JP2636550B2 - 信号回路 - Google Patents
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- JP2636550B2 JP2636550B2 JP3118545A JP11854591A JP2636550B2 JP 2636550 B2 JP2636550 B2 JP 2636550B2 JP 3118545 A JP3118545 A JP 3118545A JP 11854591 A JP11854591 A JP 11854591A JP 2636550 B2 JP2636550 B2 JP 2636550B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信号回路に関するも
のであり、たとえば、マイクロ波・ミリ波帯において使
用される高周波回路に係わり、特に信号入出力部分の高
周波特性を改善した高周波回路に関するものである。
のであり、たとえば、マイクロ波・ミリ波帯において使
用される高周波回路に係わり、特に信号入出力部分の高
周波特性を改善した高周波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、例えば特開昭５９−１１７８
０２に示された従来の高周波回路を示す斜視図、図１３
は図１２のXIII−XIII断面図である。図において、１
ａ，１ｂは誘電体基板、２ａ，２ｂは前記誘電体基板１
ａ，１ｂの裏面に形成された地導体、３ａ，３ｂは前記
誘電体基板１ａ，１ｂの表面に構成されたマイクロスト
リップ線路のストリップ導体、４ａ，４ｂは前記誘電体
基板１ａ，１ｂが半田付けされているキャリヤ、５ａ，
５ｂは前記ストリップ導体３ａ，３ｂに接続された信号
の入出力端子、１０は前記入出力端子５ａ，５ｂを接続
する接続手段となるワイヤである。
０２に示された従来の高周波回路を示す斜視図、図１３
は図１２のXIII−XIII断面図である。図において、１
ａ，１ｂは誘電体基板、２ａ，２ｂは前記誘電体基板１
ａ，１ｂの裏面に形成された地導体、３ａ，３ｂは前記
誘電体基板１ａ，１ｂの表面に構成されたマイクロスト
リップ線路のストリップ導体、４ａ，４ｂは前記誘電体
基板１ａ，１ｂが半田付けされているキャリヤ、５ａ，
５ｂは前記ストリップ導体３ａ，３ｂに接続された信号
の入出力端子、１０は前記入出力端子５ａ，５ｂを接続
する接続手段となるワイヤである。
【０００３】誘電体基板１ａの裏面には地導体２ａが、
表面にはストリップ導体３ａが形成されており、マイク
ロストリップ線路が構成されている。高周波信号は、前
記マイクロストリップ線路に入出力端子５ａよりワイヤ
１０を介して入出力する。
表面にはストリップ導体３ａが形成されており、マイク
ロストリップ線路が構成されている。高周波信号は、前
記マイクロストリップ線路に入出力端子５ａよりワイヤ
１０を介して入出力する。
【０００４】図１４は、図１２に示した接続部の等価回
路図であり、図において、インダクタＬｗｓはワイヤ１
０を示しており、前記Ｌｗｓはその両端を、インピーダ
ンスＺ0 の線路に接続されている。図１４に示した等価
回路において、接続部の反射電力は周波数が高くなるに
つれ増大する。
路図であり、図において、インダクタＬｗｓはワイヤ１
０を示しており、前記Ｌｗｓはその両端を、インピーダ
ンスＺ0 の線路に接続されている。図１４に示した等価
回路において、接続部の反射電力は周波数が高くなるに
つれ増大する。
【０００５】図１２では、接続する線路は双方ともマイ
クロストリップ線路であったが、片方の線路をコプレー
ナ線路とした時の従来の高周波回路の斜視図を図１５に
示す。図において、６ａは誘電体基板１ａの裏面に形成
された地導体２ａに接続されたスルーホールであり、７
ａは接地端子である。誘電体基板１ｂに形成されている
線路はコプレーナ線路であるため、地導体２ｂは前記誘
電体基板の表面に形成されている。
クロストリップ線路であったが、片方の線路をコプレー
ナ線路とした時の従来の高周波回路の斜視図を図１５に
示す。図において、６ａは誘電体基板１ａの裏面に形成
された地導体２ａに接続されたスルーホールであり、７
ａは接地端子である。誘電体基板１ｂに形成されている
線路はコプレーナ線路であるため、地導体２ｂは前記誘
電体基板の表面に形成されている。
【０００６】図１６は図１５の等価回路図であり、スル
ーホール６ａはインダクタＬｔｈとして表される。ま
た、接地端子７ａに接続されたワイヤ、および入出力端
子に接続されたワイヤは、それぞれインダクタＬｗｇ，
Ｌｗｓとして表すことができる。この時も、図１４に示
した等価回路と同様に、スルーホールあるいはワイヤの
インダクタにより、周波数が高くなるにつれ接続部の反
射電力は増大する。
ーホール６ａはインダクタＬｔｈとして表される。ま
た、接地端子７ａに接続されたワイヤ、および入出力端
子に接続されたワイヤは、それぞれインダクタＬｗｇ，
Ｌｗｓとして表すことができる。この時も、図１４に示
した等価回路と同様に、スルーホールあるいはワイヤの
インダクタにより、周波数が高くなるにつれ接続部の反
射電力は増大する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路は以
上のように構成されおり、誘電体基板上に形成されてい
る線路の接続部のワイヤあるいはスルーホールのインダ
クタンスにより、高い周波数において前記接続部の反射
電力が増大するという問題点があった。
上のように構成されおり、誘電体基板上に形成されてい
る線路の接続部のワイヤあるいはスルーホールのインダ
クタンスにより、高い周波数において前記接続部の反射
電力が増大するという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ワイヤあるいはスルーホールの
インダクタンスが接続部の高周波特性に影響を与える周
波数帯において、反射電力の小さい接続部を持つ信号回
路を得ることを目的としている。
ためになされたもので、ワイヤあるいはスルーホールの
インダクタンスが接続部の高周波特性に影響を与える周
波数帯において、反射電力の小さい接続部を持つ信号回
路を得ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る信号回路
は、 誘電体基板上に形成され高周波信号が伝搬するマイ
クロストリップ線路のストリップ導体と外部回路の信号
端子とを、ワイヤまたはリボンまたは金属ピン等の第１
の接続手段により接続して、上記マイクロストリップ線
路の地導体に接続されたスルーホールまたはバイアホー
ル等の接続部と外部回路の接地端子とをワイヤまたはリ
ボンまたは金属ピン等の第２の接続手段により接続した
信号回路において、 上記マイクロストリップ線路のスト
リップ導体と上記接続部との間に設けられたキャパシタ
であって、 上記第２の接続手段と上記接続部とをインダ
クタンスと見なし、 上記第２の接続手段のインダクタン
スと上記接続部のインダクタンスとに対してＴ形に接続
され高周波信号を所用の帯域で通過させるローパスフィ
ルタを構成する容量を持つキャパシタを備えることを特
徴とする。
は、 誘電体基板上に形成され高周波信号が伝搬するマイ
クロストリップ線路のストリップ導体と外部回路の信号
端子とを、ワイヤまたはリボンまたは金属ピン等の第１
の接続手段により接続して、上記マイクロストリップ線
路の地導体に接続されたスルーホールまたはバイアホー
ル等の接続部と外部回路の接地端子とをワイヤまたはリ
ボンまたは金属ピン等の第２の接続手段により接続した
信号回路において、 上記マイクロストリップ線路のスト
リップ導体と上記接続部との間に設けられたキャパシタ
であって、 上記第２の接続手段と上記接続部とをインダ
クタンスと見なし、 上記第２の接続手段のインダクタン
スと上記接続部のインダクタンスとに対してＴ形に接続
され高周波信号を所用の帯域で通過させるローパスフィ
ルタを構成する容量を持つキャパシタを備えることを特
徴とする。
【００１０】この発明に係る信号回路は、 誘電体基板上
に形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線
路のストリップ導体と外部回路の信号端子とを、ワイヤ
またはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段により
接続して、上記マイクロストリップ線路の地導体に接続
されたスルーホールまたはバイアホール等の接続部と外
部回路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピ
ン等の第２の接続手段により接続した信号回路におい
て、 上記マイクロストリップ線路のストリップ導体と上
記地導体との間に設けられたキャパシタであって、 上記
接続部をインダクタンスと見なし、 上記接続部のインダ
クタンスに対してＬ形に接続され高周波信号を所用の帯
域で通過させるローパスフィルタを構成する容量を持つ
キャパシタを備えることを特徴とする。
に形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線
路のストリップ導体と外部回路の信号端子とを、ワイヤ
またはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段により
接続して、上記マイクロストリップ線路の地導体に接続
されたスルーホールまたはバイアホール等の接続部と外
部回路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピ
ン等の第２の接続手段により接続した信号回路におい
て、 上記マイクロストリップ線路のストリップ導体と上
記地導体との間に設けられたキャパシタであって、 上記
接続部をインダクタンスと見なし、 上記接続部のインダ
クタンスに対してＬ形に接続され高周波信号を所用の帯
域で通過させるローパスフィルタを構成する容量を持つ
キャパシタを備えることを特徴とする。
【００１１】この発明に係る信号回路は、 誘電体基板上
に形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線
路のストリップ導体と外部回路の信号端子とを、ワイヤ
またはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段により
接続して、上記マイクロストリップ線路の地導体に接続
されたスルーホールまたはバイアホール等の接続部と外
部回路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピ
ン等の第２の接続手段により接続した信号回路におい
て、 上記接続部と上記第２の接続手段との間に設けられ
たキャパシタであって、 上記第２の接続手段と上記接続
部とをインダクタンスと見なし、 上記接続部のインダク
タンスと上記第２の接続手段のインダクタンスとに対し
て直列に接続され高周波信号を所用の帯域で通過させる
バンドパスフィルタを構成する容量を持つキャパシタを
備えることを特徴とする。
に形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線
路のストリップ導体と外部回路の信号端子とを、ワイヤ
またはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段により
接続して、上記マイクロストリップ線路の地導体に接続
されたスルーホールまたはバイアホール等の接続部と外
部回路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピ
ン等の第２の接続手段により接続した信号回路におい
て、 上記接続部と上記第２の接続手段との間に設けられ
たキャパシタであって、 上記第２の接続手段と上記接続
部とをインダクタンスと見なし、 上記接続部のインダク
タンスと上記第２の接続手段のインダクタンスとに対し
て直列に接続され高周波信号を所用の帯域で通過させる
バンドパスフィルタを構成する容量を持つキャパシタを
備えることを特徴とする。
【００１２】
【作用】この発明によれば、キャパシタをストリップ導
体と接続部との間に設けて、第２の接続手段のインダク
タンスと接続部のインダクタンスとキャパシタのキャパ
シタンスをＴ形に接続する。そして、キャパシタは、ロ
ーパスフィルタを構成できる容量を持つ。このため、接
続手段及びは接続部のインダクタンス成分とキャパシタ
のもつ容量成分により所定帯域の信号フィルタを構成し
て接続部の反射電力を小さくできる。
体と接続部との間に設けて、第２の接続手段のインダク
タンスと接続部のインダクタンスとキャパシタのキャパ
シタンスをＴ形に接続する。そして、キャパシタは、ロ
ーパスフィルタを構成できる容量を持つ。このため、接
続手段及びは接続部のインダクタンス成分とキャパシタ
のもつ容量成分により所定帯域の信号フィルタを構成し
て接続部の反射電力を小さくできる。
【００１３】また、この発明によれば、キャパシタをス
トリップ導体と地導体との間に設けて、接続部のインダ
クタンスとキャパシタのキャパシタンスをＬ形に接続す
る。そして、キャパシタは、ローパスフィルタを構成で
きる容量を持つ。このため、キャパシタのもつ容量成分
と接続部のインダクタンス成分とにより、所定帯域の信
号フィルタを構成して接続部の反射電力を小さくでき
る。
トリップ導体と地導体との間に設けて、接続部のインダ
クタンスとキャパシタのキャパシタンスをＬ形に接続す
る。そして、キャパシタは、ローパスフィルタを構成で
きる容量を持つ。このため、キャパシタのもつ容量成分
と接続部のインダクタンス成分とにより、所定帯域の信
号フィルタを構成して接続部の反射電力を小さくでき
る。
【００１４】更に、この発明によれば、キャパシタを接
続部と第２の接続手段との間に設け て、接続部のインダ
クタンスと第２の接続手段のインダクタンスとキャパシ
タのキャパシタンスを直列に接続する。そして、キャパ
シタは、バンドパスフィルタを構成できる容量を持つ。
このため、キャパシタのもつ容量成分と第２の接続手段
及び接続部のもつインダクタンス成分とにより、信号フ
ィルタを構成して接続部の反射電力を小さくできる。
続部と第２の接続手段との間に設け て、接続部のインダ
クタンスと第２の接続手段のインダクタンスとキャパシ
タのキャパシタンスを直列に接続する。そして、キャパ
シタは、バンドパスフィルタを構成できる容量を持つ。
このため、キャパシタのもつ容量成分と第２の接続手段
及び接続部のもつインダクタンス成分とにより、信号フ
ィルタを構成して接続部の反射電力を小さくできる。
【００１５】
【実施例】 実施例１． 実施例１は、本発明の一実施例を示すものであり、高周
波信号が伝搬するマイクロストリップ線路の入出力部分
を、前記マイクロストリップ線路のストリップ導体と、
前記ストリップ導体に直列に挿入されたキャパシタと、
外部回路と前記ストリップ導体とを接続する第１の接続
手段であるワイヤまたはリボンで構成したものを説明す
る。
波信号が伝搬するマイクロストリップ線路の入出力部分
を、前記マイクロストリップ線路のストリップ導体と、
前記ストリップ導体に直列に挿入されたキャパシタと、
外部回路と前記ストリップ導体とを接続する第１の接続
手段であるワイヤまたはリボンで構成したものを説明す
る。
【００１６】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図で
あり、また、図２は図１のII−II断面図である。図にお
いて、１ａ，１ｂは誘電体基板、２ａ，２ｂは前記誘電
体基板１ａ，１ｂの裏面に形成された地導体、３ａ，３
ｂは前記誘電体基板１ａ，１ｂの表面に構成されたマイ
クロストリップ線路のストリップ導体、４ａ，４ｂは前
記誘電体基板１ａ，１ｂが半田付けされているキャリ
ヤ、５ａ，５ｂは前記ストリップ導体３ａ，３ｂに接続
された信号の入出力端子、１０は第１の接続手段の一例
となるワイヤ、１５はキャパシタの一例であるチップコ
ンデンサである。
あり、また、図２は図１のII−II断面図である。図にお
いて、１ａ，１ｂは誘電体基板、２ａ，２ｂは前記誘電
体基板１ａ，１ｂの裏面に形成された地導体、３ａ，３
ｂは前記誘電体基板１ａ，１ｂの表面に構成されたマイ
クロストリップ線路のストリップ導体、４ａ，４ｂは前
記誘電体基板１ａ，１ｂが半田付けされているキャリ
ヤ、５ａ，５ｂは前記ストリップ導体３ａ，３ｂに接続
された信号の入出力端子、１０は第１の接続手段の一例
となるワイヤ、１５はキャパシタの一例であるチップコ
ンデンサである。
【００１７】誘電体基板１ａの裏面には地導体２ａが、
表面にはストリップ導体３ａが形成されており、マイク
ロストリップ線路を構成している。前記マイクロストリ
ップ線路の端部にはチップコンデンサ１５が接続されて
おり、前記チップコンデンサ１５の上部電極が入出力端
子５ａとなっている。前記入出力端子５ａは、誘電体基
板１ｂに構成されたマイクロストリップ線路とワイヤ１
０により接続されている。
表面にはストリップ導体３ａが形成されており、マイク
ロストリップ線路を構成している。前記マイクロストリ
ップ線路の端部にはチップコンデンサ１５が接続されて
おり、前記チップコンデンサ１５の上部電極が入出力端
子５ａとなっている。前記入出力端子５ａは、誘電体基
板１ｂに構成されたマイクロストリップ線路とワイヤ１
０により接続されている。
【００１８】図３は、図１に示した接続部の等価回路図
であり、図において、Ｌｗｓはワイヤ１０のインダクタ
ンスであり、Ｃｓはコンデンサ１５のキャパシタンスで
ある。直列に接続されたＬｗｓとＣｓはその両端を、イ
ンピーダンスＺ0 の線路に接続されている。接続部は、
ＬとＣが直列に接続されているのでバンドパスフィルタ
として動作する。所要周波数帯域が前記バンドパスフィ
ルタの通過帯域となるように、コンデンサ１５のキャパ
シタンスを設定することにより、高い周波数帯において
も、反射電力の小さい接続部を持つ高周波回路を得るこ
とができる。
であり、図において、Ｌｗｓはワイヤ１０のインダクタ
ンスであり、Ｃｓはコンデンサ１５のキャパシタンスで
ある。直列に接続されたＬｗｓとＣｓはその両端を、イ
ンピーダンスＺ0 の線路に接続されている。接続部は、
ＬとＣが直列に接続されているのでバンドパスフィルタ
として動作する。所要周波数帯域が前記バンドパスフィ
ルタの通過帯域となるように、コンデンサ１５のキャパ
シタンスを設定することにより、高い周波数帯において
も、反射電力の小さい接続部を持つ高周波回路を得るこ
とができる。
【００１９】なお、図１においてストリップ導体に直列
に接続されたキャパシタとして、チップコンデンサ１５
が示されたが、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒＭｅｔａｌ）キャパシタであっても、また、ストリッ
プ導体上に形成されたギャップキャパシタやインターデ
ジタルキャパシタであってもよい。
に接続されたキャパシタとして、チップコンデンサ１５
が示されたが、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒＭｅｔａｌ）キャパシタであっても、また、ストリッ
プ導体上に形成されたギャップキャパシタやインターデ
ジタルキャパシタであってもよい。
【００２０】図１ではコンデンサは一方の誘電体基板上
のみに配置されているが、両方の誘電体基板に配置して
もよい。また、図１では、マイクロストリップ線路間の
接続について示したが、コプレーナ線路間の接続におい
ても同様の効果を奏する。なお、コプレーナ線路はキャ
リヤに固定された誘電体基板上に形成され、マイクロス
トリップ線路とワイヤで接続されていてもよいし、ＲＦ
プローバのプローブヘッドであってもよい。この場合、
線路間を接続するワイヤに相当するものは、プローブヘ
ッドの先端に付いている接触用の金属ピンである。
のみに配置されているが、両方の誘電体基板に配置して
もよい。また、図１では、マイクロストリップ線路間の
接続について示したが、コプレーナ線路間の接続におい
ても同様の効果を奏する。なお、コプレーナ線路はキャ
リヤに固定された誘電体基板上に形成され、マイクロス
トリップ線路とワイヤで接続されていてもよいし、ＲＦ
プローバのプローブヘッドであってもよい。この場合、
線路間を接続するワイヤに相当するものは、プローブヘ
ッドの先端に付いている接触用の金属ピンである。
【００２１】以上、この実施例１では、誘電体基板上に
形成され高周波信号が伝搬するストリップ導体上に形成
された入出力端子と外部回路の信号端子とをワイヤまた
はリボンまたは金属ピンで接続した高周波回路におい
て、前記ワイヤまたはリボンまたは金属ピンをインダク
タンスと見なし直列に接続することにより所用帯域で通
過となるバンドパスフィルタを構成できる容量を持つキ
ャパシタを、前記ストリップ導体に直列に挿入したこと
を特徴とする高周波回路を説明した。
形成され高周波信号が伝搬するストリップ導体上に形成
された入出力端子と外部回路の信号端子とをワイヤまた
はリボンまたは金属ピンで接続した高周波回路におい
て、前記ワイヤまたはリボンまたは金属ピンをインダク
タンスと見なし直列に接続することにより所用帯域で通
過となるバンドパスフィルタを構成できる容量を持つキ
ャパシタを、前記ストリップ導体に直列に挿入したこと
を特徴とする高周波回路を説明した。
【００２２】この実施例１においては、ストリップ導体
に直列に挿入されたキャパシタのキャパシタンスと、外
部回路と前記ストリップ導体とを接続するワイヤのイン
ダクタンスとが、直列に接続されており、これらにより
バンドパスフィルタを構成することができるので、ワイ
ヤのインダクタンスが接続部の高周波特性に影響を与え
る高い周波数においても、前記フィルタの通過帯域にお
いて、接続部の反射電力を小さくすることができる。
に直列に挿入されたキャパシタのキャパシタンスと、外
部回路と前記ストリップ導体とを接続するワイヤのイン
ダクタンスとが、直列に接続されており、これらにより
バンドパスフィルタを構成することができるので、ワイ
ヤのインダクタンスが接続部の高周波特性に影響を与え
る高い周波数においても、前記フィルタの通過帯域にお
いて、接続部の反射電力を小さくすることができる。
【００２３】実施例２． 実施例２は、本発明の実施例を示すものであり、ここで
は、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路の入
出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリップ
導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続さ
れた接続部の一例であるスルーホールまたはバイアホー
ルと、前記ストリップ導体と前記スルーホールまたはバ
イアホールとの間に挿入されたキャパシタと、外部回路
の信号端子と前記ストリップ導体の信号端子とを接続す
るワイヤまたはリボン等の第１の接続手段と、外部回路
の接地端子と前記スルーホールまたはバイアホールにあ
る接地端子とを接続するワイヤまたはリボン等の第２の
接続手段で構成したものを説明する。
は、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路の入
出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリップ
導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続さ
れた接続部の一例であるスルーホールまたはバイアホー
ルと、前記ストリップ導体と前記スルーホールまたはバ
イアホールとの間に挿入されたキャパシタと、外部回路
の信号端子と前記ストリップ導体の信号端子とを接続す
るワイヤまたはリボン等の第１の接続手段と、外部回路
の接地端子と前記スルーホールまたはバイアホールにあ
る接地端子とを接続するワイヤまたはリボン等の第２の
接続手段で構成したものを説明する。
【００２４】上記実施例１では、接続する線路は、双方
ともマイクロストリップ線路であったが、実施例２では
他の形式の線路を用いて説明する。図４はこのときの一
実施例を示したものであり、一方の誘電体基板にはコプ
レーナ線路が、他方の誘電体基板にはマイクロストリッ
プ線路が構成されている。図において、６ａは地導体に
接続したスルーホールであり、７ａは接地端子、１６は
インターデジタルキャパシタである。誘電体基板１ｂに
形成されている線路はコプレーナ線路であるため、地導
体２ｂは前記誘電体基板の表面に形成されている。ま
た、インターデジタルキャパシタ１６は、前記接地端子
７ａ（あるいはスルーホール６ａ）と前記マイクロスト
リップ線路のストリップ導体３ａとの間に接続されてい
る。この場合、接地端子７ａ（あるいはスルーホール６
ａ）は地導体２ａの接続部として機能し、接地端子７ａ
（あるいはスルーホール６ａ）と給電導体の一例である
ストリップ導体３ａとの間にキャパシタ１６を備えてい
る。
ともマイクロストリップ線路であったが、実施例２では
他の形式の線路を用いて説明する。図４はこのときの一
実施例を示したものであり、一方の誘電体基板にはコプ
レーナ線路が、他方の誘電体基板にはマイクロストリッ
プ線路が構成されている。図において、６ａは地導体に
接続したスルーホールであり、７ａは接地端子、１６は
インターデジタルキャパシタである。誘電体基板１ｂに
形成されている線路はコプレーナ線路であるため、地導
体２ｂは前記誘電体基板の表面に形成されている。ま
た、インターデジタルキャパシタ１６は、前記接地端子
７ａ（あるいはスルーホール６ａ）と前記マイクロスト
リップ線路のストリップ導体３ａとの間に接続されてい
る。この場合、接地端子７ａ（あるいはスルーホール６
ａ）は地導体２ａの接続部として機能し、接地端子７ａ
（あるいはスルーホール６ａ）と給電導体の一例である
ストリップ導体３ａとの間にキャパシタ１６を備えてい
る。
【００２５】次に、図５は図４の等価回路図であり、Ｌ
ｗｓはストリップ導体を結ぶワイヤのインダクタンス、
Ｌｗｇは地導体を結ぶワイヤのインダクタンス、Ｌｔｈ
はスルーホール６ａのインダクタンスを表わし、また、
Ｃｐはインターデジタルキャパシタ１６のキャパシタン
スを表わしている。インダクタンスＬｗｇとＬｔｈの接
点とＬｗｓとインピーダンスＺ0 の線路の接点との間に
キャパシタンスＣｐが接続され、ローパスフィルタを形
成し、高い周波数帯でも前記フィルタの通過帯域におい
て、接続部の反射電力を小さくすることができる。な
お、インターデジタルキャパシタでなく単にギャップキ
ャパシタであってもよい。
ｗｓはストリップ導体を結ぶワイヤのインダクタンス、
Ｌｗｇは地導体を結ぶワイヤのインダクタンス、Ｌｔｈ
はスルーホール６ａのインダクタンスを表わし、また、
Ｃｐはインターデジタルキャパシタ１６のキャパシタン
スを表わしている。インダクタンスＬｗｇとＬｔｈの接
点とＬｗｓとインピーダンスＺ0 の線路の接点との間に
キャパシタンスＣｐが接続され、ローパスフィルタを形
成し、高い周波数帯でも前記フィルタの通過帯域におい
て、接続部の反射電力を小さくすることができる。な
お、インターデジタルキャパシタでなく単にギャップキ
ャパシタであってもよい。
【００２６】ここでは、一方の誘電体基板上に構成され
ている線路をコプレーナ線路とした場合について説明し
たが、スロット線路であっても、同様の効果を奏する。
また、図４においてコプレーナ線路はキャリヤに固定さ
れた誘電体基板上に形成され、マイクロストリップ線路
とワイヤで接続されていたが、これらはＲＦプローバの
プローブヘッドであっても同様の効果を奏する。
ている線路をコプレーナ線路とした場合について説明し
たが、スロット線路であっても、同様の効果を奏する。
また、図４においてコプレーナ線路はキャリヤに固定さ
れた誘電体基板上に形成され、マイクロストリップ線路
とワイヤで接続されていたが、これらはＲＦプローバの
プローブヘッドであっても同様の効果を奏する。
【００２７】以上、この実施例２では、誘電体基板上に
形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイヤま
たはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接続
し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続された
スルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部回
路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン等
の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前記
第２の接続手段及び接続部をインダクタンスと見なし、
これらに対してＴ形に接続して所用帯域で通過となるロ
ーパスフィルタを構成できる容量を持つキャパシタを、
前記ストリップ導体と前記接続部との間に挿入したこと
を特徴とする高周波回路を説明した。
形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイヤま
たはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接続
し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続された
スルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部回
路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン等
の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前記
第２の接続手段及び接続部をインダクタンスと見なし、
これらに対してＴ形に接続して所用帯域で通過となるロ
ーパスフィルタを構成できる容量を持つキャパシタを、
前記ストリップ導体と前記接続部との間に挿入したこと
を特徴とする高周波回路を説明した。
【００２８】この実施例２では、マイクロストリップ線
路の地導体に接続されたスルーホールとストリップ導体
との間に挿入されたキャパシタと、前記スルーホールの
インダクタンス及び前記スルーホールと外部回路とを接
続するワイヤのインダクタンスとがＴ形に接続されてお
り、これらによりローパスフィルタを構成し、前記スル
ーホールと外部回路とを接続するワイヤあるいはスルー
ホールのインダクタンスが接続部の高周波特性に影響を
与える高い周波数においても、前記フィルタの通過帯域
において、接続部の反射電力を小さくすることができ
る。
路の地導体に接続されたスルーホールとストリップ導体
との間に挿入されたキャパシタと、前記スルーホールの
インダクタンス及び前記スルーホールと外部回路とを接
続するワイヤのインダクタンスとがＴ形に接続されてお
り、これらによりローパスフィルタを構成し、前記スル
ーホールと外部回路とを接続するワイヤあるいはスルー
ホールのインダクタンスが接続部の高周波特性に影響を
与える高い周波数においても、前記フィルタの通過帯域
において、接続部の反射電力を小さくすることができ
る。
【００２９】実施例３． 実施例３は、この発明の一実施例を示すものであり、こ
こでは、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
の入出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリ
ップ導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接
続された接続部の一例であるスルーホールまたはバイア
ホールと、前記ストリップ導体と前記マイクロストリッ
プ線路の地導体との間に挿入されたキャパシタと、外部
回路の信号端子と前記ストリップ導体とを接続する第１
の接続手段の一例であるワイヤまたはリボンと、外部回
路の接地端子と前記スルーホールまたはバイアホールと
を接続する第２の接続手段の一例であるワイヤまたはリ
ボンで構成したものを説明する。
こでは、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
の入出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリ
ップ導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接
続された接続部の一例であるスルーホールまたはバイア
ホールと、前記ストリップ導体と前記マイクロストリッ
プ線路の地導体との間に挿入されたキャパシタと、外部
回路の信号端子と前記ストリップ導体とを接続する第１
の接続手段の一例であるワイヤまたはリボンと、外部回
路の接地端子と前記スルーホールまたはバイアホールと
を接続する第２の接続手段の一例であるワイヤまたはリ
ボンで構成したものを説明する。
【００３０】ワイヤ、リボン等の接続手段１０がインダ
クタンスを有することは、説明したが、地導体を接続す
るワイヤのインダクタンスＬｗｇは、ワイヤの本数を複
数とすることやワイヤの長さを短くすることにより、ス
ルーホール６ａのインダクタンスに比べて無視できる場
合がある。この時は、前記キャパシタンスＣｐを、Ｌｗ
ｇとＬｔｈの接点とＬｗｓとインピーダンスＺ0 の線路
の接点との間に接続するのではなく、Ｌｗｓとインピー
ダンスＺ0 の線路の接点との間に接続しても良い。図６
はこの時の一実施例を示したものであり、前記キャパシ
タは、オープンスタブ１７により実現されている。
クタンスを有することは、説明したが、地導体を接続す
るワイヤのインダクタンスＬｗｇは、ワイヤの本数を複
数とすることやワイヤの長さを短くすることにより、ス
ルーホール６ａのインダクタンスに比べて無視できる場
合がある。この時は、前記キャパシタンスＣｐを、Ｌｗ
ｇとＬｔｈの接点とＬｗｓとインピーダンスＺ0 の線路
の接点との間に接続するのではなく、Ｌｗｓとインピー
ダンスＺ0 の線路の接点との間に接続しても良い。図６
はこの時の一実施例を示したものであり、前記キャパシ
タは、オープンスタブ１７により実現されている。
【００３１】実施例４． 次に、図７を用いて、この発明の他の実施例を説明す
る。前述した実施例２においては、一方の線路がマイク
ロトリップ線路、他方の線路が共平面回路の場合につい
て述べたが、双方の線路がマイクロストリップ線路であ
っても、同様の効果を奏する。図７に本実施例を用いた
高周波回路の斜視図を示す。なお、双方の線路がマイク
ロストリップ線路の場合としては図１２に示した従来例
あるいは図１に示した実施例１がある。これらにおい
て、地導体はキャリヤの接触により接続されているが、
特に高い周波数帯において前記キャリヤの加工精度の問
題により、キャリヤの接触が不良となり、地導体に不連
続が生じるために、接続部の反射電力が大きくなるとい
う問題があった。本実施例によれば、地導体の接続をワ
イヤを介して行うことができるため、キャリヤの加工精
度によらず、良好に地導体を接続することができる。
る。前述した実施例２においては、一方の線路がマイク
ロトリップ線路、他方の線路が共平面回路の場合につい
て述べたが、双方の線路がマイクロストリップ線路であ
っても、同様の効果を奏する。図７に本実施例を用いた
高周波回路の斜視図を示す。なお、双方の線路がマイク
ロストリップ線路の場合としては図１２に示した従来例
あるいは図１に示した実施例１がある。これらにおい
て、地導体はキャリヤの接触により接続されているが、
特に高い周波数帯において前記キャリヤの加工精度の問
題により、キャリヤの接触が不良となり、地導体に不連
続が生じるために、接続部の反射電力が大きくなるとい
う問題があった。本実施例によれば、地導体の接続をワ
イヤを介して行うことができるため、キャリヤの加工精
度によらず、良好に地導体を接続することができる。
【００３２】以上、この実施例３、４では、誘電体基板
上に形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ
線路のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイ
ヤまたはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接
続し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続され
たスルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部
回路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン
等の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前
記接続部をインダクタンスと見なしこれらに対してＬ形
に接続することにより所用帯域で通過となるローパスフ
ィルタを構成できる容量を持つキャパシタを、前記マイ
クロストリップ線路のストリップ導体と地導体との間に
挿入したことを特徴とする高周波回路を説明した。
上に形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ
線路のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイ
ヤまたはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接
続し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続され
たスルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部
回路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン
等の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前
記接続部をインダクタンスと見なしこれらに対してＬ形
に接続することにより所用帯域で通過となるローパスフ
ィルタを構成できる容量を持つキャパシタを、前記マイ
クロストリップ線路のストリップ導体と地導体との間に
挿入したことを特徴とする高周波回路を説明した。
【００３３】この実施例３、４では、マイクロストリッ
プ線路の地導体とストリップ導体との間に挿入されたキ
ャパシタと、前記スルーホールのインダクタンス、また
は前記スルーホールと外部回路とを接続するワイヤのイ
ンダクタンスとがＬ形に接続されており、これらにより
ローパスフィルタを構成して、前記スルーホールと外部
回路とを接続するワイヤあるいはスルーホールのインダ
クタンスが接続部の高周波特性に影響を与える高い周波
数においても、前記フィルタの通過帯域において、接続
部の反射電力を小さくすることができる。
プ線路の地導体とストリップ導体との間に挿入されたキ
ャパシタと、前記スルーホールのインダクタンス、また
は前記スルーホールと外部回路とを接続するワイヤのイ
ンダクタンスとがＬ形に接続されており、これらにより
ローパスフィルタを構成して、前記スルーホールと外部
回路とを接続するワイヤあるいはスルーホールのインダ
クタンスが接続部の高周波特性に影響を与える高い周波
数においても、前記フィルタの通過帯域において、接続
部の反射電力を小さくすることができる。
【００３４】実施例５． 実施例５は、この発明の一実施例を示すもので、ここで
は、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路の入
出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリップ
導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続さ
れたスルーホールまたはバイアホール等の接続部と、前
記ストリップ導体に直列に挿入されたキャパシタと、外
部回路の信号端子と前記キャパシタとを接続するワイヤ
またはリボン等の第１の接続手段と、外部回路の接地端
子と前記スルーホールまたはバイアホールとを接続する
ワイヤまたはリボン等の第２の接続手段で構成したもの
を説明する。
は、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路の入
出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリップ
導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続さ
れたスルーホールまたはバイアホール等の接続部と、前
記ストリップ導体に直列に挿入されたキャパシタと、外
部回路の信号端子と前記キャパシタとを接続するワイヤ
またはリボン等の第１の接続手段と、外部回路の接地端
子と前記スルーホールまたはバイアホールとを接続する
ワイヤまたはリボン等の第２の接続手段で構成したもの
を説明する。
【００３５】上記実施例２〜４において、接地導体を接
続するワイヤのインダクタンスＬｗｇあるいはスルーホ
ールのインダクタンスＬｔｈと、これらインダクタンス
とストリップ導体との間に接続されたキャパシタにより
ローパスフィルタを構成したが、前記インダクタンスＬ
ｗｇあるいはＬｔｈと、これらに直列に接続されたキャ
パシタ、あるいは、ストリップ導体に挿入されたキャパ
シタによりバンドパスフィルタを構成することもでき
る。図８は、この時の一実施例をしめしたものであり、
ＭＩＭキャパシタ１８は、ストリップ導体とワイヤとの
間に挿入されている。図９は図８の等価回路図であり、
図において、ＣｐはＭＩＭキャパシタ１８のキャパシタ
ンスを表している。
続するワイヤのインダクタンスＬｗｇあるいはスルーホ
ールのインダクタンスＬｔｈと、これらインダクタンス
とストリップ導体との間に接続されたキャパシタにより
ローパスフィルタを構成したが、前記インダクタンスＬ
ｗｇあるいはＬｔｈと、これらに直列に接続されたキャ
パシタ、あるいは、ストリップ導体に挿入されたキャパ
シタによりバンドパスフィルタを構成することもでき
る。図８は、この時の一実施例をしめしたものであり、
ＭＩＭキャパシタ１８は、ストリップ導体とワイヤとの
間に挿入されている。図９は図８の等価回路図であり、
図において、ＣｐはＭＩＭキャパシタ１８のキャパシタ
ンスを表している。
【００３６】以上、この実施例５では、誘電体基板上に
形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイヤま
たはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接続
し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続された
スルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部回
路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン等
の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前記
第１の接続手段をインダクタンスと見なしこれに対して
直列に接続して所用帯域で通過となるバンドパスフィル
タを構成できる容量を持つキャパシタを、前記ストリッ
プ導体と第１の接続手段の間に直列に挿入したことを特
徴とする高周波回路を説明した。
形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイヤま
たはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接続
し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続された
スルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部回
路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン等
の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前記
第１の接続手段をインダクタンスと見なしこれに対して
直列に接続して所用帯域で通過となるバンドパスフィル
タを構成できる容量を持つキャパシタを、前記ストリッ
プ導体と第１の接続手段の間に直列に挿入したことを特
徴とする高周波回路を説明した。
【００３７】この実施例５では、ストリップ導体に接続
されたキャパシタと、外部回路と前記ストリップ導体と
を接続するワイヤのインダクタンスとが、直列に接続さ
れており、これによりバンドパスフィルタを構成して、
ワイヤのインダクタンスが接続部の高周波特性に影響を
与える高い周波数においても、前記フィルタの通過帯域
において、接続部の反射電力を小さくすることができ
る。
されたキャパシタと、外部回路と前記ストリップ導体と
を接続するワイヤのインダクタンスとが、直列に接続さ
れており、これによりバンドパスフィルタを構成して、
ワイヤのインダクタンスが接続部の高周波特性に影響を
与える高い周波数においても、前記フィルタの通過帯域
において、接続部の反射電力を小さくすることができ
る。
【００３８】実施例６． 実施例６は、この発明の一実施例を示すものであり、こ
こでは、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
の入出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリ
ップ導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接
続されたスルーホールまたはバイアホール等の接続部
と、前記接続部に接続されたキャパシタと、外部回路の
信号端子と前記ストリップ導体とを接続するワイヤまた
はリボン等の第１の接続手段と、外部回路の接地端子と
前記キャパシタとを接続するワイヤまたはリボン等の第
２の接続手段で構成したものを説明する。
こでは、高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
の入出力部分を、前記マイクロストリップ線路のストリ
ップ導体と、前記マイクロストリップ線路の地導体に接
続されたスルーホールまたはバイアホール等の接続部
と、前記接続部に接続されたキャパシタと、外部回路の
信号端子と前記ストリップ導体とを接続するワイヤまた
はリボン等の第１の接続手段と、外部回路の接地端子と
前記キャパシタとを接続するワイヤまたはリボン等の第
２の接続手段で構成したものを説明する。
【００３９】図１０は実施例６を示したものであり、図
において、ＭＩＭキャパシタ１８は、スルーホールと、
前記スルーホールと地導体を接続するワイヤとの間に挿
入されている。図１１は図１０の等価回路図であり、Ｃ
ｐは図９と同様にＭＩＭキャパシタ１８のキャパシタン
スを表している。
において、ＭＩＭキャパシタ１８は、スルーホールと、
前記スルーホールと地導体を接続するワイヤとの間に挿
入されている。図１１は図１０の等価回路図であり、Ｃ
ｐは図９と同様にＭＩＭキャパシタ１８のキャパシタン
スを表している。
【００４０】以上、この実施例６では、誘電体基板上に
形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイヤま
たはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接続
し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続された
スルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部回
路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン等
の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前記
第２の接続手段及び接続部をインダクタンスと見なしこ
れらに対して直列に接続して所用帯域で通過となるバン
ドパスフィルタを構成できる容量を持つキャパシタを、
前記接続部と前記第２の接続手段との間に挿入したこと
を特徴とする高周波回路を説明した。
形成され高周波信号が伝搬するマイクロストリップ線路
のストリップ導体と、外部回路の信号端子とをワイヤま
たはリボンまたは金属ピン等の第１の接続手段で接続
し、前記マイクロストリップ線路の地導体に接続された
スルーホールまたはバイアホール等の接続部と、外部回
路の接地端子とをワイヤまたはリボンまたは金属ピン等
の第２の接続手段で接続した高周波回路において、前記
第２の接続手段及び接続部をインダクタンスと見なしこ
れらに対して直列に接続して所用帯域で通過となるバン
ドパスフィルタを構成できる容量を持つキャパシタを、
前記接続部と前記第２の接続手段との間に挿入したこと
を特徴とする高周波回路を説明した。
【００４１】この実施例６では、マイクロストリップ線
路の地導体に接続されたスルーホールに接続されたキャ
パシタと、前記スルーホールのインダクタンス、または
前記スルーホールと外部回路とを接続するワイヤのイン
ダクタンスとが直列に接続されており、これらによりバ
ンドパスフィルタを構成して、前記スルーホールと外部
回路とを接続するワイヤあるいはスルーホールのインダ
クタンスが接続部の高周波特性に影響を与える高い周波
数においても、前記フィルタの通過帯域において、接続
部の反射電力を小さくすることができる。
路の地導体に接続されたスルーホールに接続されたキャ
パシタと、前記スルーホールのインダクタンス、または
前記スルーホールと外部回路とを接続するワイヤのイン
ダクタンスとが直列に接続されており、これらによりバ
ンドパスフィルタを構成して、前記スルーホールと外部
回路とを接続するワイヤあるいはスルーホールのインダ
クタンスが接続部の高周波特性に影響を与える高い周波
数においても、前記フィルタの通過帯域において、接続
部の反射電力を小さくすることができる。
【００４２】なお、上記実施例１〜６においては、２枚
の誘電体基板は別々のキャリヤに半田付けされていた
が、同一キャリヤに半田付けされていてもよい。
の誘電体基板は別々のキャリヤに半田付けされていた
が、同一キャリヤに半田付けされていてもよい。
【００４３】また、上記実施例１〜６においては、高周
波回路の場合を示したが、高周波回路以外の信号回路で
あってもかまわない。
波回路の場合を示したが、高周波回路以外の信号回路で
あってもかまわない。
【００４４】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００４５】この発明によれば、接続部のインダクタン
スと第２の接続手段のインダクタンスとキャパシタのキ
ャパシタンスとをＴ形に接続してローパスフィルタを構
成することにより、上記フィルタの通常帯域において反
射電力を小さくできる。
スと第２の接続手段のインダクタンスとキャパシタのキ
ャパシタンスとをＴ形に接続してローパスフィルタを構
成することにより、上記フィルタの通常帯域において反
射電力を小さくできる。
【００４６】また、この発明によれば、接続部のインダ
クタンスとキャパシタのキャパシタンスをＬ形に接続し
てローパスフィルタを構成することにより、上記フィル
タの通過帯域において、地導体を接続する接続部の反射
電力を小さくできる。
クタンスとキャパシタのキャパシタンスをＬ形に接続し
てローパスフィルタを構成することにより、上記フィル
タの通過帯域において、地導体を接続する接続部の反射
電力を小さくできる。
【００４７】更に、この発明によれば、接続部のインダ
クタンスとキャパシタのキャパシタンスと第２の接続手
段のインダクタンスとを直列に接続してバンドパスフィ
ルタを構成することにより、上記フィルタの通過帯域に
おいて、地導体を接続する接続部の反射電力を小さくで
きる。
クタンスとキャパシタのキャパシタンスと第２の接続手
段のインダクタンスとを直列に接続してバンドパスフィ
ルタを構成することにより、上記フィルタの通過帯域に
おいて、地導体を接続する接続部の反射電力を小さくで
きる。
【図１】この発明の実施例１による高周波回路の斜視図
である。
である。
【図２】この発明の実施例１における高周波回路のII−
II断面図である。
II断面図である。
【図３】この発明の実施例１における高周波回路の等価
回路図である。
回路図である。
【図４】この発明の実施例２による高周波回路の斜視図
である。
である。
【図５】この発明の実施例２における高周波回路の等価
回路図である。
回路図である。
【図６】この発明の実施例３による高周波回路の斜視図
である。
である。
【図７】この発明の実施例４による高周波回路の斜視図
である。
である。
【図８】この発明の実施例５による高周波回路の斜視図
である。
である。
【図９】この発明の実施例５における高周波回路の等価
回路図である。
回路図である。
【図１０】この発明の実施例６による高周波回路の斜視
図である。
図である。
【図１１】この発明の実施例６における高周波回路の等
価回路図である。
価回路図である。
【図１２】従来の高周波回路の斜視図である。
【図１３】従来の高周波回路のXIII−XIII断面図であ
る。
る。
【図１４】従来の高周波回路の等価回路図である。
【図１５】スルーホール用いた従来の高周波回路の斜視
図である。
図である。
【図１６】スルーホール用いた従来の高周波回路の等価
回路図である。
回路図である。
１ａ，１ｂ 誘電体基板 ２ａ，２ｂ 地導体（対向導体の一例） ３ａ，３ｂ ストリップ導体（給電導体の一例） ４ａ，４ｂ キャリヤ ５ａ，５ｂ 信号の入出力端子（接続部の一例） ６ａ，６ｂ スルーホール（接続部の一例） ７ａ，７ｂ 接地端子（接続部の一例） １０ ワイヤ（接続手段の一例） １５ チップコンデンサ １６ インターデジタルキャパシタ １７ オープンスタブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清野 清春 鎌倉市大船五丁目１番１号 三菱電機株 式会社 電子システム研究所内 (56)参考文献 特開 平１−141402（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−256801（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−123102（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体基板上に形成され高周波信号が伝
搬するマイクロストリップ線路のストリップ導体と外部
回路の信号端子とを、ワイヤまたはリボンまたは金属ピ
ン等の第１の接続手段により接続して、上記マイクロス
トリップ線路の地導体に接続されたスルーホールまたは
バイアホール等の接続部と外部回路の接地端子とをワイ
ヤまたはリボンまたは金属ピン等の第２の接続手段によ
り接続した信号回路において、 上記マイクロストリップ線路のストリップ導体と上記接
続部との間に設けられたキャパシタであって、 上記第２の接続手段と上記接続部とをインダクタンスと
見なし、 上記第２の接続手段のインダクタンスと上記接続部のイ
ンダクタンスとに対してＴ形に接続され高周波信号を所
用の帯域で通過させるローパスフィルタを構成する容量
を持つキャパシタを備えることを特徴とする信号回路。 - 【請求項２】 誘電体基板上に形成され高周波信号が伝
搬するマイクロストリップ線路のストリップ導体と外部
回路の信号端子とを、ワイヤまたはリボンまたは金属ピ
ン等の第１の接続手段により接続して、上記マイクロス
トリップ線路の地導体に接続されたスルーホールまたは
バイアホール等の接続部と外部回路の接地端子とをワイ
ヤまたはリボンまたは金属ピン等の第２の接続手段によ
り接続した信号回路において、 上記マイクロストリップ線路のストリップ導体と上記地
導体との間に設けられたキャパシタであって、 上記接続部をインダクタンスと見なし、 上記接続部のインダクタンスに対してＬ形に接続され高
周波信号を所用の帯域で通過させるローパスフィルタを
構成する容量を持つキャパシタを備えることを特徴とす
る信号回路。 - 【請求項３】 誘電体基板上に形成され高周波信号が伝
搬するマイクロストリップ線路のストリップ導体と外部
回路の信号端子とを、ワイヤまたはリボンま たは金属ピ
ン等の第１の接続手段により接続して、上記マイクロス
トリップ線路の地導体に接続されたスルーホールまたは
バイアホール等の接続部と外部回路の接地端子とをワイ
ヤまたはリボンまたは金属ピン等の第２の接続手段によ
り接続した信号回路において、 上記接続部と上記第２の接続手段との間に設けられたキ
ャパシタであって、 上記第２の接続手段と上記接続部とをインダクタンスと
見なし、 上記接続部のインダクタンスと上記第２の接続手段のイ
ンダクタンスとに対して直列に接続され高周波信号を所
用の帯域で通過させるバンドパスフィルタを構成する容
量を持つキャパシタを備えることを特徴とする信号回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3118545A JP2636550B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 信号回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3118545A JP2636550B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 信号回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345301A JPH04345301A (ja) | 1992-12-01 |
| JP2636550B2 true JP2636550B2 (ja) | 1997-07-30 |
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ID=14739245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3118545A Expired - Fee Related JP2636550B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 信号回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2636550B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10205211B2 (en) | 2015-09-14 | 2019-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal insulation waveguide and wireless communication device |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH01141402A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路装置 |
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-
1991
- 1991-05-23 JP JP3118545A patent/JP2636550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10205211B2 (en) | 2015-09-14 | 2019-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal insulation waveguide and wireless communication device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04345301A (ja) | 1992-12-01 |
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