JP2002528899A - 電圧制御型バラクタ及びかかるバラクタを備えた制御可能な装置 - Google Patents

電圧制御型バラクタ及びかかるバラクタを備えた制御可能な装置

Info

Publication number
JP2002528899A
JP2002528899A JP2000577729A JP2000577729A JP2002528899A JP 2002528899 A JP2002528899 A JP 2002528899A JP 2000577729 A JP2000577729 A JP 2000577729A JP 2000577729 A JP2000577729 A JP 2000577729A JP 2002528899 A JP2002528899 A JP 2002528899A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
varactor
dielectric constant
substrate
controllable
ferroelectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000577729A
Other languages
English (en)
Inventor
セングプタ，ルイーズ
ストウェル，スティーブン，シー
ズー，ヨンフェイ
セングプタ，ソンナス
チウ，ルナ，エイチ
ザング，クシュバイ
コジレフ，アンドレイ
Original Assignee
パラテック マイクロウェーブ インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22300851&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2002528899(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by パラテック マイクロウェーブ インコーポレイテッド filed Critical パラテック マイクロウェーブ インコーポレイテッド
Publication of JP2002528899A publication Critical patent/JP2002528899A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/2016—Slot line filters; Fin line filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H01P1/181—Phase-shifters using ferroelectric devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 電圧制御型誘電バラクタは、誘電定数が低く、ほぼ平坦な表面を有する基板と、基板のほぼ平坦な表面上にある制御可能な強誘電体層と、基板のほぼ平坦な表面とは反対の制御可能な強誘電体層の表面上にある第１及び第２の電極とより成る。第１及び第２の電極はその間にギャップを形成するように分離されている。バラクタは、無線周波数信号を受ける入力と、無線周波数信号を与える出力とを有する。電極にバイアス電圧を印加すると、入力と出力の間のバラクタの容量が変化する。移相器及びバラクタを含むフィルタも記載されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【関連特許出願に対する相互参照】
本願は、１９９８年１０月１６日付け米国仮特許出願第６０／１０４、５０４
号の優先権を主張する。
【０００２】
【発明の背景】
本発明は、一般的に、室温で動作する電圧制御型バラクタ及びかかるバラクタ
を有する制御可能な装置に関する。
【０００３】 位相調整アレイアンテナは、多数の素子により位相が制御された信号を発射さ
せて電波ビームを形成するアンテナである。この電波ビームは、個々のアンテナ
素子の相対位相を能動的に操作することにより電子的ステアリングが可能である
。この電子式ビームステアリングリン法は、送信機と受信機の両方に採用される
。位相調整アレイアンテナは、機械式アンテナと比較すると、速度、精度及び信
頼性の点で有利である。ジンバル走査式アンテナを電子走査式アンテナで置きか
えると、より迅速且つ正確に目標を捕捉同定することができる。位相調整アレイ
アンテナシステムにより、複雑な追跡を迅速且つ正確に行うことも可能である。
【０００４】 位相調整アレイアンテナのビームステアリングのために、調整可能な移相器が
用いられる。この分野の特許には、米国特許第５，３７０，０３３；５，０３２
，８０５；及び５，５６１，４０７号に示すように、強誘電体移相器に関するも
のがある。これらの移相器は、強誘電体の基板上に移相変調素子として１または
それ以上のマイクロストリップラインを備えたものである。強誘電体の誘電率は
、基板上の電界強度を変えると変化する。基板の誘電率を制御すると、ＲＦ信号
がマイクロストリップラインを通過する際、位相がシフトする。それらの特許に
開示されたマイクロストリップ強誘電体移相器は、強誘電体基板の誘電定数が大
きいため導体損失が大きくインピーダンスマッチングに問題があるという欠点を
有する。
【０００５】 将来の通信は、多量のデジタルデータを帯域全体にわたって伝送することがで
きるように広帯域の周波数ホッピング方式が使用されるであろう。これらの用途
に用いる重要なコンポーネントは、低コストで高速のチューナブルフィルタであ
る。チューナブルフィルタの制御回路により決まる順序で或る周波数帯域にわた
りデジタルデータを配分または符号化することができる。これにより、いくつか
のユーザーが共通の周波数範囲にわたってデータの送受信を行うことが可能とな
る。
【０００６】 バラクタは、個別部品として用いるか、あるいは低コストのチューナブルフィ
ルタに一体化することが可能である。これらのバラクタ及びフィルタは、無数の
商業上及び軍事的な用途において、Ｌバンドより上の周波数を含む多数の周波数
範囲において使用することができる。これらの用途には、（ａ）無線ローカルエ
リアネットワークシステム、パーソナル通信システム及び衛星通信システムのＬ
バンド（１−２ＧＨｚ）チューナブルフィルタ、（ｂ）衛星通信及びレーダーシ
ステムのための周波数ホッピングに用いるＣバンド（４−６ＧＨｚ）バラクタ及
びチューナブルフィルタ、（ｃ）レーダーシステムに用いるＸバンド（９−１２
ＧＨｚ）バラクタ及びフィルタ、（ｄ）衛星テレビジョンシステムに用いるＫu
バンド（１２−１８ＧＨｚ）、及び（ｅ）衛星通信のためのＫAバンドチューナ
ブルフィルタが含まれる。
【０００７】 現用で普通のバラクタは、シリコンＧａＡｓをベースとしたダイオードである
。これらのバラクタの性能は、容量比Ｃmax／Ｃmin、周波数範囲及び特定の周波
数範囲における良度指数またはＱファクタ（１／tan δ）により決まる。周波数
が最大２ＧＨｚのこれら半導体バラクタのＱファクタは通常、非常に良好である
。しかしながら、周波数が２ＧＨｚを越えると、これらのバラクタのＱファクタ
は急速に劣化する。実際、これらバラクタの１０ＧＨｚにおけるＱファクタは通
常約３０にすぎない。
【０００８】 超伝導素子と共に電圧制御素子として薄膜強誘電体セラミックを用いるバラク
タが記載されている。例えば、米国特許第５，６４０，０４２号は、担持基板層
と、この基板上に付着された高温超伝導層と、金属層上に付着された薄膜強誘電
体層と、薄膜強誘電体層上に付着された複数の金属導電手段とより成り、これら
複数の金属導電手段が制御装置のＲＦ伝送ラインと電気的接触関係にある薄膜誘
電体バラクタを開示している。超伝導素子と共に強誘電体素子を用いる別の制御
可能なキャパシタが、米国特許第５，７２１，１９４号に開示されている。 超伝導の発生に必要な温度よりも高い温度且つ最高１０ＧＨｚ及びそれ以上の
周波数で作動可能であり、同時に高いＱファクターを維持するバラクタが要望さ
れている。さらに、かかるバラクタを備えたマイクロ波装置が要望されている。
【０００９】
【発明の概要】
電圧制御型誘電バラクタは、第１の誘電定数を有し、ほぼ平坦な表面を有する
基板と、第１の誘電定数よりも大きい第２の誘電定数を有し、基板のほぼ平坦な
表面上にある制御可能な強誘電体層と、基板のほぼ平坦な表面とは反対の制御可
能な強誘電体層の表面上にある第１及び第２の電極とより成り、第１及び第２の
電極はその間にギャップを形成するように分離されている。電極に印加されるバ
イアス電圧は、入力と出力の間におけるバラクタの容量を変化させる。
【００１０】 本発明はまた、かかるバラクタを備えた移相器を包含する。かかる移相器の１
つの実施例は、ＲＦ入力及びＲＦ出力を有するラットレースカプラーと、ラット
レースカプラー上に位置する第１及び第２のマイクロストリップと、第１のマイ
クロストリップの端部に隣接して配置された第１の反射性終端部と、第２のマイ
クロストリップの端部に隣接して配置された第２の反射性終端部とより成り、第
１の反射性終端部と第２の反射性終端部はそれぞれ１つの制御可能なバラクタを
有する。
【００１１】 かかる移相器は、ＲＦ入力及びＲＦ出力を有するマイクロストリップと、マイ
クロストリップから延びる第１及び第２の半径方向スタブと、第１の半径方向ス
タブ内にある第１のバラクタと、第２の半径方向スタブ内にある第２のバラクタ
とより成り、第１及び第２のバラクタはそれぞれ上記の制御可能なバラクタの１
つを有する。
【００１２】 本発明の平坦な強誘電バラクタは、種々のマイクロ波デバイスやチューナブル
フィルタにような他のデバイスにおいて位相ずれを発生するために使用可能であ
る。ここで説明するデバイスは、特異な設計で、１０ＧＨｚを超える周波数でも
挿入損が低い。これらのデバイスは、低損失で制御可能な塊状または薄膜の誘電
素子を利用する。
【００１３】
【好ましい実施例の説明】
図面を参照して、図１及び２はそれぞれ、本発明に従って構成したバラクタ１
０の平面図及び断面図である。バラクタ１０は、頂部表面１４がほぼ平坦の基板
１２を備えている。制御可能な強誘電体層１６は、基板の頂部表面に隣接する位
置にある。１対の金属電極１８、２０は、強誘電体層の頂部上にある。基板１２
は、ＭｇＯ、アルミナ、ＬａＡｌＯ3、サファイアまたはセラミックのような誘
電率が比較的低い材料で形成されている。本発明の目的を達成するためには、低
い誘電率とは約３０よりも小さい誘電率である。制御可能な強誘電体層１６は、
誘電率が約２０から約２０００の範囲にあり、制御性が約１０Ｖ／μｍのバイア
ス電圧で約１０％から約８０％の範囲にある材料により形成されている。好まし
い実施例において、この層は、好ましくは、チタン酸バリウム−ストロンチウム
、ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3（ＢＳＴＯ）(xが０から１の範囲にある)、またはＢＳＴ
Ｏ複合セラミックである。かかるＢＳＴＯ複合物の例は、これに限定されないが
、ＢＳＴＯ−ＭｇＯ、ＢＳＴＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＢＳＴＯ−ＣａＴｉＯ3、ＢＳ
ＴＯ−ＭｇＴｉＯ3、ＢＳＴＯ−ＭｇＳｒＺｒＴｉＯ6及びこれらの組合せである
。１つの好ましい実施例の制御可能な層は、典型的なＤＣバイアス電圧、例えば
、約５から約３００ボルトの範囲の電圧を印加されると１００よりも大きい誘電
率を有する。電極１８と２０の間には、幅ｇのギャップ２２が形成されている。
このギャップの幅は、最小の容量Ｃminに対する最大の容量Ｃmaxの比率Ｃmax／
Ｃminを増加させ且つデバイスのＱファクタを増加させるために最適化する必要
がある。ギャップの幅は、バラクタのパラメータに対して最も大きな影響を与え
る。最適幅ｇは、デバイスが最大の比率Ｃmax／Ｃminと最小の損失正接とを有す
る幅により決まる。
【００１４】 制御可能な電圧源２４は、ライン２６及び２８により電極１８及び２０に接続
されている。この電圧源は、強誘電体層にＤＣバイアス電圧を供給して該層の誘
電率を制御するために使用する。バラクタはまた、ＲＦ入力３０とＲＦ出力３２
とを有する。ＲＦ入力及び出力はそれぞれ、半田づけまたはボンド接続により電
極１８及び２０に接続される。
【００１５】 好ましい実施例において、バラクタは幅が５-５０μｍ未満のギャップを用い
る。強誘電体層の厚さは約０．１μｍから約２０μｍの範囲にある。ギャップ内
のシーラント３４は、ギャップにアークを発生させないように高電圧の印加を許
容する高い絶縁破壊強度を持つ任意の非導電性材料でよい。好ましい実施例にお
いて、このシーラントはエポキシまたはポリウレタンでよい。
【００１６】 バラクタの設計に大きな影響を与えるもう１つの寸法は、図１に示すギャップ
の長さＬである。ギャップの長さＬは、電極の端部３６及び３８の長さを変える
ことにより調整可能である。この長さのばらつきは、バラクタの容量に大きな影
響を及ぼす。ギャップの長さは、このパラメータに対して最適化される。ギャッ
プの幅が一旦選択されると、容量はこの長さＬの線形関数となる。望ましい容量
を得るためには、長さＬを実験的に、あるいはコンピュータによるシミュレーシ
ョンで決定することができる。
【００１７】 制御可能な強誘電体層の厚さも、容量比Ｃmax／Ｃminに大きな影響を与える。
強誘電体層の最適な厚さは、最大の容量比Ｃmax／Ｃminが得られる厚さにより決
まる。図１及び２のバラクタの強誘電体層は、チタン酸バリウム−ストロンチウ
ム、ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3（ＢＳＴＯ）、ＢＳＴＯ及び種々の酸化物、又は種々
のドーパントを添加したＢＳＴＯ複合物のような薄膜、厚膜または塊状強誘電体
より成る。これら全ての材料は低い損失正接を示す。この説明の目的で、約１．
０ＧＨｚから約１０ＧＨｚの範囲の周波数で作動させるためには、損失正接は約
０．０００１から０．００１の範囲にある。約１０ＧＨｚから約２０ＧＨｚの範
囲の周波数で作動させるためには、損失正接は約０．００１から０．０１の範囲
にある。約２０ＧＨｚから約３０ＧＨｚの範囲の周波数で作動させるためには、
損失正接は約０．００５から０．０２の範囲にある。
【００１８】 電極は、所定幅のギャップを含む任意の幾何学的形状に形成可能である。本発
明に示すバラクタの容量を調整するに必要な電流は、通常、１μＡ未満である。
好ましい実施例において、電極材料は金である。しかしながら、銅、銀またはア
ルミニウムのような他の導体を用いてもよい。金は耐腐蝕性を有し、ＲＦ入力及
び出力に容易に接着できる。銅は高い導電率を有し、通常は、接着のために金を
、または半田づけのためにニッケルを被覆する。
【００１９】 図１及び２は、単一層より成る制御可能な塊状、厚膜または薄膜誘電体上に平
坦な電極が所定のギャップを形成するように分離された平坦な電圧制御型バラク
タを示す。電圧を印加すると制御可能な誘電体のギャップを横切る方向に電界が
発生し、これによりバラクタの容量が全体的に変化する。ギャップの幅は、要求
される性能に応じて５μｍから５０μｍの範囲にある。バラクタは、半導体バラ
クタと共に常用されるような無数の制御可能なデバイスに一体化することが可能
である。
【００２０】 本発明の電圧制御型誘電バラクタの好ましい実施例は、約１ＧＨｚから約４０
ＧＨｚの周波数範囲で作動されると、Ｑファクタが約５０乃至約１０，０００の
範囲になる。ギャップの距離が１０及び２０μｍ、周波数が３、１０及び２０Ｇ
Ｈｚで測定したバラクタの容量（ｐＦ）及び損失正接（tanδ）を、図３ａ、３
ｂ及び３ｃに示す。図３ａ、３ｂ及び３ｃに示すデータに基づき、バラクタのＱ
ファクタはほぼ以下の通りである。３ＧＨｚで２００、１０ＧＨｚで8０、また
２０ＧＨｚで４５−５５である。これとは対照的に、ＧａＡｓの半導体ダイオー
ドバラクタの典型的なＱファクタは、２ＧＨｚで１７５、１０ＧＨｚで３５、さ
らに高い周波数では一段と低いものとなる。従って、１０ＧＨｚに等しいかそれ
より高い周波数では、本発明のバラクタの方が非常に良好なＱファクタを有する
。
【００２１】 図４は、１．８ＧＨｚから１．９ＧＨｚの作動範囲で用いる本発明のバラクタ
を備えた移相器４０の頂面図である。この移相器４０は、ラットレースカプラー
(rat-race coupler)４２、２つの反射性終端部４４、４６及び、図１に示すが図
４には図示しないバラクタに接続されたバイアス回路を有する。各反射性終端部
は、図１及び２の強誘電体バラクタとインダクタ４８、５０とが直列接続された
ものである。２つのＤＣブロック５２、５４は、それぞれラットレースカプラー
の入力５６及び出力５８のアームに取付けられている。ＤＣブロックは、高容量
の表面実装型キャパシタまたは分散パスバンドフィルタ(distribution passband
filter)を用いるなどして公知の方法で構成することができる。
【００２２】 図４の移相器の実験結果として、０から３００ボルトの直流バイアス電圧をバ
ラクタに加えることにより、図５に示すような結果が得られた。良度指数は約１
１０であり、１．８ＧＨｚから１．９ＧＨｚの周波数範囲にわたり相対的な位相
ずれエラーは３％未満であった。移相器の挿入損は約１．０ｄＢであるが、これ
は金属薄膜における損失及びミスマッチングに関連する０．５ｄＢを含む。この
デバイスの動作温度は３００Ｋ°であった。
【００２３】 図６は、装荷ライン６２マイクロストリップ回路により構成された１０ＧＨｚ
の移相器６０の平面図である。２つの平坦な強誘電体バラクタ１０は、ライン６
２のギャップ６４、６６に組み込まれている。ＲＦ信号がそれぞれ、５０オーム
のマイクロストリップ６８、７０を介して入力され、出力される。中央のマイク
ロストリップは、この例では４０オームのインピーダンスを有する。４分の１波
長半径方向スタブ７２、７４、７６、７８を、インピーダンスマッチング用に使
用する。バラクタは、接点パッド８０及びワイヤ８２を介して印加されるＤＣバ
イアス電圧により制御される。２つのＤＣブロック８４、８６は、図４に示した
ものと同じである。図６の移相器の等価回路（ＤＣブロックは含まず）を図７に
示す。バラクタの容量が０．４ｐＦから０．８ｐＦの範囲にあるデバイスの挿入
損（Ｓ２１）、反射係数（Ｓ１１）、反射係数（Ｓ１１）及び位相ずれ（Δφ）
の計算値を図８ａ，８ｂ及び８ｃに示す。図６の移相器の良度係数は、約０．５
ＧＨｚの周波数範囲にわたって１８０°／ｄＢである。このデバイスは、位相ず
れの条件が１００°未満の用途に好適である。
【００２４】 図９は、矩形の導波管の対称的なフィンライン上に４つの強誘電体バラクタを
備えたチューナブルフィルタ８８の平面図である。本発明のこの実施例において
、電気的にチューナブルなフィルタは、数個の強誘電体バラクタをフィンライン
導波管上に実装することにより室温で実現される。フィンラインの構成は、厚さ
が０．２ｍｍの３つの箔状銅プレート９０、９２、９４を導波管９６の中央部に
おいてその縦方向軸に沿って配置したものである。短絡端部フィンライン共振器
９８、１００を有する２つの横方向プレートは、導波管との接触により接地され
ている。中央プレート９２は、ＤＣ電圧をかけるためマイカ１０２、１０４によ
り導波管から絶縁されており、制御可能な誘電体バラクタ１０６、１０８、１１
０、１１２に制御電圧（Ｕb）を印加するために使用される。制御可能な誘電体
バラクタは、フィンライン共振器の端部においてプレート９０と９２の間、また
プレート９４と９２の間に半田づけされている。フランジ１１４、１１６はこれ
らのプレートを支持する。図９のフィルタの応答特性を図１０に示す。ΔＦ−０
．８ＧＨｚ（−４％）の制御周波数範囲において、このフィルタは、０．９ｄＢ
を超えない挿入損（Ｌo）と、レベルＬoにおいてΔｆ／ｆ−２．０％の帯域幅を
有する。中心周波数での反射係数は、制御範囲のいかなる点でも２０ｄＢを超え
なかった。制御の周波数範囲ΔＦに含まれるフィルタのバンドΔｆの数は、約Δ
Ｆ／Δｆ＝２であった。高いバイアス電圧では、フィルタをさらに制御すること
が可能であることに注意されたい。
【００２５】 所定寸法の低損失（tanδ<0.02）誘電体の特異な例を用いることにより、本発
明は半導体バラクタの高周波数（>３ＧＨｚ）性能を凌駕する高い高周波数高電
力バラクタを提供する。これらのバラクタの制御可能なデバイスへの使用は、本
発明により実現される。移相器及びチューナブルフィルタにおけるバラクタの特
別な利用例をいくつか説明した。本発明は、多くの実用的な用途を有し、開示し
たデバイスの多くの他の利用例が、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく
当業者にとって明らかであろう。さらに、本発明の制御可能な誘電体バラクタは
高いＲＦ電力取扱い能力と低い電力消費率及び低コストを有する。
【００２６】 本発明はフィルタ、移相器、電圧制御発振器、遅延ライン、可同調共振器また
はこれらの任意の組合せのような室温電圧制御デバイスに利用可能な電圧制御型
塊状、厚膜及び薄膜バラクタを提供する。バラクタ、フィンラインチューナブル
フィルタ及び移相器の例を提供した。フィンラインフィルタは２またはそれ以上
のバラクタより成り、矩形導波管の対称的なフィンライン上に形成される。この
例の移相器は、ハイブリッドカプラーを有する反射性終端部と、平坦なバラクタ
を組み込んだ装荷ライン回路とを有する。この例の移相器は、２、１０、２０及
び３０ＧＨｚの周波数で作動可能である。
【００２７】 本発明を現在において好ましい実施例につき説明したが、かかる実施例の種々
の変形例及び設計変更は頭書の特許請求の範囲により定義される本発明の範囲か
ら逸脱することなく実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明に従って構成した平坦な電圧制御型誘電バラクタの平面図であ
る。
【図２】 図２は、線２−２に沿う図１のバラクタの断面図である。
【図３ａ】 図３ａは、種々の動作周波数及びキャップ幅における本発明の電圧制御型バラ
クタの容量及び損失正接を示すグラフである。
【図３ｂ】 図３ｂは、種々の動作周波数及びキャップ幅における本発明の電圧制御型バラ
クタの容量及び損失正接を示すグラフである。
【図３ｃ】 図３ｃは、種々の動作周波数及びキャップ幅における本発明の電圧制御型バラ
クタの容量及び損失正接を示すグラフである。
【図４】 図４は、本発明のバラクタを組み込んだラットレースハイブリッドカプラーよ
り成るアナログ反射性終端部付き移相器の平面図である。
【図５】 図５は、種々の周波数及びバイアス電圧において図４の移相器が発生させる位
相ずれを示すグラフである。
【図６】 図６は、本発明に従って構成した平坦なバラクタを備えた装荷ライン回路移相
器の平面図である。
【図７】 図７は、図７の移相器の等価回路である。
【図８ａ】 図８ａは、図６に示す装荷ライン移相器の性能データのシミュレーション結果
を示すグラフである。
【図８ｂ】 図８ｂは、図６に示す装荷ライン移相器の性能データのシミュレーション結果
を示すグラフである。
【図８ｃ】 図８ｃは、図６に示す装荷ライン移相器の性能データのシミュレーション結果
を示すグラフである。
【図９】 図９は、本発明に従って構成した平坦なバラクタを有するフィンライン導波管
によるチューナブルフィルタの平面図である。
【図１０】 図１０は、図９のフィンラインによるチューナブルフィルタの測定データを示
すグラフである。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１０月１６日（２０００．１０．１６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】 超伝導素子と共に電圧制御素子として薄膜強誘電体セラミックを用いるバラ
クタが記載されている。例えば、米国特許第５，６４０，０４２号は、担持基板
層と、この基板上に付着された高温超伝導層と、金属層上に付着された薄膜強誘
電体層と、薄膜強誘電体層上に付着された複数の金属導電手段とより成り、これ
ら複数の金属導電手段が制御装置のＲＦ伝送ラインと電気的接触関係にある薄膜
誘電体バラクタを開示している。超伝導素子と共に強誘電体素子を用いる別の制
御 可能なキャパシタが、米国特許第５，７２１，１９４号に開示されている。 Kozyrev A. et al., "Ferroelectric Films: Nonlinear Properties And Appl
ications In Microwave Devices", IEEE MIT-S International Microwave Sympo
sium Digest, US, New York, NY, IEEE, 7-12 June 1998, pages 985-988は、基
板上の制御可能な誘電層と、基板とは反対側の誘電層上の電極とを有する電圧制
御型バラクタを開示している。 超伝導の発生に必要な温度よりも高い温度且つ最高１０ＧＨｚ及びそれ以上の
周波数で作動可能であり、同時に高いＱファクターを維持するバラクタが要望さ
れている。さらに、かかるバラクタを備えたマイクロ波装置が要望されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【発明の概要】 電圧制御型誘電バラクタは、第１の誘電定数を有し、ほぼ平坦な表面を有する
基板と、第１の誘電定数よりも大きい第２の誘電定数を有し、基板のほぼ平坦な
表面上にある制御可能な強誘電体層と、基板のほぼ平坦な表面とは反対の制御可
能な強誘電体層の表面上にある第１及び第２の電極とより成り、第１及び第２の
電極はその間にギャップを形成するように分離されている。電極に印加されるバ
イアス電圧は、入力と出力の間におけるバラクタの容量を変化させる。制御可能
な強誘電性層は、チタン酸バリウム−ストロンチウム複合セラミックより成る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ストウェル，スティーブン，シー アメリカ合衆国 メリーランド州 21045 コロンビア ウォンダリング・ウェイ 9525 (72)発明者 ズー，ヨンフェイ アメリカ合衆国 メリーランド州 21044 コロンビア リベンデル・レーン 5275 スイート ６ (72)発明者 セングプタ，ソンナス アメリカ合衆国 メリーランド州 21912 ウォーウィック ニュー・ヘブン・ブー ルバード 12 (72)発明者 チウ，ルナ，エイチ アメリカ合衆国 メリーランド州 21009 アビングトン ブッシュ・コート 3929 (72)発明者 ザング，クシュバイ アメリカ合衆国 メリーランド州 21044 コロンビア リベンデル・レーン 5275 スイート ６ (72)発明者 コジレフ，アンドレイ ロシア国 サンクトペテルブルグ 197342 ビボルグスカヤ，ナベレツァナヤ 69 ／３ ナンバー101 Ｆターム(参考） 5J006 LA02 MA08 5J012 GA11

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の誘電定数を有し、ほぼ平坦な表面を有する基板と、 第１の誘電定数よりも大きい第２の誘電定数を有し、基板のほぼ平坦な表面上
    にある制御可能な強誘電体層と、 基板のほぼ平坦な表面とは反対の制御可能な強誘電体層の表面上にある第１及
    び第２の電極とより成り、第１及び第２の電極はその間にギャップを形成するよ
    うに分離されている電圧制御型誘電バラクタ。
  2. 【請求項２】 ギャップ内に絶縁材料を有する請求項１の電圧制御型誘電バ
    ラクタ。
  3. 【請求項３】 制御可能な強誘電体層は約１００を超える誘電率を有する請
    求項１の電圧制御型誘電バラクタ。
  4. 【請求項４】 基板は約３０未満の誘電率を有する請求項１の電圧制御型誘
    電バラクタ。
  5. 【請求項５】 制御可能な誘電体層の誘電率は約２０から約２０００の範囲
    にあり、制御率は約１０Ｖ／μｍのバイアス電圧で約１０％から約８０％の範囲
    にある請求項１の電圧制御型誘電バラクタ。
  6. 【請求項６】 基板は、ＭｇＯ3、アルミナ、ＬａＡｌＯ3、サファイア及び
    セラミックより成る群の１つである請求項１の電圧制御型誘電バラクタ。
  7. 【請求項７】 制御可能な強誘電体層は、 強誘電体層の制御可能な厚膜と、 強誘電体の制御可能な塊状セラミックと、 強誘電体の制御可能な薄膜のうちの１つである請求項１の電圧制御型誘電バラ
    クタ。
  8. 【請求項８】 制御可能な強誘電体層はＲＦ信号をその第１の方向において
    通過させるためのＲＦ入力及びＲＦ出力を有し、ギャップは第１の方向とほぼ垂
    直な第２の方向に延びる請求項１の電圧制御型誘電バラクタ。
  9. 【請求項９】 ＲＦ入力及びＲＦ出力を有するラットレースカプラーと、 ラットレースカプラー上に位置する第１及び第２のスタブと、 第１のスタブの端部に隣接して配置された第１の反射性終端部と、 第２のスタブの端部に隣接して配置された第２の反射性終端部とより成り、 第１の反射性終端部と第２の反射性終端部はそれぞれ、第１の誘電定数を有し
    、ほぼ平坦な表面を有する基板と、第１の誘電定数よりも大きい第２の誘電定数
    を有し、基板のほぼ平坦な表面上にある制御可能な強誘電体層と、基板のほぼ平
    坦な表面とは反対の制御可能な強誘電体層の表面上にある第１及び第２の電極と
    より成り、第１及び第２の電極はその間にギャップを形成するように分離されて
    いる電圧制御型誘電バラクタより成る反射性終端部付き移相器。
  10. 【請求項１０】 制御可能な強誘電体層は約１００を超える誘電率を有する
    請求項９の反射性終端部付き移相器。
  11. 【請求項１１】 基板は約３０未満の誘電率を有する請求項９の反射性終端
    部付き移相器。
  12. 【請求項１２】 第１の反射性終端部と第２の反射性終端部とはそれぞれバ
    ラクタに直列接続されたインダクタを有する請求項９の反射性終端部付き移相器
    。
  13. 【請求項１３】 さらに第１及び第２のＤＣブロックを有し、第１のＤＣブ
    ロックはＲＦ入力に、また第２のＤＣブロックはＲＦ出力に位置する請求項９の
    反射性終端部付き移相器。
  14. 【請求項１４】 ＲＦ入力及びＲＦ出力を有するマイクロストリップと、 マイクロストリップから延びる第１及び第２の半径方向スタブと、 第１の半径方向スタブ内にある第１のバラクタと、 第２の半径方向スタブ内にある第２のバラクタとより成り、 第１及び第２のバラクタはそれぞれ、第１の誘電定数を有し、ほぼ平坦な表面
    を有する基板と、第１の誘電定数よりも大きい第２の誘電定数を有し、基板のほ
    ぼ平坦な表面上にある制御可能な強誘電体層と、基板のほぼ平坦な表面とは反対
    の制御可能な強誘電体層の表面上にある第１及び第２の電極とより成り、第１及
    び第２の電極はその間にギャップを形成するように分離されている装荷ライン移
    相器。
  15. 【請求項１５】 制御可能な強誘電体層は約１００を超える誘電率を有する
    請求項１４の装荷ライン移相器。
  16. 【請求項１６】 基板は約３０未満の誘電率を有する請求項１４のの装荷ラ
    イン移相器。
  17. 【請求項１７】 矩形の導波管と、 導波管の縦方向軸に沿って位置し、１つが導波管から絶縁された３つの導電性
    プレートと、 短絡端部付きフィンライン共振器を有し、導波管に接地された２つの横方向プ
    レートと、 各々が各フィンライン共振器に接続された複数のバラクタとより成り、 制御可能なバラクタは、第１の誘電定数を有し、ほぼ平坦な表面を有する基板
    と、第１の誘電定数よりも大きい第２の誘電定数を有し、基板のほぼ平坦な表面
    上にある制御可能な強誘電体層と、基板のほぼ平坦な表面とは反対の制御可能な
    強誘電体層の表面上にある第１及び第２の電極とより成り、第１及び第２の電極
    はその間にギャップを形成するように分離されているチューナブルフィンライン
    フィルタ。
  18. 【請求項１８】 制御可能な強誘電体層は約１００を超える誘電率を有する
    請求項１７のチューナブルフィンラインフィルタ。
  19. 【請求項１９】 基板は約３０未満の誘電率を有する請求項１７のチューナ
    ブルフィンラインフィルタ。
JP2000577729A 1998-10-16 1999-10-15 電圧制御型バラクタ及びかかるバラクタを備えた制御可能な装置 Pending JP2002528899A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10450498P 1998-10-16 1998-10-16
US60/104,504 1998-10-16
PCT/US1999/024161 WO2000024079A1 (en) 1998-10-16 1999-10-15 Voltage tunable varactors and tunable devices including such varactors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002528899A true JP2002528899A (ja) 2002-09-03

Family

ID=22300851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000577729A Pending JP2002528899A (ja) 1998-10-16 1999-10-15 電圧制御型バラクタ及びかかるバラクタを備えた制御可能な装置

Country Status (12)

Country Link
US (2) US6531936B1 (ja)
EP (1) EP1121725B1 (ja)
JP (1) JP2002528899A (ja)
KR (1) KR20010089308A (ja)
CN (1) CN1326599A (ja)
AT (1) ATE244459T1 (ja)
AU (1) AU1117500A (ja)
CA (1) CA2346856A1 (ja)
DE (1) DE69909313T2 (ja)
EA (1) EA200100448A1 (ja)
ES (1) ES2201797T3 (ja)
WO (1) WO2000024079A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7142072B2 (en) 2003-09-22 2006-11-28 Kyocera Corporation Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor
US7145509B2 (en) 2004-02-17 2006-12-05 Kyocera Corporation Array antenna and radio communication apparatus using the same

Families Citing this family (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA200200275A1 (ru) * 1999-08-24 2002-10-31 Паратек Майкровэйв, Инк. Перестраиваемые напряжением копланарные фазовращатели
CA2404793A1 (en) 2000-05-02 2001-11-08 Yongfei Zhu Voltage tuned dielectric varactors with bottom electrodes
CA2405115A1 (en) 2000-05-02 2001-11-08 Vitaly Osadchy Microstrip phase shifter
US8744384B2 (en) 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US7865154B2 (en) * 2000-07-20 2011-01-04 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8064188B2 (en) 2000-07-20 2011-11-22 Paratek Microwave, Inc. Optimized thin film capacitors
EP1301960A1 (en) * 2000-07-20 2003-04-16 Paratek Microwave, Inc. Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US6683513B2 (en) * 2000-10-26 2004-01-27 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable RF diplexers tuned by tunable capacitors
US6993107B2 (en) * 2001-01-16 2006-01-31 International Business Machines Corporation Analog unidirectional serial link architecture
US7174147B2 (en) * 2001-04-11 2007-02-06 Kyocera Wireless Corp. Bandpass filter with tunable resonator
US7164329B2 (en) * 2001-04-11 2007-01-16 Kyocera Wireless Corp. Tunable phase shifer with a control signal generator responsive to DC offset in a mixed signal
US7746292B2 (en) * 2001-04-11 2010-06-29 Kyocera Wireless Corp. Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US7394430B2 (en) * 2001-04-11 2008-07-01 Kyocera Wireless Corp. Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods
US7154440B2 (en) * 2001-04-11 2006-12-26 Kyocera Wireless Corp. Phase array antenna using a constant-gain phase shifter
CN100419440C (zh) * 2001-04-11 2008-09-17 京瓷无线公司 测定铁电元件引致的耗损的方法
US7221243B2 (en) * 2001-04-11 2007-05-22 Kyocera Wireless Corp. Apparatus and method for combining electrical signals
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US6617062B2 (en) * 2001-04-13 2003-09-09 Paratek Microwave, Inc. Strain-relieved tunable dielectric thin films
SE520018C2 (sv) * 2001-05-09 2003-05-06 Ericsson Telefon Ab L M Ferroelektriska anordningar och förfarande relaterande därtill
US6535076B2 (en) 2001-05-15 2003-03-18 Silicon Valley Bank Switched charge voltage driver and method for applying voltage to tunable dielectric devices
US6710679B2 (en) 2001-08-16 2004-03-23 Paratek Microwave, Inc. Analog rat-race phase shifters tuned by dielectric varactors
US6801160B2 (en) * 2001-08-27 2004-10-05 Herbert Jefferson Henderson Dynamic multi-beam antenna using dielectrically tunable phase shifters
WO2003026059A1 (en) * 2001-09-20 2003-03-27 Paratek Microwave, Inc. Tunable filters having variable bandwidth and variable delay
US20050200422A1 (en) * 2001-09-20 2005-09-15 Khosro Shamsaifar Tunable filters having variable bandwidth and variable delay
US7176845B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-13 Kyocera Wireless Corp. System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band
US7184727B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-27 Kyocera Wireless Corp. Full-duplex antenna system and method
US7180467B2 (en) * 2002-02-12 2007-02-20 Kyocera Wireless Corp. System and method for dual-band antenna matching
US7183922B2 (en) * 2002-03-18 2007-02-27 Paratek Microwave, Inc. Tracking apparatus, system and method
US7187288B2 (en) * 2002-03-18 2007-03-06 Paratek Microwave, Inc. RFID tag reading system and method
US20030176179A1 (en) * 2002-03-18 2003-09-18 Ken Hersey Wireless local area network and antenna used therein
US20050113138A1 (en) * 2002-03-18 2005-05-26 Greg Mendolia RF ID tag reader utlizing a scanning antenna system and method
US7496329B2 (en) * 2002-03-18 2009-02-24 Paratek Microwave, Inc. RF ID tag reader utilizing a scanning antenna system and method
US20050159187A1 (en) * 2002-03-18 2005-07-21 Greg Mendolia Antenna system and method
US6987493B2 (en) * 2002-04-15 2006-01-17 Paratek Microwave, Inc. Electronically steerable passive array antenna
US7107033B2 (en) * 2002-04-17 2006-09-12 Paratek Microwave, Inc. Smart radio incorporating Parascan® varactors embodied within an intelligent adaptive RF front end
US6864843B2 (en) * 2002-08-15 2005-03-08 Paratek Microwave, Inc. Conformal frequency-agile tunable patch antenna
US7111520B2 (en) * 2002-08-26 2006-09-26 Gilbarco Inc. Increased sensitivity for liquid meter
US6854342B2 (en) 2002-08-26 2005-02-15 Gilbarco, Inc. Increased sensitivity for turbine flow meter
US6960546B2 (en) 2002-09-27 2005-11-01 Paratek Microwave, Inc. Dielectric composite materials including an electronically tunable dielectric phase and a calcium and oxygen-containing compound phase
WO2004073099A2 (en) * 2003-02-05 2004-08-26 Mohammed Mahbubur Rahman Electronically tunable comb-ring type rf filter
US20040185795A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF Front End Module
US7369828B2 (en) * 2003-02-05 2008-05-06 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable quad-band antennas for handset applications
US20040178867A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-16 Rahman Mohammed Mahbubur LTCC based electronically tunable multilayer microstrip-stripline combline filter
US7048992B2 (en) * 2003-02-05 2006-05-23 Paratek Microwave, Inc. Fabrication of Parascan tunable dielectric chips
US20050116797A1 (en) * 2003-02-05 2005-06-02 Khosro Shamsaifar Electronically tunable block filter
US20040183626A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Qinghua Kang Electronically tunable block filter with tunable transmission zeros
US20040224649A1 (en) * 2003-02-05 2004-11-11 Khosro Shamsaifar Electronically tunable power amplifier tuner
US20040227592A1 (en) 2003-02-05 2004-11-18 Chiu Luna H. Method of applying patterned metallization to block filter resonators
US6967540B2 (en) * 2003-03-06 2005-11-22 Paratek Microwave, Inc. Synthesizers incorporating parascan TM varactors
US6949982B2 (en) * 2003-03-06 2005-09-27 Paratek Microwave, Inc. Voltage controlled oscillators incorporating parascan R varactors
US8204438B2 (en) * 2003-03-14 2012-06-19 Paratek Microwave, Inc. RF ID tag reader utilizing a scanning antenna system and method
WO2004093145A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Paratek Microwave, Inc. Voltage tunable photodefinable dielectric and method of manufacture therefore
EP1618610A2 (en) * 2003-04-30 2006-01-25 Paratek Microwave, Inc. Electronically tunable rf chip packages
US7042316B2 (en) * 2003-05-01 2006-05-09 Paratek Microwave, Inc. Waveguide dielectric resonator electrically tunable filter
US20050030227A1 (en) * 2003-05-22 2005-02-10 Khosro Shamsaifar Wireless local area network antenna system and method of use therefore
US7720443B2 (en) * 2003-06-02 2010-05-18 Kyocera Wireless Corp. System and method for filtering time division multiple access telephone communications
US20060035023A1 (en) * 2003-08-07 2006-02-16 Wontae Chang Method for making a strain-relieved tunable dielectric thin film
WO2005015681A2 (en) * 2003-08-08 2005-02-17 Paratek Microwave, Inc. Stacked patch antenna and method of operation therefore
WO2005015679A2 (en) * 2003-08-08 2005-02-17 Paratek Microwave Inc. Loaded line phase shifter
KR100546759B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 한국전자통신연구원 식각된 강유전체 박막을 이용한 분포 정수형 아날로그위상 변위기 및 그 제조방법
US6992638B2 (en) * 2003-09-27 2006-01-31 Paratek Microwave, Inc. High gain, steerable multiple beam antenna system
US7030463B1 (en) 2003-10-01 2006-04-18 University Of Dayton Tuneable electromagnetic bandgap structures based on high resistivity silicon substrates
WO2005072469A2 (en) * 2004-01-28 2005-08-11 Paratek Microwave Inc. Apparatus and method operable in a wireless local area network incorporating tunable dielectric capacitors embodied within an intelligent adaptive antenna
WO2005072468A2 (en) * 2004-01-28 2005-08-11 Paratek Microwave Inc. Apparatus and method capable of utilizing a tunable antenna-duplexer combination
US7268643B2 (en) * 2004-01-28 2007-09-11 Paratek Microwave, Inc. Apparatus, system and method capable of radio frequency switching using tunable dielectric capacitors
US7151411B2 (en) * 2004-03-17 2006-12-19 Paratek Microwave, Inc. Amplifier system and method
US20050206482A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Dutoit Nicolaas Electronically tunable switched-resonator filter bank
US20060009185A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Khosro Shamsaifar Method and apparatus capable of interference cancellation
US20060006966A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Qinghua Kang Electronically tunable ridged waveguide cavity filter and method of manufacture therefore
US20060006961A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Sengupta L Tunable dielectric phase shifters capable of operating in a digital-analog regime
US20060006962A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Du Toit Cornelis F Phase shifters and method of manufacture therefore
US7248845B2 (en) * 2004-07-09 2007-07-24 Kyocera Wireless Corp. Variable-loss transmitter and method of operation
US7379711B2 (en) * 2004-07-30 2008-05-27 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus capable of mitigating third order inter-modulation distortion in electronic circuits
US7519340B2 (en) * 2004-07-30 2009-04-14 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus capable of mitigating third order inter-modulation distortion in electronic circuits
WO2006020542A2 (en) * 2004-08-13 2006-02-23 Paratek Microwave Inc. Method and apparatus with improved varactor quality factor
US20060044204A1 (en) * 2004-08-14 2006-03-02 Jeffrey Kruth Phased array antenna with steerable null
US7557055B2 (en) * 2004-09-20 2009-07-07 Paratek Microwave, Inc. Tunable low loss material composition
US20060065916A1 (en) 2004-09-29 2006-03-30 Xubai Zhang Varactors and methods of manufacture and use
US7397329B2 (en) * 2004-11-02 2008-07-08 Du Toit Nicolaas D Compact tunable filter and method of operation and manufacture therefore
KR100582548B1 (ko) * 2004-12-20 2006-05-22 한국전자통신연구원 강유전체 박막을 이용한 ｐｂｇ 구조의 위상 변위기
US20060267174A1 (en) * 2005-02-09 2006-11-30 William Macropoulos Apparatus and method using stackable substrates
US8283723B2 (en) * 2005-02-11 2012-10-09 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with low injection diode
US8362547B2 (en) * 2005-02-11 2013-01-29 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with Schottky barrier controlling layer
US7948029B2 (en) 2005-02-11 2011-05-24 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated MOS device with varying trench depth
US8093651B2 (en) 2005-02-11 2012-01-10 Alpha & Omega Semiconductor Limited MOS device with integrated schottky diode in active region contact trench
US7285822B2 (en) 2005-02-11 2007-10-23 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Power MOS device
US7471146B2 (en) * 2005-02-15 2008-12-30 Paratek Microwave, Inc. Optimized circuits for three dimensional packaging and methods of manufacture therefore
US7786820B2 (en) * 2005-03-21 2010-08-31 Ngimat Co. Tunable dielectric radio frequency microelectromechanical system capacitive switch
WO2006101647A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Crest Electronics, Inc. Pillow speaker remote control
US20070007850A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 Toit Nicolaas D Apparatus and method capable of a high fundamental acoustic resonance frequency and a wide resonance-free frequency range
US20070007854A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 James Oakes Ripple free tunable capacitor and method of operation and manufacture therefore
US20070007853A1 (en) 2005-07-09 2007-01-11 Toit Nicolaas D Apparatus and method capable of a high fundamental acoustic resonance frequency and a wide resonance-free frequency range
US8067997B2 (en) * 2005-11-10 2011-11-29 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Apparatus and method of selecting components for a reconfigurable impedance match circuit
US9406444B2 (en) 2005-11-14 2016-08-02 Blackberry Limited Thin film capacitors
US7548762B2 (en) * 2005-11-30 2009-06-16 Kyocera Corporation Method for tuning a GPS antenna matching network
US8325097B2 (en) * 2006-01-14 2012-12-04 Research In Motion Rf, Inc. Adaptively tunable antennas and method of operation therefore
US7711337B2 (en) 2006-01-14 2010-05-04 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching module (AIMM) control architectures
US8125399B2 (en) 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
US20070279159A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Heinz Georg Bachmann Techniques to reduce circuit non-linear distortion
KR100747657B1 (ko) * 2006-10-26 2007-08-08 삼성전자주식회사 매크로 및 마이크로 주파수 튜닝이 가능한 반도체 소자 및이를 갖는 안테나와 주파수 튜닝 회로
US7535312B2 (en) * 2006-11-08 2009-05-19 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method with improved dynamic range
US9201556B2 (en) * 2006-11-08 2015-12-01 3M Innovative Properties Company Touch location sensing system and method employing sensor data fitting to a predefined curve
US8299867B2 (en) * 2006-11-08 2012-10-30 Research In Motion Rf, Inc. Adaptive impedance matching module
US7714676B2 (en) 2006-11-08 2010-05-11 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method
US7813777B2 (en) * 2006-12-12 2010-10-12 Paratek Microwave, Inc. Antenna tuner with zero volts impedance fold back
US8207944B2 (en) * 2006-12-19 2012-06-26 3M Innovative Properties Company Capacitance measuring circuit and method
US7956851B2 (en) * 2006-12-20 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Self-tuning drive source employing input impedance phase detection
US8134542B2 (en) * 2006-12-20 2012-03-13 3M Innovative Properties Company Untethered stylus employing separate communication and power channels
US8243049B2 (en) 2006-12-20 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Untethered stylus employing low current power converter
US8040329B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-18 3M Innovative Properties Company Frequency control circuit for tuning a resonant circuit of an untethered device
US8089474B2 (en) 2006-12-28 2012-01-03 3M Innovative Properties Company Location sensing system and method employing adaptive drive signal adjustment
US7787259B2 (en) * 2006-12-28 2010-08-31 3M Innovative Properties Company Magnetic shield for use in a location sensing system
US8040330B2 (en) 2006-12-28 2011-10-18 3M Innovative Properties Company Untethered stylus empolying multiple reference frequency communication
KR100813937B1 (ko) * 2007-02-22 2008-03-17 한국원자력연구원 가변 결합 계수를 갖는 도파관 어레이 커플러
US7936553B2 (en) 2007-03-22 2011-05-03 Paratek Microwave, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
US8467169B2 (en) * 2007-03-22 2013-06-18 Research In Motion Rf, Inc. Capacitors adapted for acoustic resonance cancellation
US7917104B2 (en) 2007-04-23 2011-03-29 Paratek Microwave, Inc. Techniques for improved adaptive impedance matching
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
US7991363B2 (en) 2007-11-14 2011-08-02 Paratek Microwave, Inc. Tuning matching circuits for transmitter and receiver bands as a function of transmitter metrics
US8112852B2 (en) * 2008-05-14 2012-02-14 Paratek Microwave, Inc. Radio frequency tunable capacitors and method of manufacturing using a sacrificial carrier substrate
US7922975B2 (en) * 2008-07-14 2011-04-12 University Of Dayton Resonant sensor capable of wireless interrogation
US8072285B2 (en) 2008-09-24 2011-12-06 Paratek Microwave, Inc. Methods for tuning an adaptive impedance matching network with a look-up table
US8067858B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-29 Paratek Microwave, Inc. Low-distortion voltage variable capacitor assemblies
US20100096678A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 University Of Dayton Nanostructured barium strontium titanate (bst) thin-film varactors on sapphire
US8194387B2 (en) 2009-03-20 2012-06-05 Paratek Microwave, Inc. Electrostrictive resonance suppression for tunable capacitors
US8472888B2 (en) 2009-08-25 2013-06-25 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for calibrating a communication device
US9026062B2 (en) * 2009-10-10 2015-05-05 Blackberry Limited Method and apparatus for managing operations of a communication device
WO2011090933A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-28 Northeastern University Voltage tuning of microwave magnetic devices using magnetoelectric transducers
US8803631B2 (en) 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
JP5901612B2 (ja) 2010-04-20 2016-04-13 ブラックベリー リミテッド 通信デバイスにおける干渉を管理するための方法および装置
CN102457242B (zh) * 2010-10-14 2014-12-31 重庆融海超声医学工程研究中心有限公司 一种阻抗匹配网络及其设计方法
US9379454B2 (en) 2010-11-08 2016-06-28 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning antennas in a communication device
US8712340B2 (en) 2011-02-18 2014-04-29 Blackberry Limited Method and apparatus for radio antenna frequency tuning
US8655286B2 (en) 2011-02-25 2014-02-18 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8594584B2 (en) 2011-05-16 2013-11-26 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8626083B2 (en) 2011-05-16 2014-01-07 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US9769826B2 (en) 2011-08-05 2017-09-19 Blackberry Limited Method and apparatus for band tuning in a communication device
US8948889B2 (en) 2012-06-01 2015-02-03 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device
US9000866B2 (en) 2012-06-26 2015-04-07 University Of Dayton Varactor shunt switches with parallel capacitor architecture
US9853363B2 (en) 2012-07-06 2017-12-26 Blackberry Limited Methods and apparatus to control mutual coupling between antennas
US9246223B2 (en) 2012-07-17 2016-01-26 Blackberry Limited Antenna tuning for multiband operation
US9350405B2 (en) 2012-07-19 2016-05-24 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna tuning and power consumption management in a communication device
US9413066B2 (en) 2012-07-19 2016-08-09 Blackberry Limited Method and apparatus for beam forming and antenna tuning in a communication device
US9362891B2 (en) 2012-07-26 2016-06-07 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning a communication device
US10186903B2 (en) * 2012-08-28 2019-01-22 Philips Lighting Holding B.V. Electrical breakdown protection for a capacitive wireless powering system
US9374113B2 (en) 2012-12-21 2016-06-21 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US10404295B2 (en) 2012-12-21 2019-09-03 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9219877B2 (en) 2013-03-07 2015-12-22 Holland Electronics, Llc Impedance compensation circuit
DE102014210747B4 (de) 2014-02-12 2023-11-16 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Phasenregelschleife mit Varaktor in Mikrosystemtechnik
US9466868B2 (en) 2014-04-21 2016-10-11 Globalfoundries Inc. Reconfigurable branch line coupler
CN103956999A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种集成的移相和脉冲压缩信号处理器件
US9461612B2 (en) 2014-05-22 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Reconfigurable rat race coupler
US9438319B2 (en) 2014-12-16 2016-09-06 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna selection
WO2017126717A1 (ko) * 2016-01-20 2017-07-27 엘지전자 주식회사 Fdr 방식의 사용에 따른 자기간섭 신호를 제거하기 위한 방법 및 자기간섭 신호를 제거하기 위한 장치
US11317519B2 (en) 2018-10-15 2022-04-26 International Business Machines Corporation Fabrication of superconducting devices that control direct currents and microwave signals
DE102018126085A1 (de) * 2018-10-19 2020-04-23 Forschungsverbund Berlin E.V. Ausgangsfilter für einen Verstärker

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583401B2 (ja) * 1972-05-23 1983-01-21 日本放送協会 マイクロハカイロ
JPS5933902A (ja) * 1982-08-19 1984-02-24 Fujitsu Ltd Ｍｉｃ回路
JPS59196611A (ja) * 1983-04-22 1984-11-08 Toshiba Corp マイクロ波ミクサ回路
US5032805A (en) 1989-10-23 1991-07-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army RF phase shifter
US5472935A (en) 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
US5307033A (en) 1993-01-19 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Planar digital ferroelectric phase shifter
JPH06216640A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Fujitsu Ltd 高周波回路
US5442327A (en) * 1994-06-21 1995-08-15 Motorola, Inc. MMIC tunable biphase modulator
US5561407A (en) 1995-01-31 1996-10-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Single substrate planar digital ferroelectric phase shifter
US5640042A (en) 1995-12-14 1997-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thin film ferroelectric varactor
US6097263A (en) 1996-06-28 2000-08-01 Robert M. Yandrofski Method and apparatus for electrically tuning a resonating device
US5760661A (en) 1996-07-11 1998-06-02 Northrop Grumman Corporation Variable phase shifter using an array of varactor diodes for uniform transmission line loading
US6096127A (en) * 1997-02-28 2000-08-01 Superconducting Core Technologies, Inc. Tuneable dielectric films having low electrical losses
US6377440B1 (en) * 2000-09-12 2002-04-23 Paratek Microwave, Inc. Dielectric varactors with offset two-layer electrodes

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7142072B2 (en) 2003-09-22 2006-11-28 Kyocera Corporation Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor
US7227431B2 (en) 2003-09-22 2007-06-05 Kyocera Corporation Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor
US7283018B2 (en) 2003-09-22 2007-10-16 Kyocera Corporation Variable matching circuit, variable resonance circuit, variable phase-shifting circuit and variable attenuation circuit each having variable-capacitance capacitor
US7145509B2 (en) 2004-02-17 2006-12-05 Kyocera Corporation Array antenna and radio communication apparatus using the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE69909313D1 (de) 2003-08-07
WO2000024079A1 (en) 2000-04-27
EP1121725A1 (en) 2001-08-08
US6531936B1 (en) 2003-03-11
AU1117500A (en) 2000-05-08
ATE244459T1 (de) 2003-07-15
ES2201797T3 (es) 2004-03-16
US6686814B2 (en) 2004-02-03
US20030001692A1 (en) 2003-01-02
DE69909313T2 (de) 2004-06-03
CA2346856A1 (en) 2000-04-27
KR20010089308A (ko) 2001-09-29
EA200100448A1 (ru) 2001-10-22
CN1326599A (zh) 2001-12-12
EP1121725B1 (en) 2003-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002528899A (ja) 電圧制御型バラクタ及びかかるバラクタを備えた制御可能な装置
US6525630B1 (en) Microstrip tunable filters tuned by dielectric varactors
US6646522B1 (en) Voltage tunable coplanar waveguide phase shifters
US7069064B2 (en) Tunable ferroelectric resonator arrangement
Kim et al. A wide-band reflection-type phase shifter at S-band using BST coated substrate
US6377217B1 (en) Serially-fed phased array antennas with dielectric phase shifters
EP1281210B1 (en) Microstrip phase shifter
EP2768072A1 (en) Phase shifting device
US20020186099A1 (en) Electrically tunable filters with dielectric varactors
JP2002529938A (ja) 組み込みｄｃブロックを有する強誘電体
EP1530249B1 (en) Voltage tunable coplanar phase shifters
Williamson et al. Towards a 5G n260 Band Phased Array Based on Vanadium Dioxide Switches
JP7103807B2 (ja) 高周波デバイス
EP4352819A1 (en) A compact beamforming module for phased array antenna systems
WO2022260637A1 (en) A compact beamforming module for phased array antenna systems
JP2000502231A (ja) 信号をフィルタリングする装置およびそれに関連する方法