JPH06216640A - 高周波回路 - Google Patents
高周波回路Info
- Publication number
- JPH06216640A JPH06216640A JP5006581A JP658193A JPH06216640A JP H06216640 A JPH06216640 A JP H06216640A JP 5006581 A JP5006581 A JP 5006581A JP 658193 A JP658193 A JP 658193A JP H06216640 A JPH06216640 A JP H06216640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip line
- varactor diode
- circuit
- high frequency
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0225—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 市販品の半導体素子、並びにバラクタダイオ
ードが直接取付けられたストリップ線路等を使用する高
周波回路において、ストリップ線路上のバラクタダイオ
ードの取付け位置と開放端との距離によりバラクタダイ
オードの容量変化の効果が異なるという性質を利用し
て、ストリップ線路上のバラクタダイオードの取付け位
置により、電圧制御発振回路における周波数可変範囲や
位相器における位相変化量等の設計仕様を満たすことを
可能とした高周波回路を提供することを目的とする。 【構成】 バラクタダイオード１７が直接取付けられた
ストリップ線路１５を備える高周波回路であって、バラ
クタダイオード１７のストリップ線路１５上の取付け位
置、及びまたはバラクタダイオード１７の印加電圧によ
り、ストリップ線路１５のバラクタダイオード１７の容
量を考慮にいれた等価ストリップ線路長を制御する。
ードが直接取付けられたストリップ線路等を使用する高
周波回路において、ストリップ線路上のバラクタダイオ
ードの取付け位置と開放端との距離によりバラクタダイ
オードの容量変化の効果が異なるという性質を利用し
て、ストリップ線路上のバラクタダイオードの取付け位
置により、電圧制御発振回路における周波数可変範囲や
位相器における位相変化量等の設計仕様を満たすことを
可能とした高周波回路を提供することを目的とする。 【構成】 バラクタダイオード１７が直接取付けられた
ストリップ線路１５を備える高周波回路であって、バラ
クタダイオード１７のストリップ線路１５上の取付け位
置、及びまたはバラクタダイオード１７の印加電圧によ
り、ストリップ線路１５のバラクタダイオード１７の容
量を考慮にいれた等価ストリップ線路長を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波回路に係り、特
に、市販品の半導体素子、並びにバラクタダイオードが
直接取付けられたストリップ線路等を使用する高周波回
路において、ストリップ線路上のバラクタダイオードの
取付け位置と開放端との距離によりバラクタダイオード
の容量変化の効果が異なるという性質を利用して、スト
リップ線路上のバラクタダイオードの取付け位置によ
り、電圧制御発振回路における周波数可変範囲や位相器
における位相変化量等の設計仕様を満たすことを可能と
した高周波回路に関する。
に、市販品の半導体素子、並びにバラクタダイオードが
直接取付けられたストリップ線路等を使用する高周波回
路において、ストリップ線路上のバラクタダイオードの
取付け位置と開放端との距離によりバラクタダイオード
の容量変化の効果が異なるという性質を利用して、スト
リップ線路上のバラクタダイオードの取付け位置によ
り、電圧制御発振回路における周波数可変範囲や位相器
における位相変化量等の設計仕様を満たすことを可能と
した高周波回路に関する。
【０００２】現在、種々の高周波回路がＭＩＣ（高周波
用ＩＣ）回路基板上でストリップ線路を使用して構成さ
れている。それらの高周波回路の中で、バラクタダイオ
ードをストリップ線路上に直接取付けて、電圧制御発振
回路や位相器等を構成する場合がある。
用ＩＣ）回路基板上でストリップ線路を使用して構成さ
れている。それらの高周波回路の中で、バラクタダイオ
ードをストリップ線路上に直接取付けて、電圧制御発振
回路や位相器等を構成する場合がある。
【０００３】
【従来の技術】従来、ＭＩＣ回路を使って電圧制御発振
回路や位相器等の高周波回路を設計する場合、特定の周
波数帯域用として開発されたトランジスタやバラクタダ
イオード等の半導体素子を使用して構成されている。ま
た、チップデバイスを使って構成する場合もある。これ
らのＭＩＣ回路のコストダウンを計る際、微細組立工程
が入るため限界がある。
回路や位相器等の高周波回路を設計する場合、特定の周
波数帯域用として開発されたトランジスタやバラクタダ
イオード等の半導体素子を使用して構成されている。ま
た、チップデバイスを使って構成する場合もある。これ
らのＭＩＣ回路のコストダウンを計る際、微細組立工程
が入るため限界がある。
【０００４】最近、高周波回路の設計に際して、コスト
或いは量産性の観点から、市販されている安価なトラン
ジスタやバラクタダイオード等の半導体素子を使う機会
が多くなる傾向にある。
或いは量産性の観点から、市販されている安価なトラン
ジスタやバラクタダイオード等の半導体素子を使う機会
が多くなる傾向にある。
【０００５】このような状況下で、従来の設計仕様を満
足する特性を実現していかなければならない場合、或い
は、更に厳しい特性仕様が要求される場合が発生する。
例えば、電圧制御発振回路における周波数可変範囲や位
相器における位相変化量等がそれである。
足する特性を実現していかなければならない場合、或い
は、更に厳しい特性仕様が要求される場合が発生する。
例えば、電圧制御発振回路における周波数可変範囲や位
相器における位相変化量等がそれである。
【０００６】つまり、ＭＩＣ回路基板上で従来特定のデ
バイスあるいはチップデバイスを使って設計された電圧
制御発振回路を、市販のパッケージ封止されたトランジ
スタやバラクタダイオード等の半導体素子を使って同じ
仕様の回路を設計することが要求される。
バイスあるいはチップデバイスを使って設計された電圧
制御発振回路を、市販のパッケージ封止されたトランジ
スタやバラクタダイオード等の半導体素子を使って同じ
仕様の回路を設計することが要求される。
【０００７】図７に、従来のチップデバイスを用いた電
圧制御発振回路の回路構成図を示す。バイアス端子１０
８及び１１４からのバイアス電圧、並びにストリップ線
路及びチップバラクタダイオード１１７から成るλ／４
ストリップ線路共振器１１５の設定により出力端子１１
９からの発振周波数が制御される構成となっている。
圧制御発振回路の回路構成図を示す。バイアス端子１０
８及び１１４からのバイアス電圧、並びにストリップ線
路及びチップバラクタダイオード１１７から成るλ／４
ストリップ線路共振器１１５の設定により出力端子１１
９からの発振周波数が制御される構成となっている。
【０００８】このようなチップデバイスを用いた電圧制
御発振回路を、市販のパッケージ封止されたトランジス
タやバラクタダイオード等の半導体素子を使って同じ仕
様の回路を設計する場合、半導体素子はパッケージ封止
部品を使用することとなり、当然のことながら、バラク
タダイオードの容量等も市販品の規格に限定されること
になる。
御発振回路を、市販のパッケージ封止されたトランジス
タやバラクタダイオード等の半導体素子を使って同じ仕
様の回路を設計する場合、半導体素子はパッケージ封止
部品を使用することとなり、当然のことながら、バラク
タダイオードの容量等も市販品の規格に限定されること
になる。
【０００９】また、他の高周波回路、例えばバラクタダ
イオードを使った位相器等においても、その位相可変範
囲が限定されることになる。
イオードを使った位相器等においても、その位相可変範
囲が限定されることになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
高周波回路では、例えば、チップデバイスを用いた回路
を市販のトランジスタやバラクタダイオード等の半導体
素子を使って同じ仕様の回路を設計する場合、市販品の
規格に限定されるため、電圧制御発振回路における周波
数可変範囲や位相器における位相変化量といった従来の
設計仕様を満足する特性を実現すること、或いは、更に
厳しい特性仕様を満たすことが難しいという問題があっ
た。
高周波回路では、例えば、チップデバイスを用いた回路
を市販のトランジスタやバラクタダイオード等の半導体
素子を使って同じ仕様の回路を設計する場合、市販品の
規格に限定されるため、電圧制御発振回路における周波
数可変範囲や位相器における位相変化量といった従来の
設計仕様を満足する特性を実現すること、或いは、更に
厳しい特性仕様を満たすことが難しいという問題があっ
た。
【００１１】本発明は、上記問題点を解決するもので、
バラクタダイオードが直接取付けられたストリップ線路
を使用する高周波回路において、ストリップ線路上のバ
ラクタダイオードの取付け位置と開放端との距離により
バラクタダイオードの容量変化の効果が異なるという性
質を利用して、ストリップ線路上のバラクタダイオード
の取付け位置により、電圧制御発振回路における周波数
可変範囲や位相器における位相変化量等の設計仕様を満
たすことを可能とした高周波回路を提供することを目的
とする。
バラクタダイオードが直接取付けられたストリップ線路
を使用する高周波回路において、ストリップ線路上のバ
ラクタダイオードの取付け位置と開放端との距離により
バラクタダイオードの容量変化の効果が異なるという性
質を利用して、ストリップ線路上のバラクタダイオード
の取付け位置により、電圧制御発振回路における周波数
可変範囲や位相器における位相変化量等の設計仕様を満
たすことを可能とした高周波回路を提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴の高周波回路は、図１に示す如
く、バラクタダイオード１７が直接取付けられたストリ
ップ線路１５を備える高周波回路であって、前記バラク
タダイオード１７の前記ストリップ線路１５上の取付け
位置、及びまたは前記バラクタダイオード１７の印加電
圧により、前記ストリップ線路１５のバラクタダイオー
ド１７の容量を考慮にいれた等価ストリップ線路長を制
御する。
に、本発明の第１の特徴の高周波回路は、図１に示す如
く、バラクタダイオード１７が直接取付けられたストリ
ップ線路１５を備える高周波回路であって、前記バラク
タダイオード１７の前記ストリップ線路１５上の取付け
位置、及びまたは前記バラクタダイオード１７の印加電
圧により、前記ストリップ線路１５のバラクタダイオー
ド１７の容量を考慮にいれた等価ストリップ線路長を制
御する。
【００１３】また、本発明の第２の特徴の高周波回路
は、請求項１に記載の高周波回路において、図１に示す
如く、前記高周波回路は、前記バラクタダイオード１７
が直接取付けられたストリップ線路１５、バイアス供給
回路、及びアクティブデバイスを備える電圧制御発振回
路であり、前記バラクタダイオード１７の前記ストリッ
プ線路１５上の取付け位置、及び前記バイアス供給回路
のバイアス電圧により、当該回路の発振周波数を制御す
る。
は、請求項１に記載の高周波回路において、図１に示す
如く、前記高周波回路は、前記バラクタダイオード１７
が直接取付けられたストリップ線路１５、バイアス供給
回路、及びアクティブデバイスを備える電圧制御発振回
路であり、前記バラクタダイオード１７の前記ストリッ
プ線路１５上の取付け位置、及び前記バイアス供給回路
のバイアス電圧により、当該回路の発振周波数を制御す
る。
【００１４】また、本発明の第３の特徴の高周波回路
は、請求項１に記載の高周波回路において、図５または
図６に示す如く、前記高周波回路は、前記バラクタダイ
オード５５または５５及び６５が直接取付けられたスト
リップ線路５３または５３及び６３、バイアス供給回
路、及びサーキュレータ４４または方向性結合器６１を
備える位相器であり、前記バラクタダイオード５５また
は５５及び６５は、前記ストリップ線路５３または５３
及び６３上で開放端からλ／４以内に取付けられ、前記
バラクタダイオード５５または５５及び６５の前記スト
リップ線路５３または５３及び６３上の取付け位置、及
び前記バイアス供給回路のバイアス電圧により、当該位
相器の位相変化量を制御する。
は、請求項１に記載の高周波回路において、図５または
図６に示す如く、前記高周波回路は、前記バラクタダイ
オード５５または５５及び６５が直接取付けられたスト
リップ線路５３または５３及び６３、バイアス供給回
路、及びサーキュレータ４４または方向性結合器６１を
備える位相器であり、前記バラクタダイオード５５また
は５５及び６５は、前記ストリップ線路５３または５３
及び６３上で開放端からλ／４以内に取付けられ、前記
バラクタダイオード５５または５５及び６５の前記スト
リップ線路５３または５３及び６３上の取付け位置、及
び前記バイアス供給回路のバイアス電圧により、当該位
相器の位相変化量を制御する。
【００１５】
【作用】本発明の第１及び第２の特徴の高周波回路で
は、図１に示す如く、バラクタダイオード１７が直接取
付けられたストリップ線路１５を備え、バラクタダイオ
ード１７のストリップ線路１５上の取付け位置、及びま
たはバラクタダイオード１７の印加電圧により、ストリ
ップ線路１５のバラクタダイオード１７の容量を考慮に
いれた等価ストリップ線路長を制御するようにしてい
る。
は、図１に示す如く、バラクタダイオード１７が直接取
付けられたストリップ線路１５を備え、バラクタダイオ
ード１７のストリップ線路１５上の取付け位置、及びま
たはバラクタダイオード１７の印加電圧により、ストリ
ップ線路１５のバラクタダイオード１７の容量を考慮に
いれた等価ストリップ線路長を制御するようにしてい
る。
【００１６】これは、開放端を有するストリップ線路１
５の等価回路は図２（３）に示す如くなり、図２（４）
に示すようにバラクタダイオード１７の容量Ｃv 及びス
トリップ線路１８の容量Ｃ1 のみを考慮すれば、合成容
量Ｃt は Ｃt ＝Ｃv ・Ｃ1 ／（Ｃv ＋Ｃ1 ） となり、合成容量Ｃt のＣv に対する変化量は ΔＣt ＝ｄＣt ／ｄＣv ＝１／（Ｃv ／Ｃ1 ＋１）2 であり、Ｃ1 が大の時ΔＣt は小、Ｃ1 が小の時ΔＣt
は大であるということから、Ｃ1 及びＣv により、即
ち、バラクタダイオード１７のストリップ線路１５上の
取付け位置、及びバラクタダイオード１７の印加電圧に
より、ストリップ線路１５のバラクタダイオード１７の
容量を考慮にいれた等価ストリップ線路長を制御でき
る。
５の等価回路は図２（３）に示す如くなり、図２（４）
に示すようにバラクタダイオード１７の容量Ｃv 及びス
トリップ線路１８の容量Ｃ1 のみを考慮すれば、合成容
量Ｃt は Ｃt ＝Ｃv ・Ｃ1 ／（Ｃv ＋Ｃ1 ） となり、合成容量Ｃt のＣv に対する変化量は ΔＣt ＝ｄＣt ／ｄＣv ＝１／（Ｃv ／Ｃ1 ＋１）2 であり、Ｃ1 が大の時ΔＣt は小、Ｃ1 が小の時ΔＣt
は大であるということから、Ｃ1 及びＣv により、即
ち、バラクタダイオード１７のストリップ線路１５上の
取付け位置、及びバラクタダイオード１７の印加電圧に
より、ストリップ線路１５のバラクタダイオード１７の
容量を考慮にいれた等価ストリップ線路長を制御でき
る。
【００１７】例えば電圧制御発振回路の場合には、バラ
クタダイオード１７が直接取付けられたストリップ線路
１５、バイアス供給回路、及びアクティブデバイスから
構成すれば、バラクタダイオード１７のストリップ線路
１５上の取付け位置、及びバイアス供給回路のバイアス
電圧により共振周波数を制御して、回路の発振周波数を
制御することができる。これにより、電圧制御発振回路
における周波数可変範囲について、従来のチップデバイ
スを用いた回路と同一の周波数可変範囲を実現できる。
クタダイオード１７が直接取付けられたストリップ線路
１５、バイアス供給回路、及びアクティブデバイスから
構成すれば、バラクタダイオード１７のストリップ線路
１５上の取付け位置、及びバイアス供給回路のバイアス
電圧により共振周波数を制御して、回路の発振周波数を
制御することができる。これにより、電圧制御発振回路
における周波数可変範囲について、従来のチップデバイ
スを用いた回路と同一の周波数可変範囲を実現できる。
【００１８】また、本発明の第１及び第３の特徴の高周
波回路、例えば位相器では、図５に示す如く、バラクタ
ダイオード５５が直接取付けられたストリップ線路５
３、バイアス供給回路、及びサーキュレータ４４によっ
て構成し、バラクタダイオード５５をストリップ線路５
３上で開放端からλ／４以内に取付け、バラクタダイオ
ード５５のストリップ線路５３上の取付け位置、及びバ
イアス供給回路のバイアス電圧により、当該位相器の位
相変化量を制御することができる。これにより、位相器
における位相可変範囲について、従来のチップデバイス
を用いた回路と同一の位相可変範囲を実現できる。
波回路、例えば位相器では、図５に示す如く、バラクタ
ダイオード５５が直接取付けられたストリップ線路５
３、バイアス供給回路、及びサーキュレータ４４によっ
て構成し、バラクタダイオード５５をストリップ線路５
３上で開放端からλ／４以内に取付け、バラクタダイオ
ード５５のストリップ線路５３上の取付け位置、及びバ
イアス供給回路のバイアス電圧により、当該位相器の位
相変化量を制御することができる。これにより、位相器
における位相可変範囲について、従来のチップデバイス
を用いた回路と同一の位相可変範囲を実現できる。
【００１９】また図６に示す如く、バラクタダイオード
５５及び６５が直接取付けられたストリップ線路５３及
び６３、バイアス供給回路、及び方向性結合器６１によ
って構成し、バラクタダイオード５５及び６５をストリ
ップ線路５３及び６３上で開放端からλ／４以内に取付
け、バラクタダイオード５５及び６５のストリップ線路
５３及び６３上の取付け位置、及びバイアス供給回路の
バイアス電圧により、当該位相器の位相変化量を制御す
ることも考えられる。
５５及び６５が直接取付けられたストリップ線路５３及
び６３、バイアス供給回路、及び方向性結合器６１によ
って構成し、バラクタダイオード５５及び６５をストリ
ップ線路５３及び６３上で開放端からλ／４以内に取付
け、バラクタダイオード５５及び６５のストリップ線路
５３及び６３上の取付け位置、及びバイアス供給回路の
バイアス電圧により、当該位相器の位相変化量を制御す
ることも考えられる。
【００２０】
【実施例】次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。第１実施例 図１に本発明の第１実施例に係る高周波回路の回路構成
図を示す。本実施例の高周波回路は与えられるバイアス
電圧によって発振周波数を制御する電圧制御発振回路で
ある。
説明する。第１実施例 図１に本発明の第１実施例に係る高周波回路の回路構成
図を示す。本実施例の高周波回路は与えられるバイアス
電圧によって発振周波数を制御する電圧制御発振回路で
ある。
【００２１】本実施例の電圧制御発振回路は、図示しな
いバイアス供給回路からのバイアス電圧を入力するバイ
アス端子８及び１４と、安定化抵抗９と、バイアス抵抗
６と、カップリングコンデンサ７と、λ／４ストリップ
線路５、１０、及び１２と、高周波コイル（ＡＦＣ）
４、１１、及び１３と、ストリップ線路１６及び１８並
びに直接取付けられたバラクタダイオード１７から成る
λ／４ストリップ線路共振器１５と、ＧａＡｓＦＥＴ３
と、出力整合回路２と、カップリングコンデンサ１と、
出力端子１９とから構成されている。
いバイアス供給回路からのバイアス電圧を入力するバイ
アス端子８及び１４と、安定化抵抗９と、バイアス抵抗
６と、カップリングコンデンサ７と、λ／４ストリップ
線路５、１０、及び１２と、高周波コイル（ＡＦＣ）
４、１１、及び１３と、ストリップ線路１６及び１８並
びに直接取付けられたバラクタダイオード１７から成る
λ／４ストリップ線路共振器１５と、ＧａＡｓＦＥＴ３
と、出力整合回路２と、カップリングコンデンサ１と、
出力端子１９とから構成されている。
【００２２】本実施例の電圧制御発振回路は、従来のチ
ップデバイスを用いた回路に対して、市販のトランジス
タやバラクタダイオード等の半導体素子を使って同じ仕
様の回路を実現するものであるが、ここで、市販品の規
格に限定されながらも、従来の回路の設計仕様、即ち周
波数可変範囲を満足する特性を実現できるのは、本実施
例で用いるλ／４ストリップ線路共振器１５が次のよう
な特性を持つことによる。
ップデバイスを用いた回路に対して、市販のトランジス
タやバラクタダイオード等の半導体素子を使って同じ仕
様の回路を実現するものであるが、ここで、市販品の規
格に限定されながらも、従来の回路の設計仕様、即ち周
波数可変範囲を満足する特性を実現できるのは、本実施
例で用いるλ／４ストリップ線路共振器１５が次のよう
な特性を持つことによる。
【００２３】λ／４ストリップ線路共振器１５は開放端
を有するストリップ線路であり、図２（１）の断面図に
示すように、アルミナ基板２０上に構成される線路長ｌ
1 のストリップ線路１６及び線路長ｌ2 のストリップ線
路１８、並びにストリップ線路１６及び１８に直接取付
けられたバラクタダイオード１７で実現されている。ま
た図２（２）はその平面図である。
を有するストリップ線路であり、図２（１）の断面図に
示すように、アルミナ基板２０上に構成される線路長ｌ
1 のストリップ線路１６及び線路長ｌ2 のストリップ線
路１８、並びにストリップ線路１６及び１８に直接取付
けられたバラクタダイオード１７で実現されている。ま
た図２（２）はその平面図である。
【００２４】図２（３）は、λ／４ストリップ線路共振
器１５の等価回路である。バラクタダイオード１７の一
方の端子から開放端を見たインピーダンスをＺｌ1 と
し、バラクタダイオード１７の容量Ｃv を考慮にいれた
等価ストリップ線路長をｌe とすれば、 Ｚｌ1 ＝１／ｊωＣv ＋Ｚ0 ／ｊωtan βｌ1 ≡Ｚ0 ／ｊtan βｌe から ｌe ＝tan -1｛ωＺ0 Ｃvtanβｌ1 ／（ωＺ0 Ｃv ＋tan βｌ1 ）｝ ここで、 Ｚ0 ：ストリップ線路の特性インピーダンス β＝２π／λ，ω＝２πｆ として表される。ここで、バラクタダイオード１７の容
量Ｃv を変化させた場合、ストリップ線路の開放端から
バラクタダイオード１７を取付けている位置間での距離
ｌ1 をパラメータとして、等価ストリップ線路長ｌe が
どう変化するかを考える。
器１５の等価回路である。バラクタダイオード１７の一
方の端子から開放端を見たインピーダンスをＺｌ1 と
し、バラクタダイオード１７の容量Ｃv を考慮にいれた
等価ストリップ線路長をｌe とすれば、 Ｚｌ1 ＝１／ｊωＣv ＋Ｚ0 ／ｊωtan βｌ1 ≡Ｚ0 ／ｊtan βｌe から ｌe ＝tan -1｛ωＺ0 Ｃvtanβｌ1 ／（ωＺ0 Ｃv ＋tan βｌ1 ）｝ ここで、 Ｚ0 ：ストリップ線路の特性インピーダンス β＝２π／λ，ω＝２πｆ として表される。ここで、バラクタダイオード１７の容
量Ｃv を変化させた場合、ストリップ線路の開放端から
バラクタダイオード１７を取付けている位置間での距離
ｌ1 をパラメータとして、等価ストリップ線路長ｌe が
どう変化するかを考える。
【００２５】先ず、従来のチップデバイスを用いた回路
において使用されるバラクタダイオード１１７の容量Ｃ
v ’と、本実施例で使用されるバラクタダイオード１７
の容量Ｃv の印加電圧Ｖv に対する変化は、図３に示す
如くなる。
において使用されるバラクタダイオード１１７の容量Ｃ
v ’と、本実施例で使用されるバラクタダイオード１７
の容量Ｃv の印加電圧Ｖv に対する変化は、図３に示す
如くなる。
【００２６】図３のデータに基づき、ストリップ線路の
特性インピーダンスＺ0 ＝５０［Ω］、周波数ｆ＝９．
４［ＧＨｚ］として、線路長ｌ1 を２，３，４，５，
６，７，８［ｍｍ］と変化させた場合、バラクタダイオ
ードＣv に印加される電圧Ｖvに対する等価ストリップ
線路長ｌe の変化は、従来例及び第１実施例それぞれに
ついて、図４（１）及び図４（２）に示す如くなる。
特性インピーダンスＺ0 ＝５０［Ω］、周波数ｆ＝９．
４［ＧＨｚ］として、線路長ｌ1 を２，３，４，５，
６，７，８［ｍｍ］と変化させた場合、バラクタダイオ
ードＣv に印加される電圧Ｖvに対する等価ストリップ
線路長ｌe の変化は、従来例及び第１実施例それぞれに
ついて、図４（１）及び図４（２）に示す如くなる。
【００２７】図４（１）及び（２）の両図を比較する
と、例えば、従来の設計がｌ1 ＝６［ｍｍ］であったと
すれば、本実施例の線路長ｌ1 を７〜８［ｍｍ］の間の
値とすることにより従来の回路の設計仕様を満たす回路
を実現できるし、また、従来の設計がｌ1 ＝３［ｍｍ］
の場合には、本実施例の線路長ｌ1 を３〜４［ｍｍ］の
間の値とすればよい。
と、例えば、従来の設計がｌ1 ＝６［ｍｍ］であったと
すれば、本実施例の線路長ｌ1 を７〜８［ｍｍ］の間の
値とすることにより従来の回路の設計仕様を満たす回路
を実現できるし、また、従来の設計がｌ1 ＝３［ｍｍ］
の場合には、本実施例の線路長ｌ1 を３〜４［ｍｍ］の
間の値とすればよい。
【００２８】以上のように本実施例では、バラクタダイ
オード１７が直接取付けられたストリップ線路１５でλ
／４ストリップ線路共振器を構成し、ストリップ線路の
開放端からの距離ｌ1 を適当な値とすることにより、従
来のチップデバイスを用いた回路の設計仕様、即ち周波
数可変範囲を満足する特性を実現できる。第２実施例 図５に本発明の第２実施例に係る高周波回路の回路構成
図を示す。本実施例の高周波回路は与えられるバイアス
電圧によって入力の位相を制御して出力する位相器であ
る。
オード１７が直接取付けられたストリップ線路１５でλ
／４ストリップ線路共振器を構成し、ストリップ線路の
開放端からの距離ｌ1 を適当な値とすることにより、従
来のチップデバイスを用いた回路の設計仕様、即ち周波
数可変範囲を満足する特性を実現できる。第２実施例 図５に本発明の第２実施例に係る高周波回路の回路構成
図を示す。本実施例の高周波回路は与えられるバイアス
電圧によって入力の位相を制御して出力する位相器であ
る。
【００２９】本実施例の位相器は、入力端子４０と、バ
イアス端子５０と、出力端子４５と、ストリップ線路４
１、４３、４５、及び４６と、カップリングコンデンサ
４２、４７、接地コンデンサ５１と、高周波コイル（Ｒ
ＦＣ）４９及び５２と、サーキュレータ４４と、ストリ
ップ線路５４及び５６並びに直接取付けられたバラクタ
ダイオード５５から成る開放端を有するストリップ線路
５３とから構成されている。
イアス端子５０と、出力端子４５と、ストリップ線路４
１、４３、４５、及び４６と、カップリングコンデンサ
４２、４７、接地コンデンサ５１と、高周波コイル（Ｒ
ＦＣ）４９及び５２と、サーキュレータ４４と、ストリ
ップ線路５４及び５６並びに直接取付けられたバラクタ
ダイオード５５から成る開放端を有するストリップ線路
５３とから構成されている。
【００３０】本実施例においても、第１実施例と同様
に、ストリップ線路５３において、ストリップ線路の開
放端からの距離ｌ1 を適当な値とすることにより、従来
のチップデバイスを用いた回路の設計における位相可変
範囲を満足する特性を実現できる。第３実施例 図６に本発明の第３実施例に係る高周波回路の回路構成
図を示す。本実施例の高周波回路は与えられるバイアス
電圧によって入力の位相を制御して出力する位相器であ
る。
に、ストリップ線路５３において、ストリップ線路の開
放端からの距離ｌ1 を適当な値とすることにより、従来
のチップデバイスを用いた回路の設計における位相可変
範囲を満足する特性を実現できる。第３実施例 図６に本発明の第３実施例に係る高周波回路の回路構成
図を示す。本実施例の高周波回路は与えられるバイアス
電圧によって入力の位相を制御して出力する位相器であ
る。
【００３１】本実施例の位相器は、入力端子４０と、バ
イアス端子５０と、出力端子４５と、ストリップ線路４
１、４３、４５、及び４６と、カップリングコンデンサ
４２、４７、接地コンデンサ５１と、高周波コイル（Ｒ
ＦＣ）４９、５２、及び６２と、方向性結合器（９０°
ハイブリッド）６１と、ストリップ線路５４及び５６並
びに直接取付けられたバラクタダイオード５５から成る
開放端を有するストリップ線路５３と、ストリップ線路
６４及び６６並びに直接取付けられたバラクタダイオー
ド６５から成る開放端を有するストリップ線路６３とか
ら構成されている。
イアス端子５０と、出力端子４５と、ストリップ線路４
１、４３、４５、及び４６と、カップリングコンデンサ
４２、４７、接地コンデンサ５１と、高周波コイル（Ｒ
ＦＣ）４９、５２、及び６２と、方向性結合器（９０°
ハイブリッド）６１と、ストリップ線路５４及び５６並
びに直接取付けられたバラクタダイオード５５から成る
開放端を有するストリップ線路５３と、ストリップ線路
６４及び６６並びに直接取付けられたバラクタダイオー
ド６５から成る開放端を有するストリップ線路６３とか
ら構成されている。
【００３２】本実施例においても、第１実施例と同様
に、ストリップ線路５３及び６３において、ストリップ
線路の開放端からの距離ｌ1 を適当な値とすることによ
り、従来のチップデバイスを用いた回路の設計における
位相可変範囲を満足する特性を実現できる。
に、ストリップ線路５３及び６３において、ストリップ
線路の開放端からの距離ｌ1 を適当な値とすることによ
り、従来のチップデバイスを用いた回路の設計における
位相可変範囲を満足する特性を実現できる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バラクタダイオードが直接取付けられたストリップ線路
を用いて回路を構成することにより、バラクタダイオー
ドのストリップ線路上の取付け位置と開放端との距離、
及びまたはバラクタダイオードの印加電圧により、スト
リップ線路のバラクタダイオードの容量を考慮にいれた
等価ストリップ線路長を制御することとしたので、従来
のチップデバイスを用いて構成された、例えば電圧制御
発振回路における周波数可変範囲や位相器における位相
変化量等の設計仕様を従来通り満足し得る高周波回路を
提供することができる。
バラクタダイオードが直接取付けられたストリップ線路
を用いて回路を構成することにより、バラクタダイオー
ドのストリップ線路上の取付け位置と開放端との距離、
及びまたはバラクタダイオードの印加電圧により、スト
リップ線路のバラクタダイオードの容量を考慮にいれた
等価ストリップ線路長を制御することとしたので、従来
のチップデバイスを用いて構成された、例えば電圧制御
発振回路における周波数可変範囲や位相器における位相
変化量等の設計仕様を従来通り満足し得る高周波回路を
提供することができる。
【００３４】また、本発明の電圧制御発振回路によれ
ば、バラクタダイオードが直接取付けられたストリップ
線路、バイアス供給回路、及びアクティブデバイスから
構成し、バラクタダイオードのストリップ線路上の取付
け位置と開放端との距離、及びバイアス供給回路のバイ
アス電圧により共振周波数を制御して、回路の発振周波
数を制御することとしたので、電圧制御発振回路におけ
る周波数可変範囲について、従来のチップデバイスを用
いた回路と同一の周波数可変範囲を実現可能な高周波回
路を提供することができる。
ば、バラクタダイオードが直接取付けられたストリップ
線路、バイアス供給回路、及びアクティブデバイスから
構成し、バラクタダイオードのストリップ線路上の取付
け位置と開放端との距離、及びバイアス供給回路のバイ
アス電圧により共振周波数を制御して、回路の発振周波
数を制御することとしたので、電圧制御発振回路におけ
る周波数可変範囲について、従来のチップデバイスを用
いた回路と同一の周波数可変範囲を実現可能な高周波回
路を提供することができる。
【００３５】更に、本発明の位相器によれば、バラクタ
ダイオードが直接取付けられたストリップ線路、バイア
ス供給回路、及びサーキュレータまたは方向性結合器に
よって構成し、バラクタダイオードをストリップ線路上
で開放端からλ／４以内に取付け、バラクタダイオード
のストリップ線路上の取付け位置と開放端との距離、及
びバイアス供給回路のバイアス電圧により、当該位相器
の位相変化量を制御することとしたので、位相器におけ
る位相可変範囲について、従来のチップデバイスを用い
た回路と同一の位相可変範囲を実現可能な高周波回路を
提供することができる。
ダイオードが直接取付けられたストリップ線路、バイア
ス供給回路、及びサーキュレータまたは方向性結合器に
よって構成し、バラクタダイオードをストリップ線路上
で開放端からλ／４以内に取付け、バラクタダイオード
のストリップ線路上の取付け位置と開放端との距離、及
びバイアス供給回路のバイアス電圧により、当該位相器
の位相変化量を制御することとしたので、位相器におけ
る位相可変範囲について、従来のチップデバイスを用い
た回路と同一の位相可変範囲を実現可能な高周波回路を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る高周波回路の回路構
成図である。
成図である。
【図２】開放端を有するストリップ線路の説明図であ
り、図２（１）は断面図、図２（２）平面図、図２
（３）は等価回路、図２（４）は容量のみを考慮した等
価回路である。
り、図２（１）は断面図、図２（２）平面図、図２
（３）は等価回路、図２（４）は容量のみを考慮した等
価回路である。
【図３】第１実施例及び従来例におけるバラクタダイオ
ードの容量の印加電圧に対する変化を説明する図であ
る。
ードの容量の印加電圧に対する変化を説明する図であ
る。
【図４】線路長ｌ1 を変化させた場合のバラクタダイオ
ードへの印加電圧に対する等価ストリップ線路長の変化
を説明する図出あり、図４（１）は従来例、図４（２）
は第１実施例である。
ードへの印加電圧に対する等価ストリップ線路長の変化
を説明する図出あり、図４（１）は従来例、図４（２）
は第１実施例である。
【図５】本発明の第２実施例に係る高周波回路の回路構
成図である。
成図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る高周波回路の回路構
成図である。
成図である。
【図７】従来のチップデバイスを用いた電圧制御発振回
路の回路構成図である。
路の回路構成図である。
１，７…カップリングコンデンサ ２…出力整合回路 ３…ＧａＡｓＦＥＴ３ ４，１１，１３…高周波コイル（ＡＦＣ） ５，１０，１２…λ／４ストリップ線路 ６…バイアス抵抗 ８，１４…バイアス端子 ９…安定化抵抗 １５…λ／４ストリップ線路共振器 １６，１８…ストリップ線 １７…バラクタダイオード ４０…入力端子 ４１，４３，４５，４６…ストリップ線路 ４２，４７，５１…カップリングコンデンサ ４４…サーキュレータ ４５…出力端子 ４９，５２，６２…高周波コイル（ＡＦＣ） ５０…バイアス端子 ５３，６３…開放端を有するストリップ線路 ５４，５６，６４，６６…ストリップ線路 ５５，６５…バラクタダイオード ６１…方向性結合器（９０°ハイブリッド）
Claims (3)
- 【請求項１】 バラクタダイオード（１７）が直接取付
けられたストリップ（１５）線路を備える高周波回路で
あって、 前記バラクタダイオード（１７）の前記ストリップ線路
（１５）上の取付け位置、及びまたは前記バラクタダイ
オード（１７）の印加電圧により、前記ストリップ線路
（１５）のバラクタダイオード（１７）の容量を考慮に
いれた等価ストリップ線路長を制御することを特徴とす
る高周波回路。 - 【請求項２】 前記高周波回路は、前記バラクタダイオ
ード（１７）が直接取付けられたストリップ線路（１
５）、バイアス供給回路、及びアクティブデバイスを備
える電圧制御発振回路であり、 前記バラクタダイオード（１７）の前記ストリップ線路
（１５）上の取付け位置、及び前記バイアス供給回路の
バイアス電圧により、当該回路の発振周波数を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波回路。 - 【請求項３】 前記高周波回路は、前記バラクタダイオ
ード（５５または５５及び６５）が直接取付けられたス
トリップ線路（５３または５３及び６３）、バイアス供
給回路、及びサーキュレータまたは方向性結合器を備え
る位相器であり、 前記バラクタダイオード（５５または５５及び６５）
は、前記ストリップ線路（５３または５３及び６３）上
で開放端からλ／４以内に取付けられ、 前記バラクタダイオード（５５または５５及び６５）の
前記ストリップ線路（５３または５３及び６３）上の取
付け位置、及び前記バイアス供給回路のバイアス電圧に
より、当該位相器の位相変化量を制御することを特徴と
する請求項１に記載の高周波回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006581A JPH06216640A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 高周波回路 |
| DE4401005A DE4401005C2 (de) | 1993-01-19 | 1994-01-17 | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten Characteristik bei einer Hochfrequenzschaltungsanordnung |
| US08/669,837 US5708397A (en) | 1993-01-19 | 1996-06-26 | High frequency circuit device with stripline having an adjustable attachment position for varactor diode terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006581A JPH06216640A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216640A true JPH06216640A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11642299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5006581A Withdrawn JPH06216640A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 高周波回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5708397A (ja) |
| JP (1) | JPH06216640A (ja) |
| DE (1) | DE4401005C2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211754B1 (en) * | 1997-06-04 | 2001-04-03 | Sanyo Electric Co., Ltd, | Integrated resonance circuit consisting of a parallel connection of a microstrip line and a capacitor |
| JP3881807B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2007-02-14 | シャープ株式会社 | 局部発振器およびアンテナユニット |
| KR20010089308A (ko) * | 1998-10-16 | 2001-09-29 | 추후기재 | 전압 튜닝 가능 버랙터 및 그러한 버랙터를 포함하는 튜닝가능 장치 |
| US6407645B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-06-18 | Agere Systems Guardian Corp. | Automated voltage control oscillator tuning |
| US6208214B1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-03-27 | Tlc Precision Wafer Technology, Inc. | Multifunction high frequency integrated circuit structure |
| JP3863753B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2006-12-27 | 三洋電機株式会社 | 電圧制御型発振器および通信装置 |
| RU2337467C2 (ru) | 2004-08-25 | 2008-10-27 | Самсунг Электроникс Ко., Лтд | Микрополосковый стабилизированный резонансно-туннельный генератор электромагнитных волн для миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3422378A (en) * | 1965-10-19 | 1969-01-14 | Hazeltine Research Inc | Compensating means for minimizing undesirable variations in the amplitude of a reflected wave |
| GB1522917A (en) * | 1977-03-14 | 1978-08-31 | Philips Electronic Associated | Doppler radar device |
| JPS58100507A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧同調マイクロ波半導体発振器 |
| JPS592407A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-09 | Fujitsu Ltd | マイクロ波発振器 |
| US4507629A (en) * | 1983-03-01 | 1985-03-26 | Frank Gilbert H | Microwave phase shifter |
| JPS61163701A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | New Japan Radio Co Ltd | デジタルダイオ−ド移相器 |
| JPS63292706A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波発振器 |
| US4859972A (en) * | 1988-11-01 | 1989-08-22 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Continuous phase shifter for a phased array hyperthermia system |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP5006581A patent/JPH06216640A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-01-17 DE DE4401005A patent/DE4401005C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-26 US US08/669,837 patent/US5708397A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5708397A (en) | 1998-01-13 |
| DE4401005A1 (de) | 1994-08-18 |
| DE4401005C2 (de) | 2001-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08148933A (ja) | 電圧制御型発振器 | |
| JPH0135531B2 (ja) | ||
| JPH06216640A (ja) | 高周波回路 | |
| EP1252707B1 (en) | Multifunction high frequency integrated circuit structure | |
| US5446419A (en) | Microwave oscillation apparatus capable of suppressing spurious oscillation | |
| JP3565245B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US6724274B2 (en) | Frequency-switching oscillator and electronic device using the same | |
| JP2910421B2 (ja) | マイクロ波発振器 | |
| US4599581A (en) | Temperature stabilizing microwave oscillator circuit | |
| JP2923851B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波発振器 | |
| EP1264400B1 (en) | Integrated high-frequency mos oscillator | |
| JP2009147899A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US6172577B1 (en) | Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator | |
| US6765447B2 (en) | Microwave oscillator having improved phase noise of oscillation signal | |
| US4625183A (en) | Low-cost VCO using lumped elements in microwave band | |
| JPH02128506A (ja) | 発振混合回路 | |
| JP2903934B2 (ja) | 発振回路と、この発振回路を用いたｂｓチューナ | |
| JP2005304085A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| KR101758091B1 (ko) | 유전체 공진기를 이용한 발진기 | |
| JP2002185251A (ja) | プッシュプッシュ発振器 | |
| JPH04335703A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2000151275A (ja) | 電圧制御発振器およびそれを用いた電子装置 | |
| JPS5826203B2 (ja) | シユウハスウヘンチヨウソウチ | |
| JPH08274510A (ja) | マイクロ波・ミリ波集積回路用の終端抵抗回路 | |
| JP2001203533A (ja) | 電圧制御発振器、及びこれを用いた電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |