JPS61163701A - デジタルダイオ−ド移相器 - Google Patents
デジタルダイオ−ド移相器Info
- Publication number
- JPS61163701A JPS61163701A JP60004340A JP434085A JPS61163701A JP S61163701 A JPS61163701 A JP S61163701A JP 60004340 A JP60004340 A JP 60004340A JP 434085 A JP434085 A JP 434085A JP S61163701 A JPS61163701 A JP S61163701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- high frequency
- phase shift
- bias
- phase shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明はデジタル的に透過位相量の可変ができるダイオ
ード移相器に係り、特にレーダやＥＣＭ等に利用される
フェイズドアレイなどに適用して好適なデジタルダイオ
ード移相器に関する。
ード移相器に係り、特にレーダやＥＣＭ等に利用される
フェイズドアレイなどに適用して好適なデジタルダイオ
ード移相器に関する。
この種のデジタルダイオード移相器としては第３図ない
し第６図に示す構造のものが既忙提供されており、それ
に採用されている理論和ついての詳細は［清水紀雄他；
°°日本無線技報”、４１９．１９８３年、第６４頁〜
第７４頁」に記載されている。
し第６図に示す構造のものが既忙提供されており、それ
に採用されている理論和ついての詳細は［清水紀雄他；
°°日本無線技報”、４１９．１９８３年、第６４頁〜
第７４頁」に記載されている。
このデジタルダイオード移相器について、第３図ないし
第６図を参照しながら以下に説明する。
第６図を参照しながら以下に説明する。
第３図はこのダイオード移相器の全体構成を示す斜視図
であり、第４図は第３図の移相器の平面回路パターンを
示す平面図であり、第５図はその平面回路パターンの一
部を拡大して示す平面図であり、また、第６図は第５図
のＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。
であり、第４図は第３図の移相器の平面回路パターンを
示す平面図であり、第５図はその平面回路パターンの一
部を拡大して示す平面図であり、また、第６図は第５図
のＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。
これらの図において、金属板２の一端部に端子４３〜４
ｄが取付けられる板体６を立設してあり、その金属板２
の上に誘電体基板８を固着してあ７る。
ｄが取付けられる板体６を立設してあり、その金属板２
の上に誘電体基板８を固着してあ７る。
この誘電体基板８上には薄膜生成技術を用いて図示の如
き形状をした金属導体の平面回路パターン１０が形成し
である。平面回路パターン１ｏは、線路１１を含むロー
デツドライン型移相回路１２Ａ、１２Ｂと、線路１１を
含む反射型移相回路１４Ａ、１４Ｂと、接続端子１６ａ
〜１６ｄｉ含み、移相回路１２Ａ、１２Ｂ、１４Ａ、
１４Ｂに各々接続されるバイアス回路１８ａ−１８ｄと
、このバイアス回路１８ａ−１８ｄに個々に設ケたロー
パスフィルタ２０ａ〜２０ｄと、高周波人出刃用の線路
２２ａ、２２ｂとからなっている。また、誘電体基板８
には、各移相回路１２Ａ、１２Ｂ。
き形状をした金属導体の平面回路パターン１０が形成し
である。平面回路パターン１ｏは、線路１１を含むロー
デツドライン型移相回路１２Ａ、１２Ｂと、線路１１を
含む反射型移相回路１４Ａ、１４Ｂと、接続端子１６ａ
〜１６ｄｉ含み、移相回路１２Ａ、１２Ｂ、１４Ａ、
１４Ｂに各々接続されるバイアス回路１８ａ−１８ｄと
、このバイアス回路１８ａ−１８ｄに個々に設ケたロー
パスフィルタ２０ａ〜２０ｄと、高周波人出刃用の線路
２２ａ、２２ｂとからなっている。また、誘電体基板８
には、各移相回路１２Ａ、１２Ｂ。
１４Ａ、１４Ｂと対応した位置に透孔２４ａ重。
２４ａ、、２４ｂｔ、２４ｂｌ 、２４ｃ、、２４Ｃ＊
＊ ２４ ｄＨ＋ ２４ ｄｌが設けてあり、その透
孔２４ａ、〜２４ｄ、内であって金属板２上にＰＩＮダ
イオード素子２６ａ、、２６ａ、、 ２６ｂ、。
＊ ２４ ｄＨ＋ ２４ ｄｌが設けてあり、その透
孔２４ａ、〜２４ｄ、内であって金属板２上にＰＩＮダ
イオード素子２６ａ、、２６ａ、、 ２６ｂ、。
２６ ｂｌ ＊ ２６ Ｃ＋ ＋ ２６ＣＩ
、 ２６ｄｌ 、 ２６ｄ、が接続固定しで
ある。これらＰＩＮダイオード２６ａ、 〜２６ｄ、け
、各移相回路１２八〜１４Ｂの接続部２８ａ、〜２８ｄ
、に各々金属のワイヤ３０ａ、〜３０ｄ、で接続しであ
る。前記移相回路１２Ａ 〜１４Ｂの一部には、Ｍ Ｉ
Ｓ （ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｅｒ −ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）キャパシタチップ３２Ｃ，〜３
２Ｃ１を設け、各移相回路１２．１４および線路２２ａ
、２２ｂとを金属のワイヤ３４１〜３４．全周いて接続
し、各移相回路１２．１４間の直流阻止として用いてい
る。線路２２ａ、２２ｂＦｉ、それぞれ接続栓３６ａ、
３６ｂに接続しである。端子４３〜４ｄは、それぞれ接
続端子１６３〜ｌａｄと接続線ｔもって接続しである。
、 ２６ｄｌ 、 ２６ｄ、が接続固定しで
ある。これらＰＩＮダイオード２６ａ、 〜２６ｄ、け
、各移相回路１２八〜１４Ｂの接続部２８ａ、〜２８ｄ
、に各々金属のワイヤ３０ａ、〜３０ｄ、で接続しであ
る。前記移相回路１２Ａ 〜１４Ｂの一部には、Ｍ Ｉ
Ｓ （ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｅｒ −ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）キャパシタチップ３２Ｃ，〜３
２Ｃ１を設け、各移相回路１２．１４および線路２２ａ
、２２ｂとを金属のワイヤ３４１〜３４．全周いて接続
し、各移相回路１２．１４間の直流阻止として用いてい
る。線路２２ａ、２２ｂＦｉ、それぞれ接続栓３６ａ、
３６ｂに接続しである。端子４３〜４ｄは、それぞれ接
続端子１６３〜ｌａｄと接続線ｔもって接続しである。
このようＶＣ構成されたデジタルダイオード移相器の動
作を第７図を参照しながら説明する。
作を第７図を参照しながら説明する。
まず、移相回路１２Ａは、２２．．５度の移相量が得ら
れ（Ｐ、）、移相回路１２Ｂは４５度の移相量か得られ
（ＰＩ）、移相回路１４Ａは９０度の移相量が得られ（
Ｐ、）、また、移相回路１４Ｂは１８０度の移相量が得
られる（Ｐ、）ように回路形成されているものとすると
、 ここで、端子４ａのみに直流バイアス金印加すると、バ
イアス回路１８ａ１移相回路１２ａｔ−介してＰＩＮダ
イオード２６” Ｉ＋ ２６ ａｔに電流が流れ、ＰＩ
Ｎダイオード” ６ａＩ ＊ ２６ ａ ＊が導通する
から、移相回路１２Ａが作用することになり、接続栓３
６ａから入力された高周波は２Ｌ５度の移相量をもって
接続栓３６ｂがら出力されるとどくなる。
れ（Ｐ、）、移相回路１２Ｂは４５度の移相量か得られ
（ＰＩ）、移相回路１４Ａは９０度の移相量が得られ（
Ｐ、）、また、移相回路１４Ｂは１８０度の移相量が得
られる（Ｐ、）ように回路形成されているものとすると
、 ここで、端子４ａのみに直流バイアス金印加すると、バ
イアス回路１８ａ１移相回路１２ａｔ−介してＰＩＮダ
イオード２６” Ｉ＋ ２６ ａｔに電流が流れ、ＰＩ
Ｎダイオード” ６ａＩ ＊ ２６ ａ ＊が導通する
から、移相回路１２Ａが作用することになり、接続栓３
６ａから入力された高周波は２Ｌ５度の移相量をもって
接続栓３６ｂがら出力されるとどくなる。
また、端子４Ｃのみに直流バイアスを印加すると、上述
と同様に、移相回路１２Ｂが作用することになるので、
接続栓３６ａから入力された高周波Ｆｉ４５度の移相量
をもって接続栓３６ｂから出力されることになる（第７
図Ｐ２点参照）。
と同様に、移相回路１２Ｂが作用することになるので、
接続栓３６ａから入力された高周波Ｆｉ４５度の移相量
をもって接続栓３６ｂから出力されることになる（第７
図Ｐ２点参照）。
さらに、端子４ａ、４ｃにのみ直流バイアスを印加する
と、移相回路１２Ａ、１２Ｂが作用することくなるので
、接続栓３６ａから入力された高周波は、６７．５度の
移相量ｔ一本って接ｆｉ線３６ｂから出力されることに
なる（第７図（Ｐ１＋Ｐｔ）点参照）。
と、移相回路１２Ａ、１２Ｂが作用することくなるので
、接続栓３６ａから入力された高周波は、６７．５度の
移相量ｔ一本って接ｆｉ線３６ｂから出力されることに
なる（第７図（Ｐ１＋Ｐｔ）点参照）。
このように、端子４３〜４ｄに印加する直流バイアスの
かけ方を組み合せることにより、一定の移相量が得られ
ることＫなる。その組み合せの一例を挙げると、（Ｐ４
＋Ｐ、）＝１１Ｚ５１１ｃＰ４＋Ｐ、）＝１３５度、
（Ｐ４＋Ｐ、＋Ｐ、 ）＝１５７．５度、・・・などで
ある（第７図参照）。
かけ方を組み合せることにより、一定の移相量が得られ
ることＫなる。その組み合せの一例を挙げると、（Ｐ４
＋Ｐ、）＝１１Ｚ５１１ｃＰ４＋Ｐ、）＝１３５度、
（Ｐ４＋Ｐ、＋Ｐ、 ）＝１５７．５度、・・・などで
ある（第７図参照）。
このような従来のデジタルダイオード移相器は、ＰＩＮ
ダイオード２’ ” １〜２６ｄｔ ｔ？取付ケルため
に、誘電体基板８に孔２０ａ〜２０ｄ′ｔ−穿設するか
、あるいはＰＩＮダイオード２６ａ、〜２６ｄ、ｔ−取
付けるための接地面を設ける必要があること、そのため
に製造工程数が多くなってしまうこと、ＰＩＮダイオー
ド２６ｔ−接地面に置く場合にばらつきが多くなること
、各ビット間に直流阻止用のキャパシタ３２が必要とな
ることといった問題があった。
ダイオード２’ ” １〜２６ｄｔ ｔ？取付ケルため
に、誘電体基板８に孔２０ａ〜２０ｄ′ｔ−穿設するか
、あるいはＰＩＮダイオード２６ａ、〜２６ｄ、ｔ−取
付けるための接地面を設ける必要があること、そのため
に製造工程数が多くなってしまうこと、ＰＩＮダイオー
ド２６ｔ−接地面に置く場合にばらつきが多くなること
、各ビット間に直流阻止用のキャパシタ３２が必要とな
ることといった問題があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
であり、その目的は製造工程数を少なくするとともに、
品質を均質化し、かつ部品点数を減少せしめるとともに
１拡張性に優れたデジタルダイオード移相器を提供する
ことＫある。
であり、その目的は製造工程数を少なくするとともに、
品質を均質化し、かつ部品点数を減少せしめるとともに
１拡張性に優れたデジタルダイオード移相器を提供する
ことＫある。
上記問題点を解決するため、本発明のデジタルダイオー
ド移相器は、誘電体基板上に金属導体のパターンをもっ
て一定の移相量を得る移相回路を複数形成し、当該移相
回路を接地点に離・接するダイオードを設け、当該ダイ
オードにバイアスを印加するためのバイアス回路を形成
してなるデジタルダイオード移相器において、開放スタ
ブか６なる高周波接地手段全上記誘電体基板上に金属導
体パターンで形成し、その接地手段に上記ダイオード全
装着し、伝送路を共通接地電位としてなることを特徴と
するものである。
ド移相器は、誘電体基板上に金属導体のパターンをもっ
て一定の移相量を得る移相回路を複数形成し、当該移相
回路を接地点に離・接するダイオードを設け、当該ダイ
オードにバイアスを印加するためのバイアス回路を形成
してなるデジタルダイオード移相器において、開放スタ
ブか６なる高周波接地手段全上記誘電体基板上に金属導
体パターンで形成し、その接地手段に上記ダイオード全
装着し、伝送路を共通接地電位としてなることを特徴と
するものである。
ダイオードにバイアス回路を介してバイアス金印加する
。すると、ダイオードが導通し、移相回路か作用する。
。すると、ダイオードが導通し、移相回路か作用する。
これにより、伝送路を伝播する高周波に所定の移相量が
与えられることになる。ま丸、移相回路は複数あるので
、これをダイオード導通させること全適当に組み合せる
と、デジタル的に所望の移相量が得られることになる。
与えられることになる。ま丸、移相回路は複数あるので
、これをダイオード導通させること全適当に組み合せる
と、デジタル的に所望の移相量が得られることになる。
この移相器は、接地点が誘電体基板上にあるので、従来
のように誘電体基板に孔加工する必要がないことから、
製造工程が減少し、しかも伝送線路が共通の接地電圧で
あるので、直流阻止用のキャパシタが不要となって部品
点数が少なくなる。
のように誘電体基板に孔加工する必要がないことから、
製造工程が減少し、しかも伝送線路が共通の接地電圧で
あるので、直流阻止用のキャパシタが不要となって部品
点数が少なくなる。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明に係るデジタルダイオード移相器の実施
例の一部を拡大して示す平面図、第２図は第１図のＢ−
Ｂ線に沿って示す断面図である。
例の一部を拡大して示す平面図、第２図は第１図のＢ−
Ｂ線に沿って示す断面図である。
本実施例では、第１図からも理解できるように、ローデ
ツド型移相回路部を例にとって説明することにする。
ツド型移相回路部を例にとって説明することにする。
本実施例は、金属導体をもって次のように回路構成しで
ある。すなわち、ＰＩＮダイ、オード２６を接地する手
段としては、いわゆる接地ｒｋｉｔ使用せずに、１／４
波長開放スタブ５０をもりて高周波的に接地しである。
ある。すなわち、ＰＩＮダイ、オード２６を接地する手
段としては、いわゆる接地ｒｋｉｔ使用せずに、１／４
波長開放スタブ５０をもりて高周波的に接地しである。
伝送路１１はキャパシタを用いずに共通接地電位として
、これを高周波チョーク５２をもって金属板８に接地し
である。また、１７４波長開放スタブ５０は、高周波チ
ョーク５４をもつバイアス回路５６ｔ−接続しである。
、これを高周波チョーク５２をもって金属板８に接地し
である。また、１７４波長開放スタブ５０は、高周波チ
ョーク５４をもつバイアス回路５６ｔ−接続しである。
バイアス回路５６は、バイアス端５８が設けである。１
／４波長開放スタブ５０の端部には、ＰＩＮダイオード
２６の一端が固定してあり、そのＰＩＮダイオード２６
の他端は金属のワイヤ６０ｉもって移相回路１２の一端
部に接続しである。
／４波長開放スタブ５０の端部には、ＰＩＮダイオード
２６の一端が固定してあり、そのＰＩＮダイオード２６
の他端は金属のワイヤ６０ｉもって移相回路１２の一端
部に接続しである。
このように構成された実施例の動作全説明する。
バイアス端５８は直流バイアスが印加されると、直流が
バイアス回路５４ｔ−介してダイオード２６に加わる。
バイアス回路５４ｔ−介してダイオード２６に加わる。
すると、ダイオード２６が導通して、直流電流が金属板
８、高周波チョーク５２）移相回路１２）ダイオード２
６．１／４波長開放スタブ５０．バイアス回路５６と流
れる。この移相回路１２は所望の移相量ｒ得るように回
路構成しである。
８、高周波チョーク５２）移相回路１２）ダイオード２
６．１／４波長開放スタブ５０．バイアス回路５６と流
れる。この移相回路１２は所望の移相量ｒ得るように回
路構成しである。
しかして、線路１１を伝播する高周波は、一定位相量が
与えられることになるのである。
与えられることになるのである。
本実施例では、１／４波長開放スタブを用いた例で説明
したが、もちろん、これに止まらず、１／４（１＋２ｎ
）波長（ただし、ｎ＝ｏ、１．２゜３、・°°）のもの
であってもよい。なお、ｎ＝００場合以外は、それなり
のスペースが必要となる。
したが、もちろん、これに止まらず、１／４（１＋２ｎ
）波長（ただし、ｎ＝ｏ、１．２゜３、・°°）のもの
であってもよい。なお、ｎ＝００場合以外は、それなり
のスペースが必要となる。
要するに、１／４（１＋２ｎ）波長開放スタブの場合は
、その入力インピーダンスが他の長さのものに比較して
最小になるので、これをもって接地面としπものである
。
、その入力インピーダンスが他の長さのものに比較して
最小になるので、これをもって接地面としπものである
。
以上述べたように本発明によれば、ダイオードｔ−１／
４波長及びそれの奇数倍の開放スタブからなる高周波接
地点に装着し、かつ伝送路を共通接地電位としたので、
製造工程が減少し、部品点数が減少し、しか本拡張性に
優れた移相器を提供できる効果がある。
４波長及びそれの奇数倍の開放スタブからなる高周波接
地点に装着し、かつ伝送路を共通接地電位としたので、
製造工程が減少し、部品点数が減少し、しか本拡張性に
優れた移相器を提供できる効果がある。
第１図は本発明の実施例を一部拡大して示す平面図、第
２図は第１図のＢ−Ｂ％に沿って示す断面図、第３図は
従来のダイオード移相器を示す斜視図、第４図はｆａ３
図の誘電体基板の平面図、第５図は同一部を拡大して示
す平面図、第６図は第５図のＡ−Ａ線に沿って示す断面
図、第７図は従来例の動作説明図である。 １２・・・ローデツドライン型移相回路、 １４・・
・反射型移相回路、 ５０・・・（接地手段）１７４
波長開放スタブ、 ５４パ°高周波チョーク。
２図は第１図のＢ−Ｂ％に沿って示す断面図、第３図は
従来のダイオード移相器を示す斜視図、第４図はｆａ３
図の誘電体基板の平面図、第５図は同一部を拡大して示
す平面図、第６図は第５図のＡ−Ａ線に沿って示す断面
図、第７図は従来例の動作説明図である。 １２・・・ローデツドライン型移相回路、 １４・・
・反射型移相回路、 ５０・・・（接地手段）１７４
波長開放スタブ、 ５４パ°高周波チョーク。
Claims (2)
- （１）誘電体基板上の金属導体のパターンをもつて一定
の位相変化量をもたせる移相回路を所定数形成し、当該
移相回路を接地点に離・接するダイオードを設け、該ダ
イオードにバイアスを印加できるバイアス回路を設けて
なるデジタルダイオード移相器において、開放スタブか
らなる高周波接地手段を上記誘電体基板上に金属導体パ
ターンで形成し、その接地手段に上記ダイオードを装着
し、伝送路を共通接地電位としてなることを特徴とする
デジタルダイオード移相器。 - （２）特許請求の範囲第１項において、接地手段は、金
属導体パターンで１／４（１＋２ｎ）波長の解放スタブ
（ただし、ｎ＝０、１、２、…）で誘電体基板上に形成
したことを特徴とするデジタルダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004340A JPS61163701A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | デジタルダイオ−ド移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004340A JPS61163701A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | デジタルダイオ−ド移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163701A true JPS61163701A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11581703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60004340A Pending JPS61163701A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | デジタルダイオ−ド移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5708397A (en) * | 1993-01-19 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | High frequency circuit device with stripline having an adjustable attachment position for varactor diode terminal |
| RU2680859C1 (ru) * | 2018-03-30 | 2019-02-28 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова" | СВЧ-фазовращатель на микрополосковых линиях передачи дециметрового диапазона длин волн |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP60004340A patent/JPS61163701A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5708397A (en) * | 1993-01-19 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | High frequency circuit device with stripline having an adjustable attachment position for varactor diode terminal |
| RU2680859C1 (ru) * | 2018-03-30 | 2019-02-28 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова" | СВЧ-фазовращатель на микрополосковых линиях передачи дециметрового диапазона длин волн |
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