtechnik
US9466868B2 (en) 2014-04-21 2016-10-11 Globalfoundries Inc. Reconfigurable branch line coupler
CN103956999A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种集成的移相和脉冲压缩信号处理器件
US9461612B2 (en) 2014-05-22 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Reconfigurable rat race coupler
US9438319B2 (en) 2014-12-16 2016-09-06 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna selection
US10720955B2 (en) * 2016-01-20 2020-07-21 Lg Electronics Inc. Method for removing magnetic interference signal according to use of FDR scheme, and device for removing magnetic interference signal
US11317519B2 (en) 2018-10-15 2022-04-26 International Business Machines Corporation Fabrication of superconducting devices that control direct currents and microwave signals
DE102018126085A1 (de) * 2018-10-19 2020-04-23 Forschungsverbund Berlin E.V. Ausgangsfilter für einen Verstärker

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583401B2 (ja) * 1972-05-23 1983-01-21 日本放送協会 マイクロハカイロ
JPS5933902A (ja) * 1982-08-19 1984-02-24 Fujitsu Ltd Ｍｉｃ回路
JPS59196611A (ja) * 1983-04-22 1984-11-08 Toshiba Corp マイクロ波ミクサ回路
US5032805A (en) 1989-10-23 1991-07-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army RF phase shifter
US5472935A (en) 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
JPH06216640A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Fujitsu Ltd 高周波回路
US5307033A (en) 1993-01-19 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Planar digital ferroelectric phase shifter
US5442327A (en) * 1994-06-21 1995-08-15 Motorola, Inc. MMIC tunable biphase modulator
US5561407A (en) 1995-01-31 1996-10-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Single substrate planar digital ferroelectric phase shifter
US5640042A (en) * 1995-12-14 1997-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thin film ferroelectric varactor
WO1998000881A1 (en) 1996-06-28 1998-01-08 Superconducting Core Technologies, Inc. Near resonant cavity tuning devices
US5760661A (en) * 1996-07-11 1998-06-02 Northrop Grumman Corporation Variable phase shifter using an array of varactor diodes for uniform transmission line loading
US6096127A (en) * 1997-02-28 2000-08-01 Superconducting Core Technologies, Inc. Tuneable dielectric films having low electrical losses
US6377440B1 (en) * 2000-09-12 2002-04-23 Paratek Microwave, Inc. Dielectric varactors with offset two-layer electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
CN1326599A (zh) 2001-12-12
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EP1121725A1 (en) 2001-08-08
DE69909313T2 (de) 2004-06-03
CA2346856A1 (en) 2000-04-27

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